清洁片和使用该清洁片清洁基底处理设备的方法

文档序号:1423060阅读:315来源:国知局
专利名称:清洁片和使用该清洁片清洁基底处理设备的方法
技术领域
本发明涉及用于清洁设备的片,更具体地涉及清洁片和清洁基底处理设备(substrate treatment device)的清洁方法,该基底处理设备易于受到外来物质,如半导体或平板显示器生产设备和半导体或平板显示器检查设备的损害。
背景技术
基底处理设备输送彼此物理接触的各种输送系统和基底。在此过程期间,当外来物质粘附到基底或输送系统时,能连续污染随后的基底,使得必须在规定的时间间隔下中止操作设备并清洁设备。这带来的问题是工作效率降低或需要更多劳动。为解决这些问题,已经提出包括输送其上固定有粘合剂材料的基底,以清洁掉粘附到基底处理设备内部的外来物质的方法(日本专利申请公开1998-154686),和输送板状元件以除去粘附到基底背面的外来物质的方法(日本专利申请公开1999-87458)。
发明公开包括如下操作的方法是克服上述问题的有效方法输送其上固定有粘合剂材料的基底,以清洁掉粘附到基底处理设备内部的外来物质。然而,根据此方法,由于粘合剂材料用作清洁层,可能的情况是粘合剂材料可以牢固地粘合到设备的接触区域,因而不能剥离接触区域,使得不能确定地输送基底。当设备的卡盘台包括真空吸入机构时,此问题是特别显著的。
另外,包括输送板状元件以除去外来物质的方法可进行输送而没有任何麻烦,但不利的在于除去效率差,除去效率是重要的。
而且,需要用于这些外来物质脱除的清洁片由清洁层形成,该清洁层在在基底处理设备中的输送部位上不引起污染。需要给予要粘着到清洁层上的分隔物相似的考虑。换言之,通常布置清洁片使得将分隔物粘着到清洁层的表面,以保护清洁层的表面或改进其可操纵性。作为此分隔物,通常使用聚酯膜等,从释放性观点来看已经采用硅氧烷、蜡等释放处理该聚酯膜等。
然而,当在使用期间将上述分隔物剥离清洁层时,释放处理物如硅氧烷和蜡移动到清洁层。当将此清洁片输送入基底处理设备以尝试除去外来物质时,上述被转移的释放处理物粘附到设备中的输送部位等,不利地污染设备。
因此,迄今为止已经进行实践以使用由聚烯烃系树脂形成的清洁层表面保护膜代替上述分隔物。即使没有采用硅氧烷、蜡等释放处理物,此类膜自身可显示足够的释放性,因此可防止设备的污染。然而,在其中清洁片用于温度为约80℃的设备的情况或类型情况下,产生的问题是由于如下原因仍然污染设备的内部在聚烯烃系树脂成膜期间加入的各种添加剂移动到清洁层,然后被气化或与设备中的剩余气体反应。
第一和第二发明的目的是提供清洁片,其可以确定地通过基底处理设备被输送以简单和确定地除去粘附到其上的外来物质。
此外,参考上述生产具有清洁功能的输送元件的方法,在其中将清洁片粘着到输送元件如基底以生产清洁元件的情况下,当将尺寸大于输送元件的清洁片粘着到输送元件上,然后沿输送元件的轮廓切割(以下称为“直接切割工艺”)时,在片切割期间从清洁层等产生碎片然后该碎片不利地粘附到清洁元件和设备。此外,在其中将已经预先加工成元件形式的清洁标签片(label sheet)粘着到输送元件以生产清洁元件(以下称为“预切割工艺”)的情况下,与直接切割工艺相比可以抑制在标签加工期间的碎片产生,但清洁层的粘合剂在标签切割期间从切割部分突出,使得可能出现的情况是粘合剂可粘接到标签末端。另外,在其中使用聚合-固化粘合剂作为粘合剂的情况下,当在片切割之后进行固化时,由于氧气的抑制在切口末端的粘合剂经受不良固化,可能在基底处理设备中引起接触部位上的污染。
此外,在其中冲压标签片的情况下,以连续长度的分隔物形式连续制备清洁标签及通常的粘合剂位于其间。然而,在此情况下,当使用在给予活化能时,聚合和固化的粘合剂作为清洁层的情况下,当被给予活化能时该粘合剂聚合物和固化,清洁层经受硬化和收缩,引起标签自身容易从分隔物剥离。当在分隔物和粘合剂之间的剥脱粘合力(peel adhesion)小时,清洁标签可以从分隔物剥离。此外,当用于保持标签的分隔物的释放层不稳定时,释放层的剥脱粘合力在贮存期间可变化或释放层的组分可移动到粘合层的表面,劣化标签的粘合性能。在最差的情况下,在清洁元件的使用期间标签可从输送元件剥离,在设备中引起误差。
此外,在片冲压之前进行固化的情况下,特别是在其中硅氧烷释放剂用作清洁层表面保护的释放膜的情况下,该硅氧烷组分可移动到清洁层的表面。
在这些状况下,第三发明的目的是提供具有清洁功能的标签片,该标签片可以通过基底处理设备确定地被输送以简单和确定地除去粘附到设备的外来物质,而不引起预切割工艺中清洁标签从分隔物剥离,并且标签的耐老化稳定性和粘合性能优异。
此外,在这些状况下,第四发明的目的是提供生产具有清洁功能的标签片的方法,该方法允许通过基底处理设备确定地输送基底,使得可能简单和确定地除去粘附到设备内部的外来物质,既不引起片冲压期间的不良冲压也不引起预切割工艺中粘合剂的不良固化。
本发明的发明人广泛研究了上述目的。结果是,发现当将输送元件如含有清洁层的片和其上固定有片的基底被输送入清洁设备的内部,以除去粘附其上的外来物质时,第一发明作为该清洁层保护用保护膜的使用,使得可以确定地防止由于分隔物在设备上的污染问题以及简单和确定地剥脱外来物质,而不引起上述问题,其中第一发明是层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其中当从该清洁层剥离该分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到该清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少,按照聚二甲基硅氧烷计算,在分隔物上涂敷的量为0.1g/m2或更少。因此,设计出本发明。
作为第二发明,发现层压为分隔物的、由聚烯烃系树脂形成的未处理保护膜作为上述用于保护清洁层的保护膜的使用,使得可以确定地防止由于分隔物在设备上的污染问题和简单和确定地剥脱外来物质,而不引起上述问题,其中保护膜中引入的热劣化抑制剂(heat deterioration inhibitor)和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃系树脂。因此,设计出本发明。
作为第四发明,本发明的发明人进行广泛研究以完成上述目的。结果是,发现用于生产具有清洁功能的标签片的预切割方法的使用,使得可以生产具有清洁功能的标签片,该标签片可简单和确定地除去外来物质而不引起上述问题,该标签片包括由粘合剂形成的清洁层,当被给予活化能时该粘合剂经受聚合和固化,该预切割方法包括在清洁层粘合剂的聚合和固化之前,剥脱清洁层的第一释放膜;在没有氧气基本影响的条件下将清洁层进行聚合和固化;由第二释放膜保护该清洁层的表面;然后切割标签。因此,设计出本发明。
换言之,本发明的第一实质涉及一种清洁片,该清洁片包括清洁层和在其至少一侧上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于当从清洁层剥离该分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到该清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少(权利要求1);一种清洁片,该清洁片包括清洁层和在其至少一侧上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于按照聚二甲基硅氧烷计算,使用由量为0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作为该分隔物(权利要求2);一种清洁片,该清洁片包括清洁层和在其至少一侧上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于当从清洁层剥离该分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到该清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少,在该清洁层另一侧上提供通常粘合层(权利要求3);一种清洁片,该清洁片包括清洁层和在其至少一侧上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于按照聚二甲基硅氧烷计算,使用由量为0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作为该分隔物,在该清洁层另一侧上提供通常粘合层(权利要求4);一种清洁片,该清洁片包括在衬垫(backing)至少一侧上提供的清洁层和在其上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于当从清洁层剥离该分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到该清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少(权利要求5);一种清洁片,该清洁片包括在衬垫至少一侧上提供的清洁层和在其上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于按照聚二甲基硅氧烷计算,使用由量为0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作为该分隔物(权利要求6);一种清洁片,该清洁片包括在衬垫至少一侧上提供的清洁层,在该衬垫另一侧上提供的通常粘合层和至少在该清洁层表面上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于当从清洁层剥离该分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到该清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少(权利要求7);一种清洁片,该清洁片包括在衬垫至少一侧上提供的清洁层,在该衬垫另一侧上提供的通常粘合层和至少在该清洁层表面上层压为分隔物的、由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其特征在于按照聚二甲基硅氧烷计算,使用由量为0.1g/m2或更少的硅氧烷涂敷的分隔物作为该分隔物(权利要求8)等。
本发明的第二实质涉及一种清洁片,该清洁片包括在清洁层至少一侧上层压为分隔物的、由聚烯烃系树脂形成的未处理保护膜,其特征在于在此保护膜中引入的热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃系树脂(权利要求9);一种清洁片,该清洁片包括在清洁层一侧上层压为分隔物的、由聚烯烃系树脂形成的未处理保护膜和在该清洁层另一侧上提供通常粘合层,其中保护膜的特征在于在此保护膜中引入的热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃系树脂(权利要求10);一种清洁片,该清洁片包括在衬垫至少一侧上提供的清洁层和在该清洁层表面上层压为分隔物的、由聚烯烃系树脂形成的未处理保护膜,其特征在于在此保护膜中引入的热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃系树脂(权利要求11);一种清洁片,该清洁片包括在衬垫一个侧面上提供的清洁层,在该衬垫侧面上提供的通常粘合层和至少在该清洁层表面上层压为分隔物的、由聚烯烃系树脂形成的未处理保护膜,其特征在于在此保护膜中引入的热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃系树脂(权利要求12);根据权利要求9-12的清洁片,其中该保护膜没有热劣化抑制剂和润滑剂(权利要求13)等。
本发明的第三实质涉及一种具有清洁功能的标签片,该标签片包括在衬垫一侧上提供的清洁层,清洁层的表面由释放膜保护,其中在连续长度的分隔物上彼此可剥脱地连续提供该衬垫的另一侧,通常粘合层位于其间,其特征在于从该通常粘合层剥离该分隔物的所需的180°剥脱粘合力是0.05N/50mm或更大(权利要求16);一种具有清洁功能的标签片,该标签片包括在衬垫一侧上提供和及它的表面由释放膜保护的清洁层,其中在连续长度的分隔物上彼此可剥脱地连续提供该衬垫的另一侧,通常粘合层位于其间,其特征在于使用残余粘合力(residual adhesion)百分比为85%或更大的分隔物作为该分隔物,由NITTO DENKO CORPORATION生产的No.31B带测量该百分比(权利要求17);权利要求16或17中描述的具有清洁功能的标签片,其中(根据JIS K7127测试方法)该清洁层的拉伸模量是10Mpa或更大(权利要求18);根据权利要求16或17的具有清洁功能的标签片,包括具有清洁层的清洁片,清洁层由固化粘合剂形成,该固化粘合剂包含压敏粘合剂聚合物、每分子含有一个或多个不饱和双键的可聚合不饱和化合物和聚合引发剂(权利要求19);根据权利要求16或17的具有清洁功能的标签片,其中权利要求19中描述的压敏粘合剂是包括(甲基)丙烯酸烷基酯作为主要单体的丙烯酸类聚合物(权利要求20);根据权利要求16或17的具有清洁功能的标签片,其中权利要求19中描述的聚合引发剂是光聚合引发剂,清洁层是光凝固(光固化)粘合层(权利要求21)等。
本发明的第四实质涉及一种具有清洁功能的标签片的生产方法,该标签片包括在衬垫一侧上的清洁层,清洁层表面由释放膜保护,该清洁层由粘合剂形成,当被给予活化能时该粘合剂经受聚合和固化,其中在分隔物上可剥脱地提供该衬垫的另一侧面,通常粘合层位于期间,其特征在于从所获得的标签片的清洁层向硅晶片转移的尺寸为0.2μm或更大的外来物质的量为20片/in2或更少(权利要求22)。
一种具有清洁功能的标签片的生产方法,该标签片包括在衬垫一侧上及其表面由释放膜保护的清洁层,该清洁层由粘合剂形成,当被给予活化能时该粘合剂经受聚合和固化,其中在分隔物上可剥脱地提供该衬垫的另一侧面,通常粘合层位于其间,该方法包括在该清洁层的粘合剂的聚合和固化之前,剥脱清洁层的第一释放膜,在没有氧气基本影响的条件下将清洁层进行聚合固化;由第二释放膜保护清洁层的表面;然后将片冲压成标签形式(权利要求23);权利要求23中描述的具有清洁功能的标签片的生产方法,其中在清洁层的粘合剂的聚合固化反应之前保护清洁层表面的第一释放膜是含有硅氧烷系释放剂的膜(权利要求24);权利要求22中描述的具有清洁功能的标签片的生产方法,其中在片冲压成标签形式期间(根据JISK7127测试方法)清洁层的拉伸模量是10MPa或更大(权利要求25);权利要求22中描述的具有清洁功能的标签片的生产方法,其中清洁层是包括如下物质的固化粘合剂压敏粘合剂聚合物、每分子含有一个或多个不饱和双键的可聚合不饱和化合物和聚合引发剂(权利要求26);权利要求26中描述的具有清洁功能的标签片的生产方法,其中压敏粘合剂聚合物是包括(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸烷基酯作为主要单体的丙烯酸类聚合物(权利要求27);权利要求26中描述的具有清洁功能的标签片的生产方法,其中聚合引发剂是光聚合引发剂,清洁层是光凝固粘合层(权利要求28)等。
附图简述

图1是说明本发明具有清洁功能的标签片的实施方案的平面图。
图2是沿图1的a-a线取的剖视图。
附图标记如下1分隔物,A清洁标签,2衬垫,3清洁层,4释放膜,5通常粘合层本发明的第一清洁片包括由硅氧烷系释放剂释放处理的分隔物,该分隔物作为保护清洁层表面的保护膜。待层压在该清洁层上的分隔物需要满足如下要求当从该清洁层剥离该分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到该清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2,特别优选0.003g/m2。或者,该分隔物需要满足的要求是按照聚二甲基硅氧烷计算,在该分隔物上硅氧烷的涂敷量为0.1g/m2或更少,特别优选0.07g/m2或更少。当粘附到清洁层的硅氧烷的量或分隔物上硅氧烷的涂敷量超过上述预定数值时,出现的问题是与清洁层最外表面接触的释放处理物的组分或者组分之一的硅氧烷,硅氧烷是一种组分,移动到清洁层的表面,污染清洁层,引起基底处理设备中接触部位的二次污染。可以由如下方式进行硅氧烷量的测量使用荧光X射线测量仪器在30mm测量范围内测量样品表面的Si-Kα强度,然后按照聚二甲基硅氧烷计算测量值。转换公式由如下公式(1)表示。
y=0.00062x (1)y聚二甲基硅氧烷的量(g/m2)xSi-Kα的强度(kcps)并不特别限定要用于本发明的分隔物,只要粘附到清洁层的硅氧烷的量或分隔物上硅氧烷的涂敷量不超过上述的预定数值。例如,要用作释放处理物的硅氧烷树脂可以是溶剂类型、乳液类型、无溶剂类型等。或者,可以使用固化类型硅氧烷树脂如缩合反应固化类型、加成反应固化类型、紫外固化类型和电子射线固化类型硅氧烷树脂。除主要组分如聚二甲基硅氧烷以外,硅氧烷树脂可进一步包括引入其中的各种添加剂如作为轻组分脱除添加剂的非功能硅氧烷或作为重组分脱除添加剂的硅氧烷树脂。
要用作分隔物的材料并不特别限定但可以是由如下物质组成的塑料膜聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、醋酸乙烯酯-乙烯基共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯等。
本发明的第二清洁片包括由聚烯烃系树脂形成的,厚度通常常为25μm-100μm的分隔物,该分隔物作为清洁层表面保护的保护膜。聚烯烃系树脂的例子包括聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等。即使不由硅氧烷或蜡释放处理,此类膜如聚醚显示低临界表面张力,因此可以预定具有关于清洁层表面的降低的剥脱粘合力。此外,由软质聚氯乙烯形成的膜是不利,因为引入膜的大量增塑剂移动到清洁层表面,在基底处理设备中引起污染或从聚氯乙烯释放的氯化氢在设备中引起污染。然而,聚烯烃系树脂不引起这样的问题。
通常通过将各种添加剂加入到上述聚烯烃系树脂中,然后由成膜设备如挤出机和压延机将聚烯烃系树脂加工成膜形式,以制备这样的清洁层表面保护膜。本发明的特征在于上述添加剂没有热劣化抑制剂和润滑剂或者,如果有的话,两种添加剂的总量限制到窄至小于0.01重量份的范围,基于100重量份聚烯烃系树脂。
热劣化抑制剂的例子包括酚类热劣化抑制剂、芳族胺系热劣化抑制剂、有机硫系热劣化抑制剂、有机磷系热劣化抑制剂和金属化合物系热劣化抑制剂。当热劣化抑制剂和润滑剂的总量不小于0.01重量份时,基于100重量份聚烯烃系树脂,这些添加剂移动到清洁层的表面,使得难以确定地在基底处理设备中防止污染。
此外,由于由上述聚烯烃系树脂形成的保护膜在清洁层形成粘合剂的涂敷期间必须承受加热和干燥步骤,作为成膜材料的聚烯烃系树脂优选显示80℃或更高的热变形温度(根据JIS K7207在0.45MPa的负荷下)。这样的保护膜不经过释放处理。
清洁层并不特别限于它的材料等。然而,优选使用由活化能源如紫外射线和热量固化以具有三维网络分子结构的材料,该分子结构提供降低的粘合力。例如,关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力是0.20N/10mm或更少,优选约0.010-0.10N/10mm。当此粘合力超过0.20N/10mm时,在输送期间清洁层粘合到设备中的非清洁区域,可能引起输送麻烦。
此外,在本发明中,可以将清洁片切割成标签形式,标签然后用作具有清洁功能的标签片。在此情况下,不具体限制切割方法。然而,当清洁层的粘合剂没有聚合和固化时,不利的在于清洁层的粘合层从片的切割截面突出或连接到切割截面或粘合剂丝(adhesive rope)或者被切割到不均匀的深度以得到粗糙切割截面,在最差情况下引起不良切割。此外,当在片的切割之后进行聚合固化反应时,由于氧气的抑制可防止在切割截面上曝露的粘合剂聚合,伴随地由粘合剂引起基底处理设备的污染。因此,优选在切割之前预先进行聚合固化反应。为此目的,优选清洁层的拉伸模量是10MPa或更大,优选10-2,000Mpa(根据JIS K7127)以防止发生由上述伴随片切割的问题。通过预定拉伸模量到这样的规定数值或更大,可以防止标签切割期间粘合剂从清洁层的突出或不良切割,使得可以生产具有清洁功能的标签片,该标签片不引起由粘合剂的污染。当拉伸模量超过2,000Mpa时,从输送系统除去粘附的外来物质的能力劣化。当拉伸模量小于此范围时,在输送期间上述采用切割的问题可发生或粘合剂可粘合到设备中要清洁的区域,可能在输送中引起麻烦。
作为这种清洁层的具体例子,优选是包括如下物质的清洁层在压敏粘合剂聚合物中引入的每分子含有一个或多个不饱和双键的化合物。
此外,这种压敏粘合剂聚合物的例子是包括选自丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸和甲基丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸和/或(甲基)丙烯酸酯作为单体的丙烯酸类聚合物。通过使用每分子含有两个或多个不饱和双键的化合物作为可共聚单体以合成此丙烯酸类聚合物,或化学键合每分子含有不饱和双键的化合物和由官能团之间反应合成的丙烯酸类聚合物,使得丙烯酸类聚合物分子包括引入其中的不饱和双键,当给予聚合物活化能时也允许聚合物自身参与聚合固化反应。
要在此使用的每分子含有一个或多个不饱和双键的化合物(以下称为“可聚合不饱和化合物”)优选是重均分子量为10,000或更少的非挥发性低分子量化合物。优选此化合物的分子量为5,000或更少以在固化期间进行粘合层的有效三维网络化。这样可聚合化合物的例子包括苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、ε-己内酯(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、六(甲基)丙烯酸二季戊四醇酯、尿烷(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、低聚酯(甲基)丙烯酸酯等。在这些可聚合化合物中,使用一种或多种化合物。
此外,并不具体限制要引入粘合剂的聚合引发剂。可以使用任何已知的材料作为这样的聚合引发剂。例如,如果使用热量作为活化能源,可以使用热聚合引发剂如过氧化苯甲酰和偶氮二异丁腈。如果使用光,可以使用光聚合引发剂如苯甲酰、苯偶姻乙基醚、二苄基、异丙基苯偶姻醚、二苯酮、米蚩酮氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、苯乙酮二乙基缩酮、苄基二甲基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基甲基苯基丙烷和2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮。
清洁层的厚度并不具体限制但通常为约5-100μm。
本发明也提供包括在清洁层另一侧或衬垫另一侧上提供的通常粘合层的清洁片。在此情况下,在另一侧上的清洁层并不具体限制它的材料等,只要它满足粘着功能。可以使用通常的粘合剂(如丙烯酸类粘合剂、橡胶基粘合剂)。粘合层的厚度通常为约5-100μm。在其中将输送元件如基底剥离这样的粘合剂以在本发明再使用输送元件如基底的情况下,这样通常粘合剂的粘合力优选为约0.21-0.98N/10mm,特别约0.40-0.98N/10mm,按照关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力计算该粘合力,使得基底可以容易地再剥脱而不在清洁之后的输送期间被剥脱。
不具体限制用于另一侧上粘合层的分隔物。分隔物的例子包括由如下材料组成的塑料膜聚烯烃如聚乙烯,聚丙烯,聚丁烯,聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯,它们已经由硅氧烷系释放剂、长链烷基系释放剂、氟系释放剂、脂族酸酰胺系释放剂、二氧化硅系释放剂等释放处理。分隔物的厚度通常为约10-100μm。
不具体限制用于清洁层的衬垫。衬垫的例子包括由如下物质组成的塑料膜聚乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙酰基纤维素、聚碳酸酯、聚丙烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚碳化二亚胺、尼龙膜等。衬垫膜的厚度通常为约10μm-100μm。
在本发明具有清洁功能的第三标签片中,连续长度的分隔物必须具有的180°剥脱粘合力为0.05N/50mm或更大,优选0.1N/50mm或更大,特别地约0.1-0.5N/50mm以自身从通常粘合层剥离。或者,该分隔物的残余粘合力百分比为85%或更大,优选90%或更大,特别地约90-110%,由NITTODENKO CORPORATION生产的No.31B带(商品名聚酯粘合带;基底聚酯;粘合剂丙烯酸类)测量该百分比。在普通状态(23℃,50%RH)中使用拉伸测试机(在AS1635,FINAT-10,FS-147,PSTC-4中规定),在180°角度和300mm/min速率下通过测定要求从清洁标签剥离分隔物的力,进行分隔物剥脱粘合力的测量。在一些详细情况中,将由NITTO DENKOCORPORATION生产的No.31B聚酯粘合带粘着到JIS G4305中规定的冷轧不锈钢板(SUS304)。然后在180°角度下在普通状态(23℃,50%RH)中将剥脱粘合力测量为基本粘合力(F0)。随后,使用19.6N(2kg)辊将上述聚酯粘合带粘着到该分隔物。然后在49N(5kg)负荷下压挤层压材料。在24小时之后,然后剥脱粘合带。然后将这样剥脱的粘合带粘着到上述不锈钢板。然后与上述相同的方式测量剥脱粘合力以测定残余粘合力(F)。从所获得的基本粘合力(F0)和残余粘合力(F),然后使用如下公式(1)确定残余粘合力百分比残余粘合力百分比(%)=(F/F0)×100 (1)如果该分隔物的180°剥脱粘合力小于预定数值,在具有清洁功能的标签片的生产之后将清洁标签部分从连续长度的分隔物剥离,可能引起粘合剂粘合力的变化或粘合剂可被外来物质的污染。如果180°剥脱粘合力超过0.5N/50mm,当将标签从分隔物剥离时发生重负荷剥脱,可能劣化加工性能。此外,如果残余粘合力百分比小于预定数值,在标签片的贮存期间将释放层组分转移到粘合剂,可能不利地劣化标签的粘合性能或使关于分隔物的标签剥脱粘合力不稳定。也是不利的在于当这样的清洁标签粘着到输送元件时,由于由外来物质的污染发生不良粘着或具有清洁功能的输送元件的抗老化稳定性劣化,清洁标签已经粘着到该输送元件。
在本发明中,并不在它的材料中具体限制连续长度的分隔物,只要其剥脱粘合力不小于上述预定数值,但该分隔物可以是由如下物质组成的塑料膜聚烯烃如聚乙烯,聚丙烯,聚丁烯,聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯,它们已经由硅氧烷系释放剂、长链烷基系释放剂、氟系释放剂、脂族酸酰胺系释放剂、二氧化硅系释放剂等释放处理。
上述清洁层显示关于硅晶片(镜表面)的0.20N/10mm或更少,优选约0.01-0.1N/10mm的180°剥脱粘合力。当此粘合力超过0.20N/10mm时,在输送期间清洁层与设备中要清洁的区域接触,因而可能在输送中引起麻烦。清洁层的厚度并不具体限制但通常为约5-100μm。要用于清洁层保护的释放膜并不特别限制但可以是由如下物质组成的塑料膜聚烯烃如聚乙烯,聚丙烯,聚丁烯,聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯,它们已经由硅氧烷系释放剂、长链烷基系释放剂、氟系释放剂、脂族酸酰胺系释放剂、二氧化硅系释放剂等释放处理。
对于本发明具有清洁功能的标签片的制备,使用包括如下部分的清洁片上述在衬垫一侧上提供的清洁层和在衬垫另一侧上提供的通常粘合层。在另一侧上的粘合层并不具体限制它的材料等,只要连续长度的分隔物显示以上定义的数值或更大的值,但可以由通常粘合剂(如丙烯酸类粘合剂,橡胶基粘合剂)组成。在此方面,可以将清洁标签从分隔物剥离,粘着到输送元件如具有粘合层的各种元件,然后通过作为具有清洁功能的输送元件的设备输送,使得它与要清洁的部位接触用于清洁。由于输送元件的再使用要求将输送元件从粘合层剥离,可以将该粘合层的粘合力预定到0.01-10.0N/10mm,特别地约0.05-5.0N/10mm的范围,关于硅晶片(镜表面)按照180°剥脱粘合力计算该粘合力,以容易将输送元件再从粘合层剥离而不在清洁之后的输送期间被剥脱。
进一步参照附图描述本发明,但本发明并不限于此。
图1是说明本发明具有清洁功能的标签片的实施例的平面图,其中多个清洁标签彼此间隔地连续地提供在连续长度的分隔物1上。如图2(沿图1的a-a线取的剖视图)所示,此标签A包括在衬垫2一侧上提供的清洁层3和释放膜4,在衬垫2另一侧上提供的通常粘合层5,可剥脱地提供在分隔物1上,粘合层5位于其间。
在操作中,将清洁标签从分隔物剥离1,然后粘着到输送元件如半导体晶片。然后将释放膜4剥离清洁层3。然后可以将标签片输送入设备以清洁要清洁的部位。
在本发明具有清洁功能的第四标签片的生产方法中,要求待从所获得的标签片的清洁层转移到硅晶片,尺寸为0.2μm或更大的外来物质数目是每平方英寸20个或更少,特别地每平方英寸10个或更少。如果外来物质的转移量超过每平方英寸20个,产生的问题是可以污染基底处理设备中的接触部位。
在本发明中,并不具体限制第四标签片的生产方法,只要外来物质的转移量不大于上述的预定数值。然而特别地,优选进行包括如下操作的方法在该清洁层的粘合剂的聚合固化反应之前,剥脱清洁层的第一释放膜,在没有氧气基本影响的条件下将清洁层进行聚合固化;由第二释放膜保护清洁层的表面;然后将片冲压成标签形式。如果在片冲压期间组成清洁片的粘合剂还没有聚合和固化,不利的在于清洁层的粘合层从片的冲压截面突出或连接到冲压截面或粘合剂丝或被冲压到不均匀的深度以得到粗糙冲压截面,在最差情况下引起不良切割。此外,当在片的冲压之后进行聚合固化反应时,由于氧气的抑制会防止在切割截面上曝露的粘合剂聚合,伴随地由粘合剂会引起基底处理设备的污染。
在本发明中,优选清洁层的拉伸模量是10MPa或更大,优选10-2,000Mpa(根据JIS K7127)以防止上述由片冲压的问题的发生。通过预定拉伸模量到这样的规定数值或更大,可以防止标签冲压期间粘合剂从清洁层的突出或不良冲压,使得可以生产具有清洁功能的标签片,在预切割工艺中该标签片不引起由粘合剂的污染。当拉伸模量小于10MPa时,上述由片冲压的问题可发生或者粘合剂可粘合到设备中要清洁的区域,可能在输送中引起麻烦。相反地,当拉伸模量太大时,从输送系统除去连接的外来物质的能力劣化。
在本发明中,要求在清洁层的聚合固化反应之前清洁层没有第一释放膜然后在基本没有氧气影响的条件下将清洁层进行聚合和固化。当在没有第一释放膜地情况下将清洁层进行聚合和固化时,与清洁层最外表面或其部分接触的释放剂的组分如硅氧烷移动到清洁层的表面,从而引起从清洁层的污染。此外,例如可以在真空环境(压力约133Pa)中由活化能源的照射,完成在基本没有氧气影响下清洁层的聚合和固化。
此外,经过聚合和固化的清洁层由其表面上的第二释放膜保护,然后将清洁层进行片冲压以制备标签形式。不具体限制用于保护清洁层表面的第一和第二释放膜,只要在清洁片的生产或使用期间可以将它们从清洁层再剥离。然而,可以使用塑料膜作为以下所述的分隔物或可再释放粘合片。第一和第二释放膜可以相同或不同。然而,当第一释放膜是段落(0010)中描述的含有硅氧烷系释放剂的膜时,本发明的生产方法特别有效。
根据本发明生产具有清洁功能的标签片的方法,将清洁片进行作为清洁层的固化粘合剂的固化,然后在分隔物以外的位置进行片冲压以制备标签形式,该清洁片包括在衬垫一侧上提供的由上述具体粘合剂组成及其表面由释放膜保护的清洁层,其中在分隔物上可剥脱地提供衬垫的另一侧,通常粘合层位于其间。在此情况下,不具体限制冲压工艺和加工的形式。然而,可以将清洁片根据以下所述输送元件的形状冲压,然后摆脱不必须的片以形成标签。或者,可以将不必须的片剥离标签以外的部分,将增强部分与部分片保留未剥脱作为标签周围或片末端离开标签的增强部分,以形成标签。
本发明具有清洁功能的标签片的生产方法,使用清洁片,该清洁片包括在衬垫一侧上提供的上述具体清洁层,其中在分隔物上可剥脱地提供衬垫的另一侧,通常粘合层位于其间。在另一侧上的粘合层并不具体限制它的材料等,只要它满足粘合剂性能但可以是通常的粘合剂(如丙烯酸类粘合剂,橡胶基粘合剂)。在此方面,可以将具有清洁功能的标签剥离上述分隔物,粘着到输送元件如具有粘合层的各种元件,然后通过作为具有清洁功能的输送元件的设备输送,使得它与要清洁的部位接触用于清洁。在其中在清洁之后将基底剥离粘合层以再使用输送元件如上述基底的情况下,不具体限制通常粘合层的粘合力。然而,如果通常粘合层的粘合力是0.01-10.0N/10mm,特别地约0.05-5.0N/10mm,关于硅晶片(镜表面)按照180°剥脱粘合力计算该粘合力,可以特别有利地将基底容易再剥离粘合层而不在清洁之后的输送期间被剥脱。
本发明具有清洁功能的标签片的生产方法,将清洁片进行作为清洁层的固化粘合剂的固化,然后在分隔物以外的位置进行片冲压以制备标签形式,该清洁片包括在衬垫一侧上提供的由上述具体粘合剂组成及其表面由释放膜保护的清洁层,其中在分隔物上可剥脱地提供衬垫的另一侧,通常粘合层位于其间。在此情况下,不具体限制冲压工艺和加工的形式。然而,可以将清洁片根据以下所述输送元件的形状冲压,然后摆脱不必须的片以形成标签。或者,可以将不必须的片剥离标签以外的部分,将增强部分与部分片保留未剥脱作为标签周围或片末端离开标签的增强部分,以形成标签。
本发明具有清洁功能的标签片的生产方法,使用清洁片,该清洁片包括在衬垫一侧上提供的上述具体清洁层,其中在分隔物上可剥脱地提供衬垫的另一侧,通常粘合层位于其间。在另一侧上的粘合层并不具体限制它的材料等,只要它满足粘合剂性能但可以是通常的粘合剂(如丙烯酸类粘合剂,橡胶基粘合剂)。在此方面,可以将具有清洁功能的标签从上述分隔物剥离,粘着到输送元件如具有粘合层的各种元件,然后通过作为具有清洁功能的输送元件的设备输送,使得它与要清洁的部位接触用于清洁。在其中在清洁之后将基底剥离粘合层以再使用输送元件如上述基底的情况下,不具体限制通常粘合层的粘合力。然而,如果通常粘合层的粘合力是0.01-10.0N/10mm,特别地约0.05-5.0N/10mm,关于硅晶片(镜表面)按照180°剥脱粘合力计算该粘合力,可以特别有利地将基底容易再剥离粘合层而不在清洁之后的输送期间被剥脱。
不具体限制本发明中的分隔物只要可以从分隔物剥离清洁标签,但分隔物可以是由如下物质组成的塑料膜聚烯烃如聚乙烯,聚丙烯,聚丁烯,聚丁二烯和聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚氨酯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯,它们已经由硅氧烷系释放剂、长链烷基系释放剂、氟系释放剂、脂族酸酰胺系释放剂、二氧化硅系释放剂等释放处理。分隔物的厚度不具体限制但通常为约10-100μm。
标签A的形状不具体限制,依赖于标签A粘着到的输送元件如基底的形状,可以是圆形、晶片形、火焰形、含有卡盘部分用突出物的形状等,标签A粘着到该输送元件上。
粘着有清洁片或清洁标签的输送元件不具体限制,但可以是平板显示器基底如半导体晶片、LCD和PDP、基底如CD和MR头等。
实施例将在如下实施例中描述本发明,但本发明并不限于此。以下使用的术语“份”用于指示“重量份”。
实施例1-1将从由75份丙烯酸2-乙基己酯,20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸组成的单体混合物获得的100份丙烯酸类聚合物(重均分子量700,000)与150份多官能氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名UV-1700B,由Nippon Synthetic IndustryCo.,Ltd生产),3份多异氰酸酯化合物(商品名Colonate,由NipponPolyurethane Industry Co.,Ltd生产)和10份作为光聚合引发剂的苄基二甲基缩酮(商品名Irgacure 651,由Ciba Specialty Chemicals Co.,Ltd生产)均匀混合,以制备紫外固化粘合剂溶液。
单独地,以上述相同的方式获得粘合剂溶液,区别在于将没有苄基二甲基缩酮的上述粘合剂涂敷到宽度为250mm和厚度为25μm的聚酯衬垫膜一侧上到10μm的干厚度,以在其上提供通常粘合层。然后向通常粘合层的表面粘着厚度为38μm的聚酯基释放膜,该释放膜已经由硅氧烷系释放剂释放处理。随后,将上述紫外固化粘合剂溶液涂敷到衬垫膜另一侧到15μm的干厚度,以提供作为清洁层的粘合层。然后向粘合层的表面粘着作为分隔物A的保护膜,该保护膜已经由硅氧烷系释放剂释放处理。
然后在1,000mJ/cm2的完整剂量下,采用中心波长为365nm的紫外射线照射此片。
然后将分隔物A从清洁片A剥离,分隔物A用作清洁层的保护膜。然后测量粘附到清洁层表面的硅氧烷的量。对于测量,使用由RigakuCoraporation生产的荧光X射线测量仪器。在30mm区域内测量清洁层表面的Si-Kα强度。然后按照聚二甲基硅氧烷计算测量值。结果是,Si-Kα强度是4.2kcps,按照聚二甲基硅烷计算它是0.003g/m2。此外,在30mm区域内由荧光X射线测量仪器测量分隔物A的硅氧烷涂敷的量。结果是,Si-Kα强度是104kcps,按照聚二甲基硅烷计算它是0.064g/m2。
在紫外固化之后此清洁片A的粘合层的拉伸模量是55MPa。根据JISK7127测试方法测量拉伸模量。
此外,在10mm宽度内将清洁层侧面上的粘合层粘着到硅晶片的镜表面上,然后根据JIS Z0237测量清洁层侧面上通常粘合层关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力,结果为0.008N/10mm。
此外,以上述相同的方式测量另一侧面上通常粘合层关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力,结果为0.85N/10mm。
剥脱在此清洁片A的通常粘合层侧面上的释放膜。然后将清洁片A粘着到8英寸硅晶片的背侧(镜表面)上,以制备具有清洁功能的输送清洁晶片A。
实施例1-2采用与实施例1-1相同的方式制备清洁片B,区别在于使用由硅氧烷系释放剂释放处理的分隔物B作为清洁层保护膜用分隔物。
然后将分隔物B从清洁片B剥离,分隔物B用作清洁层的保护膜。然后测量粘附到清洁层表面的硅氧烷的量。对于测量,采用与实施例1-1相同的方式测量Si-Kα强度。然后按照聚二甲基硅氧烷计算测量值。结果是,Si-Kα强度是0.6kcps,按照聚二甲基硅烷计算它是0.001g/m2。此外,以上述相同的方式测量分隔物B的硅氧烷涂敷的量。结果是,Si-Kα强度是69kcps,按照聚二甲基硅烷计算它是0.042g/m2。
此外,采用与实施例1-1相同的方式制备具有清洁功能的输送清洁晶片B。
比较例1-1采用与实施例1-1相同的方式制备清洁片C,区别在于使用由硅氧烷系释放剂释放处理的分隔物C作为清洁层保护膜用分隔物。
然后将分隔物C从清洁片C剥离,分隔物C用作清洁层的保护膜。然后测量粘附到清洁层表面的硅氧烷的量。对于测量,采用与实施例1-1相同的方式测量Si-Kα强度。然后按照聚二甲基硅氧烷计算测量值。结果是,Si-Kα强度是9.8kcps,按照聚二甲基硅烷计算它是0.006g/m2。此外,以上述相同的方式测量分隔物B的硅氧烷涂敷的量。结果是,Si-Kα强度是214kcps,按照聚二甲基硅烷计算它是0.13g/m2。
此外,采用与实施例1-1相同的方式制备具有清洁功能的输送清洁晶片C。
然后通过以如下方式输送具有清洁功能的清洁片A-C,将实施例1-1和1-2和比较例1-1的上述清洁片A-C在半导体晶片上进行污染测试和在基底处理设备中的外来物质脱除测试。结果见表1-1。
<晶片污染的评价>
将清洁片的清洁层由手动辊粘着到8英寸硅晶片的整个镜表面上,同时剥脱分隔物(保护膜)。其后,将清洁片从晶片剥离。由激光表面检查设备计数粘附到镜表面尺寸为0.2μm或更大的外来物质。
<外来物质脱除测试>
使用激光表面检查设备,测量三个崭新8英寸硅晶片的镜表面上尺寸为0.2μm或更大的外来物质。然后将这些晶片输送入具有静电吸引机构的单独基底处理设备,其镜表面向下。然后由激光表面检查设备测量这些晶片的镜表面。在8英寸晶片尺寸中,结果分别是33,643、35,773和31,032。
随后,将清洁层侧面上的保护膜剥离所获得的输送清洁晶片A-C。然后在具有晶片级的上述基底处理设备上输送这些晶片,外来物质已经粘附到该设备。结果是,可以输送这些晶片而没有任何麻烦。其后,将崭新8英寸硅晶片输送,其镜表面向下,然后由激光外来物质检查设备测量尺寸为0.2μm或更大的外来物质的出现。此操作进行五次。
表1-1

从上述结果中可知,实施例1-1和1-2的清洁片可防止硅氧烷系释放剂的组分或其部分移动到清洁层的表面,该清洁片包括作为清洁层分隔物(保护膜)的由硅氧烷系释放剂释放处理的保护膜,其中当从该清洁层剥离该分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到该清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少,或按照聚二甲基硅氧烷计算,该分隔物上硅氧烷的涂敷的量为0.1g/m2或更少。结果是,发现这些清洁晶片的使用使得可以急剧消除基底处理设备上的污染,提供除去外来物质的高能力。相反,发现比较例1-1的清洁片,它在本发明的范围以外,显示粘附到硅晶片的极大硅氧烷的量。结果是,这些清洁晶片的使用引起设备的后污染,劣化除去外来物质的能力和因此使其使用无效。
实施例2-1在200℃的挤出温度和4m/min的接取速度(take-off speed)下,将100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.生产的低密度聚乙烯树脂通过平膜生产机[由SHI Modern Machinery,Ltd.生产],在没有热劣化抑制剂和润滑剂挤出以形成膜。因此,获得厚度为100μm的清洁层表面保护膜A。
将从由75份丙烯酸2-乙基己酯,20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸组成的单体混合物获得的100份丙烯酸类聚合物(重均分子量700,000)与50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(商品名Nk Ester 4G,由Shinnakamura Kagku K.K.生产),50份氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名U-N-01,由Shinnakamura KagkuK.K.生产),3份多异氰酸酯化合物(商品名Colonate L,由Nippon PolyurethaneIndustry Co.,Ltd生产)和3份作为光聚合引发剂的苄基二甲基缩酮(商品名Irgacure 651,由Ciba Specialty Chemicals Co.,Ltd生产)均匀混合,以制备紫外固化粘合剂溶液。单独地,以上述相同的方式获得粘合剂溶液,区别在于将没有苄基二甲基缩酮的上述粘合剂涂敷到宽度为250mm和厚度为25μm的聚酯衬垫膜一侧上到10μm的干厚度,以在其上提供通常粘合层。然后向通常粘合层的表面粘着厚度为38μm的聚酯基释放膜。随后,将上述紫外固化粘合剂溶液涂敷到衬垫膜另一侧到40μm的干厚度,以提供作为清洁层的粘合层。然后向粘合层的表面粘着以上制备的保护膜A。
然后在2,000mJ/cm2的完整剂量下,采用中心波长为365nm的紫外射线照射此片。在紫外固化之后此清洁片A清洁层的粘合层的拉伸模量是55MPa。
根据JIS K7127测试方法测量拉伸模量。
此外,在10mm宽度内将清洁层侧面上的粘合层粘着到硅晶片的镜表面上,然后根据JIS Z0237测量清洁层侧面上通常粘合层关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力,结果为0.029N/10mm。
此外,以上述相同的方式测量另一侧面上通常粘合层关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力,结果为0.10N/10mm。
剥脱在此清洁片A的通常粘合层侧面上的释放膜。然后将清洁片A粘着到8英寸硅晶片的背侧(镜表面)上,以制备具有清洁功能的输送清洁晶片A。
实施例2-2向100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.生产的低密度聚乙烯树脂中,加入0.009份脂族酸酯系润滑剂。采用与实施例1相同的方式将混合物进行成膜,以获得清洁层保护膜B。采用与实施例2-1相同的方式制备清洁片B和具有清洁功能的输送清洁晶片B,区别在于清洁层表面保护膜B用作清洁层的分隔物。
比较例2-1向100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.生产的低密度聚乙烯树脂中,加入0.01份酚类热劣化抑制剂和0.01份脂族酸酯系润滑剂。采用与实施例2-1相同的方式将混合物进行成膜,以获得清洁层保护膜C。采用与实施例2-1相同的方式制备清洁片C和具有清洁功能的输送清洁晶片C,区别在于清洁层表面保护膜C用作清洁层的分隔物。
比较例2-2向100份由ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.生产的低密度聚乙烯树脂中,加入0.1份酚类热劣化抑制剂和0.1份脂族酸酯系润滑剂。采用与实施例2-1相同的方式将混合物进行成膜,以获得清洁层保护膜D。采用与实施例2-1相同的方式制备清洁片D和具有清洁功能的输送清洁晶片D,区别在于清洁层表面保护膜D用作清洁层的分隔物。
比较例2-3硅氧烷处理过的,厚度为50μm的聚酯膜用作清洁层表面保护膜E。采用与实施例2-1相同的方式制备清洁片E和具有清洁功能的输送清洁晶片E,区别在于清洁层表面保护膜E用作清洁层的分隔物。
然后检验实施例2-1和2-2和比较例2-1到2-3的上述清洁片A-E将分隔物(清洁层表面保护膜)从清洁层剥离所需的剥脱粘合力。然后通过以如下方式输送具有清洁功能的清洁片A-E,将这些清洁片A-E在半导体晶片上进行污染测试和在基底处理设备中的外来物质脱除测试。结果见表2-1。
<晶片污染的评价>
将清洁片的清洁层由手动辊粘着到8英寸硅晶片的整个镜表面上,同时剥脱分隔物(保护膜)。其后,将清洁片从晶片剥离。由激光表面检查设备计数粘附到镜表面的尺寸为0.2μm或更大的外来物质。
<外来物质脱除测试>
使用激光表面检查设备,测量五个崭新8英寸硅晶片的镜表面上的尺寸为0.2μm或更大的外来物质。结果分别是10,8,3,5和11。然后将这些晶片输送入具有静电吸引机构的单独基底处理设备,其镜表面向下。然后由激光表面检查设备测量这些晶片的镜表面。在8英寸晶片尺寸中,结果分别是33,156,38,915,32,144,37,998和31,327。
随后,将清洁层侧面上的保护膜剥离所获得的输送清洁晶片A-E。然后在具有晶片级的上述基底处理设备上输送这些晶片,外来物质已经粘附到该设备。结果是,可以输送这些晶片而没有任何麻烦。其后,将崭新8英寸硅晶片输送,其镜表面向下,然后由激光外来物质检查设备测量尺寸为0.2μm或更大的外来物质的出现。此操作进行五次。
表2-1

从上述结果中可知,实施例2-1和2-2的清洁片显示关于清洁层表面有小至0.5N/50mm宽度并且可容易从清洁层剥离分隔物,而没有任何缺陷如清洁层组合物的部分下落,该清洁片包括作为清洁层分隔物(保护膜)的清洁层保护膜,其中热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01份,基于100份聚乙烯基树脂。进一步显示由于粘附到硅晶片的外来物质数目小,清洁晶片的使用使得可以急剧消除基底处理设备上的污染,提供除去外来物质的高能力。相反,发现,关于上述两种组分的总量在本发明的范围以外的比较例2-1和2-2的清洁片,包括常规硅氧烷处理的聚酯膜的比较例2-3,显示大量硅氧烷粘附到硅晶片上。结果是,这些清洁晶片的使用引起设备的后污染,损害除去外来物质的能力和因此使其使用无效。
实施例3-1将从由75份丙烯酸2-乙基己酯,20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸组成的单体混合物获得的100份丙烯酸类聚合物(重均分子量700,000)与50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(商品名Nk Ester 4G,由Shinnakamura Kagku K.K.生产),50份氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名U-N-01,由Shinnakamura KagkuK.K.生产),3份多异氰酸酯化合物(商品名Colonate L,由Nippon PolyurethaneIndustry Co.,Ltd生产)和3份作为光聚合引发剂的苄基二甲基缩酮(商品名Irgacure 651,由Ciba Specialty Chemicals Co.,Ltd生产)均匀混合,以制备紫外固化粘合剂溶液A。
单独地,向装配有温度计、搅拌器、氮气吸入管和冷凝器的500ml三口烧瓶类型反应容器中加入3份丙烯酸2-乙基己酯,10份丙烯酸正丁酯,15份N,N-二甲基丙烯酰胺,作为聚合引发剂的0.15份2,2’-偶氮二异丁腈和100份乙酸乙酯使达到200g。然后搅拌反应混合物同时将氮气引入其中,持续约1小时以由氮气代替其中的空气。其后,将反应容器的内部温度升高到58℃,其中然后保持反应混合物约4小时以引起聚合。结果是,获得粘合剂聚合物溶液。然后将100份粘合剂聚合物溶液与3份多异氰酸酯化合物(商品名Colonate L,由Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd生产)以获得粘合剂溶液A。
将上述粘合剂溶液A涂敷到由连续长度聚酯膜(厚度38μm,宽度250mm)形成的分隔物A的释放处理表面到15μm的干厚度,其中一侧已由硅氧烷系释放剂释放处理。然后在粘合层上层压连续长度的聚酯膜(厚度25μm,宽度250mm)。然后将紫外固化粘合剂溶液A涂敷成膜到40μm的干厚度,以作为清洁层的粘合层。然后向粘合层的表面粘着如上所述的相同释放膜的释放处理表面以获得片。
然后在1,000mJ/cm2的完整剂量下,采用中心波长为365nm的紫外射线照射此片,以获得含有紫外固化清洁层的清洁片A。
然后将在此清洁片A的粘合层侧面上的作为层压材料的粘合膜,而不是分隔物冲压成直径为200mm的圆。然后将不必须的粘合剂膜连续剥脱并除去以制备图1所示本发明的具有清洁功能的标签片A。进行具有清洁功能的标签片A的冲压而没有任何粘合剂成丝或碎化的问题。在制备之后,观察具有清洁功能的标签片A。结果是,清洁标签没有从分隔物的剥离,清洁标签被保持在分隔物中。此外,既没有观察到通常粘合剂从标签的突出也没有观察到标签由粘合剂的污染。此外,将标签片A贮存1个月。然而,标签没有从分隔物剥脱,展示的情况是清洁片A显示高耐老化稳定性。
测量具有清洁功能的标签片A所需的将分隔物剥离清洁标签的180°剥脱粘合力,为0.1N/50mm。在普通状态(23℃,50%RH)中使用拉伸测试机(在AS1635,FINAT-10,FS-147,PSTC-4中规定),在180°角度和300mm/min速率下通过测定从清洁标签剥离分隔物所需的力量,进行分隔物剥脱粘合力的测量。
此外,使用由NITTO DENKO CORPORATION生产的No.31B带(聚酯粘合带)测量残余粘合力百分比。在一些详细情况中,将No.31B带粘着到JIS G4305中规定的不锈钢板(SUS304)。然后测量剥脱粘合力(基本粘合力)。基本粘合力是5.2N/20mm。随后,使用19.6N(2kg)辊将分隔物A粘着No.31B带的表面。然后在49N(5kg)负荷下压挤层压材料。在24小时之后,然后剥脱粘合带。然后将这样剥脱的粘合带粘着到上述不锈钢板上。然后与上述相同的方式测量剥脱粘合力以测定残余粘合力。残余粘合力是5.4N/20mm,残余粘合力百分比是104%。
测量此紫外固化粘合剂A的拉伸模量(JIS K7127测试方法)。结果是,在1,000mJ/cm2的完整剂量下,采用中心波长为365nm的紫外射线照射之后它是49Mpa。
此通常粘合层关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力是0.25N/10mm。
使用标签粘着剂(NEL-GR3000,由NITTO SEIKI INC.生产)将具有清洁功能的标签片A粘着到8英寸硅晶片上,以制备具有清洁功能的输送元件A。此时,将清洁标签粘着到8英寸硅晶片的镜表面。对25个片连续进行此操作。结果是,将片粘着到晶片而没有任何问题。因此,制备具有清洁功能的输送元件A用于具有清洁功能的输送。
单独地,使用激光表面检查设备,测量四个崭新8英寸硅片的镜表面上的尺寸为0.2μm或更大的外来物质。第一片显示5个外来物质,第二片显示3个外来物质,第三片显示5个外来物质。然后将这些晶片输送入具有静电吸引机构的单独基底处理设备,其镜表面向下。然后由激光表面检查设备测量这些晶片镜表面上的尺寸为0.2μm或更大的外来物质。在8英寸晶片尺寸中,第一,第二和第三片分别显示29,845,32,194和30,036个外来物质。
随后,将从所获得的用于输送的具有清洁功能的输送元件A上剥离清洁侧面上的释放膜。然后在具有晶片级的上述基底处理设备上输送这些晶片,29,845个外来物质已经粘附到该设备。结果是,可以输送这些输送元件而没有任何麻烦。其后,将崭新8英寸硅晶片输送,其镜表面向下,然后由激光外来物质检查设备测量尺寸为0.2μm或更大的外来物质的出现。此操作进行五次。结果见表3-1。
实施例3-2采用与实施例3-1相同的方式制备具有清洁功能的标签片B,区别在于使用由低密度聚乙烯形成的聚烯烃膜(厚度70μm,宽度250mm))作为用于具有清洁功能的标签片的连续长度的分隔物。进行具有清洁功能的此标签片B的冲压而没有任何粘合剂成丝或碎化的问题。在制备之后,观察具有清洁功能的标签片B。结果是,洁标签没有从分隔物的剥离,在分隔物中保持清洁标签。此外,既没有观察到通常粘合剂从标签的突出也没有观察到标签由粘合剂的污染。此外,将标签片B贮存1个月。然而,不发生标签从分隔物的剥脱,展示的情况是清洁片B显示高耐老化稳定性。
测量具有清洁功能的此标签片B所需的将分隔物剥离清洁标签的180°剥脱粘合力,其为0.15N/50mm。
此外,由No.31B带测量分隔物B的残余粘合力。残余粘合力是4.7N/20mm,残余粘合力百分比是90%。
使用标签粘着剂(NEL-GR3000,由NITTO SEIKI INC.生产)将具有清洁功能的标签片B粘着到8英寸硅晶片上,以制备具有清洁功能的输送元件B。此时,将清洁标签粘着到8英寸硅晶片的镜表面。对25个片连续进行此操作。结果是,将片粘着到晶片而没有任何问题。因此,制备具有清洁功能的输送元件B用于具有清洁功能的输送。
随后,将清洁侧面上的释放膜剥离先前获得的用于输送的具有清洁功能的输送元件B。然后在具有晶片级的上述基底处理设备上输送这些晶片,32,194个外来物质已经粘附到该设备。结果是,可以输送这些输送元件而没有任何麻烦。其后,将崭新8英寸硅晶片输送,其镜表面向下,然后由激光外来物质检查设备测量尺寸为0.2μm或更大的外来物质的出现。此操作进行五次。结果见表3-1。
比较例3-1采用与实施例3-1相同的方式制备具有清洁功能的标签片C,区别在于使用由聚酯膜(厚度38μm,宽度250mm))作为用于具有清洁功能的标签片的连续长度的分隔物。进行具有清洁功能的此标签片C的冲压而没有任何粘合剂成丝或碎化的问题。
然而,当在制备之后观察具有清洁功能的标签片C时,观察到几乎所有的清洁标签已经从分隔物剥离,展示的情况是不制备标签片。
测量具有清洁功能的此标签片C所需的将分隔物剥离清洁标签的180°剥脱粘合力。结果是,在要测量的标签中剥脱粘合力的分散较大。180°剥脱粘合力最大为0.03N/50mm。
此外,由No.31B带测量分隔物B的残余粘合力。残余粘合力是4.0N/20mm,残余粘合力百分比是77%。
使用标签粘着剂(NEL-GR3000,由NITTO SEIKI INC.生产)将具有清洁功能的标签片C粘着到8英寸硅晶片上,以制备具有清洁功能的输送元件C。在此时,将清洁标签粘着到8英寸硅晶片的镜表面。对25个片连续进行此操作。结果是,粘着剂将清洁标签完全从分隔物剥离,引起对晶片的经常不良粘着。甚至在粘着期间,可粘着到晶片的具有清洁功能的输送元件C含有混入其中的空气泡(浮物),也不可能获得良好的产品。因此,具有清洁功能的输送元件C中止清洁基底处理设备内部。
表3-1

实施例4-1
将从由75份丙烯酸2-乙基己酯,20份丙烯酸甲酯和5份丙烯酸组成的单体混合物中获得的100份丙烯酸类聚合物(重均分子量700,000)与50份聚乙二醇200二甲基丙烯酸酯(商品名Nk Ester 4G,由Shinnakamura Kagku K.K.生产),50份氨基甲酸酯丙烯酸酯(商品名U-N-01,由Shinnakamura KagkuK.K.生产),3份多异氰酸酯化合物(商品名Colonate L,由Nippon PolyurethaneIndustry Co.,Ltd生产)和3份作为光聚合引发剂的苄基二甲基缩酮(商品名Irgacure 651,由Ciba Specialty Chemicals Co.,Ltd生产)均匀混合,以制备紫外固化粘合剂溶液。
单独地,以上述相同的方式制备通常粘合剂溶液,区别在于上述粘合剂没有苄基二甲基缩酮。
将上述粘合剂溶液涂敷到由连续长度聚酯膜(厚度38μm,宽度250mm)形成的分隔物的释放处理表面到10μm的干厚度,其中一侧已由硅氧烷系释放剂释放处理。然后在粘合层上层压连续长度的聚酯膜(厚度25μm,宽度250mm)。然后将紫外固化粘合剂溶液A涂敷到膜到40μm的干厚度,以作为清洁层的粘合层。在干燥之后,然后向粘合层的表面粘着由连续长度聚酯膜(厚度38μm,宽度250mm)形成的第一释放膜的释放处理表面以获得片,其一侧已由硅氧烷系释放剂释放处理。
剥脱此片清洁层上的第一释放膜。然后在1,000mJ/cm2的完整剂量下在真空环境(133Pa)中,采用中心波长为365nm的紫外射线照射片。然后向清洁层的表面粘着厚度为50μm的聚烯烃膜(未处理的)作为第二释放膜,以获得含有紫外固化清洁层的清洁片。
然后将在此清洁片的粘合层侧面上的作为层压材料的粘合膜,而不是分隔物冲压成直径为200mm的圆。然后将不必须的粘合剂膜连续剥脱和除去以制备图1所示本发明的清洁标签片。进行此清洁片的冲压而没有任何粘合剂成丝或碎化的问题。在制备之后,观察标签片。结果是,既没有观察到通常粘合剂从标签的突出也没有观察到标签被粘合剂的污染。
此外,在固化之后,即在片冲压期间此清洁片的粘合层的拉伸模量是49MPa。在此根据JIS K7127测试方法测量拉伸模量。
另外,剥脱此清洁标签片的清洁层上的第二释放膜。然后以清洁层接触晶片的布置将清洁标签片粘着到8英寸硅晶片。然后将标签片剥离晶片。由激光类型外来物质测量仪器测量8英寸硅晶片的表面。结果是,尺寸为0.2μm或更大的外来物质数目是14个。
将清洁标签剥离所获得的具有清洁功能的标签片的分隔物,然后由手动辊粘着到8英寸硅晶片的后表面(镜表面)上,以制备具有清洁功能的输送清洁晶片。通常粘合层关于硅晶片(镜表面)的180°剥脱粘合力是2.5N/10mm。
使用具有清洁功能的标签片,由标签带粘着剂(商品名NEL-GR3000,由NITTO SEIKI INC.生产)将标签粘着到8英寸硅晶片的后表面(镜表面)上。对25个片连续进行此操作。结果是,将片粘着到晶片而没有任何问题,使得可以制备具有清洁功能的输送清洁晶片。此外,在10mm宽度内将清洁层粘着到硅晶片的镜表面,然后根据JIS Z0237测量关于硅晶片的180°剥脱粘合力,为0.018N/10mm。
单独地,使用激光表面检查设备,测量四个崭新8英寸硅片的镜表面上尺寸为0.2μm或更大的外来物质。第一片显示6个外来物质,第二片显示5个外来物质。然后将这些晶片输送入具有静电吸引机构的单独基底处理设备,其镜表面向下。然后由激光表面检查设备测量这些晶片镜表面尺寸为0.2μm或更大的外来物质。在8英寸晶片尺寸中,第一和第二片分别显示33,456和36,091个外来物质。
随后,从所获得的输送清洁晶片剥离清洁层侧面上的第二释放膜。然后在具有晶片级的上述基底处理设备上输送清洁晶片,33,456个外来物质已经粘附到该设备。结果是,可以输送清洁晶片而没有任何麻烦。其后,将崭新8英寸硅晶片输送,其镜表面向下,然后由激光外来物质检查设备测量尺寸为0.2μm或更大的外来物质的出现。此操作进行五次。外来物质的脱除百分比见表4-1。
比较例4-1采用与实施例4-1相同的方式制备清洁片,区别在于在1,000mJ/cm2的完整剂量下在气氛中,采用中心波长为365nm的紫外射线照射片及不将第一释放膜从清洁层剥离。然后从此清洁标签片的清洁层剥离第二释放膜。然后在清洁层接触晶片的布置中将清洁标签片粘着到8英寸硅晶片。然后将清洁标签片剥离晶片。然后由激光类型外来物质测量仪器测量8英寸硅晶片的表面。结果是,尺寸为0.2μm或更大的外来物质数目是6,264个。然后采用与实施例相同的方式从此清洁片获得清洁晶片。
随后,从所获得的输送清洁晶片剥离清洁层侧面上的第二释放膜。然后在具有晶片级的上述基底处理设备上输送清洁晶片,26,091个外来物质已经粘附到该设备。结果是,可以输送清洁晶片而没有任何麻烦。其后,将崭新8英寸硅晶片输送,其镜表面向下,然后由激光外来物质检查设备测量尺寸为0.2μm或更大的外来物质的出现。此操作进行五次。外来物质的脱除百分比见表4-1。
比较例4-2采用与实施例4-1相同的方式制备清洁片,区别在于不用在1,000mJ/cm2的完整剂量下在气氛中,采用中心波长为365nm的紫外射线照射片。然后采用与实施例4-1相同的方式由冲压将此清洁片切割成直径为200mm的圆,以制备具有清洁功能的标签片。在此过程期间,清洁层还不固化,因此可作为缓冲材料。因此,由于冲压不能进行到均匀的深度,发生更多的标签不良冲压。此外,观察这样制备的标签。结果是,观察到粘合剂从标签的末端突出。另外,由于在冲压期间显现的粘合剂成丝,在标签上观察到更多的粘合剂染污。此外,粘合剂扩展和粘附到标签末端的清洁层侧面上的第二释放膜。在1,000mJ/cm2的完整剂量下在气氛中,采用中心波长为365nm的紫外射线照射这样制备的标签。然而,由于氧气的抑制和残留的粘合剂,在标签末端的粘合剂不固化。因此,中止制备此标签片的输送清洁元件。
表4-1

工业实用性如上所述,在第一发明中,通过预定清洁片的清洁层表面保护膜(分隔物),使得当从清洁层剥离清洁层表面保护膜时,粘附到该清洁层的硅氧烷的量或分隔物上硅氧烷的涂敷的量不大于规定的数值,该清洁片可应用于在基底处理设备中用于从输送部位等脱除外来物质的工艺中,以防止设备中由于保护膜而引起的污染问题,并且获得除去外来物质的高能力。
此外,在第二发明中,通过未经过释放处理的,由聚烯烃系树脂形成清洁片的清洁层表面保护膜(分隔物),以及布置使得表面保护膜中引入的热劣化抑制剂和润滑剂的量不大于规定数值,该清洁片可应用于在基底处理设备中用于从输送部位等脱除外来物质的工艺中,以防止设备中由于保护膜而引起的污染问题,并且获得除去外来物质的高能力。
另外,在第三发明中,具有清洁功能的标签片可提供不使清洁标签从分隔物的剥脱的并显示高耐老化稳定性的具有清洁功能的标签片,以及可以确定地通过基底处理设备输送的,以简单和确定地除去粘附到设备内部的外来物质的清洁输送元件。
此外,根据第四发明具有清洁功能的标签片的生产方法,可以生产清洁标签片,该清洁标签片在片冲压成标签形式期间不经历不良冲压和不引起粘合剂的染污。同时,具有清洁功能的标签片,可以确定地通过基底处理设备输送该标签片以简单和确定地除去粘附到设备内部的外来物质。
权利要求
1.一种清洁片,包括清洁层;和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物,其中当从清洁层剥离分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少。
2.一种清洁片,包括清洁层;和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物,其中按照聚二甲基硅氧烷计算,分隔物含有量为0.1g/m2或更少的涂敷的硅氧烷。
3.一种清洁片,包括清洁层;采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层的一侧上被提供为分隔物;和在清洁层另一侧上提供的粘合层,其中当从清洁层剥离分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少。
4.一种清洁片,包括清洁层;采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层的一侧上被提供为分隔物;和在清洁层另一侧上提供的粘合层,其中按照聚二甲基硅氧烷计算,分隔物含有量为0.1g/m2或更少的涂敷的硅氧烷。
5.一种清洁片,包括衬垫;在衬垫至少一侧上提供的清洁层;和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层上被提供为分隔物,其中当从清洁层剥离分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少。
6.一种清洁片,包括衬垫;在衬垫至少一侧上提供的清洁层;和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层上被提供为分隔物,其中按照聚二甲基硅氧烷计算,分隔物含有量为0.1g/m2或更少的涂敷的硅氧烷。
7.一种清洁片,包括衬垫;在衬垫一侧上提供的清洁层;在衬垫另一侧上提供的粘合层;和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜至少在清洁层上被提供为分隔物,其中当从清洁层剥离分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少。
8.一种清洁片,包括衬垫;在衬垫一侧上提供的清洁层;在衬垫另一侧上提供的粘合层;和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜至少在清洁层上被提供为分隔物,其中按照聚二甲基硅氧烷计算,分隔物含有量为0.1g/m2或更少的涂敷的硅氧烷。
9.一种清洁片,包括清洁层;和包括聚烯烃树脂、热劣化抑制剂和润滑剂的保护膜,保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物,以及保护膜不用释放剂处理,其中热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃树脂。
10.一种清洁片,包括清洁层;包括聚烯烃树脂、热劣化抑制剂和润滑剂的保护膜,保护膜在清洁层一侧上被提供为分隔物,以及保护膜不用释放剂处理;和在清洁层另一侧上提供的粘合层,其中热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃树脂。
11.一种清洁片,包括衬垫;在衬垫至少一侧上提供的清洁层;和包括聚烯烃树脂、热劣化抑制剂和润滑剂的保护膜,保护膜在清洁层上被提供为分隔物,以及保护膜不用释放剂处理,其中热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃树脂。
12.一种清洁片,包括衬垫;在衬垫一侧上提供的清洁层;在衬垫另一侧上提供的粘合层;和包括聚烯烃树脂、热劣化抑制剂和润滑剂的保护膜,保护膜至少在清洁层上被提供为分隔物,以及保护膜不用释放剂处理,其中热劣化抑制剂和润滑剂的总量小于0.01重量份,基于100重量份聚烯烃树脂。
13.根据权利要求9-12任意一项的清洁片,其中保护膜不包括热劣化抑制剂和润滑剂。
14.一种具有清洁功能的输送元件,包括输送元件,在输送元件上提供的根据权利要求3、4、7、8、10和12任意一项的清洁片,其中粘合层位于两者之间。
15.一种清洁基底处理设备的方法,方法包括剥离根据权利要求1、2、5、6、9和11任意一项的清洁片或根据权利要求14的输送元件的保护膜;和在剥脱之后将清洁片或输送元件输送入基底处理设备。
16.一种具有清洁功能的标签片,包括衬垫;在衬垫一侧上提供的清洁层;在清洁层上提供的释放膜;分隔物;和在衬垫另一侧上提供的和在分隔物上提供的粘合层,条件是分隔物能够从粘合层剥离,其中至少一层粘合层被连续地彼此间隔地提供在分隔物上,从粘合层剥离分隔物所需的180°剥脱粘合力是0.05N/50mm或更大。
17.一种具有清洁功能的标签片,包括衬垫;在衬垫一侧上提供的清洁层;在清洁层上提供的释放膜;分隔物;和在衬垫另一侧上提供的和在分隔物上提供的粘合层,条件是分隔物能够从粘合层剥离,其中至少一层粘合层被连续地彼此间隔地提供在分隔物上,分隔物是残余粘合力百分比为85%或更大的分隔物,由NITTO DENKOCORPORATION生产的No.31B带测量该百分比。
18.根据权利要求16或17的具有清洁功能的标签片,其中根据JISK7127测试方法,清洁层拉伸模量是10Mpa或更大。
19.根据权利要求16或17的具有清洁功能的标签片,其中清洁层包括固化粘合剂,该固化粘合剂包括压敏粘合剂聚合物、每分子含有一个或多个不饱和双键的可聚合不饱和化合物、聚合引发剂。
20.根据权利要求16或17的具有清洁功能的标签片,其中清洁层包括固化粘合剂,该固化粘合剂包括压敏粘合剂聚合物、每分子含有一个或多个不饱和双键的可聚合不饱和化合物、聚合引发剂,其中压敏粘合剂是包括(甲基)丙烯酸烷基酯的丙烯酸类聚合物。
21.根据权利要求16或17的具有清洁功能的标签片,其中清洁层包括固化粘合剂,该固化粘合剂包括压敏粘合剂聚合物、每分子含有一个或多个不饱和双键的可聚合不饱和化合物、和聚合引发剂,其中聚合引发剂是光聚合引发剂,清洁层是光固化粘合层。
22.一种具有清洁功能的标签片的生产方法,该方法包括在衬垫一侧上提供清洁层,清洁层在其表面含有释放膜,其中清洁层包括粘合剂,该粘合剂聚合和由活化能固化;和在能够从粘合层剥离分隔物的条件下,在衬垫和分隔物之间提供粘合层,粘合层在衬垫的另一侧;其中从清洁层向硅晶片转移的尺寸为0.2μm或更大的外来物质的量为20个/in2或更少。
23.根据权利要求22的方法,包括在粘合剂的聚合和固化之前,从清洁层剥离第一释放膜,在没有氧气基本影响的条件下将清洁层进行聚合和固化;在经历聚合和固化之后由第二释放膜保护清洁层的表面;和将由清洁层、衬垫、粘合剂和第二释放膜所获得的层压材料冲压成标签形式。
24.根据权利要求23的方法,其中第一释放膜是具有释放剂的膜,该释放剂包括硅氧烷。
25.根据权利要求22的方法,其中在冲压期间根据JIS K7127测试方法,清洁层拉伸模量是10MPa或更大。
26.根据权利要求22的方法,其中清洁层包括固化粘合剂,该固化粘合剂包括压敏粘合剂聚合物、每分子含有一个或多个不饱和双键的可聚合不饱和化合物、聚合引发剂。
27.根据权利要求26的方法,其中压敏粘合剂聚合物是包括(甲基)丙烯酸和(甲基)丙烯酸烷基酯中的至少一种的丙烯酸类聚合物。
28.根据权利要求26的方法,其中聚合引发剂是光聚合引发剂,清洁层是光固化粘合层。
29.根据权利要求22的方法,其中至少一层粘合层被连续地彼此间隔地提供在分隔物上。
全文摘要
一种清洁片,包括清洁层和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜,保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物,其中当从清洁层剥离分隔物时,按照聚二甲基硅氧烷计算,粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m
文档编号B08B7/00GK1610736SQ0282511
公开日2005年4月27日 申请日期2002年10月31日 优先权日2001年12月19日
发明者寺田好夫, 并河亮 申请人:日东电工株式会社
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