专利名称：用于处理基底的装置和方法
用于处理基底的装置和方法技术领域[1]本发明涉及用于处理基底的装置和方法，更具体地说，涉及通过向基底 供应化学物质来处理诸如半导体基底等基底的装置和方法。
背景技术：
[2]对于半导体设备的制造，晶片要经受各种处理。在这些处理中，光刻处 理用于在晶片上形成图案，并且所述光刻处理包括在晶片上涂敷诸如光刻胶 等感光溶液的涂敷处理，用光线照射已涂敷光刻胶从而形成待形成图案的临 时图像的摄影处理，以及将临时图像显影成图案的显影处理。在涂敷处理中， 以均匀厚度和设定厚度涂敷光刻胶是非常重要的，并且晶片的温度对其上涂 敷的光刻胶的厚度的均匀性有很大的影响。[3]在进行涂敷处理之前，晶片通常在烘烤模件中加热或冷却，然后通过自 动机械传送到执行涂敷处理的模件进行处理。晶片的温度受到与自动机械的 接触的影响。因此，为了将晶片保持在处理温度上，在自动机械中设置有控 制晶片温度的温度控制部件。[4]通常，在基底处理装置中，两个或更多烘烤模件设置于上下方向或左右 方向上。晶片与传送自动机械的接触时间根据其中进行各种处理的烘烤模件 的位置变化。因此，不容易均衡且精确地控制晶片的温度。同样，由于只有 晶片的选定区域与自动机械接触，因此晶片的温度随其所述区域的不同而不 同。[5]上述缺点使光刻胶在涂敷处理中以较低的均匀性涂敷于多个晶片之间 或者单个晶片的多个区域之间。发明内容[6]本发明提供一种用于处理基底的装置和方法，在对基底进行某个处 理之前，所述装置和方法使基底的温度均匀地保持在处理温度。[7]同样，本发明提供用于处理基底的装置和方法，所述装置和方法能够提高多个晶片之间或者在单个晶片的多个区域之间的已涂敷光刻胶的 厚度的均匀性。[8]本发明提供一种装置，所述装置用于通过将化学溶液供应到基底上进 行一个处理来处理所述基底。所述装置包括支撑部件，其上安装有所 述基底；化学溶液供应部件，其将所述化学溶液供应到安装于所述支撑 部件上的所述基底上；以及流体供应部件，其将流体供应到所述基底上， 在将所述化学溶液供应到所述基底上之前，所述流体将所述基底的温度 控制在预设的处理温度上，其中，所述流体供应部件包括流体供应管， 所述流体通过所述流体供应管供应；和控制所述流体温度的温度控制部 件。[9]在本发明的一个例子中，所述处理是将感光溶液涂敷在所述基底上的 处理，所述化学溶液是所述感光溶液，所述流体是使得所述感光溶液在 所述基底上易于扩散的处理溶液，所述流体供应部件包括将所述处理溶 液供应到所述基底上的处理溶液供应部件，并且所述流体供应管包括处 理溶液供应管，所述处理溶液通过所述处理溶液供应管供应。[10]所述支撑部件包括支撑板，其上安装有所述基底；和与所述支撑 板接合并通过驱动器旋转的旋转轴。可选择地，所述装置还可以设置有 控制器，所述控制器控制是否使所述旋转轴旋转，并控制是否打开或关 闭安装于所述处理溶液供应管上的阀门，或者控制所述阀门打幵或关闭 的程度。[11]在一个例子中，控制所述处理溶液温度的温度控制部件包括恒温 流体供应管，其设置成围绕所述处理溶液供应管的至少一部分，恒温流 体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控 制器。[12]在一个例子中，感光溶液供应部件包括感光溶液供应管，所述感 光溶液通过所述感光溶液供应管供应；和温度控制部件，其控制所述感 光溶液的温度，从而使所述感光溶液保持在预设的处理温度上。控制所 述感光溶液温度的所述温度控制部件包括恒温流体供应管，其设置成 围绕所述感光溶液供应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。[13]在一个例子中，所述感光溶液可以是光刻胶，所述处理溶液可以是 稀释剂。[14]在本发明的另一个实施例中，所述处理是显影处理，所述化学溶液 是显影溶液，所述流体是去离子水。[15]控制所述流体的所述温度控制部件包括恒温流体供应管，其设置 成围绕所述流体供应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应 管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。[16]同样，所述装置还可以包括清洗所述基底的后表面的清洗溶液供应 部件。所述清洗溶液供应部件包括将所述清洗溶液供应到所述基底的 后表面上的清洗溶液供应管；以及控制所述清洗溶液温度的温度控制部 件，所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管流动。[17]在一个例子中，控制所述清洗溶液温度的所述温度控制部件包括 恒温流体供应管，其设置成围绕所述清洗溶液供应管的至少一部分，恒 温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温 度控制器。[18]另外，本发明提供一种用于使用化学溶液处理基底的方法。[19]根据上述方法，将温度控制流体供应到所述基底上，从而使用所述 温度受到控制的流体将所述基底保持在预设的处理温度上。然后将所述 化学溶液供应到所述基底上，以进行处理。[20]在一个实施例中，所述处理是涂敷处理，所述流体是稀释剂，所述 化学溶液是光刻胶。所述温度受到控制的流体的温度控制是通过恒温流 体在邻近供应管的区域流动实现的，所述恒温流体的温度受到控制且所 述恒温流体循环流动，所述温度控制流体通过所述供应管供应。在供应 所述温度受到控制的流体的同时旋转所述基底。[21]在另一个实施例中，所述处理是显影处理，所述温度受到控制的流 体是去离子水，所述化学溶液是显影溶液。[22]另外，本发明提供一种用于处理基底的方法。所述方法包括将所述基底装载在支撑板上；将处理溶液供应到所述基底上，所述处理溶液 使得感光溶液在所述基底上易于扩散；将所述感光溶液供应到所述基底 上；以及从所述支撑板上卸载所述基底，其中所述处理溶液向所述基底 的供应包括将其温度受到控制的所述处理溶液供应到所述基底上，使 得所述基底保持在由所述处理溶液预设的处理温度上。[23]其温度受到控制的所述处理溶液向所述基底的供应可以包括在将 所述处理溶液供应到所述基底上的同时旋转所述基底。同样，其温度受 到控制的所述处理溶液向所述基底的供应可以包括在将所述处理溶液 供应到所述基底上的同时旋转所述基底以后，将所述处理溶液供应到所 述基底上的同时停止所述基底。[24]在一个例子中，温度受到控制的流体的温度控制是通过使恒温流体 在邻近供应管的区域流动实现，所述恒温流体的温度受到控制并且所述 恒温流体循环流动，所述温度受到控制的流体通过所述供应管供应。[25]在将所述化学溶液供应到所述基底上以后，上述方法还可以包括 将清洗溶液供应到所述基底的后表面上，从而清洗所述基底的后表面。 所述清洗溶液是温度受到控制的并被供应到所述基底上，使得所述基底 通过所述清洗溶液保持在预设的处理温度上。对供应到所述基底的后表 面上的所述清洗溶液的温度控制通过使恒温流体沿清洗溶液供应管的外 围流动实现，所述恒温流体的温度受到控制并且所述恒温流体循环流动， 所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管供应。[26]在将所述感光溶液供应到所述基底上以后，上述方法还可以包括 将去除溶液供应到所述基底的倾斜部上，从而去除粘附于所述基底的倾 斜部上的所述感光溶液。在向所述基底的后表面供应所述清洗溶液以清 洗所述基底的后表面的同时，去除粘附于所述基底的倾斜部上的所述感 光溶液。[27]同样，本发明提供一种用于在基底上涂敷感光溶液的方法。所述方法包括将所述基底装载在支撑板上；将处理溶液供应到所述基底上，所述处理溶液使得所述感光溶液在所述基底上易于扩散；将所述感光溶 液供应到所述基底上；以及从所述支撑板上卸载所述基底，其中所述处理溶液向所述基底的供应包括在将所述处理溶液供应到所述基底上的 同时，旋转所述基底。[28]根据本发明，能够在进行诸如涂敷处理等处理时将晶片保持在处理 温度上。[29]同样，根据本发明，能够在进行诸如涂敷处理等处理时消除晶片的 整个区域内的区域与区域之间的温差。[30]另外，根据本发明，由于在涂敷光刻胶之前，晶片的温度控制是通过供应到晶片上的稀释剂实现，因此不必为了晶片的温度控制而提供单 独的设备。
[31]图l是表示根据本发明的优选实施例的涂敷装置的示意图；[32]图2是图l的涂敷装置的平面图；[33]图3是表示图1的处理溶液供应部件的结构的示意图；[34]图4是表示图1的化学溶液供应部件的结构的示意图；[35]图5是表示图1的去除溶液供应部件的结构的示意图；[36]图6是表示图1的清洗溶液供应部件结构的示意图；[37]图7是表示根据本发明另一个实施例的用于供应处理溶液和化学溶液 的部件的示意图；[38]图8 图11是顺序表示在晶片上进行涂敷处理的处理的示意图；[39]图12是顺序表示本发明涂敷处理的处理的流程图；[40]图13是根据本发明优选实施例的显影装置的示意图；以及[41]图14是顺序表示根据本发明的显影处理的处理的流程图。[42]对附图的主要部件中的标记的说明[43] 100:容器[44] 200:支撑部件[45] 300:处理溶液供应部件[46] 400:化学溶液供应部件[47] 500:去除溶液供应部件 [48] 600:清洗溶液供应部件 [49] 700:控制器 [50]具体实施方式
[51]下面参照附图对本发明作更加全面的描述，这些附图表示了本发明的 示例性实施例。然而，本发明可以用很多不同的形式实施，而不应当被理解 为受此处描述的实施例的限制；相反，提供这些实施例是为了使本发明的 公开彻底和完整，并且全面地向本领域普通技术人员传达本发明的思想。 在附图中，为清楚起见扩大了层和区域的厚度。[52]图1是表示根据本发明的基底涂敷装置10的实施例的示意图，图2是 图1的平面图。作为基底处理装置10的一个例子，该实施例示例性地描述 了用于在晶片W上涂敷光刻胶的装置。[53]参照图1和图2，本发明的涂敷装置具有容器100、支撑部件200、处 理溶液供应部件300、化学溶液供应部件400、去除溶液供应部件500、清 洗溶液供应部件600和控制器700。容器100提供了在其中进行涂敷处理的 空间。在供应光刻胶之前，处理溶液供应部件300供应用于帮助光刻胶在晶 片W上扩散的处理溶液。处理溶液使得在涂敷处理中使用的光刻胶的供应量 减少。稀释剂可以作为处理溶液使用。化学溶液供应部件400将诸如光刻胶 等感光溶液供应到晶片W上。在涂敷完光刻胶后，去除溶液供应部件500向 晶片W的倾斜部供应去除溶液，用于去除粘附于晶片W的倾斜部上的光刻胶。 稀释剂可以作为去除溶液使用，用于防止粘附在晶片W的倾斜部上的光刻胶 成为稍后所述的颗粒。在涂敷完光刻胶后，清洗溶液供应部件600向晶片W 的后表面供应清洗溶液，用于去除附着在晶片W的后表面的污染物。所述污 染物可以是颗粒、光刻胶等，并且稀释剂可以作为清洗溶液使用。控制器 700控制晶片W的旋转、稍后所述的喷嘴310、 410、 510的运动、稍后所述 的阀门356a、 366a、 456a、 466a、 556a、 656a、 666a的打开/关闭，以及稍 后所述的温度控制器364、 464、 664的操作。[54]虽然上述例子描述了稀释剂可以作为所有的处理溶液、去除溶液和清 洗溶液使用，但是除稀释剂外的流体也可以作为这些各种溶液使用。[55]再参照图1，容器100的形状是内部具有空间140的碗状物的形状， 所述碗状物具有敞开的上部，并且排出管120与容器100的下侧接合，在处 理中所使用的流体通过排出管120排出。[56]支撑部件200用于在进行处理时支撑晶片W。支撑部件200呈圆柱状， 并且具有其上安装有晶片W的支撑板220和从底面向下延伸并通过电动机 260旋转的旋转轴240。支撑板220设置在容器100中，并且旋转轴220被 安装为穿透容器100的底面。支撑板220能够使用诸如夹具等机械方法或真 空吸附方法支撑晶片W。支撑板220的直径可为晶片W直径的大约1/2 2/3。 支撑板220可以设置有加热部件或冷却部件(未示出)，用于将晶片W的温 度控制在期望的温度上。[57]在供应光刻胶之前，处理溶液供应部件300向晶片W的中心部供应处 理溶液，使得稍后供应的光刻胶容易扩散并使晶片W保持在处理温度上。参 照图3，处理溶液供应部件300具有喷嘴310、喷嘴移动部件(见图1的320)、 供应管356、处理溶液供应管358和温度控制部件360。喷嘴310通过喷嘴 移动部件320在上下方向上移动，或者从晶片W的中心上部旋转地移动至容 器100的外部。喷嘴移动部件320具有与喷嘴接合的水平支撑杆322和与水 平支撑杆322的一端接合并通过电动机326旋转的垂直支撑杆324。与此不 同，喷嘴移动部件320可以具有使喷嘴310沿直线路径从晶片W的中心上部 移动至容器100外部的结构。供应管356连接处理溶液存储部352和喷嘴 310，并且由柔性材料制成。阀门或流体控制阀门356a安装于供应管356上。 处理溶液供应管358是用于供应处理溶液的通道，并且在供应管356、水平 支撑杆322和喷嘴310中形成。[58]根据本发明，处理溶液通过温度控制部件360控制在合适的处理温度 上，然后被供应到晶片W上。在供应光刻胶之前，温度控制部件360允许晶 片W保持在处理温度上。在将处理溶液的温度控制到适合使晶片W保持在处 理温度上的温度的情况下，将处理溶液供应到晶片W上。通过与处理溶液的 热交换，使晶片W保持在预设的处理温度上。此处，预设的处理温度可以是 指定数值或者指定范围。[59]根据一个例子，温度控制部件360具有设置用于围绕至少某些处理溶 液供应管358的恒温流体供应管368和用于控制恒温流体温度的温度控制器 364。例如去离子水等液体或者例如氮气等惰性气体可作为恒温流体使用。 期望处理溶液在它从处理溶液供应管358中排出前可以保持在预设的处理 温度上。因此，恒温流体供应管368被设置成围绕设在喷嘴310中的处理溶 液供应管358，并且能够延伸至连接喷嘴310和恒温流体存储部362的供应 管366。用于控制恒温流体温度的温度控制器364安装于供应管上。用于将 恒温流体回收至温度控制器364或恒温流体存储部362的回收管365与喷嘴 310的一端连接，所述恒温流体用于控制处理溶液的温度。[60]化学溶液供应部件400向晶片W的中心部供应光刻胶并将光刻胶涂敷 于晶片W上。参照图4，化学溶液供应部件400具有喷嘴410、喷嘴移动部 件(见图1的420)、供应管456、感光溶液供应管458和温度控制部件460。 喷嘴410通过喷嘴移动部件420在上下方向上线性移动，或者从晶片W的中 心上部旋转地移动至容器100的外部。喷嘴移动部件420具有与喷嘴410接 合的水平支撑杆422和与水平支撑杆422的一端接合并通过电动机426旋转 的垂直支撑杆424。与此不同，喷嘴移动部件420可以具有使喷嘴410沿晶 片W的径向从晶片W的中心上部移动至容器100外部的结构。供应管456连 接化学溶液存储部452和喷嘴410，并且由柔性材料制成。阀门或流体控制 阀门456a安装于供应管456上。感光溶液供应管458设置于喷嘴410、水 平支撑杆422和供应管456中。[61]光刻胶通过温度控制部件460控制在合适的温度上，然后被供应到晶 片W上。温度控制部件460具有设置用于围绕至少某些感光溶液供应管458 的恒温流体供应管468和用于控制恒温流体温度的温度控制器464。去离子 水或氮气可以作为恒温流体使用。期望感光溶液在它从感光溶液供应管458 中排出前可以保持在预设的处理温度上。因此，恒温流体供应管468被设置 成围绕设在喷嘴410中的感光溶液供应管458，并且能够延伸至连接喷嘴410 和恒温流体存储部462的供应管466。用于控制恒温流体温度的温度控制器 464安装于供应管466上。用于将恒温流体回收至温度控制器464或恒温流 体存储部462的回收管465与喷嘴410的一端连接，所述恒温流体用于控制感光溶液的温度。[62]如上所述，去除溶液供应部件500向晶片W的倾斜部供应去除溶液， 从而去除粘附于晶片W的倾斜部上的光刻胶。参照图5，去除溶液供应部件 500具有喷嘴510、喷嘴移动部件520 (见图2的520)、供应管556和去除 溶液供应管558。喷嘴510通过喷嘴移动部件520在上下方向上线性移动， 或者从晶片W的倾斜部的上部旋转地移动至容器100的侧部。喷嘴移动部件 520具有与喷嘴510接合的平支撑杆522和与水平支撑杆522的一端接合并 通过电动机(见图11的526)旋转的垂直支撑杆524。与此不同，喷嘴移动 部件520可以具有使喷嘴510沿晶片W的径向从晶片W的倾斜部的上部移动 至容器100外部的结构。供应管556连接去除溶液存储部552和喷嘴510， 并且由柔性材料制成。阀门或流体控制阀门556a安装于供应管556上。去 除溶液供应管558设置于喷嘴510、水平支撑杆522和供应管556中。[63]清洗溶液供应部件600将清洗溶液供应在晶片W的后表面上从而清洗 晶片W的后表面。参照图6，清洗溶液供应部件600具有喷嘴610、供应管 656、清洗溶液供应管658和温度控制部件660。清洗溶液供应管658设置 于喷嘴610和供应管656中。喷嘴610安装在容器100内，并且指向晶片的 后表面。在晶片W被真空吸附于支撑板220上的情况下，喷嘴610被安装为 使得清洗溶液向邻近支撑板220的晶片W的后表面喷射。供应管656连接清 洗溶液存储部652和喷嘴610，并且由柔性材料制成。阀门或流体控制阀门 656a安装于供应管656上。在晶片W被支撑于与支撑板220间隔开的支撑 板220上的情况下，清洗溶液供应管658可以设置于旋转轴240中。[64]根据本发明，清洗溶液通过温度控制部件660控制在合适的温度上， 然后被供应到晶片W上。在将光刻胶供应到晶片W上后，需要用于稳定涂敷 于晶片W上的光刻胶的时间。如果晶片W的温度高于设定的温度，则光刻胶 不能充分地散布于晶片W的整个区域。温度控制部件660控制清洗溶液的温 度，使得在光刻胶被涂敷并稳定于晶片W上之前，晶片W能够保持在处理温 度上。[65]根据一个例子，温度控制部件660具有设置用来围绕至少某些清洗溶 液供应管658的恒温流体供应管668，以及用于控制恒温流体温度的温度控 制器664。液体或气体能够作为恒温流体使用。期望清洗溶液在它从清洗溶 液供应管658中排出前可以保持在设定温度上。因此，恒温流体供应管668被设置成围绕设在喷嘴610中的清洗溶液供应管658，并且能够延伸至连接 喷嘴610和恒温流体存储部662的供应管666。用于控制恒温流体温度的温 度控制器664安装于供应管666上。用于将恒温流体回收至温度控制器664 或恒温流体存储部662的回收管665与喷嘴610的一端连接，所述恒温流体 用于控制清洗溶液的温度。[66]光刻胶的处理温度可以根据各个处理过程与晶片W的处理温度相同。 这包括设定的光刻胶的处理温度范围部分地与晶片W的处理温度范围重叠 的情况。这时，如图7所示，感光溶液供应管458和处理溶液供应管358平 行设置在一个喷嘴810中，并且感光溶液和处理溶液的温度通过单个温度控 制部件860控制。温度控制部件860具有设置用于围绕喷嘴810中的处理溶 液供应管358以及感光溶液供应管458的恒温流体供应管868，并且恒温流 体供应管868被形成为延伸至供应管866的内部，供应管866连接恒温流体 存储部862和喷嘴810。用于控制恒温流体温度的温度控制器864安装于供 应管866中。回收管869与喷嘴810的一端连接，从而将与处理溶液和感光 溶液进行热交换的恒温流体回收至温度控制器864或恒温流体存储部862 中。[67]上面的例子描述了恒温流体供应管368、 468、 668被分别构造成围绕 喷嘴中的处理溶液供应管358、感光溶液供应管458和清洗溶液供应管658。 然而，这些例子只是一个优选例子，以使得恒温流体供应管368、 468、 668 分别邻近处理溶液供应管358、感光溶液供应管458和清洗溶液供应管658 布置。因此，如果热量能够在恒温流体、感光溶液、处理溶液和清洗溶液之 间交换，则恒温流体供应管368、 468、 668，以及处理溶液供应管358、感 光溶液供应管458和清洗溶液供应管658可以布置得与上述实施例不同。[68]下面，参照图8 图12描述使用具有上述结构的基底处理装置处理基 底的方法。[69]在起始阶段，处理溶液供应部件300的喷嘴310、感光溶液供应部件 400的喷嘴410和去除溶液供应部件500的喷嘴510位于容器100外部。如 果晶片W通过传送自动机械(未示出)安装于支撑板220上，则通过真空(步 骤S10)将晶片W固定于支撑板220上。将处理溶液供应部件300的喷嘴310 移动到晶片W的中心上部，然后将处理溶液供应到晶片W上(见图8和图9)。将稀释剂供应给处理溶液供应管358，并且将具有已调节温度的恒温流体供应给恒温流体供应管368 (步骤S20)。将稀释剂从处理溶液供应管358中供 应到晶片W的中心，并且恒温流体与稀释剂进行热交换并通过回收管365回 收至处理溶液存储部362中。稀释剂保持在能够通过与恒温流体的热交换将 晶片保持在处理温度上的温度上。供应到晶片W上的稀释剂使得光刻胶在晶 片W上平稳地扩散，这将在稍后描述。因此，就能够节省在涂敷处理中使用 的光刻胶的用量。同样，由于将温度受到控制的稀释剂供应到晶片W上，因 此晶片W能够保持在处理温度上，并且晶片W的温度能够在晶片W的整个区 域上均匀地保持。[70]根据一个例子，在供应稀释剂的同时旋转晶片W (步骤S22，图8)。 晶片W的旋转允许稀释剂迅速地扩散至晶片的整个表面，从而縮短处理时 间。在供应稀释剂的同时，优选使晶片以高速旋转。例如，晶片W每分钟的 转数(RPM)可以约为2000 3000RPM。如果稀释剂充分地扩散到晶片W的 整个表面，则停止晶片W的旋转，并且稀释剂被供应到晶片W的中间区域(步 骤S24,图9)。这使得稀释剂在晶片W的中间区域以圆形扩散。可选择地， 在晶片W旋转的同时供应稀释剂的操作与晶片停止的状态下供应稀释剂的 操作之间，可以增加不供应稀释剂而使晶片W旋转的操作。同样，在晶片停 止且已供应稀释剂之后，可以增加不供应稀释剂而使晶片W旋转的操作。[71]在处理溶液的供应完成后，将处理溶液供应部件300的喷嘴310移动 至容器100的外部区域，并将感光溶液供应部件400的喷嘴410从容器100 的外部区域移动到晶片W的中间区域。进行向晶片W供应光刻胶的操作(步 骤S30，图10)。将光刻胶供应给感光溶液供应管458，并将温度受到控制 的恒温流体供应给恒温流体供应管468。通过感光溶液供应管458将光刻胶 供应到晶片W的中间区域上，并且恒温流体与光刻胶进行热交换，然后通过 回收管465回收至处理溶液存储部462中。光刻胶通过与恒温流体的热交换 而保持在处理温度上。在将光刻胶供应到晶片W上的同时，使晶片W旋转。 在光刻胶的供应完成之后，将感光溶液供应部件400的喷嘴410移动至容器 100的外部区域。[72]在将光刻胶涂敷于晶片W上后，涂敷于晶片W上的光刻胶就被稳定下 来，粘附于晶片W的倾斜部上的光刻胶被去除，并清洗晶片W的后表面(步骤S40，图ll)。为了使光刻胶稳定在晶片W上，晶片W以恒定速度旋转。与此同时，清洗粘附于晶片w的后表面上的颗粒或光刻胶的处理被执行。将稀释剂(清洗溶液)供应给清洗溶液供应管658，并将恒温流体供应给恒温 流体供应管668。将稀释剂供应到晶片W的后表面的中间部上或者邻近支撑 板220的区域上，然后通过离心力扩散至晶片W的边缘。在通过恒温流体供 应管668供应恒温流体以后，恒温流体与稀释剂进行热交换，然后通过回收 管665回收至恒温流体存储部662中。在将稀释剂的温度通过稀释剂和恒温 流体之间的热交换调节至能够使晶片保持在处理温度上的温度上后，将稀释 剂供应到晶片W上。[73]同样，将去除溶液供应部件500的喷嘴510从容器100的外部区域移 动到晶片W的倾斜部的上部。将去除溶液(即，稀释剂)供应给去除溶液供 应管585，然后喷射到晶片W的倾斜部上。在进行去除粘附于晶片W的倾斜 部上的光刻胶的处理的同时，进行清洗晶片W的后表面的处理。不同于上述 方法，去除粘附于晶片W的倾斜部上的光刻胶的处理和清洗晶片W的后表面 的处理可以顺序进行。然后，将晶片W从支撑板220上卸载下来(步骤S50)。[74]在上面描述的例子中，示例性地描述了在晶片W上涂敷光刻胶的装置。 然而，显而易见地，本发明的技术思想能够应用于进行不同类型处理的装置， 所述处理需要在进行所述处理的同时，使基底的温度保持在处理处理温度 上。下面，采用显影装置描述本发明的技术精神被应用于其它示例性处理过 程。[75]图13是表示显影装置10'的一个例子的示意图。参照图13，显影装置 IO'具有容器IO(T、支撑部件200'、处理溶液供应部件300'和化学溶液供应 部件400'。由于显影装置10'的容器100'、支撑部件200'、处理溶液供应部 件300'和化学溶液供应部件400'可以与涂敷装置10的容器100、支撑部件 200、处理溶液供应部件300和化学溶液供应部件400具有相同的结构，因 此省略对它们的详细描述。只是应当注意，替代感光溶液的显影溶液可以作 为化学溶液使用，并且替代稀释剂的去离子水可以作为处理溶液使用。[76]图14是顺序表示使用图13的装置进行显影处理的步骤的流程图。首 先，将晶片W装载于支撑部件200，上(步骤SllO)。将处理溶液供应到晶片 W上，并使晶片W保持在处理温度上(步骤S120)。如上所述，去离子水可以作为处理溶液使用。处理溶液的温度受温度控制部件控制。例如，去离子 水的温度能够通过与循环流动的恒温流体的热交换控制。然后，将显影溶液 供应到晶片W上(步骤S130)。在显影处理完成以后，将晶片W从支撑部件 上卸载下来。[77]本发明能够有效地应用于通过将化学溶液供应到基底上，在基底上处 理化学溶液的装置和方法中。
权利要求
1.一种装置，所述装置用于通过将化学溶液供应到基底上以进行处理来处理所述基底，所述装置包括支撑部件，其上安装有所述基底；化学溶液供应部件，其将所述化学溶液供应到安装于所述支撑部件上的所述基底上；以及流体供应部件，其将流体供应到所述基底上，在将所述化学溶液供应到所述基底上之前，所述流体将所述基底的温度控制在预设的处理温度上，其中，所述流体供应部件包括流体供应管，所述流体通过所述流体供应管供应；和控制所述流体温度的温度控制部件。
2. 根据权利要求l所述的装置，其中所述处理是将感光溶液涂敷在 所述基底上的处理，所述化学溶液是所述感光溶液，所述流体是允许所 述感光溶液在所述基底上易于扩散的处理溶液，所述流体供应部件包括 将所述处理溶液供应到所述基底上的处理溶液供应部件，并且所述流体 供应管包括处理溶液供应管，所述处理溶液通过所述处理溶液供应管供 应。
3. 根据权利要求2所述的装置，其中控制所述处理溶液温度的温度 控制部件包括恒温流体供应管，其设置成围绕所述处理溶液供应管的 至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒 温流体温度的温度控制器。
4. 根据权利要求2所述的装置，其中所述支撑部件包括支撑板，其上安装有所述基底；和与所述支撑板接合并通过驱动器旋转的旋转轴，并且所述装置还包 括控制器，所述控制器控制所述旋转轴是否旋转，并控制是否打开或关 闭安装于所述处理溶液供应管上的阀门，或者控制所述阀门打开或关闭 的程度。
5. 根据权利要求2所述的装置，其中感光溶液供应部件包括感光 溶液供应管，所述感光溶液通过所述感光溶液供应管供应；和温度控制 部件，其控制所述感光溶液的温度，从而使所述感光溶液保持在预设的 处理温度上，其中，控制所述感光溶液温度的所述温度控制部件包括恒温流体 供应管，其设置成围绕所述感光溶液供应管的至少一部分，恒温流体通 过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温度的温度控制器。
6. 根据权利要求2所述的装置，其中所述感光溶液是光刻胶，所述 处理溶液是稀释剂。
7. 根据权利要求l所述的装置，其中所述处理是显影处理，所述化 学溶液是显影溶液，所述流体是去离子水。
8. 根据权利要求7所述的装置，其中控制所述流体的所述温度控制 部件包括恒温流体供应管，其设置成围绕所述流体供应管的至少一部 分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制所述恒温流体温 度的温度控制器。
9. 根据权利要求2所述的装置，还包括清洗所述基底的后表面的清 洗溶液供应部件，其中所述清洗溶液供应部件包括将所述清洗溶液供 应到所述基底后表面上的清洗溶液供应管；以及控制所述清洗溶液温度的温度控制部件，所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管流动。
10. 根据权利要求9所述的装置，其中控制所述清洗溶液温度的所述温度控制部件包括恒温流体供应管，其设置成围绕所述清洗溶液供 应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制 所述恒温流体温度的温度控制器。
11. 根据权利要求2所述的装置，还包括去除溶液供应部件，其将去除溶液供应到所述基底的倾斜部上，从而在完成所述感光溶液的涂 敷后去除粘附于所述基底的倾斜部上的所述感光溶液；和清洗所述基底 的后表面的清洗溶液供应部件，其中所述清洗溶液供应部件包括将所述清洗溶液供应到所述基底 的后表面上的清洗溶液供应管；以及控制所述清洗溶液温度的温度控制 部件，所述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管流动。
12. 根据权利要求ll所述的装置，其中控制所述清洗溶液温度的所 述温度控制部件包括恒温流体供应管，其设置成围绕所述清洗溶液供 应管的至少一部分，恒温流体通过所述恒温流体供应管流动；以及控制 所述恒温流体温度的温度控制器。
13. —种使用化学溶液处理基底的方法，所述方法包括 将温度受到控制的流体供应到所述基底上，从而使用所述温度受到控制的流体将所述基底保持在预设的处理温度上；以及 将所述化学溶液供应到所述基底上，从而进行处理。
14. 根据权利要求13所述的方法，所述处理是涂敷处理，所述流体 是稀释剂，所述化学溶液是光刻胶。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中所述温度受到控制的流体的 温度控制是通过使恒温流体在邻近供应管的区域流动而实现的，所述恒 温流体的温度受到控制且所述恒温流体循环流动，所述温度控制流体通 过所述供应管供应。
16. 根据权利要求14所述的方法，其中在供应所述温度受到控制的 流体的同时旋转所述基底。
17. 根据权利要求13所述的方法，其中所述处理是显影处理，所述 温度受到控制的流体是去离子水，所述化学溶液是显影溶液。
18. —种处理基底的方法，所述方法包括 将所述基底装载在支撑板上；将处理溶液供应到所述基底上，所述处理溶液使得感光溶液在所述 基底上易于扩散；将所述感光溶液供应到所述基底上；以及 从所述支撑板上卸载所述基底，其中所述处理溶液向所述基底的供应包括将其温度受到控制的所 述处理溶液供应到所述基底上，使得所述基底保持在由所述处理溶液预 设的处理温度上。
19. 根据权利要求18所述的方法，其中，其温度受到控制的所述处 理溶液向所述基底的供应包括在将所述处理溶液供应到所述基底上的 同时旋转所述基底。
20. 根据权利要求18所述的方法，其中，其温度受到控制的所述处 理溶液向所述基底的供应包括在将所述处理溶液供应到所述基底上的 同时旋转所述基底以后，将所述处理溶液供应到所述基底上的同时停止 所述基底。
21. 根据权利要求18所述的方法，其中温度受到控制的流体的温度 控制是通过使恒温流体在邻近供应管的区域流动实现的，所述恒温流体 的温度受到控制并且所述恒温流体循环流动，所述温度受到控制的流体 通过所述供应管供应。
22. 根据权利要求18所述的方法，在将所述化学溶液供应到所述基 底上以后，所述方法还包括将清洗溶液供应到所述基底的后表面上， 从而清洗所述基底的后表面，其中所述清洗溶液是温度受到控制的并被 供应到所述基底上，使得所述基底通过所述清洗溶液保持在预设的处理 温度上。
23. 根据权利要求22所述的方法，对供应到所述基底的后表面上的所述清洗溶液的温度控制通过使恒温流体沿着清洗溶液供应管的外围流 动实现，所述恒温流体的温度受到控制并且所述恒温流体循环流动，所 述清洗溶液通过所述清洗溶液供应管供应。
24. 根据权利要求22所述的方法，在将所述感光溶液供应到所述基底上以后，所述方法还包括将去除溶液供应到所述基底的倾斜部上， 从而去除粘附于所述基底的倾斜部上的所述感光溶液，其中，在向所述 基底的后表面供应所述清洗溶液以清洗所述基底的后表面的同时，去除 粘附于所述基底的倾斜部上的所述感光溶液。
25. —种通过在基底上涂敷感光溶液以处理基底的方法，所述方法包括将所述基底装载在支撑板上；将处理溶液供应到所述基底上，所述处理溶液使得所述感光溶液在所述基底上易于扩散；将所述感光溶液供应到所述基底上；以及 从所述支撑板上卸载所述基底，其中，所述处理溶液向所述基底的供应包括在将所述处理溶液供 应到所述基底上的同时，旋转所述基底。
全文摘要
本发明提供了一种方法，所述方法能够在通过供应光刻胶进行涂敷处理之前，使晶片的温度保持在处理温度上。根据本发明，在供应所述光刻胶之前，将有助于所述光刻胶扩散的稀释剂供应到所述晶片上。在温度控制状态下供应所述稀释剂，使得所述晶片通过所述稀释剂具有处理温度。
文档编号H01L21/304GK101273442SQ200680035472
公开日2008年9月24日 申请日期2006年9月26日 优先权日2005年9月26日
发明者崔从洙, 崔永权 申请人:细美事有限公司