显示基底和用于修复该显示基底的有缺陷的像素的方法

专利名称：显示基底和用于修复该显示基底的有缺陷的像素的方法
技术领域：
本发明涉及一种显示基底，更具体地讲，涉及一种显示基底和用于修复 该显示基底的有缺陷的像素的方法。
背景技术：
通常，液晶显示(LCD)装置包括阵列基底、面对阵列基底的反向基底 以及介于阵列基底和反向基底之间的具有液晶层的LCD面板。阵列基底包括 多条栅极线和与栅极线交叉的多条数据线。多个像素设置在包括多条栅极线 和多条数据线的阵列基底上。开关装置例如薄膜晶体管(thin film transistor ) 连接到多条栅极线的每条栅极线和多条数据线的每条数据线。像素电极形成 在多个像素的每个像素上，并连接到开关装置。
阵列基底的制造过程包括光刻过程(例如)。在光刻过程中，会出现各种 像素缺陷。例如，在各条栅极线和/或数据线之间产生短路和/或开路。更具体 地讲，在制造阵列基底的过程中会出现在共存储线(storage common line )与 数据线之间的短路缺陷或者在共存储线与栅极线之间的短路缺陷。
当出现上述的像素缺陷时，利用激光将具有像素缺陷的有缺陷的像素从 阵列基底关闭(cutoff)。具体地讲，对像素电极施加电压的开关装置断开， 从而像素电极相对于共存储电极被短路，随之共存储电压被施加到像素电极。 这样，修复的(例如关闭的)像素持续显示黑色(在正常的黑模式LCD装置 中)。因此，当修复的像素是(例如)绿色像素时，修复的绿色像素容易被察 觉。这样，包括修复的绿色像素的LCD装置的图像显示质量劣化。

发明内容
本发明的示例性实施例提供了 一种有缺陷的像素容易被修复的显示基底。
本发明的可选择的示例性实施例提供了一种用于修复显示基底的有缺陷 的像素的方法。根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示基底，该显示基底包括像
素电极、第一开关装置、第二开关装置和延伸电极。像素电极包括主电极； 次电极，与主电极隔开设置。次电极具有开口部分。第一开关装置包括第一 栅极端子、第一输入端子和第一输出端子。第一栅极端子连接到第n条栅极 线(其中，"n"为自然数)，第一输入端子连接到数据线。第一输出端子连接 到主电极。第二开关装置包括第二栅极端子、第二输入端子和第二输出端子。 第二栅极端子连接到所述第n条栅极线，第二输入端子连接到所述数据线。 延伸电极从第二开关装置的第二输出端子延伸，并与所述次电极的开口部分 交叠。延伸电极经接触部分连接到所述次电极。
在本发明的可选择的示例性实施例中，所述延伸电极可与像素电极的次 电极交叠，并且所述接触部分可形成在所述延伸电极的端部。
在本发明的另一示例性实施例中，显示基底还可还包括第三开关装置。 所述第三开关装置包括第三栅极端子、第三输入端子和第三输入端子。第三 栅极端子连接到第n + 1条栅极线，并且第三输入端子连接到所述像素电极的 次电极。第三输出端子连接到所述第一开关装置的第一输出端子。
显示基底还可包括连接到第一开关装置的第一输出端子的上电容器。主 电极和第三开关装置的第三输出端子可交叠，以形成上电容器。
显示基底还可包括通过将主电极和次电极交叠而形成的存储线。
在另 一可选择的示例性实施例中，所述存储线可与主电极和次电极的每 个边缘部分交叠。
显示基底还可包括连接到第三开关装置的第三输出端子的下电容器。所 述存储线可以和第三开关装置的第三输出端子可交叠，以形成下电容器。
在本发明的另一示例性实施例中，第一开关装置和第二开关装置包括至 少一个共输入端子。
在本发明的另一示例性实施例中，所述次电极可具有梯形形状，该梯形 具有基侧和与所述基侧相对的上侧，所述基侧和上侧的每个基本与设置数据 线的第二方向平行。所述主电极可被设置成与连接所述次电极的基侧和上侧 的倾斜边相邻。
根据本发明的示例性实施例，提供了 一种用于修复显示基底的有缺陷像 素的方法。这里所述显示基底包括主电极；次电极，与主电极隔开设置， 并且包括开口部分；第一开关装置，包括通过第一接触部分连接到主电极的第一输出端子；第二开关装置，包括第二输出端子；延伸电极，从第二开关
装置的第二输出端子延伸，并通过第二接触部分连接到次电极，以将第二开
关装置连接到次电极；第三开关装置，具有通过第三接触部分连接到次电极 的第三输入端子，并被连接到第二开关装置。
所述用于修复显示基底的有缺陷像素的方法包括以下步骤通过切断设 置在第二开关装置的第二输出端子与第二接触部分之间的延伸电极，断开第 二开关装置与次电极的连接；通过切断第三开关装置的第三输入端子的一部 分来断开第三开关装置与次电极的连接。
在本发明的可选择的示例性实施例中，所述第二接触部分可形成在延伸 电极的端部。所述延伸电极可通过所述次电极的开口部分被暴露，断开第三 开关装置与次电极的连接的步骤包括切断通过所述开口部分暴露的所述延伸 电极的一部分。
在本发明的示例性实施例中，所述延伸电极的断开连接的部分和与延伸 电极的连接部分交叠的次电极的一部分形成耦合电容器。
在本发明的另 一可选择的示例性实施例中，断开第三开关装置与次电极 的连接包括断开所述第三输入端子和第三接触部分之间的连接线。
在本发明的另 一 可选择的示例性实施例中，第三开关装置还具有与主电 极交叠以形成上电容器的第三输出端子，第三开关装置经上电容器电结合到 第一开关装置。用于修复有缺陷的像素的方法还可包括通过切断设置在第三 输出端子与上电容器之间的第三输出端子来断开第三开关装置与第一开关装 置之间的连接。
在本发明的示例性实施例中，可以当第三输出端子与主电极之间出现电 短路时执行所述的方法。在本发明的另一可选择的示例性实施例中，当第三 开关装置出现缺陷时执行所述的方法。
在根据本发明的另一示例性实施例中，提供了一种显示基底，该显示基 底包括像素电极、第一开关装置、第二开关装置、延伸电极和第三开关装置。 像素电极包括主电极和与主电极隔开设置的次电极，并且所述像素电极包括 开口部分。第一开关装置具有连接到主电极的第一输出端子。第二开关装置 具有第二输出端子。延伸电极从第二输出端子延伸并与所述开口部分交叠。 延伸电极经接触部分连接到次电极。第三开关装置连接到次电极和第一输出 端子。根据按照本发明的示例性实施例的显示基底和用于修复显示基底的有缺 陷的像素的方法，在修复有缺陷的像素之后，修复后的像素正常地操作。


通过下面结合附图对示例性实施例进行的进一步地详细描述，本发明的
上述和其它方面、特点和优点将会变得更加易于理解，其中 图1是根据本发明的示例性实施例的显示基底的俯视图； 图2A是沿着图1的I-I'线剖开的局部剖视图2B是沿着图1的n-n'线剖开的局部剖视图3是根据图1中的本发明的示例性实施例的显示基底的单元像素的等 效示意性电if各图4是显示修复根据图1中的本发明的示例性实施例的显示基底的有缺 陷的像素的方法的俯视图5是根据图4中的本发明的示例性实施例的显示基底的修复的像素的 等效示意性电路图。
具体实施例方式
以下，将参照附图更加全面地描述本发明，其中，本发明的示例性实施 例在附图中^皮示出。然而，本发明可以以多种不同的形式来实施，不应该被 理解为局限于在此提出的示例性实施例。提供这些实施例以使本发明的公开 将是彻底和完全的，并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。相 同的标号始终表示相同的元件。
应该理解的是，当元件被称作在另一元件或层"上'，时，该元件可以直 接在另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作"直接" 在另一元件"上"时，不存在中间元件。如在这里使用的，术语"和/或"包 括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。
应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同 的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部 分并不受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层 和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开来。因此，在不脱 离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本发明。 如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数 形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语"包含"时，说明存在所述 特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个 或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。
而且，在这里可使用空间相对术语，如"下面的"或"底部"、"上面的" 或"顶部"来描述如图中所示的一个元件与其它元件的关系。应该理解的是， 空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在操作中的不同 方位。例如，如果在附图中装置被翻转，则描述为其它元件"下面的"的元 件随后将被定位为其它元件"上面的"。因此，示例性术语"下面的"根据附 图中特定的方向可包括上面的和下面的两种方位。类似地，如果在一个附图 中该装置被翻转，则描述为其它元件"之下"或"在"其它元件"下方"的 元件随后将被定位为其它元件"之上"。因此，示例性术语"之下"或"在" 其它元件"下方"可包括之上和之下两种方位。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科技术语) 具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进 一步理解，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语应 该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思相同的意思，而不是理想 地或者过于正式地解释它们的意思。
在此参照作为本发明的理想实施例的示例性示例的剖一见图来描述本发明 的实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差的变化引起的示例的 形状变化。因此，本发明的实施例不应该被理解为限制于在此示出的区域的 具体形状，而应该包括例如由制造导致的形状变形。例如，示出为矩形的注 入区域在其边缘通常具有倒圓或曲线的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从 注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区域可导 致在掩模区域和通过其发生注入的表面之间的区域中出现一定程度的注入。 因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置 的区域的实际形状，也不意图限制本发明的范围
以下，将参照附图进一步详细描述本发明的示例性实施例。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示基底的俯视图。图2A是沿着图1的I-I'线剖开的局部剖视图。图2B是沿着图1的II-II'线剖开的局部剖视图。
参照图1、图2A和图2B,显示面板包括显示基底100、反向基底200 和液晶层300。
显示基底100包括第一基础基底101，第一基础基底101包括多个像素 区域P、沿着第一方向延伸的多条栅极线GL、沿着与第一方向基本垂直的第 二方向延伸并与多条栅极线GL交叉的多条数据线DL。在示例性实施例中， "n"和"m"是自然数。注意到在图1中仅示出栅极线GLn、栅极线GLn + 1和数据线DLm。
包括主电极ME和次电极SE的像素电极PE形成在第一基础基底101的 像素区域P中。与主电极ME对应的像素区域P的第一区域被定义为主像素 区域，与次电极SE对应的像素区域的不同的第二区域被定义为次像素区域。 换种方式讲，像素区域P被分为主像素区域和次像素区域。
在示例性实施例中，像素区域P具有基本由直线围成的形状(rectilinear shape )。此外，次电极SE可形成为具有与数据线DLm基本平行的基线和上 线的梯形形状。
次电极SE形成在像素区域P中，更具体地讲，形成在像素区域P的次 像素区域中。如图l所示，次电极SE包括形成为沿第一方向具有预定长度的 开口部分OP。在示例性实施例中，通过图案化次电极SE而形成开口部分OP。 此外，主电极ME被设置成与梯形次电极SE的倾斜侧部相邻，例如，与不和 第一方向或第二方向对齐的侧部相邻。
存储线STL、第一开关装置TR1、第二开关装置TR2和第三开关装置 TR3也形成在像素区域P中。
栅极线GLn和栅极线GLn + 1沿着第 一方向延伸，数据线DLm沿着第 二方向延伸。在示例性实施例中，数据线DLm与具有基本梯形形状的次电极 SE的基线和上线基本平行。
存储线STL覆盖了主电极ME和次电极SE两者的边缘部分。在示例性 实施例中，存储线STL包括与主电极ME的边缘交叠的第一区域、与次电极 SE的边缘交叠的第二区域以及与第三开关装置TR3的输出端子交叠的第三 区域。
此外，存储线STL的第一区域和主电极ME限定了第一存储电容器CSTH,而存储线STL的第二区域和次电极SE限定了第二存储电容器CSTL。 存储线STL的第三区域和与第三开关装置TR3的输出端子对应的第三漏电极 D3的端部限定了下电容器(down-capacitor) Cd。wn。此外，所述第三漏电极 D3的端部和与该第三漏电极D3的端部交叠的主电极ME限定了上电容器 (up-capacitor) Cup。
存储线STL与主电极ME和次电极SE的边缘交叠。更具体地讲，存储 线STL形成在主电极ME和次电极SE之间的分离区域中，例如，形成在数 据线DLm与主电极ME之间形成的分离区域中以及形成在数据线DLm与次 电极SE之间形成的分离区域中。因此，存储线STL阻挡了通过分离区域泄 漏的光。
第一开关装置TR1的输入端子连接到栅极线GLn (例如，第n条栅极线 GLn)和数据线DLm (例如，第m条数据线DLm )。这里，"n"和"m"是 自然数。第一开关装置TR1的输出端子连接到主电极ME。具体地讲，第一 开关装置TR1包括电连接到第n条栅极线GLn的第一栅极(未显示)、连接 到第m条数据线DLm的第一源极SI以及经第一接触部分HI电连接到主电 极ME的第一漏极D1。在示例性实施例中，如图1所示，没有额外形成第一 栅极，而是栅极线GLn本身可用作第一栅极。
第一有源层AL1可形成在第n条栅极线GLn与第一源极Sl和第一漏极 Dl之间。
第二开关装置TR2的输入端子也连接到第n条栅极线GLn和第m条数 据线DLm。此外，第二开关装置TR2的输出端子连接到次电极SE。更具体 地讲，第二开关装置TR2包括电连接到第n条栅极线GLn的第二栅极(未显 示)、连接到第m条数据线DLm的第二源极S2以及电连接到次电极SE的第 二漏极D2。因此，在示例性实施例中，第一开关装置TR1和第二开关装置 TR2具有包括共输入端子的双结构(dual structure )。例如，如图1所示，没 有额外形成第二栅极，而是栅极线GLn本身可用作第二栅极。或者，第二开 关装置TR2的栅极也是第一开关装置TR1的栅极，或者第二开关装置TR2 的源极也可以是第一开关装置TR1的源极。
第二漏极D2包括与次电极SE交叠的延伸电极(extension electrode )LE。 延伸电极LE从第二漏极D2延长，以与次电极SE的开口部分OP交叉，如 图1所示。第二接触部分H2形成在延伸电极LE的端部上，例如形成在与延伸电极LE的与第二漏极D2相反的端部上。因此，延伸电极LE经第二接触 部分H2连接到次电极SE。
第三开关装置TR3的输入端子连接到第n + 1条栅极线GLn+ 1和次电 极SE。此外，第三开关装置TR3的输出端子连接到第一开关装置TR1的输 出端子。更具体地讲，第三开关装置TR3包括电连接到第n+ 1条栅极线GLn + 1的第三栅极(未显示)、经第三接触部分H3电连接到次电极SE的第三源 电极S3和与主电极ME交叠的第三漏极D3。与主电极ME交叠的第三漏极 D3的面积限定了上电容Cup，如图1所示。
第二有源层AL2可形成在第n + 1条栅极线GLn + 1与第三源极S3和三 漏才及D3之间。
栅极绝缘层130和钝化层150形成在第一基础基底101上(见图2A和 图2B)。具体地讲，栅极绝缘层130形成在第一基础基底101上，栅极金属 图案(未显示)形成在该第一基础基底101上。在示例性实施例中，栅极金 属图案包括第一栅极、第二栅极、第三栅极、存储线STL和栅极线GLn和 GLn+l。此外，钝化层150形成在包括第一源极Sl、第二源极S2、第三源 极S3 、第 一漏极Dl 、第二漏极D2、第三漏极D3和数据线DLm的源金属图 案(未显示)上。此外，钝化层150包括第一接触部分Hl、第二接触部分 H2和第三接触部分H3。
再参照图2A和图2B，反向基底200与显示基底IOO结合，以将液晶显 示层300容纳在二者之间。反向基底200包括在其上限定了多个像素区域P 的第二基础基底201。反向基底200包括都形成在第二基础基底201上的阴 影图案(shading pattern) 210、滤色层30和共电极CE。更具体地讲，阴影图 案210形成在与多条栅极线GL和多条数据线DL对应的区域中。滤色层230 包括形成在多个像素区域P中的多个滤色器(未显示)。在示例性实施例中， 滤色器包括(例如)红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器，但是可选择的 示例性实施例不限于此。
共电极CE形成在滤色层230上。在示例性实施例中，共电极层CE具有 被图案化为将像素区域P分隔为多个域的开口 (未显示)。在可选择的示例性 实施例中，包括有机材料的突起(未显示)可形成为与像素区域P对应，以 将像素区域P分隔为多个域。
共电极CE、主电极ME和液晶层300在主像素区域中形成第一液晶电容器CLCH(见图3)。类似地，共电极CE、次电极SE和液晶层300在次像素 区域中形成第二液晶电容器CLCt (图3)。
根据如上所述的本发明的示例性实施例的像素可被用作(例如)在其中 形成红色滤色器的红色像素、在其中形成绿色滤色器的绿色像素和在其中形 成蓝色滤色器的蓝色像素，但是，可选择的示例性实施例不限于此。而且， 上述像素可以是亮度大于红色像素和蓝色像素的每个的亮度的绿色像素。因 此，当在绿色像素中出现缺陷时，绿色像素在修复过程之后正常工作，因此， 基本降低和/或有效地防止例如绿色像素的亮度劣化，以下将参照图3-5更加 详细地描述修复过程。
图3是根据图1中的本发明的示例性实施例的显示基底的单元像素的等 效示例性电路图。
参照图1和图3,单元像素Pu包括主像素Pm和次像素Ps。主像素Pu 还包括驱动主像素Pm和次像素Ps的驱动部分(未显示)。
主像素Pm包括第一液晶电容器CLCH和第一存储电容器CSTH。次像素 Ps包括第二液晶电容器CLd一和第二存储电容器CSTY。驱动部分(未显示) 包括第一开关装置TR1、第二开关装置TR2、第三开关装置TR3、下电容器 Cdown和上电容器Cup (见图1和图2A)。
再参照图1和图3，第一开关装置TR1的第一栅极G1连接到第n条栅 极线GLn,第一开关装置TR1的第一源极Sl连接到第m条数据线DLm。第 一开关装置TR1的第一漏极D1在第一节点N1连接到第一液晶电容器CLCn 的第 一 端子。第 一存储电容器CSTH的第 一端子在第 一节点N1连接到第 一 液 晶电容器CLCH的第 一端子。第 一共电压VCOM施加到第 一液晶电容器CLCH 的第二端子，第二共电压VST施加到第 一存储电容器CSTH的第二端子。
第二开关装置TR2的第二栅极G2连接到第n条栅极线GLn,第二开关 装置TR2的第二源极S2连接到第m条数据线DLm。第二开关装置TR2的 第二漏极D2在第二节点N2连接到第二液晶电容器CLCl的第一端子。第二 存储电容器CST1的第一端子在第二节点N2连接到第二液晶电容器CLCl的 第一端子。第一共电压VCOM施加到第二液晶电容器CLCl的第二端子，第 二共电压VST施加到第二存储电容器CSTl的第二端子。
第三开关装置TR3的第三栅极G3连接到第n + 1条栅极线GLn + 1,第 三开关装置TR3的第三源极S3在第二节点N2连接到第二开关装置TR2的第二漏极D2。第三开关装置TR3的第三漏极D3在第三节点N3连接到上电 容器Cup的第一端子。上电容器Cup的第二端子在第一节点Nl连接到第一 开关装置TR1的第一漏极Dl。下电容器Cdown的第一端子在第三节点N3 连接到第三漏极D3，下电容器Cdown的第二端子连接到第二共电压VST。 现在，将参照图3更加详细地描述用于驱动单元像素Pu的驱动方法。 当栅信号施加到第n条栅极线GLn时，第一开关装置TR1和第二开关 装置TR2都导通，从而数据电压(例如，大约5伏，但是可选择的示例性实 施例不限于此)从第m条数据线DLm被传递，并被施加到第二液晶电容器 CLCL和第一存储电容器CSTH。因此，数据电压被充到第一液晶电容器CLCH 和第一存储电容器CSTH。在示例性实施例中，第一共电压VCOM和第二共 电压VST都近似为零伏，例如，地电压，但是，可选择的示例性实施例不限 于此。
在第一节点N1连接到第一开关装置TR1的第一漏极D1的上电容器Cup 被充有第一节点Nl和第三节点N3之间的电压差。同时，下电容器Cdown 被充有第三接点N3和第二共电压VST之间的电压差。
当栅信号被施加到第n + 1条栅极线GLn+ 1时，第三开关装置TR3被 导通。因此，在第二漏极D2处(例如，在第二节点N2处)的电压(例如， 大约5V )通过第三开关装置TR3在第三节点N3被施加到上电容器Cup的第 一端子。
当在第二节点N2处的电压(例如，大约5V)被施加到上电容器Cup的 第一端子时，在第一节点N1处的上电容器Cup的第二端子的电压升高，这 是由于充在上电容器Cup中的电压被固定。因此，第一液晶电容器CLCH的 第一端子和第一存储电容器CSTH的第一端子上的电压也升高。因此，在第一 液晶电容器CLCH和第一存储电容器CSTH的每个中被充的数据电压都高于在 第二液晶电容器CLCL和第二存储电容器CSTL中被充的数据电压。通过被施 有第二共电压(0V)的下电容器Cdown的第二端子，充到下电容器Cdown 中的电压下降。
这样，充到主像素Pm中的数据电压大于充到次像素Ps中的数据电压。 图4是显示修复根据图1中的本发明的示例性实施例的显示基底的有缺
陷的像素的方法的俯视图。图5是根据图4中的本发明的示例性实施例的修
复的像素的等效示例性电路图。参照图4,例如，在有缺陷的像素中，次电极SE的亮度可大于主电极
ME的亮度。有缺陷的像素可由上电容器Cup的缺陷或者驱动上电容器Cup (例如)的第三开关装置TR3的缺陷引起，但是，额外和/或其它错误也会发 生，其中，在有缺陷的像素中，次电极SE的亮度大于主电极ME的亮度。例 如，由于电短路，例如上电容器Cup的第一端子和第二端子之间的短路或者 例如第三开关装置TR3的输入端子和输出端子之间的短路，所以会产生有缺 陷的像素。或者，由于缺少沟道图案而会产生有缺陷的像素。
现在，将参照图4和图5进一步详细地描述修复根据本发明的示例性实 施例的有缺陷的像素的方法。图4和图5中相同的附图标号表示图2和图3 中相同或相似的组件，以下将省略对其重复的详细描述。
如以上参照图1和图2A的详细描述，延伸电极LE从第二开关装置TR2 的第二漏极D2延伸，并通过次电极SE的开口部分OP被暴露。在示例性实 施例中，激光(例如)用于切断(例如，断开)通过次电极SE的开口部分 OP被暴露的延伸电极LE的一部分(以下，称为"CUT1")。这样，第二开 关装置TR2与次电极SE断开电连接，而次电极SE和与次电极SE交叠的延 伸电极LE形成耦合电容器Cc。
接下来，激光用于断开第三源极S3和第三漏极D3的连接(以下，称为 "CUT2")。具体地讲，第三源极S3和第三接触部分H3之间的连接线通过 激光被断开，第三漏极D3与主电极ME之间的连4^线通过激光^^断开。当 第三漏极D3与主电极ME断开电连接时，第三漏才及D3与第一开关装置TR1 的第一漏极D1断开电连接，这是由于主电极ME经第一接触部分H1电连接 到第一开关装置TR1的第一漏极Dl,如以上参照图1和图2A的详细描述。
因此，第三源极S3与先前连接到第三源极S3的次电极SE断开电连接， 第三漏极D3与先前连接到第三漏极D3的上电容器Cup断开电连接。
因此，来自第二开关装置TR2的数据电压经耦合电容器Cc传递到次电 极SE。因此，传递到次电极SE的数据电压小于传递到主电极ME的数据电 压。
在可选择的示例性实施例中，CUT2在CUT1之前被执行，或者，CUT2 和CUT2同时被执行。
还是参照图4和图5,修复后的单元像素rPu包括主像素rPm和次像素 rPs。修复后的单元像素rPu还包括用于驱动主像素rPm和次像素rPs的驱动部分(未显示)。
主像素rPm包括第一液晶电容器CLCH和第一存储电容器CSTH。次像素 rPs包括第二液晶电容器CLC^和第二存储电容器CST1。驱动部分包括第一 开关装置TR1、第二开关装置TR2、第三开关装置TR3和耦合电容器Cc。
第一开关装置TR1的第一栅极G1连接到第n条栅极线GLn,第一开关 装置TR1的第一源极Sl连接到第m条数据线DLm。第一开关装置TR1的 第 一漏极Dl连接到第 一液晶电容器CLCH的第 一端子。第 一存储电容器CSTH 的第 一端子连接到第 一液晶电容器CLCH的第 一端子。第一共电压VCOM施 加到第一液晶电容器CLCh的第二端子，第二共电压VST施加到第一存储电 容器CSTH的第二端子。
第二开关装置TR2的第二栅极G2连接到第n条栅极线GLn,第二开关 装置TR2的第二源极S2连接到第m条数据线DLm。第二开关装置TR2的 第二漏极D2连接到耦合电容器Cc的第一端子。
耦合电容器Cc的第二端子分别连接到第二液晶电容器CLCL的第 一端子 和第二存储电容器CSTY的第一端子。第一共电压VCOM施加到第二液晶电 容器CLCl的第二端子，第二共电压VST施加到第二存储电容器CSTl的第 二端子。
现在，将参照图5进一步详细地描述用于驱动々务复后的单元像素rPu的 驱动方法。
当栅信号施加到第n条栅极线GLn时，第一开关装置TR1和第二开关 装置TR2都被导通，因此，数据电压(例如，大约5v )从第m条数据线DLm 被传递，从而被施加到第一存储电容器CSTh和第一液晶屯容器CLCh。因此， 数据电压被充入到第一液晶电容器CLCH和第一存储电容器CSTH。在示例性 实施例中，第一共电压VCOM和第二共电压VST都近似与零伏，但是可选 择的示例性实施例不限于此。
连接到第二开关装置TR2的第二漏极D2的耦合电容器Cc基于其特性 被充有预定的电压。在示例性实施例中，大约1V被充入耦合电容器Cc。因 此，每个都被电连接到耦合电容器Cc的第二液晶电容器CLd和第二存储电 容器CSTt被充入电压差，例如，被充入数据电压(大约5V)与被充入到耦 合电容器Cc中的电压(大约IV)之间的大约4V的电压差。
因此，被充入次像素rPs中的数据电压与被充入主像素rPm中的数据电压不同。
根据上述的本发明的示例性实施例，包括主像素和次像素的单元像素具 有包括延伸电极的结构，该延伸电极从驱动次像素中的次电极的开关装置延 伸并与次电极交叠。当在次像素中出现缺陷时，延伸电极和次电极用作耦合 电容器，在根据用于修复有缺陷的单元像素的方法进行修复之后，修复后的 单元像素正常操作。
本发明不应该局限于在此阐述的示例性实施例。而且，提供这些示例性 实施例以使本公开更加彻底和完整，并将本发明的构思完全地传递给本领域 的这些技术人员。
虽然已经参照示例性实施例显示并描述了本发明，但是本领域的这些技 术人员应该理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下， 可以对其进行各种形式和细节的修改。
权利要求
1、一种显示基底，包括像素电极，包括主电极；次电极，与主电极隔开设置，并且包括开口部分；第一开关装置，包括第一栅极端子，连接到第n条栅极线，其中，n为自然数；第一输入端子，连接到数据线；第一输出端子，连接到所述像素电极的主电极；第二开关装置，包括第二栅极端子，连接到所述第n条栅极线；第二输入端子，连接到所述数据线；第二输出端子；延伸电极，从第二开关装置的第二输出端子延伸，并与所述次电极的开口部分交叠，延伸电极经接触部分连接到所述次电极。
2、 如权利要求1所述的显示基底，其中，所述延伸电极与像素电极的次 电极交叠，并且所述接触部分形成在所述延伸电极的端部。
3、 如权利要求1所述的显示基底，还包括第三开关装置，所述第三开关 装置包括第三栅极端子，连接到第n + 1条栅极线； 第三输入端子，连接到所述像素电极的次电极； 第三输出端子，连接到所述第一开关装置的第一输出端子。
4、 如权利要求3所述的显示基底，还包括电连接到第一开关装置的第一 输出端子的上电容器，其中，像素电极的主电极和第三开关装置的第三输出 端子交叠，以形成上电容器。
5、 如权利要求4所述的显示基底，还包括与主电极和次电极交叠的存储线。
6、 如权利要求5所述的显示基底，其中，所述存储线与主电极和次电极 的每个边缘部分交叠。
7、 如权利要求5所述的显示基底，还包括连接到第三开关装置的第三输出端子的下电容器，其中，所述存储线和第三开关装置的第三输出端子交叠， 以形成下电容器。
8、 如权利要求1所述的显示基底，其中，第一开关装置和第二开关装置 包括至少 一个共输入端子。
9、 如权利要求1所述的显示基底，其中，所述次电极具有梯形形状，该梯形具有基侧和与所述基侧相对的上侧，所述基侧和上侧的每个与设置数据 线的第二方向平行，所述主电极被设置成与连接所述次电极的基侧和上侧的倾斜边相邻。
10、 一种用于修复显示基底的有缺陷像素的方法，所述显示基底包括 主电极；次电极，与主电极隔开设置，并且包括开口部分；第一开关装置， 包括通过第一接触部分连接到所述主电极的第一输出端子；第二开关装置， 包括第二输出端子；延伸电极，从第二开关装置的第二输出端子延伸，并通 过第二接触部分连接到次电极，以将第二开关装置连接到次电极；第三开关 装置，具有通过第三接触部分连接到次电极的第三输入端子，并被连接到第 二开关装置，所述方法包括以下步骤通过切断设置在第二开关装置的第二输出端子与第二接触部分之间的延 伸电极，断开第二开关装置与次电极的连接；通过切断第三开关装置的第三输入端子的一部分来断开第三开关装置与 次电极的连接。
11、 如权利要求IO所述的方法，其中，所述第二接触部分形成在延伸电极的端部。
12、 如权利要求11所述的方法，其中，所述延伸电极通过所述次电极的 开口部分被暴露，断开第三开关装置与次电极的连接的步骤包括切断通过所 述开口部分暴露的所述延伸电极的一部分。
13、 如权利要求12所述的方法，其中，所述延伸电^f及的断开的部分和与 延伸电极的连接部分交叠的次电极的 一部分形成耦合电容器。
14、 如权利要求IO所述的方法，其中，断开第三开关装置与次电极的连 接的步骤包括断开所述第三输入端子和第三接触部分之间的连接线。
15、 如权利要求IO所述的方法，其中，第三开关装置还具有与主电极交 叠以形成上电容器的第三输出端子，第三开关装置经上电容器电结合到第一 开关装置。
16、 如权利要求15所述的方法，还包括通过切断设置在第三输出端子与 上电容器之间的第三输出端子来断开第三开关装置与第一开关装置之间的连接。
17、 当第三输出端子与主电极之间出现电短路时，执行如权利要求15 所述的方法。
18、 当第三开关装置出现缺陷时执行如权利要求IO所述的方法。
19、 一种显示基底，包括像素电极，包括主电极和与主电极隔开设置的次电极，并且次电极包括 开口部分；第一开关装置，具有连接到主电极的第一输出端子； 第二开关装置，具有第二输出端子；延伸电极，从第二输出端子延伸并与所述开口部分交叠，并且延伸电极 经接触部分连接到次电极；第三开关装置，连接到次电极和第一输出端子。
全文摘要
本发明公开了一种显示基底和用于修复显示基底的有缺陷的像素的方法。该显示基底包括像素电极，该像素电极包括主电极和与主电极隔开设置的次电极，并且次电极包括开口部分。该显示基底包括第一开关装置和第二开关装置。第一开关装置连接到主电极。延伸电极从第二输出端子延伸并与所述开口部分交叠。延伸电极经接触部分连接到次电极。根据本发明，在修复了有缺陷的像素之后，修复的像素正常操作。
文档编号H01L27/12GK101430468SQ20081009863
公开日2009年5月13日 申请日期2008年6月3日 优先权日2007年11月6日
发明者朴宰贤, 裴盛焕, 金景旭 申请人:三星电子株式会社