专利名称：一种晶圆的生产中的清洗方法
技术领域：
本发明涉及半导体领域，具体的说是一种晶圆的生产中的清洗方法。
背景技术：
在晶圆的生产过程中，易产生一些污染物。这些污染物包括:金属污染物，化学污染物以及落尘等。对这些污染物的去除通常都采用传统的用去离子数冲洗的方式来实现。但随着半导体领域的进一步发展，对晶圆表面的清洁度要求越来越高，这种传统的方式已经不能满足目前一般性的生产要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆的生产中的清洗方法。为实现上述目的，本发明采用的技术方案为:一种晶圆的生产中的清洗方法:在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的毛刷分别自旋转，使毛刷与晶圆之间进行相对摩擦运动，并在自转过程中由清洗装置上上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液；所述清洗液为肥皂水。所述清洗液为洗洁精和去离子水按体积百分比为1: 100-1: 50混合而成。所述清洗液为洗洁精和去离子水按体积百分比为1: 100混合而成。.所述毛刷为尼龙刷，其丝径为0.5mm,长度为10_20mm。本发明的有益效果是:通过本发明的清洗方式对晶圆表面进行清洗的结果是:使晶圆表面的直径0.2微米以上的颗粒去除率达到98%。
具体实施例方式在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的尼龙刷分别自转，使尼龙刷与晶圆之间进行相对摩擦运动，并在自转过程中由清洗装置上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液；即扫描马达通过联轴器带动整个清洗装置围绕其主轴(主轴转速500rpm)做扫描运动。与此同时，尼龙刷自转电机带动毛刷自转((毛刷扫描10次-20次)，毛刷转速50rpm)。晶圆此时也在做高速(100-500rpm)旋转运动,这样就实现了尼龙刷与晶圆的相对摩擦运动。所述清洗液为肥皂水，即洗洁精和去离子水按体积百分比为1: 100混合而成。所述尼龙刷的刷毛长度为:10-20111111，丝径为0.05111111。这样的一个长度和丝径有利于去除附着在晶圆表面的污染物。尼龙刷的刷体四周要比中央长2mm左右，这样做有助于将清理下来的杂物迅速排除，同时喷头向晶圆上喷淋清洗液通过氮气加压的方式供应，氮气压力为0.15兆帕。同时肥皂水是用去离子水稀释洗洁精，使其具有良好的流动性。再配以尼龙刷的自旋转。最大限度的将晶圆表面颗粒去除。在使用尼龙刷对晶圆进行清洗时，喷淋肥皂水。既能起到润湿尼龙刷防止划伤晶圆表面的作用，又能实现对晶圆表面去染污的有效去除功倉泛。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种晶圆的生产中的清洗方法，其特征在于:在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的毛刷分别自旋转，使毛刷与晶圆之间进行相对摩擦运动，并在自转过程中由清洗装置上上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液；所述清洗液为肥皂水。
2.按权利要求1所述的晶圆的生产中的清洗方法，其特征在于:所述清洗液为洗洁精和去离子水按体积百分比为1: 100-1: 50混合而成。
3.按权利要求2所述的晶圆的生产中的清洗方法，其特征在于:所述清洗液为洗洁精和去离子水按体积百分比为1: 100混合而成。
4.按权利要求1所述的晶圆的生产中的清洗方法，其特征在于:所述毛刷为尼龙刷，其丝径为0.5mm，长度为10-20mm。
全文摘要
本发明涉及半导体领域，具体的说是一种晶圆的生产中的清洗方法。在晶圆的生产中晶片以及设置在清洗装置上的毛刷分别自旋转，使毛刷与晶圆之间进行相对摩擦运动，并在自转过程中由清洗装置上上设置的喷头向晶圆上喷淋清洗液；所述清洗液为肥皂水。通过本发明的清洗方式对晶圆表面进行清洗的结果是使晶圆表面的直径0.2微米以上的颗粒去除率达到98％。
文档编号B08B7/04GK103094066SQ20111033232
公开日2013年5月8日 申请日期2011年10月27日 优先权日2011年10月27日
发明者侯宪华 申请人:沈阳芯源微电子设备有限公司