专利名称：晶舟清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种晶舟清洗装置。
背景技术：
随着科技的进步，电子产品已经应用到社会生活的各个领域，而这些半导体电子产品都。在半导体产品制造行业，晶舟作为晶片的承载装置被广泛应用于氧化、扩散及气相沉积(CVD)等工序中。以扩散制程为例，是先将多片晶片放置在一晶舟上，再将该晶舟放置在炉管内进行批次制造。一般的，晶舟是由多个石英圆环平行固定在支撑杆上形成，每个石英圆环的间隔相等，石英圆环的边缘均勻分布有石英小突起，用于放置晶片，一个晶舟通常可以放置多个晶片。然而，用以放置晶片的晶舟在使用一定时间后，其表面会附着一层扩散工艺带来的薄膜层(如氧化层)或者其他的颗粒，这将影响晶片的质量。为此，需要对晶舟的表面进行清洗。一种晶舟的清洗方法是将晶舟横卧在清洗槽内，使晶舟浸泡在清洗液内，并通过升降晶舟，加强清洗液的流动，进而提高晶舟表面的清洗效果。然而石英圆环薄并且脆，晶舟一旦移动很容易损伤到石英圆环，从而使整个晶舟报废。另一种晶舟的清洗方法是将晶舟竖直立在喷洗腔内，并利用喷头向晶舟表面喷淋清洗液，来达到清洗晶舟的目的，然而由于喷淋的清洗液在重力的作用下，使晶舟下部聚积的清洗液比晶舟的上部多，使晶舟的清洗不均勻。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种晶舟清洗装置，以解决现有清洗晶舟过程中损伤晶舟以及清洗不均勻的问题。为解决上述问题，本实用新型提出了一种晶舟清洗装置，用于清洗晶舟，所述晶舟清洗装置包括清洗槽；用于承载晶舟的旋转盘，所述旋转盘设置在所述清洗槽底部；用于驱动所述旋转盘旋转的驱动装置，与所述旋转盘连接；设置在所述清洗槽内的喷管以及与所述喷管连通的若干喷头。优选地，所述喷管与所述清洗槽底部垂直固定设置。优选地，所述喷头的数量为3 6个。 优选地，所述清洗槽的形状为立方体。优选地，所述旋转盘的形状为圆柱形。优选地，所述喷管与一清洗液供给装置连通。优选地，所述驱动装置为马达。优选地，所述清洗槽设置有监控单元，所述监控单元设置在所述清洗槽的外壁上。优选地，所述监控单元为视镜。本实用新型提供的晶舟清洗装置通过将喷管设置在清洗槽内，可将清洗槽浸泡和喷头喷淋这两种清洗方式结合起来，对晶舟进行清洗，大大提高了清洗效果；将晶舟垂直设置在所述旋转盘上，避免了在清洗过程中晶舟的侧边与清洗槽壁接触而受到损伤；此外，通过旋转盘带动晶舟转动，可以使晶舟得到充分的清洗。
图1为本实用新型实施例的晶舟清洗装置的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的晶舟清洗装置及其清洗方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。本实用新型的核心思想在于提供一种晶舟清洗装置，其将喷管设置在清洗槽内， 可将清洗槽浸泡和喷头喷淋这两种清洗方式结合起来，对晶舟进行清洗，提高了清洗效果；将晶舟垂直设置在所述旋转盘上，避免了在清洗过程中晶舟的侧边与清洗槽壁接触而受到损伤；此外，通过旋转盘带动晶舟转动，可以使晶舟得到充分的清洗。图1为本实用新型实施例的晶舟清洗装置的结构示意图。参照图1，晶舟清洗装置，用于清洗晶舟，所述晶舟清洗装置包括清洗槽11 ；用于承载晶舟15的旋转盘12，所述旋转盘12设置在所述清洗槽11底部；用于驱动所述旋转盘12旋转的驱动装置(图中未示出)，与所述旋转盘12连接；设置在所述清洗槽11内的喷管13以及与所述喷管13连通的若干喷头14。在本实施例中，晶舟15垂直设置在所述旋转盘12上，晶舟15依靠自身的重量固定在所述旋转盘12上，所述旋转盘12的转速例如为1 3转/分钟，较慢的转速能够保证晶舟15相对于旋转盘12静止，并且能够使晶舟15得到充分的清洗。本领域的普通技术人员应该理解，所述晶舟15与所述旋转盘12不仅仅局限于上述位置关系，在晶舟15与旋转盘12之间还可以设置有一固定元件，以使重量较轻的晶舟15固定在旋转盘12上而不会发生倾倒的状况。具体地，所述清洗槽11装有清洗液，所述清洗液浸没过晶舟15，在本实施例中，所述清洗液装满清洗槽11。所述清洗槽11的形状为立方体，所述旋转盘12的形状为圆柱形。具体地，所述清洗槽11设置有监控单元17，所述监控单元17设置在所述清洗槽 11的外壁上，在本实施例中，所述监控单元17为视镜，通过设置在清洗槽11外壁上的视镜， 可以清楚地观测清洗槽11内晶舟15的清洗情况，便于及时发现问题进行解决。在本实施例中，晶舟15用于承载的晶圆已经进行淀积氧化层的工艺，因此在晶舟 15的表面也淀积了一层氧化层，为了使晶舟15再次使用时能够不对承载在其上的晶圆有负面影响，需要去除晶舟15表面的氧化层并对晶舟15表面进行清洗，清除氧化层需要用到的清洗液为浓氢氟酸。因此，在对清洗槽11注满浓氢氟酸后，需要在清洗槽11上加一块盖板16，以防止浓氢氟酸挥发，造成污染。为了加强浓氢氟酸的清洗效果，需要在此之前进行预清洗，预清洗是通过在清洗槽11内注入去离子水，利用去离子水提高晶舟15表面的活性，以便加强后期采用浓氢氟酸清洗晶舟15的效果。在用浓氢氟酸清洗晶舟15后，为了去除晶舟15表面剩余的浓氢氟
4酸，使用去离子水对晶舟15表面进行清洗，为了将浓氢氟酸彻底清洗掉，可以重复几次采用去离子水对晶舟15表面进行清洗。本实用新型提供的晶舟清洗装置的清洗方法如下将晶舟15竖直放置在清洗槽11内的旋转盘上；具体地，将晶舟15竖直放置在清洗槽11内的旋转盘12上，晶舟15依靠自身的重量在旋转盘12转动时能够相对旋转盘12 保持静止。启动旋转盘12以及喷头14，同时往所述清洗槽11内注入清洗液直至注满，在本实施例中，所述喷头14的数量是5个，喷头14具有多个时间控制点，喷头14可以和旋转盘12同时启动，也可以在所述清洗槽11内注满清洗液后启动；开启与旋转盘12连接的驱动装置启动旋转盘12，并且通过清洗液供给装置往喷管13内输入清洗液，从而使清洗液从喷头14喷出，此时，往所述清洗槽11内注入清洗液。在本实施例中，所述驱动装置为马达， 所述清洗液为去离子水，喷头14中喷出的液体也为去离子水，采用去离子水浸泡并清洗晶舟15表面能够加强晶舟15表面的活性，经过10 15分钟后，可将清洗槽11内的去离子水排出。接着，再往清洗槽11内注入浓氢氟酸，用于去除晶舟15表面的氧化层。在本实施例中，氧化层为例如为5 10微米，需要经过15 30分钟的清洗，再将浓氢氟酸排出。最后，通过注入去离子水，去除晶舟15表面的浓氢氟酸，清洗大约30分钟后将去离子水排出，再重复注入、清洗以及排出。在本实施例中，重复注入去离子水、清洗以及排出三至六次，以保证浓氢氟酸被完全冲洗掉。当然，上述数值并不用于限定本实用新型，还可以根据具体的氧化层的厚度决定清洗液在清洗槽11内停留的时间。清洗完毕后，将所述清洗液排出。最后取出所述晶舟15。显然，本领域的技术人员可以对实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种晶舟清洗装置，用于清洗晶舟，其特征在于，包括清洗槽；用于承载晶舟的旋转盘，所述旋转盘设置在所述清洗槽底部；用于驱动所述旋转盘旋转的驱动装置，与所述旋转盘连接；设置在所述清洗槽内的喷管以及与所述喷管连通的若干喷头。
2.如权利要求1所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述喷管与所述清洗槽底部垂直固定设置。
3.如权利要求1所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述喷头的数量为3 6个。
4.如权利要求1所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述清洗槽的形状为立方体。
5.如权利要求1所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述旋转盘的形状为圆柱形。
6.如权利要求1所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述喷管与一清洗液供给装置连通。
7.如权利要求1所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述驱动装置为马达。
8.如权利要求1所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述清洗槽设置有监控单元，所述监控单元设置在所述清洗槽的外壁上。
9.如权利要求8所述的晶舟清洗装置，其特征在于，所述监控单元为视镜。
专利摘要本实用新型提出一种晶舟清洗装置，用于清洗晶舟，所述晶舟清洗装置包括清洗槽；用于承载晶舟的旋转盘，所述旋转盘设置在所述清洗槽底部；用于驱动所述旋转盘旋转的驱动装置，与所述旋转盘连接；设置在所述清洗槽内的喷管以及与所述喷管连通的若干喷头。本实用新型提供的晶舟清洗装置通过将喷管设置在清洗槽内，可将清洗槽浸泡和喷头喷淋这两种清洗方式结合起来，对晶舟进行清洗，大大提高了清洗效果；将晶舟垂直设置在所述旋转盘上，避免了在清洗过程中晶舟的侧边与清洗槽壁接触而受到损伤；此外，通过旋转盘带动晶舟转动，可以使晶舟得到充分的清洗。
文档编号B08B3/02GK202087548SQ201120160960
公开日2011年12月28日 申请日期2011年5月19日 优先权日2011年5月19日
发明者周成志, 李向辉, 王杨, 秦国强, 赵庆 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司, 武汉新芯集成电路制造有限公司