专利名称：一种电子元器件清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电子元件、半导体器件、芯片的清洗技术领域，具体涉及一种电子元器件的清洗装置。
背景技术：
一般杂质污染主要来源于水污染、试剂污染、工艺气体污染、生产用设备、器皿、工具及易耗品污染、人体污染和工艺过程造成的污染。表面污染是污染物与器件表面的作用力(化学力和分子间力)引起的，清洗就是通过破坏这种作用力，进而除去器件表面的有机物、微粒、金属原子、离子等污染物。电子器件污染主要有油膜、蜡膜、胶膜、不纯有机清洗液挥发后的残膜、水膜以及
微生物的有机残渣等。这些杂质分子与基片表面的接触通常依靠分子间力维持，多属物理吸附，吸引力弱，随分子间距增加减弱。目前，去除电子器件表面污染的方式有两种擦洗当器件表面有微粒、有机残渣时常用擦洗方式，它是靠人工或机械作用和有机清洗液溶解作用去除表面大块污物，根据有机清洗液结构相似及相溶原理，可用有机清洗液在器件表面用棉球或无尘布等将附着在器件表面的杂质去除。超声波清洗在强烈的的超声波震动下，液体介质内部产生疏部和密部，疏部产生近于真空的空腔泡，空腔泡消失的瞬间，其附近产生强大的局部压力(空化作用)，使基片表面的污垢剥离。清洗效果与超声频率、功率、温度及时间有关。清洗去除油、蜡等有机物时，常用三氯甲烷、三氯乙烯、甲苯、汽油、乙醇等；去除金属杂质时，常用各种洗液、酸、去离子水等。各个领域广泛使用超声波清洗装置来清洗电子元器件上的污物。而传统的超声波清洗装置具有一个充满清洗液的清洗箱，超声波发生器安装在清洗箱的底部。根据超声波的空化效应，受污染的电子元器件将在清洗箱内进行清洗。根据上述可知，人工或机械擦洗及传统超声波清洗装置的方式存在以下不足I.清洁效果差，对于细小的器件清洗不干净，污染物残留严重。2.无法准确控制清洗液温度，对于部分污染物，特别是胶水等有机物，溶解效果不明显。3.清洁效率低，浪费人力资源。4.清洗液使用量大，并易挥发到空气中，造成环境污染。5.污染物累积残留在清洗液中，造成清洗液污染，影响清洁效果。
实用新型内容本实用新型是针对上述电子元器件清洗技术中存在的清洗不彻底、清洗效率低、污染环境等不足而提供的一种电子元器件清洗装置。为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案[0016]一种电子元器件清洗装置，包括密闭的主槽，所述主槽内设置有超声波清洗池和热清洗池，所述超声波清洗池的底部设有超声波发生器，超声波清洗池上方设有干燥区，所述热清洗池的底部设置有释放孔和温度控制器，该热清洗池上方设有蒸汽漂洗区，在所述干燥区和蒸汽漂洗区的上方设有冷凝回流区。本实用新型的有益效果本实用新型将超声波清洗与热清洗相结合，并且增加蒸汽漂洗及干燥环节，使电子元器件先经由热清洗池浸洗，再经由超生震荡清洗，之后经由蒸汽漂洗，最后干燥达到彻底清除元器件表面污溃的目的，通过反复试验可去除电子元器件表面99%以上的污溃，使清洁效果大大提高；所述超声波清洗池、热清洗池、干燥区、蒸汽漂洗区及冷凝回流区统一设置于密闭的主槽内的设计，清洗时，清洗液挥发出来的蒸汽将不会扩散到空气中，从而避免了对周围环境造成的污染；冷凝回流区的设计，使清洗液蒸汽到达该区域后，将迅速凝结，并回流至超声波清洗池和热清洗池内，使清洗液得到循环利用，降低清洗液的使用量；热清洗池底部释放孔和温度控制器的设计，当清洗液使用一段时间累积的残留物较多，使清洗液也受到污染时，可通过该释放孔将清洗液排出并收集，使清洗液的更换更加方便，而温度控制器可有效控制热清洗池内液体的温度，从而达到最佳清洁效果。进一步,所述的超声波清洗池高度高于所述热清洗池的高度。此种设计，当超声波清洗池内的液面高出池顶时,超声波清洗池内的清洗液将溢出到热清洗池内，从而减少清洗液的浪费。进一步，所述的冷凝回流区包括压缩机和冷凝管。压缩机和冷凝管共同起到冷凝回流的作用。进一步，所述的冷凝管呈圆形环绕于主槽上部内壁。此种设计可加大蒸汽漂洗区和干燥区的空间，而又不影响冷凝回流效果。进一步，所述的冷凝管呈倒置漏斗形设置于主槽上部。此种倒置漏斗形的设计可增加冷凝管与蒸汽接触的面积，使冷凝效果更好。进一步，所述的干燥区由设置在主槽外部的热通风装置进行加热，热源由冷凝回流区的压缩机提供。此种设计类似于空调作用原理，而热源由冷凝回流区的压缩机提供的设计，使本装置自身压缩机得到有效利用，降低本装置制造成本。进一步，所述热清洗池通过电加热控制池内液体温度。所述电加热控制使温控更准确、方便。进一步，所述热清洗池为不锈钢材料制成的热清洗池。所述不锈钢材料制成的热清洗池可以有效避免水或者其他清洗液的腐蚀造成的损害。
图I是传统超声波清洗装置结构示意图；图2是本实用新型电子元器件清洗装置实施例的结构示意图；图3是图2的右视图。图中1、超声波发生器；2、电子元器件；3、清洗箱；4、清洗液；5、热清洗池；6、温度控制器；7、释放孔；8、超声波清洗池；9、干燥区；10、冷凝管；11、蒸汽漂洗区；12、外部热通风装置；13、主槽；14、压缩机。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进ー步详细的说明如图I所示，为传统超声波清洗装置，该装置包括清洗箱3及设置在清洗箱底部的超声波发生器1，清洗箱内装满清洗液4，电子元器件2放入清洗液4中，由超声波发生器I产生超声波，根据超声波的空化效应，受污染的电子元器件将得到一定的清洗。如图2、图3所示，本实施例提供的一种电子元器件清洗装置，包括主槽13，所述主槽13内并排设置有热清洗池5和超声波清洗池8，并且所述两个清洗池呈方形凹槽状，两清洗池相对应的槽壁互相紧靠在一起，所述超声波清洗池8的高度高于所述热清洗池5的
高度，以便超声波清洗池8中的液面高出池顶时，清洗液流入热清洗池内，减少清洗液的浪费，同时可以使得飘浮在液面的杂质能够溢出至热浸洗池5内。所述热清洗池5采用不锈钢材料制成，其底部设置有温度控制器6和释放孔7，本实施例温度控制器6采用电加热控制，释放孔7起到方便更换清洗液的作用；在所述热清洗池5的上方为蒸汽漂洗区11 ;所述超声波清洗池8的底部设置有超声波发生器，该超声波清洗池8的上方为干燥区9，所述的干燥区9由设置在主槽13外部的热通风装置12进行加热；在所述蒸汽漂洗区11和干燥区9的上方为冷凝回流区，所述的冷凝回流区包括有压缩机14和冷凝管10，所述的冷凝管10可以呈圆形环绕于主槽13上部内壁，也可呈倒置漏斗形设置于主槽13上部，本实施例选择呈圆形环绕于主槽13上部内壁以增大蒸汽漂洗区和干燥区的空间，所述热通风装置12的热源可由压缩机14提供。本实用新型的工作原理如下将未清洗过的元器件投入到热清洗池5中进行热浸洗，即粗洗，此时大约90%的污溃可去除，然后将元器件放入到超声波清洗池8内进行超声波清洗，即精洗，此时约98%的污溃将会去除，然后将元器件放置于热浸洗池上方的蒸汽漂洗区11进行溶剂的蒸汽漂洗，这时99%以上的污溃将会去除，最后将元器件放入干燥区域9内，由压缩机14提供热源，通过主槽13外部设置的热通风装置12进行加热，使得残留在器件表面的清洗液迅速挥发，将エ件迅速烘干。本实施例电子元器件清洗装置通过反复试验可去除电子元器件表面99%以上的污溃，使清洁效果大大提高；所述超声波清洗池、热清洗池、干燥区、蒸汽漂洗区及冷凝回流区统ー设置于密闭的主槽内的设计，使得清洗时，清洗液挥发出来的蒸汽不会扩散到空气中，从而避免了对周围环境造成的污染；同时本实施例装置还具有节约清洗液、可较好的控制清洗池内的温度等有益效果，具有一定的应用价值。以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型结构的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些都不会影响本实用新型实施的效果和专利的实用性。
权利要求1.一种电子元器件清洗装置，其特征在于，包括密闭的主槽，所述主槽内设置有超声波清洗池和热清洗池，所述超声波清洗池的底部设有超声波发生器，超声波清洗池上方设有干燥区，所述热清洗池的底部设置有释放孔和温度控制器，该热清洗池上方设有蒸汽漂洗区，在所述干燥区和蒸汽漂洗区的上方设有冷凝回流区。
2.根据权利要求I所述的电子元器件清洗装置，其特征在于，所述的超声波清洗池高度高于所述热清洗池的高度。
3.根据权利要求I所述的电子元器件清洗装置，其特征在于，所述的冷凝回流区包括压缩机和冷凝管。
4.根据权利要求3所述的电子元器件清洗装置，其特征在于，所述的冷凝管呈圆形环绕于主槽上部内壁。
5.根据权利要求3所述的电子元器件清洗装置，其特征在于，所述的冷凝管呈倒置漏斗形设置于主槽上部。
6.根据权利要求I所述的电子元器件清洗装置，其特征在于，所述的干燥区由设置在主槽外部的热通风装置进行加热，热源由冷凝回流区的压缩机提供。
7.根据权利要求I所述的电子元器件清洗装置，其特征在于，所述热清洗池通过电加热控制池内液体温度。
8.根据权利要求I所述的电子元器件清洗装置，其特征在于，所述热清洗池为不锈钢材料制成的热清洗池。
专利摘要本实用新型属于电子元器件的清洗技术领域，具体涉及一种电子元器件的清洗装置，包括密闭的主槽，所述主槽内设置有超声波清洗池和热清洗池，所述超声波清洗池的底部设有超声波发生器，超声波清洗池上方设有干燥区，所述热清洗池的底部设置有释放孔和温度控制器，该热清洗池上方设有蒸汽漂洗区，在所述干燥区和蒸汽漂洗区的上方设有冷凝回流区。本实用新型可有效提高电子元器件的清洗效果，避免清洁液的挥发造成的环境污染，减少清洁液的使用量，具有一定的应用价值。
文档编号B08B7/04GK202570687SQ201220189188
公开日2012年12月5日 申请日期2012年4月28日 优先权日2012年4月28日
发明者杨洪民, 杨璟 申请人:重庆枫美信息技术股份有限公司