磁响应玩具的制作方法

文档序号:10655026阅读:260来源:国知局
磁响应玩具的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种容易操作的磁响应玩具。磁响应玩具包括主玩具体以及具有磁产生构件的副玩具体,主玩具体具备磁探测部、动作部、存储有动作数据的动作存储部以及根据与通过磁探测部探测到磁的情况相应的动作数据使动作部进行动作的动作控制部,磁探测部具有能够探测磁的磁场传感器以及将磁场传感器夹在中间的一对磁场会聚构件,磁场会聚构件具有:位于在磁场传感器的动作磁场方向上穿过磁场传感器的第一轴上的第一区域;位于在与动作磁场方向正交的方向上穿过磁场传感器的第二轴上的第二区域;以及将第一区域与第二区域连接起来的第三区域。
【专利说明】
磁响应玩具
技术领域
[0001 ]本发明涉及一种响应磁体等磁产生构件的磁来进行动作的玩具。
【背景技术】
[0002]专利文献I所记载的玩具具备具有磁场传感器的主玩具体以及具有永磁体的副玩具体,通过使副玩具体的磁体与主玩具体的磁场传感器接近,磁场传感器探测出磁场,输出包含声音、发光的演出,并使所输出的演出变化。
[0003]关于被用作磁场传感器的磁阻效应元件(MR元件)、簧片开关、霍尔元件,其能够探测的磁场的方向(以下称为动作磁场方向)一般已被确定,在专利文献I所记载的玩具中,使磁场会聚的磁场会聚构件在磁场传感器的动作磁场方向上与该磁场传感器相邻地设置,磁场传感器的能够探测的范围扩大了。
[0004]专利文献I:日本专利第5509355号公报

【发明内容】

[0005]发明要解决的问题
[0006]在专利文献I所记载的玩具中,需要沿着主玩具体的磁场传感器的动作磁场方向配置副玩具体的磁体。在设想幼儿来作为这种玩具的使用者时,还产生幼儿无法适当地使磁体与磁场传感器能够探测的姿势相符的情况。
[0007]本发明是鉴于上述的情况而完成的,其目的在于:提供一种即使是幼儿等也能够容易地操作的磁响应玩具。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]本发明所涉及的磁响应玩具是具备主玩具体以及具有磁产生构件的副玩具体的磁响应玩具,其特征在于,所述主玩具体具有磁探测部以及能够进行与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作的动作部,所述磁探测部具备能够探测磁的磁场传感器以及将该磁场传感器夹在中间的一对磁场会聚构件,所述磁场会聚构件分别具有:位于在所述磁场传感器的动作磁场方向上穿过所述磁场传感器的第一轴上的第一区域;位于在与所述动作磁场方向正交的方向上穿过所述磁场传感器的第二轴上的第二区域;以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域。
[0010]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述磁场传感器与所述第二区域之间的间隙比所述磁场传感器与所述第一区域之间的间隙大。
[0011]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,一个磁场会聚构件的所述第二区域与另一个磁场会聚构件的所述第一区域之间的间隙比所述一个磁场会聚构件的所述第一区域与所述磁场传感器之间的间隙大。
[0012]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述第一区域的所述磁场传感器侧的内侧端边缘比所述第一区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘短。
[0013]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述一对磁场会聚构件设置成:一个磁场会聚构件的所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域分别与另一个磁场会聚构件的所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域以所述磁场传感器为中心呈点对称。
[0014]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述第一区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘和所述第二区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘形成为大致相等的长度。
[0015]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述第三区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘相对于所述第一轴和所述第二轴倾斜。
[0016]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述第三区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘相对于所述第一轴和所述第二轴倾斜45度。
[0017]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述磁场会聚构件由软磁体构成。
[0018]另外,在本发明所涉及的磁响应玩具中,也可以是,所述主玩具体具备:动作存储部,其存储有用于使所述动作部动作的动作数据;以及动作控制部,其从所述动作存储部读出与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作数据,根据该读出的动作数据使所述动作部动作。
[0019]发明的效果
[0020]根据本发明,能够提供一种即使是幼儿等也容易操作的磁响应玩具。
【附图说明】
[0021 ]图1是用于说明本发明的实施方式的磁响应玩具的一例的外观图。
[0022 ]图2是表示图1的磁响应玩具的结构的框图。
[0023]图3是表示图1的主玩具体的动作控制部所执行的处理的流程图。
[0024]图4是图1的主玩具体的磁探测部的立体图。
[0025]图5是图1的主玩具体的磁探测部的主视图。
[0026]图6是示意性地表示图1的主玩具体的磁探测部中的磁通的流动的立体图。
[0027]附图标记说明
[0028]1:磁响应玩具;2:主玩具体;3:副玩具体;21:磁探测部;22:触发按钮(操作部);23:声音产生部;24:发光部;25:动作存储部;26:动作控制部;27:电源部;31:磁产生构件;40:磁场传感器;41、42:磁场会聚构件;43:侧面;六1』1:第一区域42』2:第二区域43』3:第三区域;X:第一轴;Y:第二轴。
【具体实施方式】
[0029]图1表示用于说明本发明的实施方式的磁响应玩具的一例的外观。
[0030]图1所示的磁响应玩具I包括主玩具体2和副玩具体3。主玩具体2构成为模仿使用者能够把持的剑的形状,副玩具体3构成为能够佩带于使用者的腰部的腰带。
[0031]在副玩具体3中例如设置有永磁体、电磁体等磁产生构件31,在主玩具体2的剑身部分设置有包含磁场传感器的磁探测部21。
[0032]主玩具体2构成为能够输出例如使用声音、光等的演出,例如根据对设置在把持部分的附近的触发按钮22的操作来输出演出。而且,在主玩具体2中准备了输出的演出不同的两个动作模式(通常模式和必杀技模式),根据磁探测部21的磁探测来切换动作模式。
[0033]图2表示磁响应玩具I的功能结构。
[0034]主玩具体2具备磁探测部21、作为操作部的触发按钮22、作为动作部的声音产生部23和发光部24、存储有每个动作模式(通常模式和必杀技模式)的声音产生部23和发光部24的动作数据的动作存储部25、动作控制部26以及电源部27。
[0035]在磁探测部21中探测出磁的情况下,动作控制部26切换动作模式。在本例中,随着对设置于电源部27的未图示的电源开关进行接通操作来使主玩具体2启动,动作控制部26首先将动作模式设定为通常模式。然后,在设定为通常模式的期间在磁探测部21中探测出磁的情况下,动作控制部26将动作模式切换为必杀技模式,在从转变为必杀技模式起经过了规定时间后,再使动作模式恢复为通常模式。
[0036]而且,在触发按钮22被操作了的情况下,动作控制部26对该操作进行检测,根据所设定的动作模式和动作存储部25中存储的动作数据,使声音产生部23和发光部24动作。
[0037]声音产生部23构成为包含扬声器等发声体,基于动作控制部26的控制产生与动作模式相应的声音。即,在通过磁探测部21探测出磁而切换为必杀技模式的情况下,能够产生与必杀技模式相应的声音(即与通过磁探测部21探测出磁的情况相应的动作)。发光部24构成为包含LED(Light Emitting D1de:发光二极管)等发光体,基于动作控制部26的控制,以与动作模式相应的方式发光。即,在通过磁探测部21探测出磁而切换为必杀技模式的情况下,能够以与必杀技模式相应的方式发光(即能够进行与通过磁探测部21探测出磁的情况相应的动作)。
[0038]在主玩具体2与副玩具体3接触或接近而磁产生构件31进入到磁探测部21能够探测出磁的范围内时,磁探测部21探测出磁产生构件31所产生的磁,详细情况后述。
[0039 ]图3表示动作控制部26所执行的处理的流程。
[0040]随着主玩具体2被启动,主玩具体2的动作控制部26首先将动作模式设定为通常模式(步骤SI)。
[0041]然后,动作控制部26判定磁探测部21中是否探测出磁(步骤S2)。
[0042]在磁探测部21中探测出磁的情况下(步骤S2:“是”),动作控制部26将动作模式从通常模式设定为必杀技模式(步骤S3)。然后,动作控制部26对计时器进行复位,开始进行计时(步骤S4)。
[0043]动作控制部26判定是否存在触发按钮22的操作(步骤S5)。在存在触发操作的情况下(步骤S5: “是”),动作控制部26读出动作存储部25中存储的与必杀技模式相对应的必杀技动作数据(即与通过磁探测部21探测出磁的情况相应的动作数据)(步骤S6),根据所读出的动作数据使声音产生部23和发光部24进行动作(步骤S7)。在不存在触发操作的情况下(步骤S5: “否”),跳过上述的步骤S6、步骤S7的处理。
[0044]然后,动作控制部26参照计时器,判定从转变为必杀技模式起的经过时间t是否为规定时间to(例如30秒)以下(步骤S8)。在经过时间t为规定时间to以下的情况下(步骤S8:“是”),动作控制部26使必杀技模式继续,重复进行上述的步骤S5?S8的处理。在经过时间t超过规定时间to的情况下(步骤S8:“否”),动作控制部26停止计时并结束必杀技模式,返回到上述的步骤SI的处理,将动作模式设定为通常模式。
[0045]在磁探测部21中没有探测出磁的情况下(步骤S2:“否”),动作控制部26判定是否存在触发按钮22的操作(步骤S9)。在存在触发操作的情况下(步骤S9: “是”),动作控制部26读出动作存储部25中存储的与通常模式相对应的通常动作数据(步骤S10),根据所读出的动作数据使声音产生部23和发光部24进行动作(步骤SI I)。在不存在触发操作的情况下(步骤S9: “否”),跳过上述的步骤S10、步骤Sll的处理。
[0046]动作控制部26重复进行上述的步骤SI?Sll的处理,直到对电源27进行电源切断而主玩具体2停止为止。
[0047]图4和图5表示磁探测部21的结构。
[0048]磁探测部21具备磁场传感器40和一对磁场会聚构件41、42,被收容在主玩具体2的壳体的内部。主玩具体2的磁探测部21具有规定的磁可探测范围,在副玩具体3的磁产生构件31位于该磁可探测范围内时,磁探测部21能够探测出磁产生构件31的磁。具体地说,能够认为在主玩具体2的磁探测部21与副玩具体3的磁产生构件31接触或接近时,能够通过磁探测部21探测出磁产生构件31的磁。例如,可以是,在主玩具体2的壳体的侧面43的剑身部的侧面43的内部收容有磁探测部21,将侧面43形成为大致平面,将副玩具体3的收容有磁产生构件31的带扣部分形成为大致平面。另外,例如,也可以是,在主玩具体2或副玩具体3由立体形状构成的情况下,将主玩具体2的壳体的侧面43的立体形状与副玩具体3的收容有磁产生构件31的带扣部分的立体形状形成为对等的立体形状。另外,例如,也可以是,在主玩具体2和副玩具体3中的至少一方,设置成为磁探测部21能够探测出磁产生构件31的磁的磁可探测范围的基准的标志,或施以成为基准的外观设计。通过设为与这些例子相应的结构,能够容易地将副玩具体3的磁产生构件31置于磁探测部21的磁可探测范围内。此外,主玩具体2和副玩具体3的形状、外观设计并不限于上述的内容。
[0049]磁场传感器40例如是磁阻效应元件(MR元件)、簧片开关、霍尔元件等,在本实施方式中,配置成磁场传感器40的动作磁场方向与壳体的侧面43大致平行。磁场会聚构件41、42是由磁性材料构成的板状的构件,在本实施方式中,磁场会聚构件41、42配置成与壳体的侧面43大致平行,并且将磁场传感器40夹在中间。
[°°50]磁场会聚构件41具有:位于在磁场传感器40的动作磁场方向上穿过磁场传感器40的第一轴X上的第一区域Al;位于在与壳体的侧面43大致平行并且与动作磁场方向正交的方向上穿过磁场传感器40的第二轴Y上的第二区域A2;以及在由第一轴X和第二轴Y形成的平面内位于第一区域Al与第二区域A2之间的第三区域A3。此外,在本实施方式中,第三区域A3为将第一区域Al与第二区域A2连接起来的结构,但本发明并不限于该结构。总之,第三区域A3只要以流入第一区域Al的磁通Φ能够经过第三区域A3流入第二区域A2并且从第二区域A2流入的磁通Φ能够经过第三区域A3流入第一区域Al的方式位于第一区域Al与第二区域A2之间即可。
[0051]磁场会聚构件42也是具有:位于在磁场传感器40的动作磁场方向上穿过磁场传感器40的第一轴X上的第一区域BI;位于在与动作磁场方向正交的方向上穿过磁场传感器40的第二轴Y上的第二区域B2;以及位于第一区域BI与第二区域B2之间的第三区域B3。此外,在本实施方式中,第三区域B3为将第一区域BI和第二区域B2连接起来的结构,但本发明并不限于该结构。总之,第三区域B3只要以流入第一区域BI的磁通Φ能够经过第三区域B3流入第二区域B2并且从第二区域B2流入的磁通Φ能够经过第三区域B3流入第一区域BI的方式位于第一区域BI与第二区域B2之间即可。
[0052]第一区域A1、B1在第一轴X上将磁场传感器40夹在中间,设置成以磁场传感器40为中心呈点对称。第二区域A2、B2在第二轴Y上将磁场传感器40夹在中间,设置成以磁场传感器40为中心呈点对称。第三区域A3、B3在与第一轴X及第二轴Y以大致45°的角度交叉的轴上将磁场传感器40夹在中间,设置成以磁场传感器40为中心呈点对称。此外,第三区域A3、B3的外侧端边缘a4、b4相对于第一轴X及第二轴的倾斜角度并不限于45°。
[0053]第一区域Al、B1的磁场传感器40侧的端部形成为随着去向磁场传感器40而宽度逐渐变窄的锥状,使得磁场会聚到磁场传感器40。即,第一区域Al、B1的磁场传感器40侧的端边缘(内侧端边缘)al、bl的长度11形成为比在与磁场传感器40侧相反的一侧与第一轴X交叉的端边缘(外侧端边缘)a2、b2的长度12短。
[0054]图6示意地表示磁探测部21中的磁通的流动。
[0055]图6的(A)表示磁产生构件31的磁极对沿着第一轴X配置的情况,磁通Φ从磁产生构件31、磁场会聚构件41的第一区域AI的外侧端边缘a 2流入磁场会聚构件41,向磁场会聚构件41的第一区域Al的内侧端边缘al会聚。而且,磁通Φ在磁场会聚构件41的第一区域Al与磁场会聚构件42的第一区域BI之间沿着第一轴X(即沿着磁场传感器40的动作磁场方向)流入磁场传感器40并穿过磁场传感器40,从磁场会聚构件42的第一区域BI的内侧端边缘bl流入磁场会聚构件42,从磁场会聚构件42的第一区域BI的外侧端边缘b2辐射出并流入磁产生构件31。因而,在磁产生构件31的磁极对沿着第一轴X配置的情况下,磁通Φ在磁场会聚构件41的第一区域Al与磁场会聚构件42的第一区域BI之间沿着磁场传感器40的动作磁场方向流入磁场传感器40并穿过磁场传感器40,因此磁场传感器40能够探测出磁产生构件31的磁。
[0056]图6的(B)表示磁产生构件31的磁极对沿着第二轴Y配置的情况,磁通Φ在磁场会聚构件41的第二区域A2的与磁场传感器40侧相反的一侧从与第二轴Y交叉的端边缘(外侧端边缘)a3流入磁场会聚构件41,经过磁场会聚构件41的第二区域A2和第三区域A3向第一区域Al的内侧端边缘al会聚。而且,磁通Φ在磁场会聚构件41的第一区域Al与磁场会聚构件42的第一区域BI之间沿着第一轴X(即沿着磁场传感器40的动作磁场方向)流入磁场传感器40并穿过磁场传感器40,经过磁场会聚构件42的第一区域BI和第三区域B3从第二区域B2的外侧端边缘b3辐射出并流入磁产生构件31。因而,在磁产生构件31的磁极对沿着第二轴Y配置的情况下,磁通Φ也经过磁场会聚构件41的第二区域A2和第三区域A3,在磁场会聚构件41的第一区域Al与磁场会聚构件42的第一区域BI之间沿着磁场传感器40的动作磁场方向流入磁场传感器40并穿过磁场传感器40,因此磁场传感器40能够探测出磁产生构件31的磁。
[0057]图6的(C)表示磁产生构件31的磁极对沿着与第一轴X及第二轴Y以大致45°的角度交叉的轴配置的情况,磁通Φ从磁场会聚构件41的第三区域A3的与磁场传感器40侧相反的一侧的端边缘(外侧端边缘)a4流入磁场会聚构件41,经过磁场会聚构件41的第三区域A3向第一区域Al的内侧端边缘al会聚。而且,磁通Φ在磁场会聚构件41的第一区域Al与磁场会聚构件42的第一区域BI之间沿着第一轴X(即沿着磁场传感器40的动作磁场方向)流入磁场传感器40并穿过磁场传感器40,经过磁场会聚构件42的第一区域BI从第三区域B3的外侧端边缘b4辐射出并流入磁产生构件31。因而,在磁产生构件31的磁极对沿着与第一轴X及第二轴Y以大致45°的角度交叉的轴配置的情况下,磁通Φ也经过磁场会聚构件41的第三区域A3在磁场会聚构件41的第一区域Al与磁场会聚构件42的第一区域BI之间沿着磁场传感器40的动作磁场方向流入磁场传感器40并穿过磁场传感器40,因此磁场传感器40能够探测出磁产生构件31的磁。
[0058]这样,通过包围磁场传感器40周围的磁场会聚构件41、42的第一区域Al、Β1、第二区域Α2、Β2、以及第三区域Α3、Β3,能够使磁通Φ会聚到在磁场传感器40的动作磁场方向上将磁场传感器40夹在中间的第一区域Al、B1,从而使磁通Φ在磁场传感器40的动作磁场方向上通过。由此,即使磁产生构件31的磁极对配置在从磁场传感器40的动作磁场方向偏离的方向上,也能够通过磁探测部21探测出磁产生构件31的磁。
[0059]而且,磁场传感器40单体的可探测范围限于磁场传感器40的正上方的极小的范围,与此相对,通过设置包围磁场传感器40的周围的磁场会聚构件41、42,磁探测部21的可探测范围扩展到磁场会聚构件41、42的周围,比磁场传感器40单体的可探测范围大。
[0060]通过以上,不需要将磁产生构件31相对于磁场传感器40配置在准确的位置处以及使磁产生构件31与磁场传感器40的姿势相符,能够使磁响应玩具I的操作容易。
[0061 ]优选的是,磁场传感器40与磁场会聚构件41、42各自的第二区域A2、B2之间的间隙g2比磁场传感器40与磁场会聚构件41、42各自的第一区域Al、BI之间的间隙g I大。由此,在磁产生构件31的磁极对沿着第二轴Y配置的情况下,能够抑制磁通Φ在第二区域A2、B2之间沿着与磁场传感器40的动作磁场方向正交的第二轴Y穿过磁场传感器40,更可靠地使磁通Φ会聚到第一区域Al、B1,使磁通Φ在磁场传感器40的动作磁场方向上通过,从而能够提高磁探测部21的探测精度。
[0062]另外,优选的是,磁场会聚构件41的第二区域A2与磁场会聚构件42的第一区域之间的间隙比磁场会聚构件41的第一区域与磁场传感器40之间的间隙大,并且磁场会聚构件42的第二区域B2与磁场会聚构件41的第一区域之间的间隙比磁场会聚构件42的第一区域与磁场传感器40之间的间隙大。由此,在磁产生构件31的磁极对沿着第二轴Y配置的情况下,能够抑制磁通Φ从磁场会聚构件41的第二区域A2的端边缘a3流入后向磁场会聚构件42的第一区域BI释放,另外,能够抑制磁通Φ从磁场会聚构件42的第二区域B2的端边缘b3流入后向磁场会聚构件41的第一区域Al释放,更可靠地使从端边缘a3、b3流入的磁通Φ会聚到第一区域Al、B1,使磁通Φ在磁场传感器40的动作磁场方向上通过,从而能够提高磁探测部21的探测精度。
[0063]另外,优选的是,磁场会聚构件41、42各自的第一区域41、81的外侧端边缘&2、匕2的长度12与第二区域A2、B2的外侧端边缘a3、b3的长度13大致相等。由此,能够使磁产生构件31的磁极对沿着第一轴X配置的情况下的磁探测部21的探测灵敏度与磁产生构件31的磁极对沿着第二轴Y配置的情况下的磁探测部21的探测灵敏度大致相等。
[0064]此外,第三区域A3、B3的外侧端边缘a4、b4相对于第一轴X和第二轴Y的倾斜角度并不限于45°,但优选的是,磁场会聚构件41、42各自的第三区域4333的外侧端边缘&4士4相对于第一轴X和第二轴Y以大致45°的角度倾斜。由此,能够使磁产生构件31的磁极对相对于第一轴X和第二轴Y倾斜地配置的情况下的磁探测部21的探测精度在与第一轴X及第二轴Y以大致45°的角度交叉的轴、即第一轴X和第二轴Y的对称轴的两侧均衡。
[0065]此外,磁场会聚构件41、42各自的第一区域六1、81的外侧端边缘32、&2、第二区域的外侧端边缘a3、b3、第三区域的外侧端边缘a4、b4并不限于直线状,也可以是曲线状。
[0066]另外,优选的是,形成磁场会聚构件41、42的磁性材料是磁导率高、剩余磁通密度小(矫顽力小)的软磁性材料,能够例示出电磁钢板、坡莫合金等。通过使用剩余磁通密度小的软磁性材料,能够防止磁场会聚构件41、42自身持久地被磁化,防止磁探测部21对磁的错误探测。
[0067]例如,在将主玩具体2和副玩具体3保管在同一地方(玩具箱等)而副玩具体3与主玩具体2的磁探测部21保持接触或接近地配置状态的情况下,若形成磁场会聚构件41、42的磁性材料是剩余磁通密度大的硬磁性材料,则磁场会聚构件41、42自身会持久地磁化,即使在使用时使副玩具体3从主玩具体2离开,也为磁场传感器40始终探测出磁化了的磁场会聚构件41、42所发出的磁场的状态,磁探测部21的磁探测发生故障。
[0068]因此,通过对形成磁场会聚构件41、42的磁性材料使用软磁性材料,在上述的情况下也能够防止磁场会聚构件41、42自身持久地被磁化,能够在磁探测部21中适当地探测出副玩具体3的磁产生构件31所发出的磁。
[0069]此外,在本说明书中,软磁性材料是指初始磁导率为650μ??ΙΟΟΟΟΟμ?、最大磁导率为ΙΟΟΟΟμπι?500000μπι左右、并且饱和磁通密度为0.38Τ?2.45Τ、矫顽力为0.32A/m?80A/m左右的磁性材料,作为更具体的材料名称,相应地有电磁钢板(硅钢板)、坡莫合金等,但在使用于玩具的情况下,期望的是使用廉价并且达到发明的目的所需要的性质良好的取向性电磁钢板,例如,期望的是初始磁导率为HOOOyi左右、最大磁导率为40000μπι左右、饱和磁通密度为2.00Τ左右、矫顽力为8A/m左右的磁性材料。
[0070]以上,以主玩具体2构成为剑、副玩具体3构成为腰带的磁响应玩具I为例说明了本发明的实施方式,但本发明并不限于上述的说明。主玩具体2和副玩具体3并不限于剑和腰带,例如也可以分别由剑、斧、枪、长刀、枪支、弓箭、护臂具等武器、腰带、励章、便携电话、化妆用具、手镯、车辆玩具、人偶、动物玩偶等形象物、卡片、吉祥物等构成。
[0071]另外,以上以主玩具体2具备磁探测部21、作为操作部的触发按钮22、作为动作部的声音产生部23和发光部24、存储有每个动作模式的声音产生部23和发光部24的动作数据的动作存储部25、动作控制部26以及电源部27的磁响应玩具I为例说明了本发明的实施方式,但本发明并不限于上述的说明。例如,也可以是以下的磁响应玩具,即主玩具体2具备磁探测部21、根据磁探测部21探测出磁的情况来使用声音、光进行演出动作的动作部,副玩具体3例如具备永磁体、电磁体等磁产生构件31。根据该结构的磁响应玩具,例如也能够设为,通过使主玩具体2与副玩具体3接触或接近,磁产生构件31位于磁探测部21能够探测出磁的范围内,磁探测部21探测出磁产生构件31所发出的磁,能够与此相应地使动作部进行动作。
[0072]另外,作为动作部,以使用声音、光进行演出动作的情况为例说明了本发明的实施方式,但本发明并不限于上述的说明。并不限于声音、光,例如也能够具备电动机、伺服等工作装置,通过该工作装置使主玩具体的一部分动作。
【主权项】
1.一种磁响应玩具,其具备主玩具体以及具有磁产生构件的副玩具体,其中, 所述主玩具体具有磁探测部以及能够进行与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作的动作部, 所述磁探测部具有能够探测磁的磁场传感器以及将该磁场传感器夹在中间的一对磁场会聚构件, 所述磁场会聚构件分别具有:位于在所述磁场传感器的动作磁场方向上穿过所述磁场传感器的第一轴上的第一区域;位于在与所述动作磁场方向正交的方向上穿过所述磁场传感器的第二轴上的第二区域;以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域。2.根据权利要求1所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述磁场传感器与所述第二区域之间的间隙比所述磁场传感器与所述第一区域之间的间隙大。3.根据权利要求1所述的磁响应玩具,其特征在于, 一个磁场会聚构件的所述第二区域与另一个磁场会聚构件的所述第一区域之间的间隙比所述一个磁场会聚构件的所述第一区域与所述磁场传感器之间的间隙大。4.根据权利要求1?3中的任一项所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述第一区域的所述磁场传感器侧的内侧端边缘比所述第一区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘短。5.根据权利要求1?4中的任一项所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述一对磁场会聚构件设置成:一个磁场会聚构件的所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域分别与另一个磁场会聚构件的所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域以所述磁场传感器为中心呈点对称。6.根据权利要求1?5中的任一项所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述第一区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘和所述第二区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘形成为大致相等的长度。7.根据权利要求1?6中的任一项所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述第三区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘相对于所述第一轴和所述第二轴倾斜。8.根据权利要求7所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述第三区域的与所述磁场传感器侧相反的一侧的外侧端边缘相对于所述第一轴和所述第二轴倾斜大致45度。9.根据权利要求1?8中的任一项所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述磁场会聚构件由软磁体构成。10.根据权利要求1?9中的任一项所述的磁响应玩具,其特征在于, 所述主玩具体具备:动作存储部,其存储有用于使所述动作部动作的动作数据;以及动作控制部,其从所述动作存储部读出与通过所述磁探测部探测出磁的情况相应的动作数据,根据读出的该动作数据使所述动作部动作。
【文档编号】A63H33/22GK106039736SQ201610516028
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年7月1日
【发明人】宫本荣, 宫本荣一
【申请人】株式会社万代
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