专利名称：用于制造石英膜的设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于制造石英膜的设备，尤其是用于在大气压下制造石英膜的设备。
背景技术：
石英膜可以用作振荡器、振动器、高频过滤器的表面声波装置、光波导体、半导体基板或其部件。已知的制造石英膜的实践方法包括打磨通过热液合成获得的石英单晶体以产生石英膜的方法。还已知用于直接准备石英膜的其他方法，包括溶胶凝胶法、等离子化学蒸气沉积(CVD)法，反应溅射法和激光磨蚀法。然而，这些制造方法具有一些问题，如在实际合格的石英膜的制造中生产率较低，需要较大的设备和严格控制制造条件。于是，这些方法作为制造石英膜的工业方法不是非常有利。
日本专利临时申请2002-80296描述了大气压气相晶体取向附生(AP-VPE)作为准备薄石英膜的方法，它可有利地应用于工业。根据该大气压气相晶体取向附生，硅醇盐(silicon alkoxide)和氧在不使用真空设备的情况下彼此接触，以在大气压下反应，最好具有如氯化氢之类的催化剂，以将薄石英膜取向附生地生长并沉积在基板上。该临时申请还描述了，通过该大气压气相晶体取向附生将石英膜形成在基板上，首先在基板上形成缓冲层(例如，石英膜或氮化镓膜)，以提高在其上沉积的石英膜的结晶度。
Naoyuki Takahashi等在“在大气压下通过催化剂增强气相晶体取向附生快速生长厚石英膜”[Electrochemical and Solid-State Letters6(5)C77-C78(2003)]中公开了一方法，用于通过在大气压下气相晶体取向附生准备与优先定向的AT切割板(AT-CUT)共同生长的石英膜。与优先定向的AT切割板共同生长的石英膜可以顺利地用作振动器，该振动器不受温度变化的影响产生振动频率。更加详细的是，该方法包括在基板上预先形成两个石英膜层(即，缓冲层)，然后在缓冲层上形成与优先定向的AT切割板共同生长的石英膜。
从工业制造的角度看，最好石英膜可以制造成较大尺寸，然后将较大尺寸的石英膜分割成数片尺寸较小的石英膜元件。较大的石英膜也最好在整个表面上具有均匀的厚度，从而分割的片具有基本相同的物理特性。
发明内容
本发明的目的是提供用于制造石英膜的设备，该石英膜在整个表面上具有均匀的厚度。
具体的是，本发明的目的是提供可有利地应用于制造较大尺寸的薄石英膜的设备，该石英膜在整个表面上具有均匀的厚度。
本发明的另一目的是提供用于制造薄石英膜的设备，该石英膜在整个表面上具有均匀的厚度，并与优先定向的AT切割板共同生长。
从第一方面，本发明涉及用于制造石英膜的设备，包括反应容器、基板保持器、第一气体入口管和第二气体入口管，该反应容器由石英制成并设置有气体出口，该基板保持器设置在反应容器中，该第一气体入口管通过其外侧端连接到盛有硅醇盐源的容器上并具有面对基板或平板的内侧端(即，前端)，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，该第二气体入口管通过其外侧端连接到盛有含氧气源的容器上，并具有面对基板或平板的内侧端(即，前端)，该平板间隔一空间环绕基板，该空间小于基板和第一气体入口管的内侧端之间的空间。
从第二方面，本发明涉及用于制造石英膜的设备，包括反应容器、屏蔽缸体(shielding cylinder)、基板保持器、第一气体入口管和第二气体入口管，该反应容器由石英制成并设置有气体出口，该屏蔽缸体沿着其内表面设置在反应容器中，所述屏蔽缸体具有由对气体氧化硅不活泼的材料制成的内表面，该基板保持器设置在屏蔽缸体中，第一气体入口管通过其外侧端连接到盛有硅醇盐源的容器上并具有面对基板或平面的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，第二气体入口管通过其外侧端连接到盛有含氧气源的容器上并具有面对基板或环绕基板的平板的内侧端。
本发明的设备的优选实施例将在下面进行描述。
(1)该设备还具有第三气体入口，该第三气体入口通过其外侧端连接到盛有反应加速器源的容器上并具有面对反应容器的内部空间的内侧端。
(2)屏蔽缸体的内表面的材料为氧化铝、金刚砂或氮化硅(trisilicontetranitride)。
(3)反应加速器为氯化氢或氨。
(4)该反应容器包括彼此可机械分离的气缸主体单元和盖单元，其中气缸主体单元在其一端上具有开口并另一端上设置有所有气体入口，其中盖单元在其一端具有气体出口并在另一端具有将装配到气缸主体单元的开口上的开口。
(5)第二气体入口管包括向内延伸的主管单元和顶部开口单元，该顶部开口单元在顶部开口单元可与主管单元机械分离的情况下装配到主管单元的前端上。
(6)顶部开口单元为弯曲的。
(7)第一气体入口管包括向内延伸的主管单元和顶部开口单元，该顶部开口单元在顶部开口单元可与主管单元机械分离的情况下装配到主管单元的前端上。
(8)气缸主体单元水平放置，并且基板保持器倾斜设置。
(9)反应容器具有透明壁。
(10)该设备具有环绕反应容器的加热装置。
(11)该加热装置在从第一气体入口管到基板保持器的方向上分成数个单元，并且每个加热单元都可在加热条件下独立于其他加热单元进行控制。
(12)该反应容器还具有至少两个屏蔽板，该屏蔽板具有允许气体在第一和第二入口管的内侧端和基板保持器放置在由这两个屏蔽板封闭的空间中的情况下通过的开口。
图1示出了本发明的设备的构造，其中包括气体供给系统。
图2说明了本发明的设备的一个实施例的一部分。
图3说明了本发明的设备的另一实施例的一部分。
图4说明了本发明的设备的又一实施例的一部分。
图5是图4的设备的屏蔽板91从左侧观察的平面图。
图6是图4的设备的屏蔽板92从左侧观察的平面图。
具体实施例方式
参照附图对本发明的设备进行更加详细的描述。
图1示出了本发明的设备的构造，其中包括气体供给系统。图2说明了图1的设备10的实施例的一部分。
在附图1和2中，设备10包括反应容器12，该反应容器由石英制成并设置有气体出口11；设置在反应容器12中的基板保持器13；第一气体入口管(第一气体供给管)21，该第一气体入口管通过其外侧端连接到盛有硅醇盐源的容器19上，并具有面对基板14或平板的内侧端(即，前端)，该基板固定到基板保持器13上，该平板以空间L1环绕基板14；和第二气体入口管(第二气体供给管)22，该第二气体入口管通过其外侧端连接到盛有含氧气源的容器51b上，并具有面对基板14或平板的内侧端(即，前端)，该平板以空间L2环绕基板14，该空间小于基板14和第一气体入口管21之间的空间L1。
于是，每个第一气体入口管21和第二气体入口管22都能直接面对固定到基板保持器13上的基板14，或者能够面对环绕基板14的平板。词语“环绕基板的平板”表示从基板的上表面(不包括基板的表面本身)在各方向上延伸的平板。该延伸最好限制在1/2×d(d基板的直径；如果基板为矩形基板，则“d”表示矩形基板的外接圆直径)的距离之内。
第一气体入口管21允许硅醇盐的蒸汽(硅醇盐蒸汽)从盛有硅醇盐源的容器19供给到反应容器12的内部中。硅醇盐源的蒸汽与来自氮气源51c的氮气一起供给。第二气体入口管22允许含氧气体从盛有含氧气源的容器51b供给到反应容器12的内部。硅醇盐蒸汽在反应容器12中在大气压下与含氧气体接触，以产生氧化硅(二氧化硅)，该氧化硅沉积在基板14上处于石英膜的形式。该硅醇盐可以是四甲氧基硅烷(tetramethoxysilane)、四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane)、四丙氧基硅烷(tetrapropoxysilane)、四丁氧基硅烷(tetrabutoxysilane)，或者其任意组合的混合物。氧气可以是如臭氧、一氧化二氮和水之类的任意氧气源之一。大气压不仅表示环境大气压，而且表示接近环境大气压的压力(在环境大气压的2倍或1/2范围内)。
硅醇盐蒸汽(通常是四乙氧基硅烷(tetraethoxysilane)(TEOS)蒸汽)和含氧气体可以以下述方式供给到反应容器12中。
四乙氧基硅烷(Tetraethoxysilane)(TEOS)在室温下为液体。因此，TEOS通常放置在设置有汽化装置的容器19中。容器19中的TEOS用加热器36进行加热并通过第一气体入口管21送入反应容器12中。加热器36可以是高频感应加热器或电阻加热器。加热器36设置有控制器46，用于将容器中的TEOS的温度保持在预定温度(例如，大约70□)。
TEOS最好与承载气体一起供给到反应容器12中，从而可以以精确控制的流速将TEOS有效地导入到反应容器12中。该承载气体可以是氮气、氩气或氦气。在附图1和2的设备中，TEOS的蒸汽与承载气体(氮气)一起通过第一气体入口管21供给到反应容器12中。氮气(即，承载气体)从氮气容器(高压储气瓶)51c经过手动阀52c、气动阀54c和质量流量控制器55c供给到TEOS容器19中。氮气供给到容器19中的TEOS，然后将包含TEOS和氮气的所得气体混合物通过第一气体入口管21送入反应容器12中。将导入TEOS容器19的氮气的流速利用质量流量控制器55c控制。氮气的流动可以利用气动阀54C促动或停止。氮气供给系统可以具有检测高压储气瓶51c中剩余氮气量的压力传感器53c。
氧气(O2)存储在高压储气瓶51b中，并通过手动阀52b、气动阀54b、质量流量控制器55b和第二气体入口管22送入反应容器12中。氧气的流速可以由质量流量控制器55b控制。氧气的流动可以利用气动阀54b促动或停止。氧气供给系统可以具有检测高压储气瓶51b中剩余氧气量的压力传感器53b。
氧气基本上与如氮气之类的承载气体混合供给到反应容器12中。氮气从氮气容器(高压储气瓶)51c供给，并在其通过手动阀52c、气动阀54d和质量流量控制器55e之后与氧气混合。与氧气混合的氮气数量利用质量流量控制器55e控制。氮气的流动可以利用气动阀54d促动或停止。
在反应容器12中，TEOS与氧气接触并在基板上产生石英膜形式的二氧化硅。如附图2中所示，用于供给含有TEOS的气体的第一气体入口管21设置成，将其前端放置在与基板14间隔一空间(L1)的位置处，并且用于供给含氧气体的第二气体入口管22设置成，将其前端放置在与基板14间隔一空间(L2)的位置处，在这种情况下L1大于L2。在这种情况下，含有TEOS的气体在与从第二气体入口管22导入的氧气反应之前，在反应容器12中扩散。因此，石英膜以一致的厚度沉积在基板14上。
如果L1小于L2，则在含有TEOS的气体在反应容器12中扩散之前就与氧气反应，并且因此石英膜以不一致的厚度沉积在基板14上。
如附图2中所示，用于供给氧气的第二气体入口管22最好包括主管单元22a和顶部开口单元22b，该顶部开口单元在顶部开口单元22b可与主管单元22a机械分离的情况下装配到主管单元22a的前端上。在这种情况下，顶部开口单元22b的位置可以调节，或者可以用另一顶部开口单元代替该顶部开口单元22b，从而调节第二气体入口管22的前端位置。于是，可以调节第二气体入口管的前端的位置。这意味着TEOS和氧气之间的反应发生区域的位置可以调节。该调节最好在检测反应容器12中的温度分布，或者用不同尺寸的基板代替该基板之后进行，从而以期望的一致厚度在基板上形成具有足够结晶度的石英膜。
用于供给含有TEOS气体的第一气体入口管21还最好包括主管单元21a和顶部开口单元21b，该顶部开口单元在顶部开口单元21b可与主管单元21a机械分离的情况下装配到主管单元21a的前端上。
另外，第二气体入口管22的顶部开口单元22b最好朝基板14弯曲，从而TEOS和氧气之间的反应可以发生在基板表面附近。
反应容器12最好还设置有第三气体入口23，用于将含有反应加速剂的气体供给到反应容器12中。如果将反应加速剂通过第三气体入口23供给到反应容器12中，则石英在基板14上的沉积速度将提高。
如氯化氢(HCL)之类的反应加速剂使得硅醇盐的硅氧键断开，从而硅醇盐和从第二气体入口管22供给的气态氧之间的反应(即硅醇盐的氧化)得到加速，并且石英的沉积速度提高。反应加速剂为如氯化氢之类的氧化气体或者如氨之类的基本气体(basic gas)。
如氯化氢(HCL)之类的反应加速剂最好以气态混合物的形式供给，该气态混合物含有承载气体(例如，氮气)和5％体积百分比的氯化氢。该气态混合物通过手动阀52a、气动阀54a、质量流量控制器55a和第三气体入口23从高压储气瓶51a供给到反应容器12中。氯化氢和氮气的气态混合物的流速由质量流量控制器55a控制。气态混合物的流动可以由气动阀54a促动或停止。气态混合物供给系统可以具有检测高压储气瓶51a中气态混合物的剩余量的压力传感器53a。
反应容器12最好还设置有第四气体入口24，用于将稀释气体(例如，氮气)供给到反应容器12中，用于调节容器12中气体的浓度。如氮气之类的稀释气体通过手动阀52c、气动阀54d、质量流量控制器55d和第四气体入口24从高压储气瓶51c供给到反应容器12中。稀释气体的流速由质量流量控制器55d控制。稀释气体的流动可以由气动阀54d促动或停止。
反应容器12最好包括可彼此机械分离的圆柱形主体单元12a和盖单元12b，其中圆柱形主体单元12a在一端处具有开口并在另一端设置有所有气体入口管21、22、23、24，其中盖单元12b在一端具有气体出口11，在另一端具有将装配到圆柱形主体单元12a的开口上的开口，如附图2中所示。该圆柱形主体单元12a最好水平放置，并且基板保持器13最好设置在主体单元12a中，使得基板14可以与主体单元12a的下壁倾斜设置。该结构有利于使得反应容器中的气体流动顺畅，从而所沉积石英膜的质量(例如，结晶度和薄膜厚度的均匀性)得到提高和稳定。盖单元12d通过如O形圈18之类的密封元件与主体单元12a的开口结合，从而防止容器12中的气态混合物漏泄。
反应容器12最好由如石英玻璃之类的透明材料制成，从而可视地检测基板14相对于基板保持器13的位置，及第一气体入口管21的前端与第二气体入口管22的前端之间的相对位置。基板保持器13最好安装到由石英玻璃制成的保持器支架17上。
反应容器12最好具有屏蔽缸体15，该屏蔽缸体沿着容器的内表面定位，并且将基板保持器13封闭。屏蔽缸体15最好在其内表面上涂覆有对气态氧化硅(或二氧化硅)不活泼的材料，如氧化铝、金刚砂、氮化硅(trisilicon tetranitride)或在其内表面上涂覆有类似材料。
在反应容器12中产生的气态氧化硅(或二氧化硅)不仅沉积在基板14上，而且沉积在反应容器12的内壁上。尤其是，如果反应容器由石英玻璃(即，二氧化硅)制成的话，则反应所产生的气态二氧化硅易于沉积在基板上，也易于沉积在反应容器的内壁上。所沉积的二氧化硅反应产物很容易与内壁的硅石反应，使得内壁不太透明。而且，内壁的物理强度随着反应的进行而下降。
除了氧化硅之外，还在其内表面上涂覆有化学稳定的材料的上述屏蔽缸体15与新产生的气态氧化硅不易发生反应，并不易受到正在沉积的氧化硅的化学影响。而且，屏蔽缸体15的存在有效地增加了二氧化硅(即，石英)在基板上的沉积生产率。
反应容器12最好在圆柱形主体单元12a与盖单元12b结合的位置处含有屏蔽环16，从而新产生的二氧化硅不沉积在主体单元12a和盖单元12b的开口边缘上。屏蔽环16最好由氟树脂制成。
反应容器12最好在其整个外表面上覆盖有加热装置，从而控制所产生的石英膜的结晶度。该加热装置最好在从第一气体入口管到基板保持器的方向上分成数个单元，并且最好可以在加热条件下独立于其他加热单元对每个加热单元进行控制。
在附图1中，设备10使加热装置分成五个加热单元31、32、33、34、35，并且每个加热单元都分别设置有加热条件控制装置41、42、43、44、45。加热单元可以是环形的高频感应加热器或电阻加热器。
每个单独加热单元在其加热条件下都受到独立控制。因此，通过第一气体入口管21供给的含有TEOS气体的温度，通过第二气体入口管22供给的含氧气体的温度，和基板14的温度都可以彼此独立地受到控制。这种温度控制对于控制形成在基板上的石英膜的结晶度非常有效。
附图3示出了本发明的设备的另一实施例的一部分。在附图3中，设备60包括反应容器62，该反应容器由石英制成并设置有气体出口11；设置在反应容器62中的基板保持器63；第一气体入口管(第一气体供给管)21，该第一气体入口管通过其外侧端连接到含有硅醇盐的容器(未示出)上，并使其面对基板14的内侧端固定到基板保持器63或以一空间环绕基板14的平板上；和第二气体入口管(第二气体供给管)22，该第二气体入口管通过其外侧端连接到盛有含氧气源的容器(未示出)上，并使该第二气体入口管的内侧端面对固定到基板保持器63上的基板14或使该第二气体入口管的内侧端面对以一空间环绕基板的平板，该空间小于基板14和第一气体入口管21的内侧端之间的空间。
反应容器62包括可彼此机械分离的圆柱形主体单元62a和盖单元62b。该圆柱主体单元62a在一端处具有开口，并在另一端处设置有所有气体入口(管)21、22、23、24，并且其中盖单元在其一端具有气体出口11，在另一端具有将装配到圆柱形主体单元62a的开口上的开口。基板保持器63具有环形的开口，从而未反应的气体和承载气体能够朝气体出口11通过该开口，并且基板保持器利用保持器固定装置67放置在反应容器中。
在附图3中，设备60包括垂直设置的反应容器62，该反应容器包括垂直设置的圆柱形主体单元62a和垂直设置的盖单元62b。基板保持器63水平放置。其他构成元件的设置基本与附图2中相同。当反应容器安装在小空间中时，可有利地应用该垂直反应容器62。
附图4示出了本发明的用于制造石英膜的设备的另一实施例。附图4中的设备包括分成三个单元31、32、33的加热装置，它们环绕反应容器12设置。反应容器12含有三个屏蔽板91、92、93。
一般地，反应容器两端区域的温度变得比中央区域的温度低。气体的温度差使得气体对流循环。气态混合物在反应容器中的循环导致硅醇盐和氧气之间的比以及基板的温度改变或波动。这种波动或改变有时导致所产生的石英膜的质量下降。
屏蔽板91、92设置使得封闭第一气体入口管21的前端、第二气体入口管22的前端和基板保持器13。每个屏蔽板91、92都具有开口，允许所导入的气体通过。例如，屏蔽板92起到干扰从右边位置处的下方区域移动到中间位置处的下方区域中的气体流，并干扰从中间位置处的上方位置移动到右边位置处的上方区域中的气体流的作用。于是，有效地减少了气体的循环。因此，减小了已安装基板的温度波动或变化，并利用屏蔽板91、92将气态混合物的成分保持稳定。
除了屏蔽板91、92之外，可以将另一屏蔽板放置在屏蔽板92前面，从而更加有效地减小气体的循环。而且，可以另外放置一至四个辅助屏蔽板。
附图5和6分别示出了附图4的屏蔽板91、92的(从左侧观察的)平面图。如附图5中所示，屏蔽板91具有开口(通孔)91a，第一气体入口管21和第二气体入口管22穿过该开口突出，从第三气体入口23供给的含有反应加速剂的气体和从第四气体入口24供给的稀释气体穿过该开口朝基板流动。附图6中的屏蔽板92具有开口(即，通孔)92a，未反应的气体和承载气体(或稀释气体)穿过该开口朝具有气体出口的盖单元流动。类似地，附图4中的屏蔽板93具有开口(通孔)93a。这些屏蔽板可以由石英制成。
附图4的设备70可以以下述方式组装。制造每个圆柱形容器12a，该容器具有气体入口管21、22和气体入口管23、24，及盖单元12b。屏蔽板91和内气缸102从其开口处插入到容器12a中，从而屏蔽板91在内气缸102和预先设置在容器12a中的(处于环形的)固定工具(fixing aid)101之间固定到容器12a中。随后，其中固定有基板保持器13的屏蔽缸体15、屏蔽板93、另一内气缸103、屏蔽板92和又一内气缸104顺序插入到容器12a中。其后，盖单元12b经过O形圈18与容器12a组合。
固定工具101和内气缸102、103、104可以由石英制成。它们的内表面可以涂覆有对气态氧化硅不活泼的材料。
当本发明的设备应用于在基板上制造石英膜时，气态硅醇盐在与氧气氧化之前很好地在反应容器中扩散。因此，可以很容易地制造具有一致厚度的薄石英膜。而且，如果屏蔽缸体环绕基板保持器放置在反应容器中，则反应容器的使用寿命延长，并且石英膜的生产率提高，该屏蔽缸体具有由对气态氧化硅(或二氧化硅)不活泼的材料制成的内表面。
因此，本发明的设备可以根据前述已知方法在工业上有利地应用于制造薄石英膜，尤其是与优先定向的A T切割板共同生长的薄石英膜。
权利要求
1.用于制造石英膜的设备，包括反应容器、基板保持器、第一气体入口管和第二气体入口管，该反应容器由石英制成并设置有气体出口，该基板保持器设置在该反应容器中，该第一气体入口管通过其外侧端连接到盛有硅醇盐源的容器上，第一气体入口管并具有面对基板或平板的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，该第二气体入口管通过其外侧端连接到盛有含氧气源的容器上，第二气体入口管并具有面对基板或平板的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，该空间小于基板和第一气体入口管的内侧端之间的空间。
2.用于制造石英膜的设备，包括反应容器、屏蔽缸体、基板保持器、第一气体入口管和第二气体入口管，该反应容器由石英制成并设置有气体出口，该屏蔽缸体沿着反应容器的内表面设置在反应容器中，所述屏蔽缸体具有由对气态氧化硅不活泼的材料制成的内表面，该基板保持器设置在屏蔽缸体中，该第一气体入口管通过其外侧端与盛有硅醇盐源的容器相连，第一气体入口管并具有面对基板或平板的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，该第二气体入口管通过其外侧端连接到盛有含氧气源的容器上，第二气体入口管并具有面对基板或平板的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板环绕基板。
3.如权利要求2所述的设备，其中第二气体入口管具有面对基板或平板的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，该空间小于基板和第一气体入口管的内侧端之间的空间。
4.如权利要求2所述的设备，其中屏蔽缸体的内表面的材料为氧化铝、金刚砂或氮化硅。
5.如权利要求1或2所述的设备，其中还具有第三气体入口，该第三气体入口通过其外侧端连接到盛有反应加速剂源的容器上，第三气体入口并具有面对反应容器的内部空间的内侧端。
6.如权利要求1或2所述的设备，其中反应加速剂为氯化氢或氨。
7.如权利要求1或2所述的设备，其中反应容器包括可彼此机械分离的圆柱形主体单元和盖单元，其中圆柱形主体单元在一端处具有开口，并在另一端处设置有所有气体入口，其中盖单元在一端处具有气体出口，在另一端具有将装配到圆柱形主体单元的开口上的开口。
8.如权利要求1或2所述的设备，其中第二气体入口管包括向内延伸的主管单元和顶部开口单元，该顶部开口单元在顶部开口单元可与主管单元机械分离的情况下装配到主管单元的前端上。
9.如权利要求8所述的设备，其中顶部开口单元是弯曲的。
10.如权利要求1或2所述的设备，其中第一气体入口管包括向内延伸的主管单元和顶部开口单元，该顶部开口单元在顶部开口单元可与主管单元机械分离的情况下装配到主管单元的前端上。
11.如权利要求7所述的设备，其中圆柱形主体单元水平放置，并且基板保持器倾斜放置。
12.如权利要求1或2所述的设备，其中反应容器具有透明的壁。
13.如权利要求1或2所述的设备，其中具有环绕反应容器的加热装置。
14.如权利要求13所述的设备，其中该加热装置在从第一气体入口管到基板保持器的方向上分成数个单元，并且每个加热单元在加热情况下都可独立于其他加热单元进行控制。
15.如权利要求1或2所述的设备，其中反应容器还具有至少两个屏蔽板，该屏蔽板具有开口，该开口允许气体在第一和第二入口管的内侧端和基板保持器放置在由这两个屏蔽板所封闭的空间中的情况下通过。
全文摘要
用于制造石英膜的设备，包括反应容器、基板保持器、第一气体入口管和第二气体入口管，该反应容器由石英制成并设置有气体出口，该基板保持器设置在该反应容器中(基板保持器可选地放置在屏蔽缸体中，该屏蔽缸体沿着反应容器的内表面设置在反应容器中，其中屏蔽缸体具有一内表面，该内表面由对气态氧化硅不活泼的材料制成)，该第一气体入口管通过其外侧端连接到盛有硅醇盐源的容器上，并具有面对基板或平板的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，该第二气体入口管通过其外侧端连接到盛有含氧气源的容器上，并具有面对基板或平板的内侧端，该基板将固定到基板保持器上，该平板间隔一空间环绕基板，该空间小于基板和第一气体入口管的内侧端之间的空间。
文档编号C03B8/04GK1807295SQ20051011914
公开日2006年7月26日 申请日期2005年12月24日 优先权日2004年12月24日
发明者高桥直行, 中村高远, 野中智, 久保义德, 神力洋一, 玉贯胜美 申请人:慧萌高新科技有限公司