保护膜形成膜、保护膜形成用片及检查方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及能够在半导体晶片等工件、或者在对该工件进行加工而得到的加工物 (例如半导体忍片）上形成保护膜的保护膜形成膜及保护膜形成用（复合）片、W及对使用 它们而得到的带保护膜的工件或加工物进行检查的检查方法。
【背景技术】
[0002] 近年来，已使用被称为倒装（facedown)方式的安装法来进行半导体装置的制造。 在该方法中，在安装具有形成有凸块等电极的电路面的半导体忍片时，将半导体忍片的电 路面侧接合于引线框等忍片搭载部。因此，会成为未形成电路的半导体忍片的背面侧露出 的结构。
[0003] 因此，为了对半导体忍片加W保护，多数情况下在半导体忍片的背面侧形成由硬 质的有机材料构成的保护膜。该保护膜例如可使用专利文献1或2所示那样的半导体背面 用膜或切割胶带一体型晶片背面保护膜而形成。
[0004] 利用专利文献1中的半导体背面用膜，可使波长532nm或1064nm下的透光率达到 20%W下。由此，不仅能够实现基于激光照射的打印加工，同时可W防止对半导体元件造成 由激光带来的不良影响。另外，利用专利文献2中的晶片背面保护膜，可使可见光透射率达 到20%W下。由此，可减小因光线透过而对半导体元件造成的影响。 阳(K)日]现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 :日本特开2012-28396号公报 阳00引专利文献2 :日本特开2012-235168号公报
【发明内容】
[0009] 发明要解决的课题
[0010] 然而，在将半导体晶片进行切割而得到的半导体忍片等中，有时会因加工时产生 的应力而产生裂纹等。而在形成有具有如上所述的透光率的保护膜时，在半导体忍片的保 护膜侧产生的裂纹等无法通过目测而被发现。而产生了无法被识别的裂纹等的半导体忍片 会导致制品成品率降低。
[0011] 另一方面，在半导体忍片的背面通常残留有因对半导体晶片实施的背面研磨处理 加工而引起的磨痕。从半导体忍片外观的观点考虑，期望该磨痕可W不被肉眼识别，期望可 利用上述的保护膜加W掩蔽。
[0012] 本发明鉴于如上所述的实际情况而完成，其目的在于提供保护膜形成膜及保护膜 形成用（复合）片、W及对使用它们而得到的带保护膜的工件或加工物进行检查的检查方 法，所述保护膜形成膜及保护膜形成用（复合）片能够形成可实现对在工件或对该工件进 行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被 肉眼识别到的保护膜。 阳01引解决问题的方法
[0014] 为了实现上述目的，第1，本发明提供一种保护膜形成膜，其在波长1600皿的透光 率为25%W上、在波长550皿的透光率为20%W下（发明1)。
[0015]根据上述发明（发明1)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的 加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉 眼识别到的保护膜。
[0016] 在上述发明（发明1)中，上述保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂构成的 单层膜（发明2)。
[0017] 在上述发明（发明2)中，优选上述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.0 l~ Siim的填料（发明如。
[0018] 第2,本发明提供一种保护膜形成用片，其具备上述保护膜形成膜（发明1~3)、 和叠层于上述保护膜形成膜的一面或两面的剥离片（发明4)。
[0019] 第3,本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备在基材的一面侧叠层粘合剂层 而成的粘合片、和叠层于上述粘合片的上述粘合剂层侧的保护膜形成膜，其中，上述保护膜 形成膜在波长1600皿的透光率为25 %W上，上述保护膜形成膜在波长550皿的透光率为 20%W下（发明5)。
[0020] 根据上述发明（发明4、5)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到 的加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被 肉眼识别到的保护膜。
[0021] 在上述发明（发明5)中，上述保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂构成的 单层膜（发明6)。
[0022] 在上述发明（发明6)中，优选上述固化性粘接剂含有着色剂及平均粒径0.0 l~ Siim的填料（发明7)。
[0023] 第4,本发明提供一种检查方法，该方法包括：通过使用上述保护膜形成膜（发明 1~3)、上述保护膜形成用片（发明4)或上述保护膜形成用复合片（发明5~7)在工件 上形成保护膜来制造带保护膜的工件，并利用红外线、隔着上述保护膜对上述带保护膜的 工件、或者对将上述带保护膜的工件进行加工而得到的加工物进行检查（发明8)。
[0024] 在上述发明（发明8)中，上述工件为半导体晶片、上述加工物为半导体忍片（发 明9)。
[00巧]第5,本发明提供基于上述检查方法（发明8、9)而被判断为良品的带保护膜的工 件（发明10)。
[0026] 第6,本发明提供基于上述检查方法（发明8、9)而被判断为良品的加工物（发明 11)。
[0027] 发明的效果
[0028] 根据本发明的保护膜形成膜及保护膜形成用（复合）片，能够形成可实现对在工 件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的基于红外线的检查、并且可使工 件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。另外，根据本发明的检查方法，可通过 利用红外线进行对工件或加工物上存在的裂纹等的检查。
【附图说明】
[0029] [图1]是本发明的一个实施方式的保护膜形成用片的剖面图。
[0030] [图2]是本发明的一个实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。
[0031] [图3]是本发明的另一实施方式的保护膜形成用复合片的剖面图。
[0032] [图4]是示出本发明的一个实施方式的保护膜形成用复合片的使用例的剖面图。 阳〇3引符号说明
[0034] 1…保护膜形成膜
[0035] 2…保护膜形成用片 齡36] 21…剥离片
[0037] 3、3A…保护膜形成用复合片
[0038] 4…粘合片
[0039] 41…基材 W40] 42…粘合剂层
[0041] 5…夹具用粘合剂层
[0042] 6…半导体晶片
[0043] 7…环状框
【具体实施方式】
[0044] W下，针对本发明的实施方式进行说明。 柳例[保护膜形成膜]
[0046] 本实施方式设及的保护膜形成膜用于在工件上、或者在对该工件进行加工而得到 的加工物上形成保护膜。该保护膜由保护膜形成膜构成，优选由固化后的保护膜形成膜构 成。作为工件，可列举例如半导体晶片等，作为对该工件进行加工而得到的加工物，可列举 例如半导体忍片，但本发明并不限定于运些。需要说明的是，工件为半导体晶片的情况下， 保护膜形成于半导体晶片的背面侧（未形成凸块等电极的一侧）。
[0047] 1.物性
[0048] 本实施方式的保护膜形成膜是在波长ieOOnm的透光率为25%W上、在波长550nm 的透光率为20%W下的膜。需要说明的是，本说明书中的透光率是未使用积分球而测定的 值，作为测定仪器，使用分光光度计。
[0049] 对于由半导体晶片经切割而得到的半导体忍片等，有时会因加工时产生的应力而 产生裂纹等。如上所述，如果在波长ieOOnm的透光率为25%W上，则红外线的透过性良好， 能够进行从保护膜形成膜（或由该保护膜形成膜形成的保护膜）侧获取红外线的红外线检 查。由此，能够隔着保护膜形成膜（保护膜）而发现半导体忍片等加工物上的裂纹等，从而 使制品成品率提局。
[0050] 从上述红外线透过性的观点考虑，优选保护膜形成膜在波长ieoonm的透光率为 40%W上、特别优选为45%W上、进一步优选为50%W上。需要说明的是，在波长1600皿 的透光率的上限并无特殊限定，但通过使波长550nm的透光率为20 %W下，其是自然而然 确定的。另外，在使用形成有保护膜的加工物（半导体忍片等）时，通过使保护膜形成膜在 波长ieOOnm的透光率为90%W下，能够防止容易受到来自外部的红外线的影响的加工物 出现误动作。
[0051] 另一方面，例如在半导体忍片的背面通常会残留有因对半导体晶片实施的背面研 磨处理加工而引起的磨痕。在波长550nm的透光率为如上所述的20%W下时，保护膜形成 膜成为不易透射可见光线的膜。因此，上述的磨痕可被保护膜形成膜（保护膜）所掩蔽，基 本不会被肉眼识别到。由此，可使半导体忍片等加工物的外观优异。
[0052] 从上述磨痕掩蔽性的观点考虑，保护膜形成膜在波长550nm的透光率优选为15% W下、特别优选为10%W下。需要说明的是，波长550nm的透光率的下限并无特殊限定，但 通过使波长1600皿下的透光率为25 %W上，其是自然而然确定的。
[0053] 运里，本实施方式的保护膜形成膜可W由单层构成，也可W由多层构成，但从透光 率的控制容易性及制造成本方面考虑，优选由单层构成。保护膜形成膜由多层构成的情况 下，从透光率的控制容易性方面考虑，优选该多层整体上满足上述的透光率。
[0054] 2.材料 阳化5] 保护膜形成膜优选由未固化的固化性粘接剂形成。该情况下，通过在将半导体晶 片等工件叠合于保护膜形成膜之后使保护膜形成膜固化，能够将保护膜强固地粘接于工 件，从而能够在忍片等上形成具有耐久性的保护膜。
[0056] 需要说明的是，保护膜形成膜由未固化的固化性粘接剂形成的情况下，该保护膜 形成膜的透光率无论在固化前还是固化后均基本不会发生变化。因此，如果固化前的保护 膜形成膜在波长1600皿的透光率为25%W上、在波长550皿的透光率为20%W下，则固化 后的保护膜形成膜（保护膜）在波长1600皿的透光率也为25%W上、在波长550皿的透光 率也为20%W下。
[0057] 保护膜形成膜优选在常溫下具有粘合性、或通过加热而发挥出粘合性。由此，在如 上所述地使半导体晶片等工件叠合于保护膜形成膜上时，可W使两者贴合。因此，可W在使 保护膜形成膜固化之前切实地进行定位。
[0058] 构成具有如上所述特性的保护膜形成膜的固化性粘接剂优选含有固化性成分和 粘合剂聚合物成分。作为固化性成分，可使用热固性成分、能量线固化性成分、或它们的混 合物，特别优选使用热固性成分。其理由在于，保护膜形成膜因具有上述的透光率而不适于 紫外线固化，优选为热固性。
[0059] 作为热固性成分，可列举例如：环氧树脂、酪醒树脂、=聚氯胺树脂、脈醒树脂、聚 醋树脂、聚氨醋树脂、丙締酸树脂、聚酷亚胺树脂、苯并II;嗦树脂等W及它们的混合物。运些 当中，优选使用环氧树脂、酪醒树脂及它们的混合物。
[0060] 环氧树脂具有受热时成为=维网状、从而形成强固的被膜的性质。作为运样的环 氧树脂，可使用W往公知的各种环氧树脂，通常优选分子量300~2000左右的环氧树脂，特 别优选分子量300~500的环氧树脂。此外，优选将分子量330~400的常溫下为液态的 环氧树脂与分子量400~2500、特别是500~2000的常溫下为固体的环氧树脂W共混的形 式使用。另外，环氧树脂的环氧当量优选为50~5000g/eq。
[0061] 作为运样的环氧树脂，具体可列举：双酪A、双酪F、间苯二酪、苯酪酪醒清漆、甲酪 酪醒清漆等酪类的缩水甘油酸；下二醇、聚乙二醇、聚丙二