专利名称：掺铕碘化锶闪烁晶体的防潮保护膜及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种掺铕碘化锶(SrI2 = Eu)闪烁晶体的防潮保护膜及其制备方法，特别涉及一种在掺铕碘化锶晶体表面采用电子束蒸发技术制备氟化锶薄膜防潮保护膜，属于闪烁晶体技术领域。
背景技术：
闪烁晶体在辐射探测等领域发挥着十分重要的作用，在各种高能物理、核物理、核医学、工业应用、油井探测等领域有着广泛的应用。1968年Robert Hofstadter发明的了掺铕碘化锶晶体，化学式表示为SrI2:Eu，但该晶体一直未能应用于辐射探测。2008年美国国家实验室的研究人员重新生长和测试了 SrI2 = Eu晶体的闪烁性能，发现其具有非常优异的闪烁性能，如表1所示。SrI2 = Eu晶体密度为4. 59g/cm3，原子序数为50，其中掺杂0. 5at% Eu的SrI2晶体光输出可达到68，000photons/MeV,而掺杂5at% Eu的SrI2晶体光输出可高达120，OOOphotons/MeV，在62^ieV能量分辨率为2. 7 %，接近无机闪烁晶体能量分辨率的极限值，SrI2IEu晶体非常适合于对光输出和能量分辨率要求高的探测领域的应用。表1. SrI2IEu晶体的闪烁性能
权利要求
1.一种掺铕碘化锶闪烁晶体的防潮保护膜，其特征在于在掺铕碘化锶闪烁晶体表面上沉积氟化锶薄膜，氟化锶薄膜为晶态立方晶系，厚度为IOOnm-IO μ m。
2.根据权利要求1所述的掺铕碘化锶闪烁晶体的防潮保护膜的制备方法，其特征在于所述氟化锶膜采用电子束蒸发技术沉积，氟化锶作为蒸发材料，钼材料蒸发舟，蒸发系统真空度为 lX10-3-9X10_4Pa，基片温度为 50-400°C。
全文摘要
本发明提供了一种掺铕碘化锶闪烁晶体的防潮保护膜及其制备方法。针对掺铕碘化锶闪烁晶体极易潮解的问题，在晶体表面上采用电子束蒸发技术沉积氟化锶薄膜，该薄膜可阻隔工作环境中的水分与晶体表面的接触，提高晶体的抗潮解能力和使用寿命。该技术易控制，适合批量生产。本发明所制备的镀膜的掺铕碘化锶闪烁晶体适用于安检设备、核医学成像和核辐射探测等领域的应用。
文档编号C30B33/00GK102534804SQ20111045924
公开日2012年7月4日 申请日期2011年12月27日 优先权日2011年12月27日
发明者史宏声, 张烨, 秦来顺, 舒康颖 申请人:中国计量学院