专利名称：一种抛晶砖用干粒及抛晶砖的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种抛晶砖用干粒及使用该干粒的抛晶砖的制备方法。
背景技术：
石材的质感柔和美观庄重，格调高雅，花色繁多，是装饰豪华建筑的理想材料，因而高档优质的石材产品一直是许多大型公共空间、别墅大宅装饰中的“上宾”。但是石材是一种稀缺资源，高档优质的石材在市场上千金难求。美中不足的是，天然石材具有放射性，在室内空间使用不符合环保生活理念，再者，由于天然石材是从天然岩体中开采出来的，所形成的花色纹理很难自然衔接，因此使用时无法实现大面积铺贴，难以形成统一和完整的风格。而且石材的开采，不仅浪费了大量的人力物力，而且对生态环境造成一定的伤害。仿石抛晶砖是将微晶玻璃复合在仿古砖砖表面一层2_5mm的新型复合板材，它集玻璃、陶瓷、石材优点于一身，融合玻璃熔制工艺、陶瓷砖成形和晶化热处理、抛光、切割工艺于一体，将微晶玻璃块粒料铺敷在陶瓷砖坯体上经晶化烧结而成，产品结构致密、纹理清晰、晶莹剔透，立体感强，具有玉质般的感觉。完全不吸污，方便清洁维护，耐磨性，表面硬度、抗折强度等方面均优于花岗石和大理石，又包含玻璃基质结构，其耐酸碱度、抗腐蚀性能都甚于天然石材，尤其是耐侯性更为突出，经受长期风吹日晒也不会褪色和风化。相比天然石材的辐射污染，仿石抛晶砖不仅没有放射性，而且还避免了其色差强度不均的缺点，能够使不同瓷砖之间的衔接更和谐自然，不仅避免了天然石材存在瑕疵的缺点，也能够根据个人的喜好随意搭配铺贴。由于熔块干粒的颗粒度为20 100目之间，干粒的堆积厚度为1 3mm，通过淋釉或喷釉工艺不可能达到这种厚度，而且透明性也达不到要求。目前仿石抛晶砖的制备主要是采用二次烧技术，在印花后经过高温素烧后坯体上铺敷一层微晶玻璃熔块干粒，在低温下二次烧成。随着世界人口增长和经济发展，建筑及其运行的资源消耗和污染排放，节约资源、 保护环境，实现建筑与自然和谐共存，是全球面临的共同课题。面对地球天然资源不断利用而不可再生的客观问题，已经是困扰陶瓷界的一大瓶颈。传统陶瓷产业对资源和能源的依从度很高，陶瓷产业要真正成为资源能源节约友好型产业，节能减排，降耗利废等方面还任重而道远。二次烧制备抛晶砖，由于坯体要先经过高温素烧，再通过低温素烧，较一次烧瓷砖制备工艺繁琐，能耗较大，按280米厂的窑炉为标准，市场煤价以1100元/吨来计算， 窑炉烧制每平方米产品用煤要多4. 5元，按年产量100万平方米计算，则要增加450万元的费用，而且二次烧成还会增加人工、场地、破损等的成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种一次烧抛晶砖用干粒及使用该干粒的抛晶砖的制备方法。
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本发明所采取的技术方案是
一种抛晶砖用干粒，由Al2O3 13 20份，Si0256 63份，K2O 0. 5 5份，CaO 8 18 份，Nei2O 3 6 份，MgO 0. 5 3 份，SiO 0. 5 4 份，BaO 0 4 份，化03 0 4，Li2O 0 2 份组成。优选的，所述抛晶砖用干粒由Al2O3 14 17份，SW2 56 60份，K2O 1 4份， CaO 10 16 份，Na2O 4 6 份，MgO 1 2 份，ZnO 1 4 份，BaO 0 2 份，B2O3 1 3， Li2O (Γ2份组成。一种一次烧抛晶砖的制备方法，包括在砖坯压制成型后，施底釉、面釉、花釉后，布一层上述干粒，1150°c 1230°C—次烧成。优选的，烧制的时间为60 120分钟。通过使用本发明的抛晶砖用干粒，制得的抛晶砖，一次烧成，可以省去高温素烧过程，大大降低了能耗，有效地减少了污染，可降低生产成本近15%，大大提高了生产效益。生产得到的抛晶砖，釉面透明度高，气泡少。制备该干粒所用的熔块始熔温度高，高温黏度小，既可以保证坯体排气良好，又可以在高温下尽量的排除气泡，而且变动钾和钠的含量可以调节熔块的使用温度，得到一系列的干粒产品，且产品间的相容性能好。本发明方法制备的抛晶砖，由于是高温一次烧成，耐磨性及耐酸碱性均较低温二次烧成的抛晶砖产品有大幅提高，且一次烧成，能耗少，工艺简单。
具体实施例方式下面结合实例，进一步说明本发明。以下实施例中，如无特别说明，所述份数均指质量份。干粒的熔制方法如下
根据干粒的组成，称取原料，混合均勻，于1500 1580°C熔制，之后破碎至20 100目。实施例1
一种抛晶砖用干粒，由Al2O3 13份，SW2 60份，K2O 0. 5份，CaO 14份，Nei2O 5份，MgO 1 份，ZnO 0. 5 份，BaO 2 份，B2O3 1 份，Li2O 2 份组成。实施例2
一种抛晶砖用干粒，由 Al2O3 15 份，SiO2 63 份，K2O 5 份，CaO 12 份，Nei2O 4 份，MgO 0.5 份，ZnO 2 份，B2O3 4 份，Li2O 0. 3 份组成。实施例3
一种抛晶砖用干粒，由 Al2O3 20 份，SiO2 58 份，K2O 3 份，CaO 8 份，Nei2O 5 份，MgO 1.5 份，ZnO 1 份，B2O3 4 份，Li2O 1. 5 份组成。实施例4
一种抛晶砖用干粒，由Al2O3 18份，SW2 56份，K2O 2份，CaO 16份，Nei2O 4份，MgO 2 份，ZnO 4 份，BaO 2. 5 份，B2O3 2，Li2O 1 份组成。实施例5
一种抛晶砖用干粒，由Al2O3 16份，SW2 62份，K2O 3份，CaO 11份，Nei2O 6份，MgO 3
4份，Zn02 份，BaO 0. 5 份，B2O3 3 份组成。实施例6
一种抛晶砖用干粒，由Al2O3 16份，SW2 60份，K2O 1. 5份，CaO 15份，Nei2O 4份，MgO 2. 5 份，ZnO 3 份，BaO 4 份，Li2O 1. 5 份组成。实施例7
一种抛晶砖用干粒，由 Al2O3 16 份，SiO2 59 份，K2O 3 份，CaO 14 份，Nei2O 3 份，MgO 2.0 份，ZnO 2. 5 份，BaO 2 份，Li2O 1 份组成。实施例8
砖坯压制成型后，施底釉、面釉、花釉后，布一层1. 8mm的干粒，干粒由实施例1和实施例4所述干粒按1 :2的质量比混合而成，1150°C，120分钟烧成。实施例9
砖坯压制成型后，施底釉、面釉、花釉后，布一层2. 3mm的干粒，干粒由实施例2和实施例5所述干粒按2 1的质量比混合而成，118090分钟烧成。实施例10
砖坯压制成型后，施底釉、面釉、花釉后，布一层2mm的干粒，干粒由实施例1和实施例 3所述干粒按1 :1的质量比混合而成，120090分钟烧成。实施例11
砖坯压制成型后，施底釉、面釉、花釉后，布一层2. 5mm的干粒，干粒由实施例2和实施例4所述干粒按2 3的质量比混合而成，123050分钟烧成。实施例8 11制备得到抛晶砖结构致密、透明度高、气泡少，大大降低了生产能耗，环保美观。实施例12
砖坯压制成型后，施底釉、面釉、花釉后，布一层2mm的实施例6所述的干粒，1150°C，50 分钟烧成。通过使用本发明的抛晶砖用干粒，可以省去素烧一条窑炉的烧制过程，制得的抛晶砖，具有大大降低了能耗，有效地减少了污染，可降低生产成本近15%，大大提高了生产效益。生产得到的抛晶砖，釉面透明度高，气泡少。制备该干粒所用的熔块始熔温度高，高温黏度小，既可以保证坯体排气良好，又可以在高温下尽量的排除气泡，而且变动钾和钠的含量可以调节熔块的使用温度，得到一系列的干粒产品，且产品间的相容性能好。
权利要求
1.一种一次烧成抛晶砖用干粒，由Al2O3 13 20份，Si&56 63份，K2O 0. 5 5份， CaO 8 18 份，Nei2O 3 6 份，MgO 0. 5 3 份，ZnO 0. 5 4 份，BaO 0 4 份，化03 0 4，Li2O 0 2份组成。
2.根据权利要求1所述的一种一次烧成抛晶砖用干粒，由Al2O314 17份，SW2 56 60 份，K2O 1 4 份，CaO 10 16 份，Nei2O 4 6 份，MgO 1 2 份，ZnO 1 4 份，BaOO 2份，B2O3 1 3，Li2O 0 2份组成。
3.一种一次烧抛晶砖的制备方法，包括在砖坯压制成型后，施底釉、面釉、花釉后，布一层权利要求1或2所述的干粒，在1150°C 1230°C下一次烧成，得到抛晶砖产品。
4.根据权利要求3所述的一种抛晶砖的制备方法，其特征在于产品为一次烧制而成， 烧成时间为60 120分钟。
全文摘要
本发明公开了一种抛晶砖用干粒，由Al2O3、SiO2、K2O、CaO、Na2O、MgO、ZnO、BaO、B2O3等组分组成；还公开了一种使用该干粒制备抛晶砖的方法。通过使用本发明的抛晶砖用干粒，制得的抛晶砖，一次烧成，可以省去素烧过程，具有大大降低了能耗，有效地减少了污染，可降低生产成本近15%，大大提高了生产效益。生产得到的抛晶砖，釉面透明度高，气泡少。本发明的抛晶砖用干粒，始熔温度高，高温黏度小，既可以保证坯体排气良好，又可以在高温下尽量的排除气泡，而且变动钾和钠的含量可以调节熔块的使用温度，得到一系列的干粒产品，且产品间的相容性能好。
文档编号C03C12/00GK102390933SQ20111022846
公开日2012年3月28日 申请日期2011年8月10日 优先权日2011年8月10日
发明者余祖灯, 况彩萍, 张翼, 韦斐 申请人:广东道氏技术股份有限公司