专利名称：一种用于生产ZrTi体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于陶瓷材料领域，具体是指一种用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺。
背景技术：
微波通信是现代化重要通信手段之一，随着微波通信的迅猛发展，微波介质陶瓷材料的研究日益受到重视。微波介质陶瓷材料的通常要求是(1)合适的介电常数；(2)高的品质因数，低的介电损耗；(3)近零可调的谐振频率温度系数。作为现代通信技术中的基础材料，微波介电陶瓷材料可以制成介质谐振器、介质滤波器、双工器、微波介质天线、介质稳频振荡器、介质波导传输线等微波器件。这些器件广泛应用于移动通信、卫星电视广播通信、雷达、卫星定位导航系统等众多领域。体系的微波介质陶瓷材料是一类应用很广泛的微波介质陶瓷材料。但是现有烧结工艺生产的体系微波介质陶瓷材料的电气性能不够优秀。
发明内容
本发明的目的是根据上述不足提供一种用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，该工艺能提高体系微波介质陶瓷材料的电气性能。本发明是通过以下方式实现的一种用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于所述烧结工艺在烧结完成后还包括有热处理工序，所述热处理工序的热处理温度为1000-1100°C，保温时间为4-8小时。最优的，热处理的温度为1050°C，热处理保温时间6小时。所述烧结工艺的烧结温度为1370-1410°C，烧结保温时间为8_12小时。所述烧结工艺的烧结升温速率为70-80°C /小时。最优的，烧结工艺的烧结温度为1380°C。最优的，烧结保温时间为8小时。本发明在现有的烧结工艺结束后加入了热处理的工序，并且控制了升温速率、烧结温度和烧结保温时间。用本发明的烧结工艺得到的体系微波介质陶瓷材料，Q值可以达到9000以上，电气性能上得到了大大的提高。
具体实施例方式以下通过具体实施例来进一步说明本发明的工艺方法1.实施例1-9是对^"Ti体系微波介质陶瓷材料进行烧结时，固定升温速率和升温到达烧结温度后的保温时间，改变烧结温度，得到的微波介质陶瓷材料的性能如表1所示。失他 オ施
烧结保体积密
例 速率 烧成吸水介电
温时间Q 度
("C 温度率常数
(h)(g/cm)
/h)
175 1360 47500 4.30. 0242.3
275 1365 47680 4.40. 01842.7
375 1370 48200 4.510. 01642.8
475 1380 48650 4.90. 0143.2
575 1385 48600 4.830. 01343.4
675 1390 48600 4.760. 01443.1
775 1395 48450 4.70. 01442.8
875 1400 48000 4.60. 01642.7
975 1410 4 7650 4.45 0. 018 42.3表1不同烧结温度的烧结エ艺得到材料的性能从表1可以看出烧结温度可以为1370-1410°C，最优为1380°C。2.实施例10- 是对ZrTi体系微波介质陶瓷材料进行烧结时，固定烧结温度，改 变升温速率和升温到达烧结温度后的保温时间，得到的微波介质陶瓷材料的性能如表2所不。
升温速烧结保
实施烧成体积密度 吸水介电
率(°C温时间 Q
例温度(g/ci^ 率 常数
/h) (h)1090 1380 4 8400 4.830. 01443.1
1180 1380 4 8500 4. 850. 01343.1
1275 1380 4 8650 4.90. 01343.2
1370 1380 4 8600 4. 880. 01343.1
1460 1380 4 8400 4.80. 01442. 9
1590 1380 8 8500 4.880. 01243.1
1685 1380 8 8700 4.90. Oil43.2
1775 1380 8 8870 4.940. 0143.3
1870 1380 8 8800 4.920. 0143.3
1960 1380 8 8700 4.920. 0143.3
2090 1380 12 8550 4. 890. 01243.2
2185 1380 12 8600 4.90. 0143.4
2275 1380 12 8750 4.920. 0143.2
2370 1380 12 8720 4.90. 0143.3
2460 1380 12 8700 4.90. 00943.4
2590 1380 16 8500 4.870. 01343.3
2685 1380 16 8600 4. 890. 01343.3
2775 1380 16 8650 4.90. Oil43.5
2870 1380 16 8600 4. 880. Oil43.5
2960 1380 16 8580 4.860. 01243.4表2不同升温速率和保温时间的烧结エ艺得到材料的性能从表2可以看出，烧结エ艺的烧结升温速率为70-80°C/小吋，优选为75°C/小吋。 烧结エ艺的保温时间为8-12小吋，优选为8小吋。3.实施例30-47是对ZrTi体系微波介质陶瓷材料烧结エ序结束后，降温到不同的 热处理温度，通过不同的热处理保温时间进行热处理工序，得到的微波介质陶瓷材料的性
权利要求
1.一种用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于所述烧结工艺在烧结完成后还包括有热处理工序，所述热处理工序的热处理温度为1000-1IOO0C，保温时间为4-8小时。
2.根据权利要求1所述用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于所述热处理的温度为1050°C，热处理保温时间6小时。
3.根据权利要求1所述用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于所述烧结工艺的烧结温度为1370-1410°C，烧结保温时间为8-12小时。
4.根据权利要求1所述用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于所述烧结工艺的烧结升温速率为70-80°C /小时。
5.根据权利要求3所述用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于所述烧结工艺的烧结温度为1380°C。
6.根据权利要求3所述用于生产体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于所述烧结保温时间为8小时。
全文摘要
本发明提供了一种用于生产ZrTi体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，它在烧结完成后还包括有热处理工序，所述热处理工序的热处理温度为1000-1100℃，保温时间为4-8小时。用本发明的烧结工艺得到的ZrTi体系微波介质陶瓷材料，Q值可以达到9000以上，电气性能上得到了大大的提高。
文档编号C04B35/515GK102358700SQ201110227010
公开日2012年2月22日 申请日期2011年8月9日 优先权日2011年8月9日
发明者舒剑龙, 钟伟刚 申请人:武汉凡谷电子技术股份有限公司