一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。本发明陶瓷材料由钙掺杂的(MgZn)TiO3体系陶瓷和复合降烧剂经球磨混合、造粒、成型、排胶和烧结制成；所述钙掺杂的(MgZn)TiO3体系陶瓷的主晶相为MgTiO3，所述复合降烧剂包括BaCO3、B2O3和SiO2以及一种以上的Li2CO3、Nb2O5和Nd2O3。本发明制备出的陶瓷材料具有中等介电常数、可中温烧结、高Qf值且频率温度系数稳定等优势。本发明制备工艺绿色环保无污染，且本发明陶瓷材料可以使用在300M～300GHz的微波频段，可广泛应用于滤波器、振荡器等微波器件，尤其适用于多层陶瓷电容器。
【专利说明】
-种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明属于电子陶瓷领域，尤其设及一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料及 其制备方法。
【背景技术】
[0002] 多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors,简称MLCC)，是电子整机中主 要的被动贴片元件之一，在电子线路中起着滤波、禪合、隔直的作用，广泛的应用于智能手 机、平板电脑、广播电视、移动通信等民用产品及消费电子;航空航天、坦克电子、武器弹头 控制等军用电子设备；W及能源行业。目前MLCC主要向小型化、高频化、大容量、低成本方向 发展。
[0003] 低频（IkHz)BaTi化基MLCC介质材料和高频化Ti化系的MLCC介质材料报到较多，如 2012年中国专利CN102718477A中公布的BaTi〇3基的MLCC材料在1270°C~1310°C烧结，介电 常数在2600~3100之间，损耗小于0.02，溫度稳定性满足X8R标准。2013年中国专利 CN103482975B中公布的BaTi〇3基的MLCC材料在Iioorw上烧结，介电常数约为1800左右， 损耗约为0.01左右，溫度稳定性满足为±15%满足X8R标准。2015年中国专利CN105272220A 中公布的一种宽溫稳定、高介、低损耗的MLCC介质材料在1175 °C~1250°C烧结，介电常数为 800左右，低频下损耗小于0.02。2005年电子元件与材料中发表的文章《添加剂对CaTi化陶 瓷性能的影响》，文中表面添加剂的加入使得化Ti化陶瓷在1260~1300°C下烧结，在高频下 介电常数为175、介质损耗约1(T4,是比较理想的高频（IMHz)电容介质材料。然而，目前对于 微波MLCC材料的报道比较稀少。
[0004] 近些年来，随着微波通讯产业的飞速发展，在微波电路中对MLCC有如下的性能要 求：
[0005] (1)适宜的介电常数W利于器件的小型化；
[0006] (2)介电常数的提高不能牺牲品质因数Qf值(其中
，f?为谐振频率）；
[0007] (3)稳定的近零的谐振频率溫度系数；
[000引上文所提到的传统的MLCC介质瓷料无法满足微波电路中对MLCC的要求，主要体现 在Qf值和频率溫度系数，而且烧结溫度较高OllO(TC)，运就对电极有更高的要求，从而提 高了MLCC的成本。
【发明内容】
[0009] 本发明为了克服现有技术存在的不足，提供一种可中溫烧结具有中等介电常数， 高Qf值且频率溫度系数稳定的多层陶瓷电容器(MLCC)用微波介质陶瓷材料。本发明的介质 陶瓷材料性能稳定，可W使用在300M~300G化的微波频段，且制备工艺简单，易于工业化生 产。
[0010] 一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料，由巧渗杂的(M拉n)Ti化体系陶瓷和复 合降烧剂经球磨混合，造粒、成型，排胶和烧结制成；
[00川所述朔#杂的（MgZn)TiOs陶瓷体系的分子式为(MgxZm-x)Ti03 ? aCaTi03,其主晶 相为MgTi03，所述(Mgxaii-x)Ti03 ? aCaTi03中0.5<x<0.9，0.05<曰<0.2，其质量占总质量百分 比为91%~99.5%;
[001^ 所述复合降烧剂原料包括BaC03、B203和Si02W及一种W上的Li2C03、Nb205和刷203， 其质量占总质量百分比为0.5%~9%。
[OOU]本发明多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料中，其所述(MgxZm-x)Ti〇3 ? aCaTi〇3 中0.5知<0.9,0.05<曰<0.2，可由]\%((^)2、化0、1'102、〔曰1'103组成，其组分的摩尔比为1邑((^)2 :Zn0:Ti02:CaTi03=C~9):(l~5):10:(0.05~0.2)。
[0014]本发明多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法通过W下方式实现，具体 包括W下步骤：
[001引步骤1:配料;将Mg (OH) 2粉末、化0粉末、T i 02粉末、CaT i 03粉末按照摩尔比为（5~9) :(1~5) :10:(0.05~0.2)的组分配料形成分子式为(Mgxau-X)TiOs ? aCaTi03的混合物，所 述(MgxZni-x)Ti03 ? aCaTi03中0.5<x<0.9，0.05<曰<0.2;将瓷料球磨混合得到陶瓷浆料；
[0016] 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干后预烧合成主晶相得到瓷料；
[0017] 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中加入占总质量百分比0.5%~9%的复合 降烧剂，将所述混合料球磨混合均匀得到球磨料；
[0018] 步骤4:造粒、成型；将步骤3得到的球磨料烘干后添加粘结剂造粒，然后成型得到 生巧；
[0019] 步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生巧经过排胶处理后烧结制得多层陶瓷电容器用 微波介质陶瓷材料。
[0020] 配料是将原料按照配方配制经球磨后形成浆料，此工序是多层陶瓷电容器生产工 艺的第一道工序。本发明可W使用任何合适原料形成(MgxZm-x)Ti〇3 ? aCaTi化瓷料，其中 0.5<x<0.9,0.05<a<0.2。在配料过程中为提高陶瓷材料质量可使用添加剂，所述添加剂主 要有消泡剂、增塑剂、分散剂等。
[0021] 预烧是预先对瓷料进行热处理的工艺，在低于最终烧结溫度的溫度下对瓷料加热 处理，使得瓷料产生一系列物理化学反应从而改善瓷料的成分和微观结构。本发明所述步 骤2中在溫度为800~IOOCTC的大气气氛下，预烧2~6小时得到形成主晶相为MgTi化的瓷 料。
[0022] 本发明的多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的复合降烧剂使用复合低共烙点 氧化物(8曰0)3、82〇3油〇2、山0)3)及微量添加剂(抓2〇5、炯2〇3)。将所述成分进行合适的组合 经过球磨混合，烙融，水粹，粉碎制成复合降烧剂，本发明进一步改善了传统烧结助剂的缺 点，如:无法与流延工艺匹配的低烙点氧化物(如V2化）。
[0023] 球磨的原理是利用罐体转动，在重力作用下，球磨体间相互碰撞或相互摩擦从而 提供撞击和剪切作用，使得颗粒解聚，同时球之间的浆料处于高度端流状态，使粉末得到分 散;球磨工艺参数主要有球磨罐的转速和球磨时间。在步骤1和步骤3中都采用球磨工艺，所 述步骤1中具体球磨过程为：W去离子水为溶剂，球磨混合3~7小时。所述步骤3中具体球磨 过程为：W去离子水为溶剂，球磨混合3~8小时。
[0024] 造粒可W使得产品结构更加致密和细腻，其工艺是将磨细的粉料经过干燥后交粘 结剂制成流动性好的颗粒，一般粘结剂要有足够的黏性W保证良好的成型性和巧体的机械 强度;经高溫般烧后能全部发挥等，本发明步骤4中选择丙締酸溶液为粘结剂，其质量分数 占总质量的2~5%。
[0025] 排胶是将生巧放在承烧板上按照一定的溫度曲线，经高溫烘烤，去除其中的粘结 剂等有机物质，从而避免烧结时有机物质的快速挥发造成陶瓷材料分层或者开裂W及消除 粘合剂在烧结过程中的化学反应作用。烧结是将排胶完成的生巧进行高溫处理制得功能性 陶瓷材料，本发明步骤5中在溫度为1000~Iiocrc的条件下烧结2~4小时使其成为多层陶 瓷电容器用微波介质陶瓷材料。
[0026] 由于偏铁酸儀(M巧i〇3)有负的谐振频率溫度系数，为了使本发明陶瓷材料的频率 溫度系数接近零W满足实际需要，加入正频率溫度系数的铁酸巧进行调节，同时也提高了 本发明陶瓷材料的介电常数;此外氧化锋的加入可有效降低陶瓷材料的烧结溫度，提高陶 瓷材料致密化程度。
[0027] 相比于现有技术，本发明具有W下有益效果：
[00%] 1、本发明的多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的介电常数从20~25可调，品质 因数Qf高，谐振频率溫度系数小;本发明可广泛应用于高频、微波MLCC、滤波器、振荡器等微 波器件中，本发明是低溫高介电常数微波介质核屯、材料，具有重要工业应用价值。
[0029] 2、本发明的多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料中不含重金属成分，可在高频领 域产品中应用，绿色环保无污染，满足欧共体最新出台的RHOS(《电气、电子设备中限制使用 某些有害物质指令》)和回收处理管理条例(WEEE)的严格标准要求。
[0030] 3、本发明的多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的复合降烧剂使用复合低共烙 点氧化物及微量添加剂，进一步改善了传统烧结助剂的缺点，如:无法与流延工艺匹配的低 烙点氧化物(如V2化）。
【附图说明】
[0031] 图1是实施例1在1100度烧结的X射线衍射图；
[0032] 图2是实施例4在1050度烧结的X射线衍射图；
[0033] 图3是实施例1在1050度烧结的扫描电镜图；
[0034] 图4是实施例3在1050度烧结的扫描电镜图。
【具体实施方式】
[0035] W下结合实施例对本发明进行进一步的阐述：
[0036] 实施例：
[0037] 本发明由由巧渗杂的(M扣n)Ti化体系陶瓷和复合降烧剂经球磨混合、造粒、成型、 排胶和烧结制成。其中，巧渗杂的（M扣n)Ti化体系陶瓷材料的分子式为(MgxZm-x)Ti〇3 ? a化Ti化其中：义=0.75，曰=0.1。所述复合降烧剂的制造原料包括8曰0)3、82〇3和51化^及一种 W上的Li2〇)3、Nb2〇5和Ncb化，所述复合降烧剂各组分经过球磨混合，烙融，水粹，粉碎制成。
[0038] 表1为(M拉n) Ti03体系陶瓷材料具体实施例的各成分含量数据表格：
[00391
[(
[Ciuwi」
[0042] 其中，实施例1为普通巧渗杂的(M扣n)Ti化体系陶瓷材料成分含量数据，实施例2 ~8为本发明的多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料;各实施例的制备方法如下：
[0043] 实施例1:
[0044] 一种普通巧渗杂的(M拉n)Ti化体系陶瓷的制备方法，具体步骤如下：
[0045] 步骤1:配料;将Mg(0H)2粉末、ZnO粉末、Ti〇2粉末、CaTiOs粉末按照摩尔比为75:25: 100:10的组分配料形成100克的(1旨12]11-〇1';[03*3化1';[03的混合物，所述(1旨12]11-〇1';[03* a化Ti化中X = 0.75，a = 0.1;将所述混合物W去离子水为溶剂，球磨混合5小时得到陶瓷浆 料；
[0046] 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干后预烧得到瓷料，所述预烧溫度为880°C，所 述预烧时间为5小时；
[0047] 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中不加任何的复合降烧剂，W去离子水为溶 剂，球磨混合6小时混合均匀得到球磨料；
[004引步骤4:造粒、成型；将步骤3得到的球磨料烘干后加入占总质量百分比为3%的丙 締酸溶液造粒，然后成型得到生巧；
[0049]步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生巧经过排胶处理后烧结制得普通(M拉n)Ti化体 系陶瓷材料，所述烧结溫度为Iiocrc，烧结时间为3小时。
[(K)加]实施例2:
[0051] -种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，具体步骤如下：
[0化2] 步骤1:配料;将Mg(0H)2粉末、ZnO粉末、Ti〇2粉末、CaTiOs粉末按照摩尔比为75:25: 100:10的组分配料形成100克的(1旨12]11-〇1';[03*3化1';[03的混合物，所述(1旨12]11-〇1';[03* a化Ti化中X = 0.75，a = 0.1;将所述混合物W去离子水为溶剂，球磨混合5小时得到陶瓷浆 料；
[0053] 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干后预烧得到瓷料，所述预烧溫度为880°C，所 述预烧时间为5小时；
[0054] 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中加入复合降烧剂，所述复合降烧剂由0.25 克的BaC〇3、0.225克的B203、0.075克的Si〇2、0.1克的佩2〇5和0.07克的Nd2〇3经过球磨混合，烙 融，水粹，粉碎制成，然后将瓷料与复合降烧剂混合物W去离子水为溶剂，球磨混合6小时混 合均匀得到球磨料；
[0055] 步骤4:造粒、成型；将步骤3得到的球磨料烘干后加入占总质量百分比为3%的丙 締酸溶液造粒，然后成型得到生巧；
[0056] 步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生巧经过排胶处理后烧结制得多层陶瓷电容器用 微波介质陶瓷材料，所述烧结溫度为1100 °c，烧结时间为3小时。
[0化7]实施例3:
[005引一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，具体步骤如下：
[0059] 步骤1:配料;将Mg (OH) 2粉末、ZnO粉末、T i 〇2粉末、CaT i 〇3粉末按照摩尔比为7 5:25: 100:10的组分配料形成100克的（1旨、2山-〇1'103*3化1'103的混合物，所述(1旨、2山-〇1'103* a化Ti化中X = O. 75，a = 0.1;将所述混合物W去离子水为溶剂，球磨混合4小时得到陶瓷浆 料；
[0060] 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干后预烧得到瓷料，所述预烧溫度为900°C，所 述预烧时间为4小时；
[0061] 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中加入复合降烧剂，所述复合降烧剂由0.30 克的BaC〇3、0.25克的B203、0.08克的Si〇2、0.08克的抓2〇5和0.05克的Nd2〇3经过球磨混合，烙 融，水粹，粉碎制成，将瓷料与复合降烧剂混合物W去离子水为溶剂，球磨混合5小时混合均 匀得到球磨料；
[0062] 步骤4:造粒、成型；将步骤3得到的球磨料烘干后加入占总质量百分比为4%的丙 締酸溶液造粒，然后成型得到生巧；
[0063] 步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生巧经过排胶处理后烧结制得多层陶瓷电容器用 微波介质陶瓷材料，所述烧结溫度为1075 °C，烧结时间为4小时。
[0064] 实施例4:
[0065] -种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，具体步骤如下：
[0066] 步骤1:配料;将Mg (OH) 2粉末、ZnO粉末、T i 〇2粉末、CaT i 〇3粉末按照摩尔比为7 5:2 5: 100:10的组分配料形成100克的（1旨、2山-〇1'103*3化1'103的混合物，所述(1旨、2山-〇1'103* a化Ti化中X = O. 75，a = 0.1;将所述混合物W去离子水为溶剂，球磨混合4小时得到陶瓷浆 料；
[0067] 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干后预烧得到瓷料，所述预烧溫度为900°C，所 述预烧时间为4小时；
[0068] 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中加入复合降烧剂，所述复合降烧剂由0.25 克的BaC〇3、0.225克的化〇3、0.25克的LiC〇3、0.15克的Si〇2、0.1克的抓2〇5和0.07克的Nd2〇3经 过球磨混合，烙融，水粹，粉碎制成，将瓷料与复合降烧剂混合物W去离子水为溶剂，球磨混 合5小时混合均匀得到球磨料；
[0069] 步骤4:造粒、成型；将步骤3得到的球磨料烘干后加入占总质量百分比为4%的丙 締酸溶液造粒，然后成型得到生巧；
[0070] 步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生巧经过排胶处理后烧结制得多层陶瓷电容器用 微波介质陶瓷材料，所述烧结溫度为1075 °C，烧结时间为4小时。
[0071] 实施例5:
[0072] -种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，具体步骤如下：
[007；3 ] 步骤1:配料;将Mg (OH) 2粉末、ZnO粉末、T i 〇2粉末、CaT i 〇3粉末按照摩尔比为7 5:25: 100:10的组分配料形成100克的（1旨、2山-〇1'103*3化1'103的混合物，所述(1旨、2山-〇1'103* a化Ti化中X = O. 75，a = 0.1;将所述混合物W去离子水为溶剂，球磨混合4小时得到陶瓷浆 料；
[0074] 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干后预烧得到瓷料，所述预烧溫度为900°C，所 述预烧时间为4小时；
[0075] 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中加入复合降烧剂，所述复合降烧剂由0.5 克的BaC〇3、0.75克的B203、0.25克的LiC〇3、0.3克的Si〇2、0.1克的抓2〇5和0.07克的Nd2〇3经过 球磨混合，烙融，水粹，粉碎制成，将瓷料与复合降烧剂混合物W去离子水为溶剂，球磨混合 5小时混合均匀得到球磨料；
[0076] 步骤4:造粒、成型；将步骤3得到的球磨料烘干后加入占总质量百分比为4%的丙 締酸溶液造粒，然后成型得到生巧；
[0077] 步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生巧经过排胶处理后烧结制得多层陶瓷电容器用 微波介质陶瓷材料，所述烧结溫度为1025 °C，烧结时间为4小时。
[007引实施例6:
[0079] -种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，具体步骤如下：
[0080] 步骤1:配料;将Mg (OH) 2粉末、ZnO粉末、T i 〇2粉末、CaT i 〇3粉末按照摩尔比为7 5:25: 100:10的组分配料形成100克的（1旨、2山-〇1'103*3化1'103的混合物，所述(1旨、2山-〇1'103* a化Ti化中X = O. 75，a = 0.1;将所述混合物W去离子水为溶剂，球磨混合4小时得到陶瓷浆 料；
[0081] 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干后预烧得到瓷料，所述预烧溫度为900°C，所 述预烧时间为4小时；
[0082] 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中加入复合降烧剂，所述复合降烧剂由0.3 克的BaC〇3、0.5克的B203、0.3克的LiC〇3、0.2克的Si〇2、0.1克的抓2〇5和0.07克的Nd2〇3经过球 磨混合，烙融，水粹，粉碎制成，将瓷料与复合降烧剂混合物W去离子水为溶剂，球磨混合5 小时混合均匀得到球磨料；
[0083] 步骤4:造粒、成型；将步骤3得到的球磨料烘干后加入占总质量百分比为4%的丙 締酸溶液造粒，然后成型得到生巧；
[0084] 步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生巧经过排胶处理后烧结制得多层陶瓷电容器用 微波介质陶瓷材料，所述烧结溫度为l〇〇〇°C，烧结时间为4小时。
[0085] 实施例7:
[0086] 本实施例的操作与实施例2基本相同，只是将实例2中步骤5的烧结溫度替换为 1050°C，烧结溫度替换为4小时。
[0087] 实施例8:
[0088] 本实施例的操作与实施例7基本相同，只是将实例7中步骤3的复合降烧剂组分替 换为0.25克的BaC〇3、0.2化克的化〇3、0.3克的LiC〇3、0.2克的Si〇2。
[0089] 表2为表1中对应的各实施例的微波介电性能，将实施例1~8所得陶瓷材料用圆柱 介质谐振器法进行微波介电性能的评价，检测方法为GB/T 7265.2-1987开式腔法(测试频 率在7G化左右），其结果如下表2所示：
[0090]
[0091] 表 2
[0092] W下结合附图和实施例对本发明进行进一步说明：
[0093] 如图1所示为对照实施例1在Iioor烧结的X射线衍射图，图2为本发明实施例5在 Iiocrc烧结的X射线衍射图，相比之下可W看出本发明的陶瓷材料无杂相生成(所述降烧剂 与主体材料没有反应，更易控制对性能影响不大）；图3示出实施例1在Iioor烧结的扫描电 镜图，图4示出实施例3在1075°C烧结的扫描电镜图，由图可见，本发明的制备出的陶瓷材料 极大促进了烧结致密度，从而改善了多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的微波性能。
[0094] 上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。本发明 可W扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，W及披露的任一新的方法或 过程的步骤或任何新的组合。任何熟悉此技术的人±皆可在不违背本发明的精神及范畴 下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本 发明所掲示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求 所涵盖。
【主权项】
1. 一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料，其特征在于，包括钙掺杂的(MgZn)TiO3陶 瓷体系和复合降烧剂经球磨混合、造粒、成型、排胶和烧结制成； 所述钙掺杂的(MgZn)TiO3陶瓷体系的分子式为(MgxZm-X)TiO3 · aCaTi03,其主晶相为 MgTiO3，所述(MgxZm-X)TiO3 · aCaTi03中0·5〈x〈0·9，0·05〈a〈0·2，其质量占总质量百分比为 91%~99.5% ; 所述复合降烧剂原料包括Ba⑶3、B203和SiO2以及一种以上的Li2C0 3、Nb2〇5和Nd2O3,其质 量占总质量百分比为0.5%~9%。2. 根据权利要求1所述的一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述 (MgxZm-X)TiO 3 · aCaTi03，其中0 · 5〈x〈0 · 9，0 · 05〈a〈0 · 2，由Mg(OH)2、ZnO、Ti〇2和CaTiO3组成， 其组分的摩尔比为Mg(OH)2:ZnO:TiO 2XaTiO3 = (5~9):(1~5) :10:(0.05~0.2)。3. -种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1:配料;将Mg (OH) 2粉末、ZnO粉末、TiO2粉末和CaTiO3粉末按照摩尔比为(5~9): (1 ~5) :10:(0.05~0.2)的组分配料形成分子式为(MgxZm-X)TiO3 · aCaTi03的混合物，所述 (MgxZm-X)TiO3 · aCaTi03中0.5〈x〈0.9，0.05〈a〈0.2;将所述混合物球磨混合得到陶瓷浆料； 步骤2:将步骤1制得的陶瓷浆料烘干，预烧合成主晶相MgTiO3，制得瓷料； 步骤3:球磨混合;在步骤2得到的瓷料中加入占总质量百分比0.5%~9%的复合降烧 剂，将所述混合料球磨混合均匀得到球磨料； 步骤4:造粒、成型;将步骤3得到的球磨料烘干后添加粘结剂造粒，然后成型得到生坯； 步骤5:排胶、烧结;将步骤4所得生坯经过排胶处理后烧结制得多层陶瓷电容器用微波 介质陶瓷材料。4. 根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特 征在于，所述步骤1中具体球磨过程为：以去离子水为溶剂，球磨混合3~7小时。5. 根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特 征在于，所述步骤2中预烧温度为800~1000 °C，预烧时间为2~6小时。6. 根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特 征在于，所述步骤3中复合降烧剂原料经过球磨混合，熔融，水粹，粉碎制成。7. 根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特 征在于，所述步骤3中具体球磨过程为：以去离子水为溶剂，球磨混合3~8小时。8. 根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特 征在于，所述步骤4中粘结剂为丙烯酸溶液，其质量占总质量百分比为2~5%。9. 根据权利要求3所述的一种多层陶瓷电容器用微波介质陶瓷材料的制备方法，其特 征在于，所述步骤5中高温烧结温度为1000~1100°C，烧结时间为2~4小时。
【文档编号】C04B35/64GK105924152SQ201610298269
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年5月6日
【发明人】钟朝位, 陶煜, 刘稷, 陈松
【申请人】电子科技大学