Tm介质谐振器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本申请设及通信设备组件，特别是设及一种TM介质谐振器。
【背景技术】
[0002] 未来的4G发展正在引领电信行业新一轮的建设高潮。其中，无线通信基站作为无 线通信重要的组成部分，受到业界的广泛关注。对于中国而言，由于现代通信业的飞速发 展，我国3G标准的公布，新一轮无线通信基础设施的部署已经全面铺开，其中，基站部署将 是重要的课题之一。一方面，要控制通信信道外的干扰对通信信道的影响，例如，雷电干扰 和其他通信系统的影响。另一方面，控制同一通信系统信道之间的相互干扰也十分关键。为 此，在移动通信基站的射频部分需要滤波器与双工器来实现上述功能。
[0003] 目前基站射频部分的滤波器及双工器用谐振器大都采用锻银金属同轴腔，由于运 种同轴腔的品质因数有限，而且，由于采用了固有的较大膨胀系数的金属腔，从而导致谐振 器的谐振频率溫度稳定性很差，为了使其频率不随环境溫度的变化而产生较大的漂移，整 个基站须工作在恒溫环境，造成基站的体积庞大、能耗高，不适应低碳经济的要求。
【发明内容】
[0004] 本发明的目的在于提供一种TM介质谐振器，W克服现有技术中的不足。
[0005] 为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
[0006] 本申请实施例公开了一种TM介质谐振器，包括由固态介电材料制成的圆柱形的主 体部，该主体部沿轴向开设有通孔，所述主体部的两端分别覆盖有金属短路板，所述主体部 的长度为22.5 ± 0.05mm，所述主体部的外径为14.2 ± 0.2mm，所述通孔的直径7 ± 0.1mm。
[0007] 优选的，在上述的TM介质谐振器中，所述主体部的边缘形成有倒角。
[000引优选的，在上述的TM介质谐振器中，所述通孔的边缘形成有倒角。
[0009] 优选的，在上述的TM介质谐振器中，所述固态介电材料为陶瓷。
[0010] 优选的，在上述的TM介质谐振器中，所述金属短路板材质为银。
[0011] 优选的，在上述的TM介质谐振器中，所述固态介电材料按照质量百分比包括：
[0012] 25~35 %的碳酸巧；
[OOU] 6~12%的氧化侣；
[0014] 15~25%的氧化钦；
[0015] 30~40 %的二氧化铁；
[0016] 1~5 %的氧化衫；
[0017] 1~5 %的氧化锭。
[0018] 优选的，在上述的TM介质谐振器中，所述固态介电材料按照质量百分比包括：
[0019] 30 %的碳酸巧；
[0020] 10%的氧化侣；
[002U 20 %的氧化钦；
[0022] 35%的二氧化铁；
[0023] 2%的氧化衫；
[0024] 3%的氧化锭。
[0025] 与现有技术相比，本发明的优点在于:本发明通过双端短路，实现了高Q值、滤波器 损耗低、调谐范围宽、溫度特性好、体积小、可靠性高。
【附图说明】
[0026] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可W根据运些附图获得其他的附图。
[0027] 图1所示为本发明具体实施例中TM介质谐振器的结构示意图。
【具体实施方式】
[0028] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细的描 述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明 中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施 例，都属于本发明保护的范围。
[0029] 参图1所示，TM介质谐振器，包括由固态介电材料制成的圆柱形的主体部1，该主体 部沿轴向开设有通孔2,主体部1的两端分别覆盖有金属短路板3,主体部1的长度为22.5± 0.05mm，主体部1的外径为14.2±0.2mm，通孔2的直径7±0.1mm。
[0030] 进一步地，主体部1的边缘形成有倒角11。
[0031] 进一步地，通孔2的边缘形成有倒角21。
[0032] 进一步地，固态介电材料按照质量百分比包括：
[0033] 25~35 %的碳酸巧；
[0034] 6~12%的氧化侣；
[0035] 15~25%的氧化钦；
[0036] 30~40 %的二氧化铁；
[0037] 1~5 %的氧化衫；
[003引 1~5 %的氧化锭。
[0039] 优选的，固态介电材料按照质量百分比包括：
[0040] 30%的碳酸巧；
[0041] 10%的氧化侣；
[0042] 20 %的氧化钦；
[0043] 35%的二氧化铁；
[0044] 2%的氧化衫；
[0045] 3%的氧化锭。
[0046] 在该技术方案中，通过在原料配方中添加稀±元素衫和锭使谐振频率溫度系数的 一致性也大为改善。在配方中通过氧化衫和氧化锭的复合添加，通过部分y 3+取代Nd3+, Sm3+ 离子半径(0. 〇96nm)和Y3+离子半径(0.089nm)小于Nd3+离子半径(0.127nm)，更容易填充并 占据Nd3+离子周围的空隙，减少晶界富集，使组成更为均匀，提高陶瓷的致密性，导致Q值提 高，降低频率溫度系数。
[0047]基于上述技术方案，TM介质谐振器的性能参数如下：
[0049] 在上述技术方案中，固态介电材料优选为陶瓷，陶瓷具有较高的介电常数，硬度及 耐高溫的性能也比较好，因此成本射频滤波器领域常用的固态介电材料。当然，介电材料也 可W选用本领域技术人员所知的其他材料，如玻璃、电绝缘的高分子聚合物等。
[0050] 在上述技术方案中，金属短路板优选为银或铜等金属材料。更优选为银。
[0051] 需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实 体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示运些实体或操作之间存 在任何运种实际的关系或者顺序。而且，术语"包括"、"包含"或者其任何其他变体意在涵盖 非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要 素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为运种过程、方法、物品或者设备 所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句"包括一个……"限定的要素，并不排除在 包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0052] W上所述仅是本申请的【具体实施方式】，应当指出，对于本技术领域的普通技术人 员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可W做出若干改进和润饰，运些改进和润饰也应 视为本申请的保护范围。
【主权项】
1. 一种TM介质谐振器，其特征在于，包括由固态介电材料制成的圆柱形的主体部，该主 体部沿轴向开设有通孔，所述主体部的两端分别覆盖有金属短路板，所述主体部的长度为 22.5 ± 0.05mm，所述主体部的外径为14.2 ± 0.2mm，所述通孔的直径7 ± 0.1mm。2. 根据权利要求1所述的TM介质谐振器，其特征在于:所述主体部的边缘形成有倒角。3. 根据权利要求1所述的TM介质谐振器，其特征在于:所述通孔的边缘形成有倒角。4. 根据权利要求1所述的TM介质谐振器，其特征在于:所述固态介电材料为陶瓷。5. 根据权利要求1所述的TM介质谐振器，其特征在于:所述金属短路板材质为银。6. 根据权利要求1所述的TM介质谐振器，其特征在于:所述固态介电材料按照质量百分 比包括： 25~35 %的碳酸钙； 6~12 %的氧化铝； 15~25 %的氧化钕； 30~40 %的二氧化钛； 1~5 %的氧化钐； 1~5 %的氧化钇。7. 根据权利要求6所述的TM介质谐振器，其特征在于:所述固态介电材料按照质量百分 比包括： 30 %的碳酸钙； 10 %的氧化铝； 20 %的氧化钕； 35 %的二氧化钛； 2 %的氧化钐； 3 %的氧化钇。
【专利摘要】本申请公开了一种TM介质谐振器，包括由固态介电材料制成的圆柱形的主体部，该主体部沿轴向开设有通孔，所述主体部的两端分别覆盖有金属短路板，所述主体部的长度为22.5±0.05mm，所述主体部的外径为14.2±0.2mm，所述通孔的直径7±0.1mm。本发明通过双端短路，实现了高Q值、滤波器损耗低、调谐范围宽、温度特性好、体积小、可靠性高。
【IPC分类】H01P7/10
【公开号】CN105552509
【申请号】CN201610003821
【发明人】朱田中, 侯正龙
【申请人】张家港保税区灿勤科技有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年1月4日