专利名称：一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种玻璃及其制作方法，更具体的说涉及一种利用白玻制作的低辐射镀膜玻璃及制作方法。
背景技术：
低辐射镀膜玻璃具有低传热性能和较低的遮阳系数，专利申请号为CN201110060204. O、申请日为2011年03月13日的中国发明专利公开了一种可钢化的低辐射镀膜玻璃及其制备方法，在玻璃基片的表面从下至上依次设置电介质层I、电介质层II、金属阻挡层I、银层、金属阻挡层II、电介质层III和电介质层IV;电介质层I与玻璃基片的表面相连，电介质层I和电介质层IV为氧化娃层，电介质层II和电介质层III为氧化锌的锡酸盐层，金属阻挡层I和金属阻挡层II为镍铬合金层。但是，其遮阳系数在O. 6左右，遮阳效果差。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法，其以白玻为基片，制作出来的镀膜玻璃具有低传热系数和低遮阳系数。为了解决上述技术问题，本发明的技术方案如下一种双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次设有氮化硅层、氧化锌铝层、金属钛层、金属银层、氧化镍铬层、氧化钛层及氮化硅保护层。作为优选，所述玻璃基片的厚度为6-10mm,所述氮化娃层的厚度37_43nm,所述氧化锌铝层的厚度为17-24nm，所述金属钛层的厚度为7-10nm，所述金属银层的厚度为
11.5-12. 5nm、所述氧化镍铬层的厚度为ll_14nm，所述氧化钛层的厚度为13_17nm，所述氮化硅保护层的厚度为61-69nm。作为优选,所述玻璃基片的厚度为6mm。作为优选，所述氮化硅层的厚度39nm，所述氧化锌铝层的厚度为19nm，所述金属钛层的厚度为8nm，所述金属银层的厚度为12nm，所述氧化镍铬层的厚度为13nm，所述氧化钛层的厚度为15nm,所述氮化娃保护层的厚度为64nm。一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤
a):将6-10_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为I. 7-2. lm/min ；
b):将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37-43nm的氮化硅层；
c):设置第二离线高真空磁控溅 射设备的功率为16-20KW，在玻璃基片上溅射第二层17-24nm的氧化锌铝层；
d):设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.5-4. 0KW，在玻璃基片上溅射第三层7-1Onm金属钛层；e):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为10-12.5KW，在玻璃基片上溅射第四层
11.5-12. 5nm的金属银层；
f):设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.6-6. 2KW，在玻璃基片上溅射第五层ll-14nm的氧化镍铬层；
g):设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70-74KW，在玻璃基片上溅射第六层13-17nm的金属钛层；
h):设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80-84KW，在玻璃基片上溅射第七层61-69nm的氮化娃保护层。作为优选,所述步骤a)中,所述玻璃基片的厚度为6mm ；
所述步骤b)中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为55KW，在玻璃基片上溅射第一层39nm的氮化娃层；
所述步骤c)中，设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17. 5KW，在玻璃基片上溅射第二层19nm的氧化锌铝层；
所述步骤d)中，设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm金属钛层；
所述步骤e)中，将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm的金属银层；
所述步骤f)中，设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 8KW，在玻璃基片上溅射第五层13nm的氧化镍铬层；
所述步骤g)中，设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm的金属钛层；
所述步骤h)中，设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81W，在玻璃基片上溅射第七层64nm的氮化娃保护层。作为优选，所述步骤a)中，线速度设置为2. 0-2. lm/min。作为优选,所述步骤a)中，线速度设置为2. lm/min。作为优选，所述步骤b)-步骤h)之间是持续进行的。作为优选，所述步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。本发明有益效果在于
本发明的镀膜玻璃，以白玻为基片，降低了成本，膜层热稳定性、牢固性、抗氧化性极强，在常温下放置8个月不影响使用，由于能够进行热处理(钢化)，极大的降低了镀膜的生产成本，便于运输，而且其具有低传热系数和低遮阳系数。
图I为本发明的结构示意图。
具体实施方式
以下所述仅为本发明的较佳实施例，并非对本发明的范围进行限定。实施例1，见附图1，一种双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片1，玻璃基片为白玻，所述玻璃基片I上依次设有氮化硅(SiNx)层2、氧化锌铝层(ZnAlOx) 3、金属钛层4(Ti)、金属银层(Ag) 5、氧化镍铬层(NiCrOx) 6、氧化钛层(TiOx) 7及氮化娃(SiNx)保护层8。所述玻璃基片I的厚度为6_，所述氮化硅层2的厚度37nm，所述氧化锌铝层3的厚度为17nm，所述金属钛层4的厚度为7nm，所述金属银层5的厚度为11. 5，所述氧化镍铬层6的厚度为I Inm,所述氧化钛层7的厚度为13nm,所述氮化娃保护层8的厚度为61nm。一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤
a):将6_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为I. 7m/min ；
b):将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37nm的氮化硅层2 ；
c):设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为16KW，在玻璃基片上溅射第二层17nm的氧化锌铝层3 ；
d):设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.5KW，在玻璃基片上溅射第三层7nm金属钛层4 ；
e ):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为IO KW，在玻璃基片上溅射第四层
11.5nm的金属银层5 ；
f):设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.6KW，在玻璃基片上溅射第五层Ilnm的氧化镍铬层6 ；
g):设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70KW，在玻璃基片上溅射第六层13nm的金属钛层7 ;
h):设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80KW，在玻璃基片上溅射第七层61nm的氮化硅保护层8。其中，在镀膜的时候，所述步骤b)_步骤h)之间是持续进行的，在所述步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。本实施方式中，以特定的镀层材料、特定的镀层层数、特定镀层间的顺序安排以及特定镀层的厚度设置，结合特定的工艺，将制作出来的镀膜玻璃进行检测，其结果如下
可见光透射比42% ；
可见光反射比25%;
遮阳系数0. 32 O. 35 ;
传热系数1. 35 I. 55。实施例2，所述玻璃基片I的厚度为10mm，所述氧化硅层2的厚度43nm，所述氧化锌铝层3的厚度为24nm，所述金属钛层4的厚度为10nm，所述金属银层5的厚度为12. 5nm、所述氧化镍铬层6的厚度为14nm，所述氧化钛层7的厚度为17nm，所述氧化硅保护层8的厚度为69nm。一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，包括以下步骤
a):将10_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为2. lm/min ； b):将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为56KW，在玻璃基片上溅射第一层43nm的氮化硅层2 ；
c):设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为20KW，在玻璃基片上溅射第二层24nm的氧化锌铝层3 ；
d):设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为4.OKW，在玻璃基片上溅射第三层IOnm金属钛层4 ；
e):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为12.5KW，在玻璃基片上溅射第四层
12.5nm的金属银层5 ；
f):设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为6.2KW，在玻璃基片上溅射第五层14nm的氧化镍铬层6 ；
g):设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为74KW，在玻璃基片上溅射第六层17nm的金属钛层7 ;
h):设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为84KW，在玻璃基片上溅射第七层69nm的氮化硅保护层8。其中，在镀膜的时候，所述步骤b)_步骤h)之间是持续进行的，在所述步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。本实施方式中，以特定的镀层材料、特定的镀层层数、特定镀层间的顺序安排以及特定镀层的厚度设置，结合特定的工艺，将制作出来的镀膜玻璃进行检测，其结果如下
可见光透射比42% ；
可见光反射比25%;
遮阳系数0. 29 O. 35 ;
传热系数1. 25 I. 55。实施例3，玻璃基片的厚度为6mm，所述氧化硅层2的厚度39nm，所述氧化锌铝层3的厚度为19nm,所述金属钛层4的厚度为8nm,所述金属银层5的厚度为12nm、所述氧化镍铬层6的厚度为13nm，所述氧化钛层7的厚度为15nm，所述氧化硅保护层8的厚度为64nm。a):将6mm厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为2. lm/min ；
b):将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为55KW，在玻璃基片上溅射第一层39nm的氮化硅层2 ；
c):设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17.5KW，在玻璃基片上溅射第二层19nm的氧化锌招层3 ；
d):设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm金属钛层4 ；
e):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm的金属银层5 ；
f):设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.8KW，在玻璃基片上溅射第五层13nm的氧化镍铬层6 ；
g):设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm的金属钛层7 ;
h):设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81KW，在玻璃基片上溅射第七层64nm的氮化硅保护层8。其中，在镀膜的时候，所述步骤b )-步骤h )之间是持续进行的，没有间隔，在所述步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。本实施方式中，以特定的镀层材料、特定的镀层层数、特定镀层间的顺序安排以及特定镀层的厚度设置，结合特定的工艺，将制作出来的镀膜玻璃进行检测，其结果如下
可见光透射比42% ；
可见光反射比25% ；
遮阳系数0. 29 O. 35;
传热系数1. I I. 55。以上说明仅仅是对发明的解释，使得本领域普通技术人员能完整的实施本方案，但并不是对发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，这些都是不具有创造性的修改。但只要在发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
权利要求
1.一种双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片(I)，其特征在于所述玻璃基片(I)上依次设有氮化硅层(2 )、氧化锌铝层(3 )、金属钛层(4 )、金属银层(5 )、氧化镍铬层(6 )、氧化钛层(7)及氮化硅保护层(8)。
2.根据权利要求I所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(O的厚度为6-10mm，所述氮化硅层(2)的厚度37_43nm，所述氧化锌铝层(3)的厚度为17-24nm，所述金属钛层(4)的厚度为7_10nm，所述金属银层(5)的厚度为11. 5-12. 5nm，所述氧化镍铬层(6)的厚度为ll_14nm，所述氧化钛层(7)的厚度为13_17nm，所述氮化硅保护层(8)的厚度为61-69nm。
3.根据权利要求2所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片(I)的厚度为6mm。
4.根据权利要求3所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃，其特征在于所述氮化硅层(2)的厚度39nm,所述氧化锌招层(3)的厚度为19nm,所述金属钛层(4)的厚度为8nm,所述金属银层(5)的厚度为12nm，所述氧化镍铬层(6)的厚度为13nm，所述氧化钛层(7)的厚度为15nm,所述氮化娃保护层(8)的厚度为64nm。
5.一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步骤 a):将6-10_厚度的玻璃基片按照预定的尺寸切割成块并清洗干净，然后将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10_3Pa，线速度设置为I. 7-2. lm/min ； b):将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为54-56KW，在玻璃基片上溅射第一层37-43nm的氮化硅层(2)； c):设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为16-20KW，在玻璃基片上溅射第二层17-24nm的氧化锌铝层(3)； d):设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3.5-4. 0KW，在玻璃基片上溅射第三层7-10nm金属钛层(4)； e):设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为10-12.5KW，在玻璃基片上溅射第四层11. 5-12. 5nm的金属银层(5); f):设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5.6-6. 2KW，在玻璃基片上溅射第五层ll-14nm的氧化镍铬层(6)； g):设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为70-74KW，在玻璃基片上溅射第六层13-17nm的金属钛层(7)； h):设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为80-84KW，在玻璃基片上溅射第七层61-69nm的氮化娃保护层(8)。
6.根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于 所述步骤a)中，所述玻璃基片的厚度为6mm ； 所述步骤b)中，设置第一离线高真空磁控溅射设备的功率为55KW，在玻璃基片上溅射第一层39nm的氮化娃层(2)； 所述步骤c)中，设置第二离线高真空磁控溅射设备的功率为17. 5KW，在玻璃基片上溅射第二层19nm的氧化锌铝层(3)； 所述步骤d)中，设置第三离线高真空磁控溅射设备的功率为3. 8KW，在玻璃基片上溅射第三层8nm金属钛层(4)；所述步骤e)中，将切割后的玻璃基片输送进镀膜室中，设置第四离线高真空磁控溅射设备的功率为11KW，在玻璃基片上溅射第四层12nm的金属银层(5)； 所述步骤f)中，设置第五离线高真空磁控溅射设备的功率为5. 8KW，在玻璃基片上溅射第五层13nm的氧化镍铬层(6)； 所述步骤g)中，设置第六离线高真空磁控溅射设备的功率为72KW，在玻璃基片上溅射第六层15nm的金属钛层(7)； 所述步骤h)中，设置第七离线高真空磁控溅射设备的功率为81W，在玻璃基片上溅射第七层64nm的氮化硅保护层(8)。
7.根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步骤a)中，线速度设置为2. 0-2. lm/min。
8.根据权利要求7所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步骤a)中，线速度设置为2. lm/min。
9.根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步骤b)-步骤h)之间是持续进行的。
10.根据权利要求5所述的一种双功能低辐射镀膜玻璃的制作方法，其特征在于所述步骤a)中，玻璃基片切割后利用超声波及去离子水清洗。
全文摘要
本发明公开了一种双功能低辐射镀膜玻璃及其制作方法，双功能低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次设有氮化硅层、氧化锌铝层、金属钛层、金属银层、氧化镍铬层、氧化钛层及氮化硅保护层。其制作方法为将离线高真空磁控溅射设备的真空度设置在10-3Pa，线速度设置为1.7-2.1m/min；依次在玻璃基片上真空溅射氮化硅层、氧化锌铝层、金属钛层、金属银层、氧化镍铬层、氧化钛层及氮化硅保护层。本发明的镀膜玻璃，以白玻为基片，降低了成本，膜层热稳定性、牢固性、抗氧化性极强，在常温下放置8个月不影响使用，由于能够进行热处理，极大的降低了镀膜的生产成本，便于运输，而且其具有低传热系数和低遮阳系数。
文档编号C03C17/36GK102617047SQ20121007808
公开日2012年8月1日 申请日期2012年3月22日 优先权日2012年3月22日
发明者姚联根, 屠松柏, 杨德兵, 陈海平 申请人:联海(国际)玻璃技术有限公司