一种用于制造ogs结构的涂布刀头的制作方法
【专利摘要】本实用新型揭示了一种用于制造OGS结构的涂布刀头，所述的涂布刀头由两个刀片合并构成，所述的刀片之间存在涂布间隙，所述的间隙两端各设有一个垫片，所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度。改造的涂布机刀头能够避让靶标，使对位靶标不被BM光刻胶遮挡。
【专利说明】—种用于制造OGS结构的涂布刀头
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及电容触控屏的生产设备。
【背景技术】
[0002]在社会进步快速发展下，人们对触摸屏追求越来越高。为了满足智能終端超薄化和提升显示效果需求，OGS结构已经得到广泛的运用，OGS即在保护玻璃(盖板)上直接形成ITO导电膜及传感器的技术。ー块玻璃同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用，能达到节省了ー层玻璃成本和減少了一次贴合成本，减轻了重量及厚度；増加了透光度，将是高端品牌终端的必然选择。
[0003]目前生产OGS结构时，需要利用涂布刀头对玻璃盖板表面涂布光刻胶，如图5所示，正常涂布刀头，刀头内垫片没有加宽16-22mm。涂布出来的光阻宽度等于基板玻璃宽度。涂布后黑光刻胶完全覆盖基板玻璃，对位靶标会被黒色覆盖，曝光机对位灯源无法透过黑色物质，分辨十字对位靶标。
实用新型内容
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是实现一种涂布黒色光刻胶时不会遮挡对位靶标的涂布刀头。
[0005]为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为:
[0006]一种用于制造OGS结构的涂布刀头，所述的涂布刀头由两个刀片合并构成，所述的刀片之间存在涂布间隙，所述的间隙两端各设有ー个垫片，所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度。
[0007]所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度20mm，所述的垫片厚度为40um。
[0008]本实用新型的优点在于改造后的涂布机刀头能够避让靶标，使对位靶标不被BM光刻胶遮挡。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]下面对本实用新型说明书中每幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明:
[0010]图1为电容屏OGS结构剖视图；
[0011]图2为涂布光刻胶示意图；
[0012]图3为涂布光刻胶后盖板玻璃结构示意图；
[0013]图4为涂布刀头结构示意图；
[0014]图5为目前使用的涂布刀头进行涂布光刻胶エ艺示意图
[0015]上述图中的标记均为:1、盖板玻璃；2、高温ITO跳跃导体层；3、BM边框；4、绝缘架桥层；5、低温ITO単元图案层；6、导电图层；7、树脂保护层；8、对位靶标；9、涂布刀头；10、光刻胶;901、刀片;902、垫片;903、涂布间隙。【具体实施方式】
[0016]光刻胶10涂布过程，其涂布刀头9由两个刀片901合并构成，刀片901为钨钢材质板，刀片之间存在涂布间隙903，涂布间隙903 (涂布时光刻胶喷涂ロ)两端各设有ー个垫片902，光刻胶10就是由中间没有垫片902的涂布间隙903位置喷涂出来，垫片902之间的间距小于盖板玻璃I的宽度，这样涂布时可以避让BM光刻胶10遮挡对位靶标8。
[0017]垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度20mm,垫片902的厚度为40um。这也是本专利关键所在，必通过避让BM黒色光刻胶10，避免涂布时遮挡高温ITO跳跃导体层2制程留下来的对位靶标8，而导致无法对位曝光。
[0018]行业常规设计对位靶标位置8的位置一般离盖板玻璃I边缘的距离为5_7mm。图形区域离基板玻璃边缘> 12_。制作BM边框3制程涂布时，对位靶标8可以袒露在外面，不被黑色光刻胶10所覆盖住。
[0019]改进涂布刀头的目的是为了适应电容屏OGS结构制作エ艺。其制作エ艺按照以下制造步骤进行:
[0020]步骤1、在经过强化工艺处理后的盖板玻璃I 一面镀制ITO层，盖板玻璃I厚度为
0.7-2.0mm，强化后应カ层为10_12um，应カ值为550_650mpa。
[0021]步骤2、将步骤I中涂布的ITO层制作成高温ITO跳跃导体层2，同时在边缘制作出两个对位靶标8，此步骤是为了避免BM边框3 (感光剂黑膜层)在高温镀膜过程中受热过高受损，以及避免多次酸碱药液制程(清洗液，显影液，蚀刻液脱膜液)BM边框3附着力脱落，就此先进行高温ITO跳跃导体层2制作。
[0022]ITO层渡制采用真空磁控溅射方法高温镀制，制作高温ITO跳跃导体层2时采用触摸屏黄光光刻技术，对ITO层依次进行:清洗，涂布，软烤，曝光，显影，硬烤，蚀刻、剥膜エ艺处理。制作成高温ITO跳跃导体层2 (ITO-jumper图层)。制作高温ITO跳跃导体层2吋，必须要在边缘留下2个对位靶标，ー个为制作BM边框3时对位使用，另ー个是在OC绝缘架桥层4制程时使用。
[0023]步骤3、涂布光刻胶10，涂布时采用本实用新型的涂布刀头9，使得设有对位靶标8的边缘部分不涂布光刻胶10，通过涂布机刀头9避让对位靶标8可以确保对位曝光エ序。之后将涂布之后将光刻胶制成BM边框3，BM边框3制作在高温ITO跳跃导体层2上，主要代替贴合盖板玻璃I及贴合盖板玻璃I上的黑框油墨。
[0024]BM边框3制作为常规手段，即采用触摸屏黄光光刻技木，对光刻胶10进行:清洗，涂布，软烤，曝光，显影，硬烤エ艺处理。制作成BM边框3。
[0025]步骤4、在高温ITO跳跃导体层2及BM边框3上制作一层绝缘架桥层4，这里制作缘架桥层4也是常规手段，即采用触控屏的触控部黄光光刻技木，依次进行涂布，烘烤，曝光，显影，硬烤エ艺处理，制作绝缘架桥层4。制作架桥层4时，必须要在边缘留下3个对位靶标，ー个为制作低温ITO単元图层5使用，另外2个分别依次为制作金属导电图层6及树脂保护层7时对位使用，
[0026]步骤5、采用真空磁控溅射方法低温(25-35°C )镀制ITO层。其中ITO-pattern可以采用低温溅镀方式。而本实用新型制作两层ITO层是为了要避让BM边框3经过高温溅镀ITO及与ITO跳跃导体层2为同一物质带来的异常。
[0027]步骤6、将ITO层制成低温ITO单元图案层5，制作时采用触摸屏黄光光刻技术，对步骤5中镀制的ITO层进行:清洗，涂布，软烤，曝光，显影，硬烤，蚀刻，烘烤，剥膜エ艺处理。其中草酸进行蚀刻后，再进行烘烤，烘烤的温度为200-220°C，持续时间为20-30分钟，使得低温溅镀出的ITO面电阻能还原到规格标准范围内。
[0028]步骤7、之后采用真空磁控溅射方法在制作好的低温ITO単元图案层5上镀上ー层金属导电层(mo/al/mo)。
[0029]步骤8、将金属导电层制作导电图层，可采用触摸屏黄光光刻技术，对金属导电层进行:清洗，涂布，软烤，曝光，显影，硬烤，蚀刻，剥膜エ艺处理。
[0030]步骤9、最后在导电图层6外制作一层树脂保护层7进行保护。这里树脂保护层7也是采用触摸屏黄光光刻技术制作，依次进行清洗，涂布，软烤，曝光，显影，硬烤エ艺处理。
[0031]至此制作完成。
【权利要求】
1.一种用于制造OGS结构的涂布刀头，所述的涂布刀头由两个刀片合并构成，所述的刀片之间存在涂布间隙，其特征在于:所述的间隙两端各设有ー个垫片，所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度。
2.根据权利要求1所述的涂布刀头，其特征在于:所述的垫片之间的间距小于盖板玻璃宽度20mm，所述的垫片厚度为40um。
【文档编号】C03C17/36GK203411473SQ201320465144
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年7月31日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】沈励, 许沭华, 胡里程 申请人:芜湖长信科技股份有限公司