高分子彩釉瓦的制作方法

文档序号:1892110阅读:263来源:国知局
高分子彩釉瓦的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及建筑材料领域,尤其是一种高分子彩釉瓦。分为主瓦和檐瓦,包括下齿接头、上齿接头、沟瓦、阳瓦、固定孔,其特征在于:沟瓦为下凹形状,阳瓦为上凸形状,所述的固定孔设置在彩釉瓦的外缘上,该外缘还设置有防止雨水通过固定孔回流的凸肋,所述的下齿接头与沟瓦连接,所述的上齿接头与阳瓦连接。本实用新型的积极效果为:生产成本低;重量轻,强度高,抗冲击,不变形。相同面积的重量仅为水泥瓦的三分之一,降低了建筑物重量,减少了基础的承载力,搭接方便,外形美观。
【专利说明】高分子彩釉瓦
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及建筑材料领域,尤其是一种高分子彩釉瓦。
【背景技术】
[0002]现代建筑逐步向高质量、高档次发展,其功能要求不断提高,传统的屋面材料已不能满足建筑业发展的要求,各种新型材料应运而生。根据国际建材发展的流行趋势,屋面材料正向质轻、美观、环保、防水防火、隔音隔热等方向发展。石棉瓦不仅含致癌成份,而且因使用寿命短,易腐烂污染等缺点被禁止使用;水泥瓦具有施工复杂、结构重、吸水渗水等缺点;而近年兴起的彩钢瓦,其使用成本高、使用寿命短、不隔音隔热、易生锈等问题难以解决。
[0003]本实用新型公开了一种高分子彩釉瓦,彻底克服了传统屋面材料存在的诸多弊端,特别适合东南亚地区多雨潮湿气候国家。

【发明内容】

[0004]本实用新型专利提供了 一种高分子彩釉瓦。
[0005]本实用新型是通过以下结构实现的:一种高分子彩釉瓦,分为主瓦和檐瓦,包括下齿接头、上齿接头、沟瓦、阳瓦、固定孔,其特征在于:沟瓦为下凹形状,阳瓦为上凸形状,所述的固定孔设置在彩釉瓦的外缘上,该外缘还设置有防止雨水通过固定孔回流的凸肋,所述的下齿接头与沟瓦连接,所述的上齿接头与阳瓦连接。
[0006]所述沟瓦上均匀分布有若干凹槽,使得沟瓦整体呈梯度结构。
[0007]所述的阳瓦的截面呈半圆形,阳瓦的顶面上均匀分布若干凹槽,该凹槽与沟瓦上的凹槽在同一水平线上。
[0008]所述的檐瓦的沟瓦与阳瓦的另一外缘是封闭的,阳瓦的封闭处具有斜度,截面为圆形;沟瓦的封闭处同样具有斜度,截面为三角形。
[0009]所述的彩釉瓦是高温高压一次模压为整体结构。
[0010]本实用新型的积极效果为:生产成本低;重量轻,强度高,抗冲击,不变形。相同面积的重量仅为水泥瓦的三分之一,降低了建筑物重量,减少了基础的承载力,搭接方便,外形美观。
[0011]色彩千变万化,随意选择,永不褪色。防水,防潮,防腐蚀,阻燃,隔音,隔热,使用效果好。可钉,可粘,可钻,可锯,加工性能好。安装简便,快捷。
[0012]具有防火、防冻、耐腐蚀、抗压性能。使用寿命长,能广泛应用于油田、森林、冶炼、造纸、水泥、化工、公共场所及其它厂矿企业建造厂房、锅炉房、仓库、棚廊等最理想的建筑材料。
【专利附图】

【附图说明】
[0013]图1是本实用新型主瓦的结构示意图。[0014]图2是本实用新型檐瓦的结构示意图。
[0015]图中,I—固定孔,2—阳瓦,3—沟瓦,4一下齿接头,5—上齿接头,6—阳瓦的封闭处,7—沟瓦的封闭处。
【具体实施方式】
[0016]具体实施例1
[0017]一种高分子彩釉瓦,包括沟瓦3和阳瓦2,沟瓦2整体为下凹设计,主要用来排水,在设计上,沟瓦的中间部分均匀设置有凹槽,该凹槽使得沟瓦成梯度排列,该设置有利于后期使用的排水。阳瓦整体呈上凸设计,阳瓦的截面呈半圆形或者半椭圆形,该设计同样有利于排水。在阳瓦的上表面均勻分布有若干凹槽,该凹槽与沟瓦的凹槽在同一水平线上。该凹槽设计有利于水流的分流,并利用沟瓦的梯度结构排水。
[0018]彩釉瓦的外缘上设置有固定孔1,该固定孔用来对彩釉瓦横向固定。在彩釉瓦的外缘上,设置有一排凸肋,凸肋的作用是,防止雨水通过固定孔渗透。
[0019]沟瓦与阳瓦的外缘分别设置有下齿接头4和上齿接头5,方便瓦与瓦之间纵向对接。
[0020]上述彩釉瓦采用的原料为阻燃树脂、不饱和聚酯树脂或玻璃钢树脂等,加入促进剂以及固化剂,加入的填料为重钙、轻钙以及碳酸钙等,辅料为玻璃纤维、棕丝、麻丝以及玻璃布等,将上述原料在高温高压条件下一次模压成型。
[0021]具体实施例2
[0022]具体实施例2与具体实施例1的区别在于,沟瓦与阳瓦的另一外缘是封闭的,阳瓦的封闭处6具有斜度,截面为圆形;沟瓦的封闭处7同样具有斜度,截面为三角形。具体实施例2为檐瓦,主要用来与主瓦也就是具体实施例1的末端连接,既起到导流雨水的作用,也起到装饰效果。
【权利要求】
1.一种高分子彩釉瓦,分为主瓦和檐瓦,包括下齿接头、上齿接头、沟瓦、阳瓦、固定孔,其特征在于:沟瓦为下凹形状,阳瓦为上凸形状,所述的固定孔设置在彩釉瓦的外缘上,该外缘还设置有防止雨水通过固定孔回流的凸肋,所述的下齿接头与沟瓦连接,所述的上齿接头与阳瓦连接。
2.根据权利要求1所述的高分子彩釉瓦,其特征在于:所述沟瓦上均匀分布有若干凹槽,使得沟瓦整体呈梯度结构。
3.根据权利要求1所述的高分子彩釉瓦,其特征在于:所述的阳瓦的截面呈半圆形,阳瓦的顶面上均匀分布若干凹槽,该凹槽与沟瓦上的凹槽在同一水平线上。
4.根据权利要求1所述的高分子彩釉瓦,其特征在于:所述的檐瓦的沟瓦与阳瓦的另一外缘是封闭的,阳瓦的封闭处具有斜度,截面为圆形;沟瓦的封闭处同样具有斜度,截面为三角形。
5.根据权利要求1所述的高分子彩釉瓦,其特征在于:所述的彩釉瓦是高温高压一次模压为整体结构。
【文档编号】E04D1/10GK203514649SQ201320579119
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年9月18日 优先权日:2013年9月18日
【发明者】王进林 申请人:王进林
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