一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺的制作方法

本发明涉及单晶硅片制备技术领域，具体涉及一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺。

背景技术：

单晶硅片是一种具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料，广泛用于制造半导体器件、太阳能电池等，单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，在单晶硅片的生产过程中需要对圆形单晶硅棒进行切片处理，从而得到所需要的单晶硅片，传统的切割工艺采用70线，对单晶硅棒原料的损耗较大且切割后的单晶硅片的精度不高导致后期的研磨损耗量增大。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，解决上述现有技术的缺陷。

本发明通过下述技术方案实现：

一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，使用多根52线对单晶硅棒进行切片，所述多根52线的进给速度v1为0.35~1.00mm/min，所述多根52线的切割速度v2为1300~1400m/min，所述单晶硅棒的直径为3~5寸，所述多根52线出线端拉力n1为8牛，所述多根52线的收线端拉力n2为8~8.5牛，所述多根52线的切割温度为19~21℃。

本发明所述52线为直径是52μm的电镀金刚石线。

本发明所述52线的进给速度v1为52线沿单晶硅棒的横截面竖直向下的移动的速度即也可视为单晶硅棒竖直向上的速度。

本发明所述52线的切割速度v2为52线沿单晶硅棒的横截面的径向方向移动的速度即52线的收线速度。

控制单晶硅棒的直径大小是为了控制单个单晶硅棒的切割时间，从而防止切割线在高强度下长时间切割，从而导致使用寿命缩短。

控制52线出线端拉力n1和收线端拉力n2，防止切割线因拉力过大断裂，拉力过小，切割精度不够，即切割线在出线端产生细微晃动，从而影响切割工艺。

通过控制多根52线的进给速度v1和切割速度v2，将52线的温度控制在19~21℃范围内，从而保障52线的长期正常使用。

进一步地，所述多根52线的进给速度v1为0.35mm/min。

进一步地，使用多根52线对单晶硅棒进行切割时，向多根52线上滴加切割液。

进一步地，所述多根52线（1）的收线端拉力n2为8牛。

进一步地，所述多根52线（1）的切割温度为19℃。

进一步地，所述多根52线（1）的进给速度v1为0.35/min，所述多根52线（1）的切割速度v2为1300/min。

本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：

本发明一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，通过使用52线进行切割，从而减少对单晶硅棒原材料的浪费。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明结构示意图。

附图中标记及对应的零部件名称：

1-52线，2-单晶硅棒。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本发明所保护的范围。

下面结合附图对本发明做进一步的描述，但本发明的保护范围不局限于以下所述。

实施例1

如图1所示，本发明一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，使用多根52线1对单晶硅棒2进行切片，所述多根52线1的进给速度v1为0.35~1.00mm/min，所述多根52线1的切割速度v2为1300~1400m/min，所述单晶硅棒2的直径为3~5寸，所述多根52线1出线端拉力n1为8牛，所述多根52线1的收线端拉力n2为8~8.5牛，所述多根52线1的切割温度为19~21℃。

本发明所述52线1为直径是52μm的电镀金刚石线。

本发明所述52线1的进给速度v1为52线1沿单晶硅棒2的横截面竖直向下的移动的速度即也可视为单晶硅棒2竖直向上的速度。

本发明所述52线1的切割速度v2为52线沿单晶硅棒2的横截面的径向方向移动的速度即52线的收线速度。

控制单晶硅棒2的直径大小是为了控制单个单晶硅棒2的切割时间，从而防止切割线在高强度下长时间切割，从而导致使用寿命缩短。

控制52线1出线端拉力n1和收线端拉力n2，防止切割线因拉力过大断裂，拉力过小，切割精度不够，即切割线在出线端产生细微晃动，从而影响切割工艺。

通过控制多根52线1的进给速度v1和切割速度v2，将52线的温度控制在19~21℃范围内，从而保障52线的长期正常使用。

实施例2

基于实施例1，所述多根52线1的进给速度v1为0.35mm/min。

使用多根52线1对单晶硅棒2进行切割时，向多根52线1上滴加切割液。

实施例3

一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，使用多根52线1对单晶硅棒2进行切片，所述多根52线1的进给速度v1为0.35mm/min，所述多根52线1的切割速度v2为1300m/min，所述单晶硅棒2的直径为3寸，所述多根52线1出线端拉力n1为8牛，所述多根52线1的收线端拉力n2为8牛，所述多根52线1的切割温度为19℃。

实施例4

一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，使用多根52线1对单晶硅棒2进行切片，所述多根52线1的进给速度v1为1.00mm/min，所述多根52线1的切割速度v2为1400m/min，所述单晶硅棒2的直径为5寸，所述多根52线1出线端拉力n1为8牛，所述多根52线1的收线端拉力n2为8.5牛，所述多根52线1的切割温度为21℃

本发明一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，通过使用52线1进行切割，从而减少对单晶硅棒2原材料的浪费。

以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：

1.一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，使用多根52线（1）对单晶硅棒（2）进行切片，所述多根52线（1）的进给速度v1为0.35~1.00mm/min，所述多根52线（1）的切割速度v2为1300~1400m/min，所述单晶硅棒（2）的直径为3~5寸，所述多根52线（1）出线端拉力n1为8牛，所述多根52线（1）的收线端拉力n2为8~8.5牛，所述多根52线（1）的切割温度为19~21℃。

2.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的进给速度v1为0.35mm/min。

3.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，使用多根52线（1）对单晶硅棒（2）进行切割时，向多根52线（1）上滴加切割液。

4.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的收线端拉力n2为8牛。

5.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的切割温度为19℃。

6.根据权利要求1所述的一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，其特征在于，所述多根52线（1）的进给速度v1为0.35/min，所述多根52线（1）的切割速度v2为1300/min。

技术总结
本发明提供了一种适用于半导体单晶硅片多线切割的工艺，使用多根52线对单晶硅棒进行切片，所述多根52线的进给速度V1为0.35~1.00mm/min，所述多根52线的切割速度V2为1300~1400m/min，所述单晶硅棒的直径为3~5寸，所述多根52线出线端拉力N1为8牛，所述多根52线的收线端拉力N2为8~8.5牛，所述多根52线的切割温度为19~21℃，通过使用52线进行切割，从而减少对单晶硅棒原材料的浪费。

技术研发人员：代刚;赵富军;张超
受保护的技术使用者：成都青洋电子材料有限公司
技术研发日：2020.09.07
技术公布日：2020.12.08