一种裂片装置

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种裂片装置。

背景技术：

目前，硅晶圆、碳化硅晶圆经激光切割后未完全切断，在晶圆表面或内部产生纵向和横向的裂痕，需要配套裂片装置将晶圆裂开。现有的裂片装置包含下部刀头、上部左刀头以及上部右刀头，下部刀头竖立安装于工作台上，上部左刀头和上部右刀头位于下部刀头安装座上方，三个刀刃相互平行，上部左刀头和上部右刀头可分合移动。具体应用时，先对晶圆进行覆膜，使晶圆背面粘附在晶圆膜上；之后将晶圆膜固定在绷膜孔上，同时使晶圆表面或内部的切割道与下部刀头的刀刃平行，下部刀头的刀刃顶住切割道，上部左刀头和上部右刀头相互分开并分列在下部刀头的两侧，且分开后的上部右刀头与上部左刀头之间的中心线与下部刀头的刀刃平行。通过升级机构驱动上部右刀头与上部左刀头同时下降压在晶圆上表面，继续下降使晶圆沿切割道裂开，然后上部左刀头和上部右刀头上升，完成一个裂片动作。

采用现有技术中的裂片装置进行裂片时，上部左刀头及上部右刀头不可避免的接触晶圆表面，可能对晶圆造成损伤。同时，上部左刀头和上部右刀头在接触到晶圆表面继续下压时，位于上部的两个刀头和位于下部的刀头分别抵压在晶圆的不同侧，从而会使晶圆折弯。且晶圆在上部左刀头及上部右刀头位置的折弯方向为正v字形折弯，而晶圆在下部刀头位置的折弯方向为倒v字型，晶圆在其他位置并没有折弯，由于晶圆在不同位置的折弯方式不同，从而会使晶圆切割道两侧的侧壁可能发生碰撞。由于晶圆的材料较脆，在晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞时，很可能会导致晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，造成产品良率低下。

技术实现要素：

本发明提供了一种裂片装置，防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤，提高产品良率。

本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置用于对经过切割形成有切割道的晶圆进行裂片，该裂片装置包括支撑结构，在支撑结构上设置有承片环、以及用于将晶圆膜固定在承片环上的绷膜框。其中，晶圆膜具有相对的第一面及第二面，晶圆粘附在晶圆膜的第一面上，且晶圆未完全覆盖晶圆膜。在支撑结构上还设置有第一裂片头，第一裂片头具有用于粘附晶圆膜的第二面的第一端面、以及与第一端面相邻接的第二端面。其中，第一端面与第二端面的夹角不小于90度且小于180度，且第一端面与第二端面的交线与切割道对准。在支撑结构上还装配有第二裂片头，且第二裂片头能够沿承片环的轴向滑动，第二裂片头用于抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后，向第一裂片头方向推晶圆膜，使切割道断开。

在上述的方案中，通过使第一裂片头的第一端面及第二端面的夹角不小于90度且小于180度，第一端面粘附晶圆膜的第二面，使第二裂片头抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后，向第一裂片头方向推晶圆膜，使切割道断开。从而使第二裂片头将晶圆膜向第一裂片头方向推晶圆膜时，位于第一裂片头一侧的晶圆膜由于有第一端面的吸附，不会产生或较小的产生拉伸，使位于该侧的晶圆不会或较少的受影响。位于第一裂片头另一侧的晶圆膜在第二裂片头的挤压下，发生拉伸，由于有第二端面作为导引面，且第二裂片头抵压在晶圆膜上未被晶圆覆盖的区域，所以该侧的晶圆膜都向同一方向折弯并延伸。从而使覆盖有晶圆的部分晶圆膜仅在切割道处的折弯，且整条切割道受力均匀，从而防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。且第一裂片头与晶圆之间有晶圆膜隔开，第二裂片头抵压在晶圆膜上未被晶圆覆盖的区域，从而使裂片头不与晶圆进行直接的接触，防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤。

在一个具体的实施方式中，第一端面与第二端面之间的夹角为140度～160度，以便于第二端面对晶圆膜的延伸进行很好的导引，提高裂片效果。

在一个具体的实施方式中，第一端面的宽度为3mm～6mm，第二端面的宽度为5mm～10mm，以提高第一端面的粘附效果，及第二端面的导引效果。

在一个具体的实施方式中，承片环与第一裂片头位于晶圆膜的相同侧，承片环具有支撑晶圆膜的支撑端面，支撑端面与第一端面共面，使第一端面一侧的晶圆膜几乎没有发生形变，防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。

在一个具体的实施方式中，第一端面上设置有多个气孔，多个气孔用于吸气，以将晶圆膜的第二面吸附在第一端面上。以便于实现第一端面与晶圆膜的粘附。

在一个具体的实施方式中，支撑结构上还设置有与多个气孔连通的真空发生器，真空发生器用于通过所述多个气孔吸气，以将晶圆膜的第二面吸附在第一端面上。以便于通过多个气孔吸气。

在一个具体的实施方式中，承片环可相对支撑结构沿承片环的轴线做定点旋转，以便于实现切割道与第一端面及第二端面的交线的对准。

在一个具体的实施方式中，支撑结构上设置有能够沿相互垂直的第一方向及第二方向运动的运动平台，其中，第一方向及第二方向均与承片环的轴线垂直，第一裂片头设置在运动平台上，以便于实现切割道与第一端面及第二端面的交线的对准，同时便于实现对不同切割道的裂片。

在一个具体的实施方式中，运动平台上设置有至少两个第一裂片头，至少两个第一裂片头沿直线排列，且至少两个第一裂片头上的第一端面与第二端面之间的夹角相等。且任意相邻的多两个第一裂片头的第一端面及第二端面均相邻接，且每个第一裂片头均可沿承片环的轴向运动。以便于组合出不同长度的第一端面及第二端面，从而可以在无需增大承片环及晶圆膜的情况下，即可实现对晶圆的边缘处的切割道进行裂片。

在一个具体的实施方式中，运动平台上设置有至少两个第一气缸，至少两个第一气缸与至少两个第一裂片头一一对应。每个第一气缸的活塞杆的伸缩方向均与承片环的轴向平行，每个第一裂片头固定在对应的第一气缸的活塞杆的端部位置。以便于第一裂片台沿承片环的轴向运动。

在一个具体的实施方式中，支撑结构上设置有第二气缸，第二气缸的活塞杆的伸缩方向与承片环的轴向平行，第二裂片头设置在第二气缸的活塞杆的端部位置。以便于实现第二裂片头向第一裂片台方向移动。

在一个具体的实施方式中，晶圆上具有多条切割道，多条切割道分别沿纵向及横向并排排列。裂片装置还包括控制单元，控制单元用于控制承片环旋转、运动平台及多个第一裂片头运动，使第一端面与第二端面的交线与多条切割道中沿纵向排列的一个切割道对准；之后，控制单元还用于控制多个气孔吸气，以将晶圆膜的第二面吸附在第一端面上；之后，控制单元还用于控制第二裂片头抵压在晶圆膜的第一面上未覆盖晶圆的区域后，向第一裂片头方向推晶圆膜，使切割道断开。控制单元还用于控制运动平台及多个第一裂片头运动，以使第一端面与第二端面的交线与多条切割道中沿纵向排列的另一个相邻的切割道对准，按照上述方式使该另一个切割道断开，直到使沿纵向排列的一半切割道均断开。之后，控制单元还用于控制承片环旋转90度，控制运动平台及多个第一裂片头运动，使第一端面与第二端面的交线与多条切割道中沿横向排列的一个切割道对准，按照上述方式，使沿横向排列的一半切割道断开。之后，控制单元还用于控制承片环旋转再旋转90度，控制运动平台及多个第一裂片头运动，使第一端面与第二端面的交线与多条切割道中沿纵向排列的未断开的切割道中的一个切割道对准，按照上述方式，使沿纵向排列的另一半切割道均断开。之后，控制单元还用于控制承片环再旋转90度，控制运动平台及多个第一裂片头运动，使第一端面与第二端面的交线与多条切割道中沿横向排列的未断开的切割道中的一个切割道对准，按照上述方式，使沿横向排列的另一半切割道均断开。通过设置控制单元，以便于实现自动化操作。同时通过使承片环共运动四次90度，对完成整片晶圆的裂片。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种裂片装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种裂片装置的侧视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种裂片装置的俯视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种裂片装置在一个位置时的局部放大图；

图5为本发明实施例提供的一种裂片装置在另一个位置时的局部放大图；

图6a为本发明实施例提供的一种切割后的晶圆的侧视结构示意图；

图6b为本发明实施例提供的另一种切割后的晶圆的侧视结构示意图。

附图标记：

10-晶圆11-承片环12-绷膜框13-晶圆膜

14-夹持机构15-定位结构20-第一裂片头

21-第一端面22-第二端面30-第二裂片头

40-运动平台41-第一运动轴42-第二运动轴

51-第一气缸52-第二气缸

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了方便理解本发明实施例提供的裂片装置，下面首先说明一下本发明实施例提供的裂片装置的应用场景，该裂片装置用于对经过切割后形成有切割道的晶圆进行裂片，以将晶圆裂片为多个晶粒。下面结合附图对该裂片装置进行详细的叙述。

参考图1、图2、图3及图4，本发明实施例提供的裂片装置包括支撑结构(图中未示出)，在支撑结构上设置有承片环11、以及用于将晶圆膜13固定在承片环11上的绷膜框12。其中，晶圆膜13具有相对的第一面及第二面，晶圆10粘附在晶圆膜13的第一面上，且晶圆10未完全覆盖晶圆膜13。在支撑结构上还设置有第一裂片头20，第一裂片头20具有用于粘附晶圆膜13的第二面的第一端面21、以及与第一端面21相邻接的第二端面22。其中，第一端面21与第二端面22的夹角不小于90度且小于180度，且第一端面21与第二端面22的交线与切割道对准。在支撑结构上还装配有第二裂片头30，且第二裂片头30能够沿承片环11的轴向滑动，第二裂片头30用于抵压在晶圆膜13的第一面上未覆盖晶圆10的区域后，向第一裂片头20方向推晶圆膜13，使切割道断开。

在上述的方案中，通过使第一裂片头20的第一端面21及第二端面22的夹角不小于90度且小于180度，第一端面21粘附晶圆膜13的第二面，使第二裂片头30抵压在晶圆膜13的第一面上未覆盖晶圆10的区域后，向第一裂片头20方向推晶圆膜13，使切割道断开。从而使第二裂片头30将晶圆膜13向第一裂片头20方向推晶圆膜13时，位于第一裂片头20一侧的晶圆膜13由于有第一端面21的吸附，不会产生或较小的产生拉伸，使位于该侧的晶圆10不会或较少的受影响。位于第一裂片头20另一侧的晶圆膜13在第二裂片头30的挤压下，发生拉伸，由于有第二端面22作为导引面，且第二裂片头30抵压在晶圆膜13上未被晶圆10覆盖的区域，所以该侧的晶圆膜13都向同一方向折弯并延伸。从而使覆盖有晶圆10的部分晶圆膜13仅在切割道处的折弯，且整条切割道受力均匀，从而防止晶圆10切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆10的切割道崩边、晶圆10的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。且第一裂片头20与晶圆10之间有晶圆膜13隔开，第二裂片头30抵压在晶圆膜13上未被晶圆10覆盖的区域，从而使裂片头不与晶圆10进行直接的接触，防止对晶圆10表面的微电路结构造成损伤。下面结合附图对上述各个结构进行详细的介绍。

在设置支撑结构时，支撑结构可以为诸如框架结构、台体结构等具有支撑功能的结构。参考图1、图2及图3，在支撑结构上设置有承片环11，承片环11为一个环体结构，且承片环11的内径大于晶圆10的直径。承片环11具有支撑晶圆膜13的支撑端面，承片环11的材料可以为不锈钢材料。在应用时，先将晶圆10进行切割，参考图6a，具体的切割方式可以采用刀锯切割或者激光切割方式，在晶圆10表面留有切割口，切割口延伸形成切割道。切割的槽深可以占晶圆10厚度的1/3左右，如图6b所示，也可以通过激光隐形切割加工晶圆10，以在晶圆10内部形成由裂纹组成的切割道。该晶圆10可以为4寸、6寸、8寸、12寸等不同尺寸的晶圆10。之后，将晶圆10粘附在晶圆膜13的第一面上，具体的，可以通过覆膜机将晶圆10粘附在晶圆膜13的第一面上，另外可以将晶圆10的正面粘附在晶圆膜13的第一面上，也可以将晶圆10的背面粘附在晶圆膜13的第一面上，具体与晶圆10上晶粒的种类有关。晶圆10应尽量贴在承片环11的中心位置处，才能保证晶圆10的边缘处与承片环11之间均不接触，使第二裂片头30不接触晶圆10，并能保证最好的裂片效果。在选择晶圆膜13时，应当选择黏度适中、延展性较好的晶圆膜13。晶圆膜13具有相对的第一面及第二面，为了便于说明，图中晶圆膜13的第一面是指位于晶圆膜13上方一侧的表面，晶圆膜13的第二面是指位于晶圆膜13下方一侧的表面。应当理解的是，上述描述并不作为对整体方案的限定。之后，将晶圆膜13的边缘平铺在承片环11的支撑端面上。之后采用绷膜框12将晶圆膜13固定在承片环11上，该绷膜框12的材料可以为不锈钢材料。

参考图1，可以在承片环11上设置有用于将绷膜框12压紧在承片环11上的夹持机构14，通过夹持机构14将绷膜框12压紧在承片环11上，使绷膜框12与承片环11之间的晶圆膜13能够固定，便于对晶圆膜13进行固定。夹持机构14为现有技术中常规能够将绷膜框12紧固在承片环11上的机构。继续参考图1，在承片环11上还设置有定位结构15，防止晶圆膜13及晶圆10转动。在设置定位结构15时，该定位结构15可以为定位销。

在具体设置第一裂片头20时，参考图3及图4，第一裂片头20的第一端面21与第二端面22相邻接，且在相邻接处具有第一端面21与第二端面22相交的交线。第一裂片头20的第一端面21与第二端面22之间的夹角θ不小于90度且小于180度。需要解释的是，第一端面21与第二端面22之间的夹角是指第一裂片头20的剖视图中，以交线在剖视图中的点为顶点，两个端面的剖线为交线所形成的夹角。在具体确定第一端面21与第二端面22之间的夹角时，第一端面21与第二端面22之间的夹角θ可以为140度～160度，具体的，第一端面21与第二端面22之间的夹角可以为140度、145度、150度、155度、160度等介于140度～160度之间的任意值，以便于第二端面22对晶圆膜13的延伸进行很好的导引，提高裂片效果。可以采用陶瓷材料制作出第一裂片头20，使第一裂片头20的第一端面21及第二端面22都为陶瓷面，减小第一端面21及第二端面22分别与晶圆膜13的摩擦力，防止由于摩擦从而造成晶圆膜13损坏。

另外，可以设置第一端面21的宽度为3mm～6mm，具体的，第一端面21的宽度可以为3mm、4mm、5mm、6mm等介于3mm～6mm之间的任意值，以提高第一端面21的粘附效果。可以设置第二端面22的宽度为5mm～10mm，具体的，第二端面22的宽度可以为5mm、6mm、7mm、8mm、9mm、10mm等介于5mm～10mm之间的任意值，以提高第二端面22的导引效果。

参考图1及图2，承片环11可以与第一裂片头20位于晶圆膜13的相同侧，且承片环11上的支撑端面与第一端面21共面，使第一端面21一侧的晶圆膜13几乎没有发生形变，防止晶圆10切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆10的切割道崩边、晶圆10的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。

在具体实现第一端面21与晶圆膜13的第二面的粘附时，可以在第一端面21上设置有多个气孔，多个气孔用于吸气，以将晶圆膜13的第二面吸附在第一端面21上。以便于实现第一端面21与晶圆膜13的粘附。可以在支撑结构上设置有与多个气孔连通的真空发生器，真空发生器用于通过所述多个气孔吸气，以将晶圆膜13的第二面吸附在所述第一端面21上。以便于通过多个气孔吸气。应当理解的是，并不限于通过真空发生器的方式通过多个气孔抽气，以吸附晶圆膜13的第二面，还可以采用真空气泵的方式。

在应用时，将晶圆膜13固定好之后，使第一端面21与第二端面22的交线与切割道对准，具体的对准方式，可以使切割道的延伸方向与第一端面21及第二端面22的交线平行，对准的过程中，可以使第一裂片头20向靠近晶圆膜13方向移动，使第一端面21与承片环11共面，且第一端面21吸附在晶圆膜13的第二面，使晶圆膜13粘附在第一裂片头20的第一端面21上，具体可以采用视觉定位的方式。之后，使第二裂片头30向靠近晶圆膜13方向移动，将第二裂片头30抵压在晶圆膜13上未被晶圆10覆盖的区域，之后，使第二裂片头30继续向靠近第一裂片头20方向移动，在远端对晶圆膜13进行按压操作，和第二裂片头30位于第一裂片头20的同一侧的晶圆膜13在第二裂片头30的按压下，沿着第二端面22的延伸方向发生形变，带动晶圆10发生弯曲，直到晶圆膜13包裹住第一裂片头20上的第二端面22，保持第二裂片头30在该位置数秒时间，使切割道中的裂片生长并最终引起切割道断开，使晶圆10切割道在两个裂片头的作用下发生脆性断裂。在此过程中，位于第一裂片头20一侧的晶圆膜13由于有第一端面21的吸附，形成较强的真空吸附效果，不会产生或较小的产生拉伸，使位于该侧的晶圆10不会或较少的受影响。位于第一裂片头20另一侧的晶圆膜13在第二裂片头30的挤压下，发生拉伸，由于有第二端面22作为导引面，且第二裂片头30抵压在晶圆膜13上未被晶圆10覆盖的区域，所以该侧的晶圆膜13都向同一方向折弯并延伸。从而使覆盖有晶圆10的部分晶圆膜13仅在切割道处的折弯，且整条切割道受力均匀，从而防止晶圆10切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆10的切割道崩边、晶圆10的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。

另外，可以设置承片环11可相对支撑结构沿承片环11的轴线做定点旋转，以便于实现切割道与第一端面21及第二端面22的交线的对准。即承片环11可相对支撑结构做定点旋转，具体实现时，可以采用旋转台作为设置承片环11的载体。

参考图1、图2、图3、图4及图5，可以在支撑结构上设置有能够沿相互垂直的第一方向及第二方向运动的运动平台40，其中，第一方向及第二方向均与承片环11的轴线垂直，第一裂片头20设置在运动平台40上，以便于实现切割道与第一端面21及第二端面22的交线的对准，同时便于实现对不同切割道的裂片。在具体设置运动平台40时，参考图1～图5，运动平台40可以包括装配在支撑结构上且能够相对支撑结构沿第一方向滑动的第一运动轴41、以及滑动装配在第一运动轴41上且能够相对支撑结构沿第二方向滑动的第二运动轴42，将第一裂片头20设置在第二运动轴42上。

运动平台40上第一裂片头20的个数可以为1个，也可以为多个。参考图1～图5，可以在运动平台40上设置有至少两个第一裂片头20，至少两个第一裂片头20沿直线排列，且至少两个第一裂片头20上的第一端面21与第二端面22之间的夹角相等。且任意相邻的多两个第一裂片头20的第一端面21及第二端面22均相邻接，且每个第一裂片头20均可沿承片环11的轴向运动。即至少两个第一裂片头20之间是否沿承片环11的轴向运动，相互之间是各自独立运动的，通过运动平台40的移动和多个第一裂片头20的升降，以便于组合出不同长度的第一端面21及第二端面22，匹配不同位置不同长度的晶圆10上的切割道，通过承片环11旋转实现两个方向的晶圆10裂片。从而可以在无需增大承片环11及晶圆膜13的情况下，即可实现对晶圆10的边缘处的切割道进行裂片。在具体确定第一裂片头20的个数时，第一裂片头20的个数可以为2个、3个、4个等任意值。且每个第一裂片头20的长度可以相等，也可以不相等。参考图1～图5，可以在运动平台40上设置有至少两个第一气缸51，至少两个第一气缸51与至少两个第一裂片头20一一对应。每个第一气缸51的活塞杆的伸缩方向均与承片环11的轴向平行，每个第一裂片头20固定在对应的第一气缸51的活塞杆的端部位置。以便于第一裂片台沿承片环11的轴向运动。应当理解的是，每个第一裂片头20所连接的第一气缸51的个数并不限于1个，如果第一裂片头20的长度较长时，可以使该第一裂片头20连接在两个第一气缸51的活塞杆上，以便于对长度较长的第一裂片头20进行稳定支撑。但是应当注意的是，连接在同一个第一裂片头20上的第一气缸51的活塞杆应当能够同步伸缩，以保证第一裂片头20能够水平。

参考图1～图5，还可以在支撑结构上设置有第二气缸52，第二气缸52的活塞杆的伸缩方向与承片环11的轴向平行，第二裂片头30设置在第二气缸52的活塞杆的端部位置。以便于实现第二裂片头30向第一裂片台方向移动。在设置第二裂片头30时，参考图1，第二裂片头30可以为一个倒t字形结构，其中的竖直部分的端部位置连接在第二气缸52的活塞杆上，第二裂片头30的水平部分作为抵压在晶圆膜13上的结构，从而增加与晶圆膜13的接触面积，防止第二裂片头30将晶圆膜13捅破。另外，可以采用陶瓷材料制作出第二裂片头30，使第二裂片头30的表面为陶瓷面，减小第二裂片头30与晶圆膜13的摩擦力，防止由于摩擦从而造成晶圆膜13损坏。

另外，在对晶圆10进行划片过程中，晶圆10上会具有多条切割道，多条切割道分别沿纵向及横向并排排列，从而将晶圆10进行分割为多个晶粒。可以设置一控制单元，该控制单元作为对承片环11的旋转、运动平台40的运动以及第一裂片头20及第二裂片头30的运动的控制，以实现自动化。该控制单元不仅包括包含有控制程序的软件，还具有用于存储控制程序及运行控制程序的硬件。该控制单元可以为工控机等终端设备。

在控制单元具体控制时，首先，控制单元可以控制承片环11旋转、运动平台40及多个第一裂片头20运动，使第一端面21与第二端面22的交线与多条切割道中沿纵向排列的一个切割道对准；之后，控制单元还用于控制多个气孔吸气，以将晶圆膜13的第二面吸附在第一端面21上；之后，控制单元还用于控制第二裂片头30抵压在晶圆膜13的第一面上未覆盖晶圆10的区域后，向第一裂片头20方向推晶圆膜13，使切割道断开。在该一个切割道断开后，控制单元可以控制运动平台40及多个第一裂片头20运动，以使第一端面21与第二端面22的交线与多条切割道中沿纵向排列的另一个相邻的切割道对准，按照上述方式使该另一个切割道断开，直到使沿纵向排列的一半切割道均断开。如图4及图5所示，图4为对位于靠近晶圆10边缘处的切割道进行裂片，图5为对靠近晶圆10中心处的切割道进行裂片。第一裂片头20从图4运动到图5位置，只需控制单元控制运动平台40及第一气缸51运动即可，通过控制部分或全部的第一气缸51的活塞杆伸出，从而组合出不同长度的第一裂片头20。另外，在将第二裂片头30向靠近第一裂片头20方向移动到一定距离后，使第一端面21上的多个气孔抽真空的真空度到达设定阈值后，控制单元可以使第二裂片头30返回原位，同时控制单元使第一裂片头20的第一端面21上的多个气孔保持真空状态数秒，之后释放，以防止突然释放使晶圆膜13发生来回振动，从而引起方向杂乱的形变，使晶圆10表面发生崩片等缺陷。

之后，控制单元可以控制承片环11旋转90度，控制运动平台40及多个第一裂片头20运动，使第一端面21与第二端面22的交线与多条切割道中沿横向排列的一个切割道对准，按照上述方式，使沿横向排列的一半切割道断开。

之后，控制单元还用于控制承片环11旋转再旋转90度，控制运动平台40及多个第一裂片头20运动，使第一端面21与第二端面22的交线与多条切割道中沿纵向排列的未断开的切割道中的一个切割道对准，按照上述方式，使沿纵向排列的另一半切割道均断开。

之后，控制单元还用于控制承片环11再旋转90度，控制运动平台40及多个第一裂片头20运动，使第一端面21与第二端面22的交线与多条切割道中沿横向排列的未断开的切割道中的一个切割道对准，按照上述方式，使沿横向排列的另一半切割道均断开。通过设置控制单元，以便于实现自动化操作。同时通过使承片环11共运动四次90度，对完成整片晶圆10的裂片。

通过使第一裂片头20的第一端面21及第二端面22的夹角不小于90度且小于180度，第一端面21粘附晶圆膜13的第二面，使第二裂片头30抵压在晶圆膜13的第一面上未覆盖晶圆10的区域后，向第一裂片头20方向推晶圆膜13，使切割道断开。从而使第二裂片头30将晶圆膜13向第一裂片头20方向推晶圆膜13时，位于第一裂片头20一侧的晶圆膜13由于有第一端面21的吸附，不会产生或较小的产生拉伸，使位于该侧的晶圆10不会或较少的受影响。位于第一裂片头20另一侧的晶圆膜13在第二裂片头30的挤压下，发生拉伸，由于有第二端面22作为导引面，且第二裂片头30抵压在晶圆膜13上未被晶圆10覆盖的区域，所以该侧的晶圆膜13都向同一方向折弯并延伸。从而使覆盖有晶圆10的部分晶圆膜13仅在切割道处的折弯，且整条切割道受力均匀，从而防止晶圆10切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆10的切割道崩边、晶圆10的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。且第一裂片头20与晶圆10之间有晶圆膜13隔开，第二裂片头30抵压在晶圆膜13上未被晶圆10覆盖的区域，从而使裂片头不与晶圆10进行直接的接触，防止对晶圆10表面的微电路结构造成损伤。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。