的供电电源(常用3.3V或5V)，VCC2为电子锁工作的供电电源(一般兰12V)，一般VCCl由VCC2转化得到，VCCl < VCC2 ；RLYIA为电子锁。
[0027]本实用新型电路工作原理如下:
[0028]1、在电子锁启动进行闭锁时，MCU控制信号CTR1、CTR2均输出高电平，对RC电路充电，t时间后(t=RC)，三极管Q1、Q2的基极电压达到晶体管PN结导通电压，使晶体管Ql和Q2饱和导通，和光电开关IC1、IC2形成导电回路，使光电开关打开，促使MOS管Q3的栅极和三极管Ql的基极为高电平，MOS管Q3 (导通时I Ω )和三极管Ql饱和导通，和电子锁继电器动作线圈形成回路，产生IA以上的大电流，使电子锁的继电器常开触点产生闭锁动作，使得LOCK+、LOCK-连接导通。同理当MCU上、下电过程或MCU电源出现异常时，三极管QU Q2的基极电压不能达到晶体管PN结导通的阈值电压时，三极管Ql、Q2截止，MCU驱动信号CTR1、CTR2不会传递到后级电路，而造成电子锁的误动作。
[0029]2、电子锁闭锁之后，长时间用大电流进行保持闭锁状态时，会严重影响电子锁的使用寿命且易损坏，而电子锁除了产生闭锁动作时需要IA以上的大电流外，闭锁后进行保持，几十毫安就可满足需求，因此在电子锁启动进行闭锁时，MCU控制信号CTR1、CTR2均输出高电平，1S后，使MCU控制信号CTRl输出低电平，MCU控制信号CTR2继续保持高电平，由于MCU控制信号CTRl接有下拉电阻R2，所以三极管Q2的基极为低电平，不能达到PN结导通阈值，三极管Ql关闭；由于三极管Ql断开，光电开关ICl无法形成导通回路，后级MOS管Q3的栅极有下拉电阻，此时也为低电平，无法导通；而MCU控制信号CTR2输出保持高电平，三极管Q2、光电开关IC2、三极管Q4均打开(即状态保持不变)，此时，电子锁和三极管Q4、限流电阻Rll形成导电回路，由于限流电阻，电子锁保持电流在几十毫安，因此该驱动电路既保证了电子锁的使用性能，又对电子锁进行上电保护，同时也增强了电子锁长期使用的稳定性、可靠性和使用寿命。
[0030]3、解锁/开锁的原理
[0031]电子锁解锁时，MCU控制信号CTR1、CTR2均输出低电平，由于MCU控制信号CTRl、CTR2均接有下拉电阻R2、R4，所以三极管Q1、Q2的基极为低电平，不能达到PN结导通阈值，三极管Ql、Q2关闭；由于三极管Ql、Q2断开，光电开关IC1、IC2无法形成导通回路，后级MOS管Q3的栅极和三极管Q4的基极均有下拉电阻，此时也为低电平，无法导通；此时，电子锁继电器线圈无法通过开关管Q3、Q4形成导通回路，线圈本身由电磁效应产生的电流通过二极管Dl逐渐变为小，当电流小于释放电流时，电子锁解锁。
[0032]以上是本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型技术方案所作的改变，所产生的功能作用未超出本实用新型技术方案的范围时，均属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种电子锁驱动保护电路，包括一 MCU，其特征在于:还包括第一至第二误动作防护电路、第一至第二隔离电路、MOS管开关电路、三极管开关电路、限流电阻、电子锁电路，所述MCU的第一输出端经第一误动作防护电路、第一隔离电路、MOS管开关电路连接至所述电子锁电路的第一输入端，MCU的第二输出端经第二误动作防护电路、第二隔离电路、三极管开关电路、限流电阻连接至所述电子锁电路的第二输入端。2.根据权利要求1所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述第一误动作防护电路包括第一至第二电阻、第一电容和第一三极管；所述第一电阻的一端与所述MCU的第一输出端连接，第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端、第一电容的一端、第一三极管的基极连接，第二电阻的另一端、第一电容的另一端与第一三极管的发射极相连接至GND端，第一三极管的集电极作为第一误动作防护电路的输出端连接至所述第一隔离电路的输入端。3.根据权利要求1所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述第二误动作防护电路包括第三至第四电阻、第二电容和第二三极管；所述第三电阻的一端与所述MCU的第二输出端连接，第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端、第二电容的一端、第二三极管的基极连接，第四电阻的另一端、第二电容的另一端与第二三极管的发射极相连接至GND端，第二三极管的集电极作为第二误动作防护电路的输出端连接至所述第二隔离电路的输入端。4.根据权利要求2所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述第一隔离电路包括第五至第六电阻、第一光电开关；所述第一光电开关发光器件的阴极与所述第一三极管的集电极连接，第一开关发光器件的阳极经第五电阻连接至第一工作电源，第一开关发光器件接收器件的集电极经第六电阻连接至第二工作电源，第一光电开关接收器件的发射极连接至所述MOS管开关电路。5.根据权利要求3所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述第二隔离电路包括第七至第八电阻、第二光电开关；所述第二光电开关发光器件的阴极与所述第二三极管的集电极连接，第二开关发光器件的阳极经第七电阻连接至第一工作电源，第二开关发光器件接收器件的集电极经第八电阻连接至第二工作电源，第二光电开关接收器件的发射极连接至所述三极管开关电路。6.根据权利要求4所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述MOS管开关电路包括MOS管和第九电阻，所述第九电阻的一端与MOS管的栅极相连接至所述第一光电开关接收器件的发射极，第九电阻的另一端与MOS管的源极相连接至GND端，MOS管的漏极与所述电子锁电路的第一输入端连接。7.根据权利要求5所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述三极管开关电路包括第十电阻、第三三极管；所述第十电阻的一端与第三三极管的基极相连接至所述第二光电开关接收器件的发射极，第十电阻的另一端与第三三极管的发射极相连接至GND端，第三三极管的集电极经所述限流电阻连接至所述电子锁电路的第二输入端。8.根据权利要求5所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述三极管开关电路包括第十电阻、第三电容、第三三极管；所述第十电阻的一端、第三电容的一端与第三三极管的基极相连接至所述第二光电开关接收器件的发射极，第十电阻的另一端、第三电容的另一端与第三三极管的发射极相连接至GND端，第三三极管的集电极经所述限流电阻连接至所述电子锁电路的第二输入端。9.根据权利要求1、6、7、8任意一项所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述电子锁电路由电子锁和二极管组成；所述二极管用以防止在所述MOS管开关电路的MOS管、三极管开关电路的三极管关断时，继电器线圈产生高压，而击穿MOS管、三极管。10.根据权利要求4-8任意一项所述的一种电子锁驱动保护电路，其特征在于:所述第一工作电源为MCU工作电源，第二工作电源为电子锁工作电源。
【专利摘要】本实用新型涉及一种电子锁驱动保护电路，包括MCU、第一至第二误动作防护电路、第一至第二隔离电路、MOS管开关电路、三极管开关电路、限流电阻、电子锁电路，所述MCU的第一输出端经第一误动作防护电路、第一隔离电路、MOS管开关电路连接至所述电子锁电路，MCU的第二输出端经第二误动作防护电路、第二隔离电路、三极管开关电路、限流电阻连接至所述电子锁电路。本实用新型采用普通的电阻、电容、光电开关、双极性晶体管、绝缘栅型MOS管组成的简单电路，即电子锁驱动控制、上电保护及误动作问题；和现有的方案对比，有成本低，可靠性、通用性强的优势。
【IPC分类】G05B19/042, E05B47/00
【公开号】CN204804501
【申请号】CN201520584519
【发明人】崔伟, 林华汕, 林志良
【申请人】深圳市科华恒盛科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年8月6日