硅酮树脂组合物、使用该组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、和led装置制造方法
【专利摘要】本发明的课题在于提供一种玻璃化转变温度较高的硅酮树脂组合物、硅酮积层基板与它的制造方法、及LED装置，其中所述硅酮积层基板的热膨胀系数较低、翘曲和变形等得以被抑制，且耐热性、耐候性等特性优异。为了解决上述课题，本发明提供一种硅酮树脂组合物，其用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，其含有：(A)三维网状结构的有机聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元和R2SiO1.5单元所构成，且由RSiO1.5单元所表示的T单元所构成；(B)有机氢聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元、R12SiO单元及R1aHbSiO(4－a－b)/2单元所构成；(C)铂族金属系催化剂；及，(D)填充剂。
【专利说明】硅酮树脂组合物、使用该组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、和LED装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种硅酮树脂组合物、使用该硅酮树脂组合物的硅酮积层基板及与它的制造方法、和使用该硅酮积层基板的LED装置。
【背景技术】
[0002]作为LED的构装基板或电气电子部件等的构装基板，大多使用将环氧树脂含浸于玻璃布中而成的构装基板，但存在以下问题:由于无铅和LED的高亮度化而导致LED元件自身的放热量增加，而使基板劣化。从这种情况来看，要求更高的耐热性和耐候性。
[0003]并且，伴随着电子设备的高功能化，开始谋求电子部件的高密度集成化和高密度构装化，并要求积层基板的薄层化，但存在以下问题:因薄层化而产生翘曲，并产生连接不良的缺陷。基板的翘曲一般是使用填充大量的热膨胀系数较小的无机填料，使整个基板的热膨胀系数降低的方法，但容易产生较多的问题，例如流动性降低、钻孔加工性降低等(请参照专利文献I)。因此，开始研究由于树脂改良所导致的热膨胀系数的降低。
[0004]近年来，开始研究以下事项:将耐热性、耐候性等特性优异的硅酮积层基板，作为LED的构装基板或电气电子部件等的构装基板来使用(请参照专利文献2)。然而，由于与以往用于构装基板中的环氧树脂相比较，娃酮 树脂的玻璃化转变温度(glassy transitiontemperature)较低，因此,存在容易产生由薄层化所导致的翅曲的问题。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2004-182851号公报
[0008]专利文献2:日本特开2010-89493号公报
【发明内容】
[0009]本发明是鉴于这种问题而完成的，其目的在于提供一种玻璃化转变温度较高的硅酮树脂组合物、及使用该硅酮树脂组合物的硅酮积层基板及它的制造方法、及LED装置，其中所述硅酮积层基板的热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优
巳
[0010]本发明是为解决上述问题而完成的，提供一种硅酮树脂组合物，其用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，其特征在于，其含有:
[0011]⑷三维网状结构的有机聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元(在此，R1表示碳数I~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~10的芳基)和R2SiOu单元(在此，R2表示碳数2~8的烯基)所构成,且由RSiOu单元(在此，R为R1或R2)所表示的T单元所构成；
[0012](B)有机氢聚硅氧烷:⑶成分中的键结于娃原子上的氢原子相对于(A)成分中的烯基的合计的摩尔比为0.1~4.0的量，所述有机氢聚硅氧烷由R1SiOu单元、R12SiO单元及R1aHbSiO(Hb)y2单元(在此，R1如上所述，a为0、1或2，b为I或2，且a + b为2或3)所构成；
[0013](C)钼族金属系催化剂:有效量；及，
[0014](D)填充剂:相对于(A)和⑶成分的合计100质量份，为900质量份以下。
[0015]这种硅酮树脂组合物，由于含有由T单元所构成的三维网状结构的有机聚硅氧烷((A)成分)，因此，它的固化物具有较高的玻璃化转变温度，使用此硅酮树脂组合物制造而成的硅酮积层基板，热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐侯性等特性优异。
[0016]并且优选为，前述硅酮树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为150°C以上。
[0017]如果是固化物具有这种较高的玻璃化转变温度的硅酮树脂组合物，就可以更适合于制造一种硅酮积层基板，耐热性较高且可以确实地抑制翘曲和变形。
[0018]并且，此时优选为，前述R1为甲基、乙基、丙基、环己基或苯基，前述R2为乙烯基或烯丙基。
[0019]如果是这种硅酮树脂组合物，就可以更适合用于制造硅酮积层基板。
[0020]优选为，前述(A)和(B)成分中的一者或两者含有硅醇基。
[0021]如果是这种硅酮树脂组合物，由于具有较高的粘接性，因此，可以更适合使用。
[0022]并且优选为，前述⑶成分具有连续的R12SiO单元。
[0023]如果是这种硅酮树脂组合物，就可以使聚合物分子具有由R1SiOu单元等所构成的分支结构，并且利用R12SiO单元的连续也可以延伸为直链状。
[0024]优选为，前述(D)成分包含`以下成分中的一者或两者:
[0025](Dl)除了白色颜料以外的无机质填充剂:相对于(A)和⑶成分的合计100质量份，为600质量份以下；
[0026](D2)白色颜料:相对于⑷和⑶成分的合计100质量份，为I~300质量份
[0027]如果是这种硅酮树脂组合物，就可以高效地降低硅酮积层基板的线膨胀系数且提高该基板的强度，并且可以根据目的而使基板为白色，可以更适合用于制造硅酮积层基板。
[0028]优选为，前述(D2)成分是二氧化钛、氧化锌、或由它们组合而成。
[0029]这些可以高效地使基板成为白色，可以适合用于光学装置。
[0030]并且优选为，前述硅酮树脂组合物在室温下为固体状。
[0031]如果是这种硅酮树脂组合物，那么容易操作，可以更适合用于制造硅酮积层基板。
[0032]并且,在本发明中，提供一种娃酮积层基板，其是具有玻璃布、与含浸于该玻璃布中的硅酮树脂组合物的固化物而成，其特征在于:
[0033]前述硅酮树脂组合物是上述的硅酮树脂组合物。
[0034]如果是这种硅酮积层基板，那么热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优异。
[0035]并且，本发明提供一种硅酮积层基板的制造方法，其具备以下步骤:
[0036]将上述的硅酮树脂组合物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸于玻璃布中；
[0037]将前述溶剂从该玻璃布中蒸发而去除；及，
[0038]将含浸于该玻璃布中的前述硅酮树脂组合物在加压成型下加热固化。
[0039]如果是这种硅酮积层基板的制造方法，就可以容易地制造一种硅酮积层基板，所述硅酮积层基板的翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优异。
[0040]本发明提供一种LED装置，其具备:[0041]上述的硅酮积层基板；及，
[0042]LED芯片，构装于该硅酮积层基板上。
[0043]如果是这种LED装置，就可以适合用作耐热性、耐候性等特性优异的LED装置。
[0044]如果是本发明的硅酮树脂组合物，则具有较高的玻璃化转变温度，且可以适合用于制造热膨胀较低、耐热性、耐候性等特性优异的硅酮积层基板。因此，使用此硅酮树脂组合物制作而成的硅酮积层基板，适合作为例如LED等发光装置。
【专利附图】
【附图说明】
[0045]图1是表示本发明的LED装置的一个实例的剖面图。
[0046]附图标记的说明:
[0047]ILED装置；2硅酮积层基板；3电极图案；4芯片粘合剂；5LED芯片；6粘合线；7透明密封体。
【具体实施方式】
[0048]以下，更详细地说明本发明。
[0049]如上所述，期 望开发一种玻璃化转变温度较高的硅酮树脂组合物，所述硅酮树脂组合物用于制造一种热膨胀系数较低、翘曲和变形得以被抑制、耐热性、耐候性等特性优异的硅酮积层基板。
[0050]本发明人努力进行研究，结果发现:如果是以下硅酮树脂组合物，则具有较高的玻璃化转变温度，使用此硅酮树脂组合物制造而成的硅酮积层基板，热膨胀系数较低，翘曲和变形得以被抑制，耐热性、耐候性等特性优异；所述硅酮树脂组合物用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，所述硅酮树脂组合物含有:
[0051]⑷三维网状结构的有机聚硅氧烷，由R1SiO1.5单元(在此，R1表示碳数I~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~10的芳基)和R2SiOu单元(在此，R2表示碳数2~8的烯基)所构成,且由RSiOu单元(在此，R为R1或R2)所表示的T单元所构成；
[0052](B)有机氢聚硅氧烷:(B)成分中的键结于娃原子上的氢原子相对于(A)成分中的烯基的合计的摩尔比为0.1~4.0的量，所述有机氢聚硅氧烷由R1SiOu单元、R12SiO单元及R1aHbSiO(Hb)y2单元(在此，R1如上所述，a为0、1或2，b为I或2，且a + b为2或3)所构成；
[0053](C)钼族金属系催化剂:有效量；及，
[0054](D)填充剂:相对于⑷和⑶成分的合计100质量份，为900质量份以下。
[0055]以下，详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些。
[0056]而且，在本说明书中，“室温”是指15~30°C的温度。“半固体”是指以下状态:具有带有可塑性但不带有流动性的性质，由于温度、应力及变形等来自外部的压力而呈现出液体或固体性质。并且，Ph表示苯基，Me表示甲基，Et表示乙基，Vi表示乙烯基。
[0057](硅酮树脂组合物)
[0058]本发明的硅酮树脂组合物包含下述(A)~(D)成分，适合用于制造本发明的硅酮积层基板。本发明的组合物优选为在室温下为固体状，更优选为在室温下为可塑性的固体。室温下为固体状的组合物容易操作。[0059]以下，说明本发明的硅酮树脂组合物中所包含的各成分。
[0060]—(A)成分一树脂结构的有机聚硅氧烷一
[0061]本发明的组合物的重要的构成成分即(A)成分是树脂结构(即三维网状结构)的有机聚硅氧烷，所述有机聚硅氧烷是由R1SiOu单元(在此，R1表示碳数I~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~10的芳基)和R2SiOu单元(在此，R2表示碳数2~8的烯基)所构成；
[0062]并由前述R1SiOu单元与R2SiOu单元的至少一部分连续重复而成。
[0063]前述(A)成分是由RSiOu单元(在此，R为R1或R2)所表示的T单元所构成的三维网状结构的有机聚硅氧烷。而且，当R1为支链状的烷基或环状的烷基(环烷基)时，碳数为3~10。
[0064]而且，由上述的R1SiOu单元与R2SiOu单元的至少一部分连续重复而成的结构，是指由下述通式(I)所表示的T单元所构成的三维网状结构的有机聚硅氧烷链结构:
[0065]
【权利要求】
1.一种硅酮树脂组合物，其用于利用含浸于玻璃布中并固化来制造硅酮积层基板，其特征在于，其含有: (A)三维网状结构的有机聚硅氧烧，由R1SiOu单元和R2SiOu单元所构成，且由RSiOu单元所表示的T单元所构成，R1SiO1 5单元中的R1表示碳数I~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~10的芳基，R2SiOu单元中的R2表示碳数2~8的烯基，RSiOu单元中的R为R1或R2 ; (B)有机氢聚硅氧烷:(B)成分中的键结于硅原子上的氢原子相对于(A)成分中的烯基的合计的摩尔比为0.1~4.0的量,所述有机氢聚硅氧烷由R1SiOu单元、R12SiO单元及R1aHbSiOf4_a_b)/2单元所构成,此处,R1表示碳数I~10的直链状、支链状或环状的烷基、碳数6~10的芳基，a为0、1或2,b为I或2,且a + b为2或3; (C)钼族金属系催化剂:有效量；及， (D)填充剂:相对于⑷和⑶成分的合计100质量份，为900质量份以下。
2.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述硅酮树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为150°C以上。
3.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述R1为甲基、乙基、丙基、环己基或苯基，前述R2为乙烯基或烯丙基。`
4.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(A)和(B)成分中的一者或两者含有娃醇基。
5.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(B)成分具有连续的R12SiO单元。
6.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(D)成分包含以下成分中的一者或两者: (Dl)除了白色颜料以外的无机质填充剂:相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，为600质量份以下； (D2)白色颜料:相对于(A)和⑶成分的合计100质量份，为I~300质量份。
7.如权利要求6所述的硅酮树脂组合物，其中，前述(D2)成分是二氧化钛、氧化锌、或由它们组合而成。
8.如权利要求1所述的硅酮树脂组合物，其中，前述硅酮树脂组合物在室温下为固体状。
9.一种娃酮积层基板,其是具有玻璃布、和含浸于该玻璃布中的娃酮树脂组合物的固化物而成，其特征在于， 前述硅酮树脂组合物是权利要求1所述的硅酮树脂组合物。
10.一种硅酮积层基板的制造方法，其特征在于，其具备以下步骤: 将权利要求1所述的硅酮树脂组合物在溶解、分散于溶剂中的状态下含浸于玻璃布中； 将前述溶剂从该玻璃布中蒸发而去除；及， 将含浸于该玻璃布中的前述硅酮树脂组合物在加压成型下加热固化。
11.一种LED装置，其特征在于，其具备: 权利要求9所述的硅酮积层基板；及， LED芯片，构装于该硅酮积层基板上。
【文档编号】B32B27/04GK103788658SQ201310430648
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2013年9月18日 优先权日:2012年10月29日
【发明者】赤羽纱以子, 山口茂雄, 柏木努 申请人:信越化学工业株式会社