Ito导电玻璃的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种面电阻为14～20欧姆、17～25欧姆、20～30欧姆的ITO导电玻璃，包括依次层叠的玻璃、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层以及ITO层。这种ITO导电玻璃，通过以第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层和第二高折射率层替代传统的SiO2层，透过率高低结合的膜层结构增加了ITO层的透过率，同时第二高折射率层与ITO层之间透过率差别较小，使得使用这种ITO导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较亮，ITO线条在第二高折射率层上不会出现显示的字的影子。
【专利说明】ITO导电玻璃
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种面电阻为14?20欧姆、17?25欧姆、20?30欧姆的IT0 导电玻璃。
【背景技术】
[0002] IT0导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用磁控溅射的方法依次 沉积二氧化硅（Si02)和氧化铟锡（通称IT0)薄膜加工制作成的。
[0003] IT0是一种具有良好透明导电性能的金属化合物，具有禁带宽、可见光谱区光透射 率高和电阻率低等特性，IT0导电玻璃广泛地应用于平板显示器件、太阳能电池、特殊功能 窗口涂层及其他光电器件领域，是目前LCD、TOP、0LED、触摸屏等各类平板显示器件广泛采 用的透明导电电极材料。作为平板显示器件的关键基础材料，IT0导电玻璃其随着平板显 示器件的不断更新和升级而具有更加广阔的市场空间。
[0004] 传统的面电阻为14?20欧姆、17?25欧姆、20?30欧姆的IT0导电玻璃，由于 IT0层透过率太低（80?81 %左右），而Si02层的透过率则比较高（91. 5 %以上），两者透 过率相差明显。从而导致使用IT0导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较暗，IT0线条在Si02 层上会出现显示的字的影子，即"字影"现象，视觉效果较差。 实用新型内容
[0005] 基于此，有必要提供一种在使用时视觉效果较好的IT0导电玻璃。
[0006] -种IT0导电玻璃，包括依次层叠的玻璃、第一低折射率层、第一高折射率层、第 二低折射率层、第二高折射率层以及IT0层；
[0007] 所述第一低折射率层的材料为Si02或MgF2 ;
[0008] 所述第一高折射率层的材料为Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4 ;
[0009] 所述第二低折射率层的材料为Si02或MgF2 ;
[0010] 所述第二高折射率层的材料为Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4 ;
[0011] 所述第一低折射率层的厚度为〇A?500A。
[0012] 在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为50人?200A。
[0013] 在一个实施例中，所述第一高折射率层的厚度为5〇A?丨00A。
[0014] 在一个实施例中，所述第二低折射率层的厚度为300/\?450人。
[0015] 在一个实施例中，所述第二高折射率层的厚度为40A?丨50A。
[0016] 在一个实施例中，所述IT0导电玻璃的面电阻为14?20欧姆、17?25欧姆或 20?30欧姆。
[0017] 在一个实施例中，所述IT0层的厚度为550人?1050A。
[0018] 这种IT0导电玻璃，通过以第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层和 第二高折射率层替代传统的3102层，透过率高低结合的膜层结构增加了ITO层的透过率， 同时第二高折射率层与IT0层之间透过率差别较小，使得使用这种IT0导电玻璃的LCD产 品在点亮时图线较亮，IT0线条在第二高折射率层上不会出现显示的字的影子，视觉效果较 好。
[0019] 同时，LCD生产线多个制程中对位时多采用白光CCD进行抓标对位，如果IT0蚀 刻前、后透过率相差太近，达到了消影或低蚀刻痕或无色差的的效果，则会出现CCD对位困 难。此实用新型旨在拉近IT0蚀刻前、后透过率之差，同时避免达到消影或低蚀刻痕或无色 差结果，以满足IXD生产需求，提升IXD显示效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0020] 图1为一实施方式的IT0导电玻璃的结构示意图；
[0021] 图2为如图1所示的IT0导电玻璃的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0022] 为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本 实用新型的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分 理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域 技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公 开的具体实施的限制。
[0023] 如图1所示的一实施方式IT0导电玻璃，包括依次层叠的玻璃10、第一低折射率层 20、第一高折射率层30、第二低折射率层40、第二高折射率层50以及IT0层60。
[0024] 玻璃10可以选择浮法玻璃或者其他本领域常规的玻璃。
[0025] 第一低折射率层20的材料为Si02或MgF2。Si02的折射率为1. 48,MgF2的折射率 为1. 38。采用Si02或MgF2作为第一低折射率层20的材料，使得第一低折射率层20的透 过率相对较高。
[0026] 第一低折射率层20的厚度为〇A?500A。一般而言，第一低折射率层20的厚度对 于IT0导电玻璃的整体透过率以及视觉效果影响较小，在一个特别的实施方式中，第一低 折射率层20的厚度可以为0,也就是说，第一低折射率层20可以省略。
[0027] 在一个较优的实施方式中，第一低折射率层20的厚度为50A?200A。
[0028] 第一高折射率层30的材料为Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率为2. 3， Ti02的折射率为2. 3,Zr02的折射率为2. 17,Si3N4的折射率为2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作为第一高折射率层30的材料，使得第一高折射率层30的透过率相对较低。
[0029] 本实施方式中，第一高折射率层30的厚度为50A?100A。
[0030] 第二低折射率层40的材料为Si02或MgF2。Si02的折射率为1. 48,MgF2的折射率 为1. 38。采用Si02或MgF2作为第二低折射率层40的材料，使得第二低折射率层40的透 过率相对较高。
[0031] 本实施方式中，第二低折射率层40的厚度为300A?450A。
[0032] 第二高折射率层50的材料为Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率为2. 3， Ti02的折射率为2. 3,Zr02的折射率为2. 17,Si3N4的折射率为2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作为第二高折射率层50的材料，使得第二高折射率层50的透过率相对较低。
[0033] 本实施方式中，第二高折射率层50的厚度为40A?150A。
[0034] 本实施方式中，IT0层60的厚度为550A?1050A。
[0035] IT0导电玻璃的面电阻可以为14?20欧姆、17?25欧姆或20?30欧姆。
[0036] 特别的，对应IT0导电玻璃的电阻范围为20欧姆?30欧姆，IT0层60的厚度为 650人?750人；对应IT0导电玻璃的电阻范围为17欧姆?25欧姆，IT0层60的厚度为 750A?850A;对应IT0导电玻璃的电阻范围为14欧姆?20欧姆，IT0层60的厚度为 850人?950人。
[0037] 这种IT0导电玻璃，通过以第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射 率层40和第二高折射率层50替代传统的Si02层，透过率高低结合的膜层结构增加了IT0 层60的透过率，同时第二高折射率层50与IT0层60之间透过率差别较小，使得使用这种 IT0导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较亮，IT0线条在第二高折射率层上不会出现显示的 字的影子，视觉效果较好。同时为避免CCD对位困难，将IT0蚀刻前、后透过率之差控制在 1. 0?2. 5%之内，即达到低字影目的，也避免了消影或低蚀刻痕或无色差，避免IT0玻璃在 IXD后续加工工序中C⑶对位困难。
[0038] 如图2所示的上述IT0导电玻璃的制备方法，包括如下步骤：
[0039] S10、提供玻璃10,清洗后干燥。
[0040] 玻璃10可以选择浮法玻璃或者其他本领域常规的玻璃。
[0041] S20、在清洗后的玻璃10表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层20、第一高折射 率层30、第二低折射率层40、第二高折射率层50和IT0层60,得到IT0导电玻璃。
[0042] 第一低折射率层20的材料为Si02或MgF2。Si02的折射率为1. 48,MgF2的折射率 为1. 38。采用Si02或MgF2作为第一低折射率层20的材料，使得第一低折射率层20的透 过率相对较高。
[0043] 第一低折射率层20的厚度为〇A?500人。一般而言，第一低折射率层20的厚度对 于IT0导电玻璃的整体透过率以及视觉效果影响较小，在一个特别的实施方式中，第一低 折射率层20的厚度可以为0,也就是说，第一低折射率层20可以省略。
[0044] 在一个较优的实施方式中，第一低折射率层20的厚度为50A?200入。
[0045] 第一高折射率层30的材料为Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率为2. 3， Ti02的折射率为2. 3,Zr02的折射率为2. 17,Si3N4的折射率为2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作为第一高折射率层30的材料，使得第一高折射率层30的透过率相对较低。
[0046] 本实施方式中，第一高折射率层30的厚度为50A?丨00人。
[0047] 第二低折射率层40的材料为Si02或MgF2。Si02的折射率为1. 48,MgF2的折射率 为1. 38。采用Si02或MgF2作为第二低折射率层40的材料，使得第二低折射率层40的透 过率相对较高。
[0048] 本实施方式中，第二低折射率层40的厚度为300A?450A。
[0049] 第二高折射率层50的材料为Nb205、Ti02、Zr02或Si3N4。Nb205的折射率为2. 3， Ti02的折射率为2. 3,Zr02的折射率为2. 17,Si3N4的折射率为2. 0。采用Nb205、Ti02、Zr02 或Si3N4作为第二高折射率层50的材料，使得第二高折射率层50的透过率相对较低。
[0050] 本实施方式中，第二高折射率层50的厚度为40A?150A。
[0051] 本实施方式中，IT0层60的厚度为550A?1050A。
[0052] IT0导电玻璃的面电阻可以为14?20欧姆、17?25欧姆或20?30欧姆。
[0053] 特别的，对应IT0导电玻璃的电阻范围为20欧姆?30欧姆，IT0层60的厚度为 650A?750A;对应IT0导电玻璃的电阻范围为17欧姆?25欧姆，IT0层60的厚度为 750A?850A;对应IT0导电玻璃的电阻范围为14欧姆?20欧姆，IT0层60的厚度为 850人?950人。
[0054] 上述方法制得的IT0导电玻璃，通过以第一低折射率层20、第一高折射率层30、第 二低折射率层40和第二高折射率层50替代传统的Si02层，透过率高低结合的膜层结构增 加了IT0层60的透过率，同时第二高折射率层50与IT0层60之间透过率差别较小，使得 使用这种IT0导电玻璃的LCD产品在点亮时图线较亮，IT0线条在第二高折射率层上不会 出现显示的字的影子，视觉效果较好。
[0055] 同时，IXD生产线多采用白光(XD，如果IT0蚀刻前、后透过率相差太近，达到了消 影的效果，则会存在CCD对位难度。此实用新型旨在拉近IT0蚀刻前、后透过率之差，同时 避免出现消影或低蚀刻痕或无色差的结果，以满足LCD生产需求，提升LCD显示效果。
[0056] 下面为具体实施例。
[0057] 实施例1
[0058] 将浮法玻璃洗净后干燥。
[0059] 在工作压强为2Xl(T3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为100A的 Si02层、厚度为丨〇〇人的Nb205层、厚度为370A的Si02层、厚度为60A的Nb205层和厚度 为700人的IT0层，得到所需的IT0导电玻璃。
[0060] 实施例2
[0061] 将浮法玻璃洗净后干燥。
[0062] 在工作压强为3Xl(T3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为200A的 Si〇2层、厚度为90A的Ti〇2层、厚度为380A的Si〇2层、厚度为50A的Ti〇2层和厚度为 800A的IT0层，得到所需的IT0导电玻璃。
[0063] 实施例3
[0064] 将浮法玻璃洗净后干燥。
[0065] 在工作压强为8Xl(T4mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为80入的 Nb2〇5层、厚度为350A的31〇2层、厚度为70人的Nb2〇5层和厚度为900人的IT0层，得到所 需的IT0导电玻璃。
[0066] 实施例4
[0067] 将浮法玻璃洗净后干燥。
[0068] 在工作压强为1X10_3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为丨80A的 Zr02层、厚度为230A的MgF2层、厚度为125A的Si3N4层和厚度为800A的IT0层，得到 所需的IT0导电玻璃。
[0069] 实施例5
[0070] 将浮法玻璃洗净后干燥。
[0071] 在工作压强为1X10_3mbar的条件下，在浮法玻璃表面依次沉积厚度为2.00A的Si02层、厚度为75A的Ti02层、厚度为33〇A1的Si〇2层、厚度为155A的Zr〇2层和厚度为 900A的ito层，得到所需的IT0导电玻璃。
[0072] 对实施例1?5制备得到的IT0导电玻璃，利用UV2450分光光度计进行550nm透 过率测试，结果如下表1所示。
【权利要求】
1. 一种ITO导电玻璃，其特征在于，包括依次层叠的玻璃、第一低折射率层、第一高折 射率层、第二低折射率层、第二高折射率层以及ITO层； 所述第一低折射率层的材料为SiO2或MgF2 ; 所述第一高折射率层的材料为Nb205、Ti02、ZrO2或Si 3N4 ; 所述第二低折射率层的材料为SiO2或MgF2 ; 所述第二高折射率层的材料为Nb205、Ti02、ZrO2或Si 3N4 ; 所述第一低折射率层的厚度为OA?500A。
2. 根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第一低折射率层的厚度为 5〇A?20〇A。
3. 根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第一高折射率层的厚度为 50 A?IOOA。
4. 根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第二低折射率层的厚度为 300A ?450A。
5. 根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述第二高折射率层的厚度为 40 A?150入。
6. 根据权利要求1所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述ITO导电玻璃的面电阻为 14?20欧姆、17?25欧姆或20?30欧姆。
7. 根据权利要求1?6中任一项所述的ITO导电玻璃，其特征在于，所述ITO层的厚度 为 550A?1050A。
【文档编号】B32B17/06GK204079781SQ201420444377
【公开日】2015年1月7日 申请日期:2014年8月7日 优先权日:2014年8月7日
【发明者】刘玉华, 方凤军, 陈立, 谭伟, 杜晓峰 申请人:宜昌南玻显示器件有限公司