喷墨打印头及其制造方法

专利名称：喷墨打印头及其制造方法
技术领域：
本发明总的发明构思涉及一种喷墨4丁印头及其制造方法，更具体地，涉及一种 喷墨打印头及其制造方法，其中半导体工艺在喷墨打印头的制造过程中使用以提高效率。
背景技术：
喷墨打印头是一种喷出墨滴以在打印介质的所需位置上打印从而形成图像的装置。
根据墨滴喷射原理，喷墨打印头主^为热驱动型喷墨打印头和压电驱动型喷 墨打印头。热驱动型喷墨打印头^^热源在墨水中产生气泡 _过气泡的膨胀力喷 出墨滴。
通常，热驱动型喷墨4l印头包括衬底，构造为硅晶片；供墨4L,在衬底上形 成用于提供墨7K;通道形成层，用于在衬底上形M道和多个墨水腔；嘴层，在 通道形^^上形成并包括与墨水月鈔于应的多个*觜；以M口热层，具有多个加热部 分并与墨水月封目对应地设置以加热墨水腔中的墨水。
喷墨打印头的加热层由势垒金属(barriermetal)形成，加热层由耐热材料例如 氮4a (TaN)和钽-铝(Ta-Al)形成。
但是，在使用势垒金属的情况下存在问题，即需要进行单独的工艺以形彭口热 器。在金属材料的情况下存在问题，即当金属材料应用于具有精细宽度的半导 体的工艺时，耐用性会降低，并且接触和通孔的部分的电阻值增大。
为了解决这些问题，由本发明的申请人提交并已公开的韩国专利申请公开 No.2003-0018799号涉及一种处理单个半导底来形成喷墨打印头的方 法。
上述出版物所公开的喷墨打印头的制造方法包括在半导桐于底上形成器件隔 离膜；在带有器件隔离膜的衬底上形i^册才M色4^莫、栅极图案和加热元件图案；使 用栅极图案作为掩模进行离子注入以形成带有源才57漏极区域的金属氧化物半导体 (MOS)晶体管；在衬底的整个表面上形M间绝纟勤莫用于^^ MOS晶体管，并
图案化该层间^^M以形M露至少一部分源极/漏极区域的接触孔；在带有接触孔 的衬底的整个表面上沉积导电膜，并图案化该导电膜以形成源才il/漏极电极和会讽； 在源极/漏极电极和^^各上^^只保护膜；在带有保护膜的衬底上形成蚀刻掩模并进行 蚀刻以形成^1^觜孔，该喷嘴3漆露在与加热元件图案相邻的区域中的半导假十底； 在带有喷嘴孔的衬底上进行各向同性蚀刻以在衬底上形成墨水腔；以及图案化与带 有保护膜的衬底表面相对的衬底表面以形成向墨水腔提供墨水的流形空间 (manifold space )。
在上述出版物所公开的喷墨打印头的制造方法中，在形成栅极图案和加热元件 图案时，加热元件图案可以由多晶硅和硅化物层形成。需^ii行额外的光刻工艺和
蚀刻工艺以形成硅化物层，从而使工艺复杂化。
此外，在上述参考出版物所公开的发明中，源fe/漏极电极和^^各在单个层间绝
^刻莫上形成。因此，由于电极的电路线宽和线^^小，电阻增大并_3>热元件的性 能降低。

发明内容
本发明提供了 一种喷墨打印头及其制造方法，该制造方法能够简化制造工艺而 不需进行额外工艺来形成加热层。
本发明还提供了 一种喷墨打印头及其制造方法，该制造方法能够抑制线路的电 阻增大。
本发明总的发明构思的另外的方面和应用将在下面的描述中部分地阐明，并将 从描述中部分地变得明显，或者可以通过本发明总的发明构思的实践而习知。
本发明总的发明构思的前述和/或其它方面和应用可以通过提^"-种喷墨打印 头来实现，该喷墨4丁印头包括衬底；加热元件，堆叠在衬底上用于加热墨水；具 有栅极电极的晶体管，用于驱动加热元件；腔室层，用于^m热元件上形成填M 墨水的墨水腔；以及*觜层，堆叠在腔室层上用于形成喷出墨水的喷嘴，其中栅极 电极和加热元件包括由自对准硅化物工艺形成的金属硅化物膜。
金属硅德膜可以是硅似爐或硅緣膜。
第一层间绝纟刻莫和第二层间^^M可以^i/o热元件和腔室层之间形成，第一金 属线和第二金属线^^别图案化在第 一层间绝纟皿和第二层间乡fe4M上。
本发明总的发明构思的前述和/或其它方面和应用还可以通过提供一种喷墨打 印头来实现，该喷墨4丁印头包括填充有墨水的多个腔室；用于加热腔室中的墨水的多个加热元件；用于^口电流到加热元件的晶体管；与腔室对应的多个喷嘴，其 中加热元件包括由多晶硅形成的加热图案和通#金属膜上进行热处理形成的金 属硅化物膜，其中该金属膜用作堆叠在加热图案上的薄膜。
本发明总的发明构思的前述和/或其它方面和应用还可以通过提供一种喷墨打 印头的制造方法来实现，该方法包括在衬底上形成栅极图案和加热元件图案；在 村底上形成金属膜，在金属MJi进行第一热处艰A而金属膜与栅极图案和加热单元 图案相互反应形成第一金属硅化物膜，去除衬底上残留的&应的金属膜，在衬底 上堆叠层间绝缘漢以形成金属线，在与加热单元图案相对应的部分堆叠通道形^^ 以4是供墨水腔，堆叠喷嘴层从而喷嘴在与墨水力鈔于应的部分形成。
该方法还可以包括在去除未反应的金属膜^进行第二热处理以形成第二金 属硅化物膜。
在衬底上堆叠层间^^M以形威Jr属线可以包括在具有金属硅化物膜的栅极 图案和加热单元图案上堆叠第一层间绝》勤莫以图案化第一^4线；以及在第一金属 线上堆叠第二层间乡&勤莫以图案化第二金属线。
金属膜由钴形成。
^r属膜可以由钬形成，并且第一热处理可以在65(K670。C温度下进行。 金属膜可以由钬形成，并且第二热处理可以在85(K870。C温度下进行。
第二金属硅^4勿膜可以是TlSi2膜或CoSi2膜。
本发明总的发明构思的前述和/或其它方面和应用还可以通过提供一种喷墨打 印头来实现，该喷墨打印头包括 一个或多个用于加热墨水的加热元件； 一个或多 个晶体管，具有源极/漏极区域和栅极电极，用于驱动相应的加热元件；以及金属硅 化物膜，选择'l^也形成斜目应的栅极电极和源fe/漏极区域上并减少其电阻。
金属硅^4勿膜可以包括石圭^^膜和名圭^4M中的一种。
本发明总的发明构思的前述和/或其它方面和应用还可以通过提供一种喷墨打 印头来实现，该喷墨打印头包括多个层间绝多刻莫；以及分别在多个层间绝^M上 形成的第一组金属线和第二金属线，其中金属线布置在多个层中形成H
第二金属线包:fei4接第 一组金属线的电源线。
本发明总的发明构思的前述和/或其它方面和应用还可以通过提供一种喷墨打 印头的制il^"法来实现，该方法包括形成栅极电极和源极/漏极区域；以及选择性 ^MM册极电极和源^y漏极区iiUi形成金属硅化物膜以P射l^电阻。
该方法还可以包括同时形^口热元^f牛和4册才及电才及。
本发明总的发明构思的前述和/或其它方面和应用还可以通过提供一种喷墨打
印头的制造方法来实现，该方法包括形成多个层间绝纟皿；以及分别在多个层间 绝纟il莫上形成第一组金属线和第二金属线，从而金属线布置在多个层中从而形成宽 度。


从下面实施例的描述并结合附图，本发明总的发明构思的这些和/或其它方面和 应用将变得明显并更加容易理解，附图中
图l示出了工艺济d呈图，示出根据本发明总的发明构思的实施例的喷墨4丁印头 的制造方法；以及
图2A到4D示出了横截面图，示出根据本发明总的发明构思的实施例的喷墨 打印头及其制造方法。
具体实施例方式
5te将详细参考本发明总的发明构思的实施例，附图中示出了其示例，其中相 同的附图标^it篇指^4目同的元件。为了通过参照附图解释本发明总的发明构思， 在下面描述了实施例。
在下文中，将参照附图详细:^葛述根据本发明总的发明构思的实施例。
图l示出了工艺流程图，说明根据本发明总的发明构思的实施例的喷墨打印头 的制造方法。
图2A至4D示出了横截面图，示出根据本发明总的发明构思的实施例的喷墨 打印头及其制造方法。
参照图1和4D, MOS晶体管20、 21和加热元件图案13在衬底100上形成(步 骤S1 )。
MOS晶体管20、 21包括晶体管20,用作打印头1中由用于喷墨的喷嘴81 形成的矩阵区域中每个喻嘴81的开关；以及晶体管21,形成夕卜围电路部分。在这 种情况下，晶体管的CMOS结构在外围电路部分形成。CMOS结构可以通过半导 体领域中/^口的一般工艺形成。
图2A到2C示出了晶体管20、 21的形成。例如，参照图2A,通过硅的局部 氧化(LOCOS)工艺，器件乡&勤莫11在半导徊于底100的特定区域中形成从而限 定有源区。
如图2B所示，栅才W色纟刻寞在衬底100的有源区中形成以形成栅板图案12和加
热元件图案13。
栅极导电膜被形成以形栅极图案12，栅极导电膜可以由硅膜例如多晶硅膜形成。
硅膜可以掺有n型杂质或p型杂质。栅极导电膜可以通过依次堆叠;硅膜和硅化 钨膜来形成。
接着，栅极导电膜被图案化以形成跨越有源区的栅极图案12并在器件隔离膜 11上形成与喷嘴81 (图4D)对应的加热元件图案13。
在形成4册极图案12时，还可以同时图案化栅极绝缘膜。因此，如图2B所示， 栅极绝缘膜图案14在栅极图案12和有源区之间形成。
此外，在形成栅极图案12和加热元件图案13时，形成于加热元件图案13和 器件隔离膜11之间的加热元件绝缘膜图案15可以与栅极绝缘膜图案14等同地图 案化。
然后，利用栅极图案12和器件隔离膜11作为离子注入掩模，第一杂质离子被注入到有源区中以形成轻摻杂漏极(LDD)区域16。第一杂质离子可以是n型杂质 离子或p型杂质离子。
参照图2C，隔离绝缘膜在半导体衬底100的整个表面上形成。隔离绝缘膜可 以由例如氮化硅形成。在隔离绝缘膜上进行各向异性蚀刻以在4册极图案12和力口 热元件图案13的侧壁上形成隔离物17和18。
利用栅极图案12、隔离物17和器件隔离膜1H乍为离子注入掩模，第二杂质离 子被注入有源区从而形成源极/漏极区域19。因此，LDD区域16保留在栅极图案 12的隔离物17下面。第二杂质离子可以是n型杂质离子或p型杂质离子。第二杂 质离子具有与在LDD离子注入期间注入到有源区中的杂质离子相同的导电类型。
接下来，热处理具有源极/漏极区域19的半导体底100上进行以激活源极/ 漏极区域19中的杂质离子。
栅极图案12、栅极绝缘膜图案14、源fe/漏极区域19和隔离物17形成了 MOS 晶体管20、 21。
MOS晶体管20、 21包4统关晶体管20和驱动晶体管21。驱动晶体管21是具 有大约18到25V耐受电压的MOS型驱动晶体管，其用于驱动加热元件22。开关 晶体管20是包括在集成电路中用于控制驱动晶体管21的晶体管并由5V的电压操作。
利用钴作为示例，将描述在MOS晶体管20、 21和加热元件图案13上形成金 属硅化物的硅化物工艺。 参照图1和3A，金属膜30在具有MOS晶体管20、 21和加热元件图案13的 半导刷于底上形成(图1的步骤S2 )。
参照图3A,其上已经进行了源fe/漏极热处理工艺的半"HM十底100的表面被 清洗以去除残留在源极/漏极区域19上的自然氧化物层和污染颗粒。金属膜30在已 被清洗的半^#底100的整个表面上形成。金属膜30可以由《;Usl钴形成。此外， 金属膜30可以由铂、镍、铅或类似物形成。
然后，第一热处理在金属MJi进行(图1的步骤S3 )。
第一热处理可以在持续通入气氛气体例如氮气或惰性气体时通过快速热烧结 (RTS)工艺进行或在没有气氛气体的超高真空状态下通过RTS工艺进行。
例如，在^^]钴的金属膜的情况下，第一热处理可以在大约300。C到600。C(例 如大约40(TC到500°C )的温度下进行大约90秒。钴与石封目互^引起到Co2Si或 者CoSi相变的温度在大约40(TC到45(rC的范围。而且，引起到CoSi2的相变的温 度大于60(TC左右。因此，如果在该温度条件下进行热处理，如图3B所示，金属 膜30与由多晶硅形成的栅极图案12和加热元件图案13相互^从而形成第一金 属硅化物膜31 (在钴的情况下，为CoSi2膜或CoSi膜)。
fg， ^A^的金属膜被去除(图1的步骤S4 )。
参照图3C，通iiii行硫酸煮沸，隔离物17和18以及器件隔离膜11上的^A 应的金属膜被去除。碌酸煮沸可以佳月好應(H2S04)和过氧化氢(H202)的"曰洽 物进行大约20分钟。
然后，第二热处J1^第一金属硅化物膜31上进行(图1的步骤S5 )。
参照图3D,第二热处理在半^#底100上进行以形成第二金属硅化物膜32 (在钴的情况下，为CoSb膜)。第二热处理可以在大约600。C到900°C (例如大约 800。C到900°C )的温度下进行大约30秒。第一金属硅化物膜31、栅极图案12、源 才l/漏极区域19的硅以Ai。热元件图案13通过第二热处J對目互反应从而引起到第二 金属硅^4勿膜32的相变。
如上所述，当栅极图案12和加热元件图案13仅由多晶石封莫图案形成时，第二
金属硅化物膜32可以通过自对;t^圭化物工艺的顺序选棒l^Nz/f又形絲源fe/漏极区
域19、栅极图案12和加热元件图案13上。
因此，第二金属硅化物膜32在栅极图案12和加热元件图案13上形成，从而 完成栅极电极23和加热元件22的制造。
当金属硅化物由自对;1tf圭化物工艺形成时，可以省略额外的光刻工艺和蚀刻工 艺，这不同于通常的硅化物工艺。金属硅化物可以例如只在表面的石^且件与金4#
触的部分上形成。
在自对准珪化物(self-alighed silicide)工艺中，金属硅化物膜可以选择;l脉栅 极电极和源极/漏极区域上形成从而减小栅极电极和源^l/漏极区域的电阻。当栅极 电极和源4l/漏极区域的电阻降低时，加热元件的效率可以被提高。
而且，栅极电极23和力口热元件22通过自对准硅化物工艺同时形成。因此，额 外的用于制ii^热元件的工艺被省略，从而筒化了工艺。
在这种情况下，当需^f^口热元件的电阻值不同于栅极电极的电阻值时，也就 是，当想要调整加热元件的电阻值时，热处理可以在设置于栅极图案上的金属MJi 禾W殳置于加热元件图案上的金属膜上单独i4ii行。
尽管在上述描述中使用钴作为金属硅化物膜的示例，^^;圭化物可以通过自对 ;卸圭化物工艺^^)钬形成。
在该情况下，工艺与形成硅^l古膜的工艺几乎相同。但是，在使用钛的金属膜 的情况下，第一热处理可以在大约650。C到660。C的温度下进行大约30秒。由此， 钛与石拔应以形成第一硅^4iM (TTiSi)。
在钴和钬的每个情况下，进行石颠臾煮沸的时间可以被适当地调整。在钬的情况 下，磁酸煮沸可以进行大约20^中，然后再次进4于辟疏煮沸大约10 ^4中以去除未 a的金属膜。
此外，第二热处理在半^#底100上进行以形成第二硅^4太(TiSi2)膜。第 二热处理在大约850。C至87(TC的温度下进行大约30秒。第一珪^4M、栅极图案 12、源才l/漏极区域19的硅以;SJ口热元件图案13通过第二热处對目互^从而引起 到第二硅^4;U莫(TiSi2)的相变。
参照图1和4A，第一层间绝纟刹莫40在具有金属硅化物膜32的半^#底100 的整个表面上形成(图1的步骤S6)。第一层间^^l莫40被图案化以形成接触孔 41,从而暴露形成于源fe/漏极区域19上的金属硅化物膜32和形成于加热元件图案 13上的金属硅化物膜32。金属膜在具有接触孔41的半^H"底100的整个表面上 形成。金属膜被图案化以形成填^i妄触孔41的第一金属线42 (图1的步骤S7)。
打印头1通过第一金属线42连接到形^J区动电路的MOS晶体管20、 21从而 形^il辑tt电^各。
参照图1和4B,用作层间绝4^的氧^5娥通过CVD方法沉积在打印头1上。 然后，将旋涂的氧^^封莫涂布在打印头1上并JLIU^^莫通过回蚀(etch back)方 法被平坦化。第二层间绝纟刻莫50由氧^^J莫形成以将第一金属线42绝缘于下面将 要描述的第二金属线51 (图1的步骤S8 )。
在这种情况下，尽管附图中未示出，孔(未示出)在第二层间绝》刻莫50上形
成以连接第一金属线42和第二金属线51之间。
接着，第二金属线51被图案^^第二层间绝^^ 50上(图1的步骤s9 )。 第二金属线51形成将连接到MOS晶体管20、 21的第一金属线42的电源线。 第一金属线42和第二金属线51分别在第一层间绝纟4M 40和第二层间绝纟刻莫 50上形成。因此，金属线被布置成分布在多个层中以形^4交大的线的M,从而使 线的^f氐电阻成为可能并提高加热效率。
参照图1和4C,表面保护膜60被形成以保护带有第二金属线51的衬底的表 面。在与加热元件22相对应的部分上形成的第二层间绝纟勤莫50和表面保护膜60 通过光刻工艺和干法蚀刻工艺去除。抗气穴(anti-cavitation)材料层被沉积在具有 特^度的保留的第二层间^^M 50上。然后，抗气穴材料层被图案化以形成抗 气穴层52 (图1的步骤s10 )。抗气穴层52保护加热元件22不受下面所述的墨水 腔71内的气孔发生收缩并破灭时产生的气穴力影响。jH^卜，抗气穴层52防止加热 元件22被墨水腐蚀。抗气穴层52 ^于应于加热元件22的部分上由钽(Ta)形成 并具有特定的厚度。
然后，如图4D所示，通道形成层70通过挤压布置在打印头1中(图1的步骤 Sll)。在与墨水腔71和墨水通道相对应的部分被去除后，通道形成层70被硬化以 形成墨水腔71的隔离壁、墨水通道的隔离壁及类似物。然后，带有"^^觜81的 t觜层80被堆叠在与每个加热元件22相对应的部分上(图1的步骤S12)。
在这种情况下，唢嘴层80是以特定形状形成的板状构件用于形^加热元件 22上的喷嘴81并通过粘附力被支撑在通道形成层70上。因此，打印头1通过形成 喻觜81、墨7jc腔71、用于引导墨水进入墨水腔71的墨水通itA类似物而形成。打 印头1如此形成即多个墨水腔71被连续地布置，/人而形成线头(linehead)。
根据本发明总的发明构思的实施例的具有以上构造的喷墨打印头及其制造方 法的顺序以及^4剁乍将被描述。
在以上构造中，在打印头l中，用作半^#底的硅衬底100被器件^^漢11
划分以形成用作金属氧化物场效应晶体管的晶体管20、 21和加热元件，它们净錄
一层间^^刻莫40 ^^彖以形成第一4r属线42。用于驱动加热元件22的晶体管21通
过第一金属线42连接到用于形舰辑电路的晶体管20。此外，f能生成第二层间
绝纟勤荚50和第二金属线51,加热元件22通过第二^^线51连接到马区动晶体管21 。
此外，电源线、地线及类似物的线^斜皮形成。
此外，抗气穴层52、限定墨水腔71的通道形成层70和带有f觜81的^^觜层
80顺序堆叠在打印头1中。
因此，在打印头l中，墨水通过墨7K通道被引导ii^墨水腔71,墨水腔71中 容纳的墨水通过驱动加热元件22被加热从而产生^L当墨水腔71中的压力通过 产生的气孔快速M^曾大时，墨水腔71中的墨水从喷嘴81中喷出，墨滴附着到纸张 或类似物上。
在根据本发明总的发明构思的实施例的喷墨打印头1中，当晶体管20、 21的 栅极电极23在衬底100上形成时，加热元件22可以以与其相同的方式被同时形成。 因此，额外的用于提供加热元件的工艺被省略，从而提高了制造工艺的效率。
此外，用于驱动加热元件22的晶体管20、 21的栅极电极可以通过自对准硅化 物工艺由硅化钴膜、硅化钛膜或类似物形成。因此，与传统的由多晶硅或类似物 形成的栅极电极相比，驱动晶体管时的电阻一皮减小，由此，加热元件22能够被有 凌ti也驱动。
第一金属线42和第二金属线51分别在第一层间绝纟勤莫40和第二层间绝^l莫 50上形成。因此，金属线被布置成分布在多个层中以形^^交大的线的￡>1，从而使 线的〗氐电阻成为可能并提高加热效率。
如上所述，在根据本发明总的发明构思的实施例的喷墨打印头及其制造方法 中，当晶体管20、 21的4册才及电4及23在衬底100上形成时，加热元件22可以以与 其相同的方式同时被形成。因此，额外的用于提供加热元件的工艺可以被省略，从 而4是高了制造工艺的效率。
此外，才M居本发明总的发明构思的不同实施例，通过自对准硅化物工艺#^属 硅化物膜形^栅极图案和加热元件图案上。因此，额外的^'过程和蚀刻工艺可 以被省略，乂人而简化了工艺。
此外，根据本发明总的发明构思的不同实施例，用于驱动加热元件的晶体管的 栅极电极通过自对准硅化物工艺由金属硅化物膜形成。因此，与传统的由多晶,iiL 类似物形成的栅极电极相比，驱动晶体管时的电阻被减d、，由此，加热元件可以被 有媳娜动。
jtb^卜，根据本发明总的发明构思的不同实施例，第一金属线和第二金属线分别 在第一层间绝^l莫和第二层间绝^MJi形成。因此，金属线被布置成分布在多个层 中从而形成较大的线的宽度，从而使线的低电阻成为可能并提高加热效率。
尽管已经示出和描述了本发明总的发明构思的不同实施例，本领域技术人员应 该理解，可以对这些实施例作出改变而不背离本发明总的发明构思的原理和##,
本发明的范围由附加的权利要求书及其等价物限定。
权利要求
1. 一种喷墨打印头，包括:衬底；加热元件，堆叠在所述衬底上用于加热墨水；具有栅极电极的晶体管，用于驱动所述加热元件；腔室层，用于在所述加热元件上形成填充有所述墨水的墨水腔；以及喷嘴层，堆叠在所述腔室层上以形成用于喷出所述墨水的喷嘴，其中所述栅极电极和所述加热元件包括通过自对准硅化物工艺形成的金属硅化物膜。
2. 如权利要求1所述的喷墨打印头，其中所述金属硅化物膜包括 硅化钛或硅化硅膜。
3. 如权利要求1所述的喷墨打印头，其中第一层间隔绝缘膜和第二层间隔绝缘膜 在所述加热元件和所述腔室层之间形成，并且第一金属线和第二金属线被图案化 所述第一层间隔膜和所述第二层间隔膜上。
4. 如权利要求l所述的喷墨打印头，包括 多个层间绝缘膜；以及分别在所述多个层间绝缘层形成的第一组金属线和第二金属线， 其中所述金属线被布置在多个层中以形成宽度。
5. —种喷墨打印头，包括:多个填充有墨水的腔室；用于加热所述腔室中所述墨水的多个加热元件；向所述加热元件施加电流的晶体管；以及与所述腔室对应的多个喷嘴，其中所述加热元件包括由多晶硅形成的加热图案；以及通过对堆叠再所述加热元件图案上的金属膜进行热处理而形成的金属硅化物膜。
6. —种制造喷墨打印头的方法，所述方法包括 在衬底上形成栅极图案和加热元件图案； 在所述村底上形成金属膜；在所述金属膜上进行第一热处理，从而所述栅极图案和所述加热元件图案相互 反应以形成第 一金属硅化物膜；去除残留在所述衬底上的未反应膜； 在所述衬底上堆叠层间绝缘膜以形成金属线；堆叠通道形成层以知于应于所勤口热元件图案的部分提供墨水腔；以及 堆叠喷嘴层从而喷嘴在与所述墨水力封目对应的部分形成。
7. 如权利要求6所述的方法，还包括在去除所述^^IM^进行第二热处理以形成第二金属硅化物膜。
8. 如权利要求6所述的方法，其中所述在所述衬底上堆叠层间绝缘膜以形成 金属线包括在带有所述金属硅化物膜的所述栅极图案和所述加热元件图案上堆叠第一层 间绝* 以图案化第一金属线；以及在所述第一金属线上堆叠第二层间绝IM以图案化第二金属线。
9. 如权利要求6所述的方法，其中所述金属膜由钴形成。
10. 如权利要求6所述的方法，其中所述金属膜由钬形成，并且所述第一热处 650~670匸的温度下进行。
11. 如权利要求7所述的方法，其中所述金属膜由钬形成，并且所述第二热处理在850-870。C的温度下进行。
12. 如权利要求7所述的方法，其中所述第二金属硅化物膜包括 TiSi2膜或CoSib膜。
13. 如权利要求6所述的方法，还包括 同时形成加热元件和栅极电极。
14. 如权利要求6所述的方法，还包括 形成多个层间绝缘膜；以及在所述多个层间绝缘膜上分别形成第一组金属线和第二金属线，从而所述金属 线净皮布置在多个层中以形成M。
全文摘要
本发明公开了一种喷墨打印头及其制造方法，该方法能够简化制造工艺而不需要进行额外的用于形成加热层的工艺，该喷墨打印头包括衬底；加热元件，堆叠在衬底上用于加热墨水；具有栅极电极的晶体管，用于驱动加热元件；腔室层，用于在加热元件上形成填充有墨水的墨水腔；喷嘴层，堆叠在腔室层上以形成用于喷出墨水的喷嘴，其中栅极电极和加热元件包括通过自对准硅化物工艺形成的金属硅化物膜。
文档编号B41J2/14GK101386227SQ20081017379
公开日2009年3月18日 申请日期2008年5月23日 优先权日2007年7月13日
发明者朴省俊, 金兑珍, 金大根, 韩晶旭 申请人:三星电子株式会社