本发明属于材料技术领域，特别涉及一种全息防伪离型膜。
背景技术：
离型膜现已被广泛应用于包装、印刷、丝印、移印、铭板、薄膜开关、柔性线路、绝缘制品、线路板、激光防伪、贴合、电子、密封材料用膜、反光材料、防水材料、医药(膏药用纸)、卫生用纸、胶粘制品、模切冲型加工等行业领域。一般情况下，离型膜附着于对应材料上起前期保护作用。
传统离型膜基材表面的达因值较低，难以在其表面上印刷商标、文字或图案以做防伪标识，限制了其在更宽的领域内应用，导致市场上出现很多仿冒知名品牌离型膜的伪劣产品。全息防伪技术是近年来在国内外普遍应用的一项现代化激光应用技术成果，激光全息防伪标识可广泛应用在轻工、医药、食品、化妆品、电子行业的名优商标、有价证券、机要证卡及豪华工艺品等。
全息防伪技术在离型膜上还没有涉及，因此，开发一种全息防伪离型膜显得十分必要。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种全息防伪离型膜，该离型膜的模压图像层可以特殊设计，防伪效果好。
本发明的目的可以通过以下技术方案来实现：
一种全息防伪离型膜的制备方法，其步骤包括：
(1)、将溶剂、带双键的聚二甲基硅氧烷、催化剂、交联剂、附着力添加剂和重剥离力添加剂搅拌、反应，制成离型剂；
(2)、采用真空镀铝技术，在聚酯薄膜上镀上一层厚度为50nm-5μm的金属铝，形成镀铝层；
(3)、采用热压成型技术，将步骤(2)中制备的镀铝聚酯薄膜上制备微图像；
(4)、采用转涂技术，将步骤(1)中制备的离型剂涂布在步骤(3)中制备的有微图像的镀铝聚酯薄膜上，制备出全息防伪离型膜。
其中，所述离型剂包含以下重量百分数计的组分：
优选的，所述催化剂为白金催化剂。
优选的，所述带双键的聚二甲基硅氧烷为带有双键的硅氧烷，一个甲基被乙烯基取代，乙烯基含量为1-5mol％。控制该特定的乙烯基比例，可控制交联密度，影响离型力和残余等性能。
优选的，所述交联剂为带有硅氢键的聚二硅氧烷。
优选的，所述附着力添加剂为(3-(2,3-环氧丙氧)丙基)三甲氧基硅烷与乙烯基三乙酰氧基硅烷的混合物。进一步优选的，所述(3-(2,3-环氧丙氧)丙基)三甲氧基硅烷与乙烯基三乙酰氧基硅烷的质量比为1-3:1。特定的比例，可有助于pet附着力加强，而且有利于聚二甲基硅氧烷进行交联。
优选的，所述重剥离力添加剂为mq硅树脂。加入了mq硅树脂，可以调节剥离力的大小，拓宽离型膜的使用范围。
优选的，所述溶剂为乙醇，乙酸乙酯,丁酮，甲苯中的一种或者两种。
优选的，所述步骤(4)中的离型剂涂布量为0.1-2g/m2。
一种全息防伪离型膜，通过以上方法制备而成。
本发明的有益效果是：
1、本发明制备的全息防伪离型膜中增加了有微图像镀铝层，防伪效果非常显著。
2、本发明制备的全息防伪离型膜的耐高温性能好，可耐150℃以上的高温半小时，所述离型膜的配方中增加了mq硅树脂，可以调节剥离力的大小，拓宽了离型膜的使用范围。
3.镀铝的厚度可以改变离型膜的可见光透过率，可以制备透明，半透明，不透明的离型膜。
4.镀铝的厚度可以改变离型膜的反光程度，可以制备强反光，弱反光的离型膜。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明作进一步说明：
原料：
实施例1
(1)离型剂的制备：
称量以下原膜按照重量百分数计：
在25℃条件下加入原料，温度控制在20-30℃，搅拌反应60分钟即可。
所述带双键的聚二甲基硅氧烷为带有双键的硅氧烷，一个甲基被乙烯基取代，乙烯基含量为1-5mol％。
(2)全息防伪离型膜的制备
在真空度为1.3*10-3pa的条件下，采用真空镀铝技术，在聚酯薄膜上镀上一层厚度为1微米的铝层；
采用光蚀刻技术制版，制成所需凹凸图像的母板，然后用热模压技术，将母版上的图像印在聚酯薄膜上；
采用转涂技术，将制备的离型剂涂布在镀铝层上，涂布量为0.15g/m2，经过温度为100-150℃的烘箱干燥和反应固化，收卷即得全息防伪离型膜。
测试经过：上述全息防伪离型膜的离型力为35g，防伪效果非常好，可耐150℃的高温。
实施例2
(1)离型剂的制备：
称量以下原膜按照重量百分数计：
在25℃条件下加入原料，温度控制在20-30℃，搅拌反应60分钟即可。
所述带双键的聚二甲基硅氧烷为带有双键的硅氧烷，一个甲基被乙烯基取代，乙烯基含量为1-5mol％。
(2)全息防伪专用离型膜的制备
在真空度为1.3*10-3pa的条件下，采用真空镀铝技术，在聚酯薄膜上镀上一层厚度为1.5微米的铝层；
采用光蚀刻技术制版，制成所需凹凸图像的母板，然后用热模压技术，将母版上的图像印在聚酯薄膜上；
采用转涂技术，将制备的离型剂涂布在镀铝层上，涂布量为0.15g/m2，经过温度为100-150℃的烘箱干燥和反应固化，收卷即得全息防伪离型膜。
测试经过：上述全息防伪专用离型膜的离型力为30g，可耐150℃的高温。
实施例3
(1)离型剂的制备：
称量以下原膜按照重量百分数计：
在25℃条件下加入原料，温度控制在20-30℃，搅拌反应60分钟即可。
所述带双键的聚二甲基硅氧烷为带有双键的硅氧烷，一个甲基被乙烯基取代，乙烯基含量为1-5mol％。
(2)全息防伪专用离型膜的制备
在真空度为1.3*10-3pa的条件下，采用真空镀铝技术，在聚酯薄膜上镀上一层厚度为2微米的铝层；
采用光蚀刻技术制版，制成所需凹凸图像的母板，然后用热模压技术，将母版上的图像印在聚酯薄膜上；
采用转涂技术，将制备的离型剂涂布在镀铝层上，涂布量为0.15g/m2，经过温度为100-150℃的烘箱干燥和反应固化，收卷即得全息防伪离型膜
测试经过：上述全息防伪专用离型膜的离型力为50g，防伪效果非常好，可耐150℃的高温。