本发明涉及制造液体排出头基板的方法。
背景技术：
液体排出头被广泛地用作在片状打印介质(诸如片材或胶片)上打印信息(诸如字符或图像)的打印装置的一部分。日本专利公开no.2016-137705描述了如下方法：该方法在其中形成有电路元件的半导体基板上形成布线结构，并且在布线结构上形成热产生元件及其保护膜，从而形成液体排出头基板。
技术实现要素：
液体排出元件(诸如热产生(heatgeneration)元件)可以随着电阻值增大以较少的电力将能量施加于液体。在高温下使液体排出元件退火被考虑作为增大液体排出元件的电阻值的方法。液体排出元件通过在高温下使液体排出元件退火而结晶，从而使得还能够稳定液体排出元件的初始特性。当覆盖液体排出元件的保护膜在高温下被退火时，它在耐湿性上提高。然而，在日本专利公开no.2016-137705中描述的方法中，液体排出元件和保护膜是在布线结构形成之后形成的，从而导致如果液体排出元件或保护膜在高温下被退火，则使布线结构中的导电部件熔融。
本发明的一方面提供了用于提高液体排出头基板上的液体排出元件的性能的技术。
根据一些实施例，提供了一种制造液体排出头基板的方法。所述方法包括：形成液体排出元件和覆盖所述液体排出元件的保护膜；以及形成包括导电部件的布线结构。对所述液体排出元件和保护膜中的一个执行退火，使得在所述液体排出头基板的制造期间由所述液体排出元件和保护膜中的一个接收的热历史(thermalhistory)中的最高温度变得高于在所述液体排出头基板的制造期间由所述导电部件接收的热历史中的最高温度。
根据一些其它的实施例，提供了一种制造液体排出头基板的方法。所述方法包括：形成液体排出元件和覆盖所述液体排出元件的保护膜；以及在形成所述液体排出元件和保护膜之后形成包括导电部件的布线结构。
从以下(参照附图)对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清楚。
附图说明
图1a和1b是各自用于解释根据第一实施例的液体排出头基板的布置的示例的示图；
图2a至2e是用于解释制造根据第一实施例的液体排出头基板的方法的示例的示图；
图3a至3e是用于解释制造根据第一实施例的液体排出头基板的方法的示例的示图；
图4a和4b是用于解释制造根据第一实施例的液体排出头基板的方法的示例的示图；
图5a和5b是各自用于解释根据第二实施例的液体排出头基板的示图；
图6a和6b是各自用于解释根据第三实施例的液体排出头基板的示图；
图7a至7e是各自用于解释根据第四实施例的液体排出头基板的示图；
图8是用于解释根据第五实施例的液体排出头基板的示图；以及
图9a至9d是用于解释又另一个实施例的示图。
具体实施方式
现在将参照附图来描述本发明的实施例。相同的标号在各种实施例中始终表示相同的元件，并且其重复描述将被省略。实施例可以被适当地改变或组合。液体排出头基板在下文中将被简称为排出基板。排出基板被用于液体排出装置，诸如复印机、传真装置或字处理器。在下面的实施例中，热产生元件被看作是排出基板的液体排出元件的示例。液体排出元件可以是能够将能量施加于液体的元件，诸如压电元件等。
<第一实施例>
将参照图1a和1b来描述根据第一实施例的排出基板100的布置的示例。图1a是聚焦于排出基板100的一部分的截面图。图1b是图1a中的区域100a的放大图。
排出基板100包括基底110、布线结构120、热产生元件130、保护膜140、抗气蚀(anti-cavitation)膜150和喷嘴结构160。基底110例如是硅等的半导体层。半导体元件111(诸如晶体管)和元件隔离区域112(诸如locos或sti)形成在基底110中。
布线结构120位于基底110上。通过使用平坦的接合表面121作为边界，布线结构120被分成接合表面121下面的布线结构120a和接合表面121上面的布线结构120b。布线结构120a包括绝缘部件122以及绝缘部件122内部的多个层的导电部件123至125。多个层的导电部件123至125被堆叠。最靠近基底110的一层的导电部件123通过插塞连接到形成在基底110中的半导体元件111等。位于多个层的相邻层中的导电部件通过插塞彼此连接。
布线结构120b包括绝缘部件126以及绝缘部件126内部的多个层的导电部件127和128。多个层的导电部件127和128被堆叠。最远离基底110的一层的导电部件128通过插塞连接到热产生元件130。导电部件127和导电部件128通过插塞彼此连接。
导电部件123至125、127和128中的每一个可以部分地包括虚设(dummy)图案。虚设图案是不电连接到半导体元件111并且对信号传送或电力供给做出贡献的导电图案。导电部件123至125、127和128中的每一个可以由阻挡(barrier)金属层和金属层形成。阻挡金属层由例如钽、钽化合物、钛或钛化合物形成，并且抑制金属层中包括的材料的扩散或相互作用。金属层由铜或铝化合物形成，并且在电阻上低于阻挡金属层。
如图1b中所示，导电部件125由金属层125a和阻挡金属层125b形成。阻挡金属层125b布置在金属层125a和绝缘部件122之间。导电部件127由金属层127a和阻挡金属层127b形成。阻挡金属层127b布置在金属层127a和绝缘部件126之间。金属层125a和金属层127a、阻挡金属层125a和阻挡金属层125b、以及绝缘部件122和绝缘部件126在接合表面121上彼此接合。由于接合表面121是平坦的，所以导电部件125的上表面和绝缘部件122的上表面是彼此齐平的，并且导电部件127的下表面和绝缘部件126的下表面是彼此齐平的。如稍后将描述的，排出基板100是通过接合两个基板制造的。因此，根据接合时的对齐精度或处理精度，金属层125a的一部分可以被接合到阻挡金属层127b的一部分，或者金属层127a的一部分可以被接合到阻挡金属层125b的一部分。阻挡金属层125b的厚度可以被调整以便即使对齐精度或处理精度变化也不使金属层125a和绝缘部件126彼此接合。这同样也适用于金属层127a和绝缘部件122之间的接合。
热产生元件130位于布线结构120的上部分中。热产生元件130的侧表面接触绝缘部件126。热产生元件130的上表面在与布线结构120的上表面(即，绝缘部件126的上表面)相同的平面上。半导体元件111和热产生元件130通过布线结构120(更具体地，通过布线结构120中包括的导电部件)彼此电连接。热产生元件130由例如钽或钽化合物形成。代替这，热产生元件130可以由多晶硅或硅化钨形成。
多个层的导电部件123至125、127和128之中的最靠近热产生元件130的一层的导电部件128包括热产生元件130正下方的导电部分。热产生元件130的液体排出特性由绝缘部件126的在该导电部分和热产生元件130之间的区域126a的厚度确定。如果该绝缘层的厚度大于设计值，则从热产生元件130到导电部件的散热减少，从而使液体排出量大于设计值。另一方面，如果该绝缘层的厚度小于设计值，则从热产生元件130到导电部件的散热增加，从而使液体排出量小于设计值。区域126a也可以被称为热蓄积区域。
保护膜140位于布线结构120和热产生元件130上。在该实施例中，保护膜140至少覆盖热产生元件130的上表面，并且还覆盖布线结构120的上表面。保护膜140由例如sio、sion、sioc、sic或sin制成，并且保护热产生元件130不受液体浸蚀。在该实施例中，保护膜140的两个表面(即，热产生元件130侧的表面和与该表面相对的表面)是平坦的。因此，与保护膜具有台阶(step)的情况相比，即使保护膜140薄，也能够充分地确保热产生元件130的覆盖。对于液体的能量传送效率通过使保护膜140薄化而提高，从而使得能够通过稳定发泡来实现电力消耗的降低和图像质量的提高两者。
抗气蚀膜150位于保护膜140上。抗气蚀膜150跨越(cross)保护膜140覆盖热产生元件130。抗气蚀膜150由例如钽形成，并且保护热产生元件130和保护膜140不受液体排出时的物理冲击。
喷嘴结构160位于保护膜140和抗气蚀膜150上。喷嘴结构160包括粘合层161、喷嘴部件162和防水材料163。排出液体的通道164和孔口165形成在喷嘴结构160中。
然后，将参照图2a至4b来描述制造排出基板100的方法。首先，如图2e中所示，形成包括半导体元件111的基板200。下面将详细描述形成基板200的方法。如图2a中所示，在半导体材料的基底110中形成半导体元件111和元件隔离区域112。半导体元件111可以例如是开关元件，诸如晶体管。元件隔离区域112可以通过locos方法或sti方法形成。
随后，形成图2b中所示的结构。更具体地，在基底110上形成绝缘层201，在绝缘层201中形成孔，并且在每个孔中形成插塞202。插塞202是通过例如在绝缘层201上形成金属膜并且利用回蚀或cmp移除除了该金属膜的进入绝缘层201的孔的部分之外的部分而形成的。绝缘层201由例如sio、sin、sic、sion、sioc或sicn形成。绝缘层201的上表面可以被平坦化。
随后，形成图2c中所示的结构。更具体地，在绝缘层201上形成绝缘层203，并且在绝缘层203中形成开口。在绝缘层203上形成阻挡金属层，并且在其上形成金属层。导电部件123是通过利用回蚀或cmp移除除了阻挡金属层和金属膜的进入绝缘层203的开口的部分之外的部分而形成的。阻挡金属层由例如钽、钽化合物、钛或钛化合物形成。导电部件123由例如铜、铝或钨形成。绝缘层203和导电部件123的上表面可以被平坦化。
随后，形成图2d中所示的结构。更具体地，在绝缘层203上形成绝缘层204，并且在绝缘层204中形成开口。导电部件124是以与导电部件123相同的方式形成的。绝缘层204和导电部件124的上表面可以被平坦化。
随后，形成图2e中所示的结构。更具体地，在绝缘层204上形成绝缘层205，并且在绝缘层205中形成开口。导电部件125是以与导电部件124相同的方式形成的。绝缘层205和导电部件125的上表面可以被平坦化。
基板200如上所述地形成。在该实施例中，基板200包括三个层的导电部件123至125。然而，导电部件的层数不限于此，并且它可以是一个、两个或四个或更多个。另外，每个导电部件可以具有单镶嵌(damascene)结构或双镶嵌结构。基板200的布线结构变为排出基板100的布线结构120a。布线结构120a的绝缘部件122由绝缘层201、203、204和205形成。基板200的上表面(与基底110相对的一侧的表面)是平坦的。
布线结构120a中包括的插塞202、导电部件123、124和125等的金属材料在其下不受熔融等影响的温度的上限值将被称为临界温度。临界温度可以根据金属材料的类型而改变，并且可以例如为400℃、450℃或500℃。基板200被形成为使得在基板200的制造期间由布线结构120a中包括的金属材料接收的热历史中的最高温度变得低于临界温度(例如，低于400℃、低于450℃或低于500℃)。
关于半导体设备的某个部分的热历史(或热收支(budget))意指该部分在该半导体设备的制造步骤中(包括形成该部分的时间)的温度转变。例如，在400℃的基板温度下形成某个部件，并且然后在350℃的基板温度下对包括该部分的基板进行处理。在这种情况下，该部分具有400℃和350℃的热历史。
然后，如图3e中所示，形成包括热产生元件130的基板300。可以首先形成基板200或基板300。下面将详细描述形成基板300的方法。如图3a中所示，在基底301上形成保护膜140，并且在保护膜140上形成热产生元件130。基底301可以由半导体材料(诸如硅)或绝缘体材料(诸如玻璃)形成。
保护膜140由例如氧化硅、氮化硅、碳化硅等的硅绝缘体形成。保护膜140可以在高温下被退火以便提高保护膜140的耐湿性。一般来说，当用于退火的温度高时，绝缘体在耐湿性上提高。布线结构在此时尚未被形成，因此能够在等于或高于临界温度的温度(例如，400℃或更高、450℃或更高、或者500℃或更高，更具体地，650℃)下对保护膜140进行退火。在形成热产生元件130之前，可以通过cmp方法等使保护膜140的上表面平坦化。代替退火，可以对热产生元件130执行等离子处理。在该实施例中，保护膜140的耐湿性高，从而使排出基板100的寿命增加。
热产生元件130由例如钽或钽化合物形成。热产生元件130可以在等于或高于临界温度的温度(例如，400℃或更高、450℃或更高、或者500℃或更高，更具体地，650℃)下被退火。这使得能够提高热产生元件130的电阻值并且节省排出基板100的电力。热产生元件130通过在等于或高于临界温度的温度下使热产生元件130退火而结晶，从而使得能够稳定热产生元件130的初始特性。热产生元件130可以由在电阻上高于钽或钽化合物的多晶硅形成。为了通过多晶硅形成热产生元件130，需要高温过程。然而，能够在如上所述的等于或高于临界温度的温度下形成热产生元件130。另外，能够选择在低于临界温度的温度下不能被使用的材料作为热产生元件130的材料。
布线导电部件可以形成在与热产生元件130相同的层中。在这种情况下，热产生元件130可以不在等于或高于临界温度的温度下被退火。保护膜140和热产生元件130可以被单独地或同时地退火。保护膜140和热产生元件130中的至少一个在等于或高于临界温度的温度下被退火。
随后，形成图3b中所示的结构。更具体地，在保护膜140和热产生元件130上形成绝缘层302，在绝缘层302中形成孔，并且在每个孔中形成插塞303。插塞303是通过例如在绝缘层302上形成铜或钨的金属膜并且利用回蚀或cmp移除除了该金属膜的进入绝缘层302的孔的部分之外的部分而形成的。绝缘层302由例如sio、sin、sic、sion、sioc或sicn形成。可以通过进一步使绝缘层302的上表面平坦化来调整绝缘层302的厚度。
随后，如图3c中所示，在绝缘层302上形成导电部件128。导电部件128由铜或铝形成。随后，如图3d中所示，在绝缘层302和导电部件128上形成绝缘层304，并且在绝缘层304中形成插塞305。插塞305包括阻挡金属层和金属层。阻挡金属层由例如钛或钛化合物形成。金属层例如为钨层。
随后，如图3e中所示，在绝缘层304上形成绝缘层306和导电部件127。导电部件127包括阻挡金属层和金属层。阻挡金属层由例如钽、钽化合物、钛或钛化合物形成。金属层由例如铜或铝形成。
基板300如上所述地形成。在该实施例中，基板300包括两个层的导电部件。然而，导电部件的层数不限于此，并且它可以是一个或三个或更多个。另外，每个导电部件可以具有单镶嵌结构或双镶嵌结构。基板300的布线结构变为排出基板100的布线结构120b。布线结构120b的绝缘部件126由绝缘层302、304和306形成。基板300的上表面(与基底301相对的一侧的表面)是平坦的。
基板300被形成为使得由热产生元件130或保护膜140接收的热历史中的最高温度变得等于或高于临界温度，并且在基板300的制造期间由布线结构120b中包括的金属材料接收的热历史中的最高温度变得低于临界温度。布线结构120b中包括的金属材料例如为插塞303和305以及导电部件127和128。
在在包括半导体元件的基底上形成布线结构并且在其上形成热产生元件的制造方法中，在最上面的布线层上形成热产生元件。每次形成布线层时使上表面平坦化，因此上布线层具有较低的平坦度。相反，在制造基板300的上述方法中，在其中绝缘部件126最靠近保护膜140和热产生元件130的绝缘层302是在布线结构120的其它绝缘层之前形成的，因此该绝缘层302的平坦度高。结果，变得更容易将基板300形成为使得绝缘层302中的区域126a的厚度在整个晶圆上符合设计值，从而提高了热产生元件130的排出性能。
然后，如图4a中所示，将基板200的布线结构和基板300的布线结构彼此接合使得半导体元件111和热产生元件130彼此电连接。更具体地，导电部件125和导电部件127彼此接合，并且绝缘部件122和绝缘部件126彼此接合。基板200和基板300可以通过在叠加状态下对它们进行加热或者通过使用触媒(诸如氩)来彼此接合。
随后，如图4b中所示，移除整个基底301。随后，通过形成抗气蚀膜150和喷嘴结构160来制造排出基板100。可以在低于临界温度的温度下执行图4a和4b中的步骤。因此，在排出基板100的制造期间由热产生元件130或保护膜140接收的热历史的最高温度高于在排出基板100的制造期间由布线结构120中包括的导电部件接收的热历史中的最高温度。
上述制造方法的各步骤可以由单个制造者或多个制造者执行。基板200和基板300可以在例如一个制造者形成基板200和基板300并且另一个制造者通过购买基板200和基板300来准备它们之后彼此接合。代替此，一个制造者可以形成基板200和基板300，然后该制造者可以指示另一个制造者接合它们。
<第二实施例>
将参照图5a和5b来描述根据第二实施例的排出基板500的布置及其制造方法的示例。与第一实施例中相同的部分的描述将被省略。直到图4a中所示的步骤，制造排出基板500的方法可以与制造排出基板100的方法相同。随后，如图5a中所示，移除基底301的与热产生元件130重叠的部分，而不是移除整个基底301。因此，在基底301的剩余部分中形成开口501。该开口501位于热产生元件130上方。
随后，如图5b中所示，在基底301上形成喷嘴部件162和防水材料163。孔口165由喷嘴部件162和防水材料163形成。基底301的开口501形成排出液体的通道164的一部分。排出基板500由此被制造。
图5b中所示的排出基板500不包括抗气蚀膜。然而，跨越保护膜140覆盖热产生元件130的抗气蚀膜可以在基底301的一部分被移除之后形成。用于提高粘合性的粘合层可以进一步形成在基底301和喷嘴部件162之间。根据该实施例，基底301的所述一部分也可以被用作喷嘴结构。
<第三实施例>
将参照图6a和6b来描述根据第三实施例的排出基板600的布置及其制造方法的示例。与第一实施例中相同的部分的描述将被省略。排出基板600与排出基板100的不同之处在于它包括布线结构601而不是布线结构120以及在于保护膜140的形状。布线结构601与布线结构120的不同之处在于它不包括接合表面121和导电部件127。布线结构601包括绝缘部件602以及绝缘部件602内部的多个层的导电部件123至125和128。
然后，将描述制造排出基板600的方法。与基板200相同的结构如参照图2a至2e描述的步骤中那样形成。随后，在绝缘层205上顺序地形成绝缘层603、绝缘层604、导电部件128和绝缘层605。它们可以如参照图3a至3e描述的步骤中那样形成。
随后，在绝缘层605上形成热产生元件130。在形成热产生元件130之后，通过例如激光退火方法来使热产生元件130局部退火。在该局部退火期间由热产生元件130接收的热历史的最高温度高于在该局部退火期间布线结构601中包括的导电部件接收的热历史的最高温度。激光退火方法可以对绝缘层605和热产生元件130的整个上表面或者仅对热产生元件130的上表面执行。
随后，在绝缘层605和热产生元件130上形成保护膜140。在形成保护膜140之后，通过例如激光退火方法来使保护膜140局部退火。在该局部退火期间由保护膜140接收的热历史的最高温度高于在该局部退火期间布线结构601中包括的导电部件接收的热历史的最高温度。
随后，如第一实施例中那样，形成抗气蚀膜150和喷嘴结构160。在该实施例中同样地，在排出基板600的制造期间由热产生元件130或保护膜140接收的热历史的最高温度高于在排出基板600的制造期间布线结构601中包括的导电部件接收的热历史的最高温度。在该实施例中，对热产生元件130和保护膜140两者执行局部退火。然而，可以仅对这些中的一个执行局部退火。在上述第一实施例和第二实施例中，对热产生元件130和保护膜140可以执行通过例如激光退火方法的局部退火，而不是执行全局退火。
<第四实施例>
将参照图7a至7e来描述根据第四实施例的排出基板700的布置及其制造方法的示例。与第一实施例中相同的部分的描述将被省略。排出基板700包括热产生元件130和喷嘴结构703，但是不包括半导体元件111。因此，信号和电力经由可电连接到排出基板700的外部的焊盘(pad)被供给到热产生元件130。
然后，将描述制造排出基板700的方法。如第一实施例中那样，如图7a中所示，在基底301上形成保护膜140和热产生元件130。当热产生元件130被形成得薄时，例如，当它被形成为几个到几十个nm的膜厚度时，在热产生元件130和插塞之间可能发生接触故障。为了避免这样的接触故障，在热产生元件130和插塞303之间布置导电部件。该导电部件可以被称为连接辅助部件。
更具体地，如图7b中所示，在热产生元件130上形成导电膜701。导电膜701由例如铝合金形成。随后，如图7c中所示，通过利用干蚀刻或湿蚀刻移除导电膜701的一部分来形成导电部件702。导电部件702仅接触热产生元件130的两侧，而不接触热产生元件130的中心部分。导电部件702用作要被连接到外部装置的焊盘。导电部件702被电连接到热产生元件130。
随后，如图7d中所示，利用钝化膜704覆盖保护膜140、热产生元件130和导电部件702，并且在钝化膜704中形成开口705。开口705使导电部件702的一部分露出以被电连接到外部装置。随后，如第二实施例中那样，形成喷嘴结构703。
在该实施例中，导电部件702被形成为与热产生元件130重叠。然而，导电部件可以通过从热产生元件130延伸而被形成在不同的区域中并且被用作焊盘。可替代地，经由插塞连接到导电部件702的另一导电部件可以被用作焊盘。用作焊盘的导电部件(诸如导电部件702)形成排出基板700的布线结构。
在该实施例中同样地，保护膜140和热产生元件130中的至少一个在等于或高于临界温度的温度下被退火。保护膜140和热产生元件130是在形成布线结构之前形成的，因此可以执行全局退火。代替此，可以对保护膜140和热产生元件130中的至少一个执行局部退火。
<第五实施例>
将参照图8来描述根据第五实施例的排出基板800的布置及其制造方法的示例。与第一实施例中相同的部分的描述将被省略。排出基板800包括基底110、布线结构801、热产生元件130、导电部件803和保护膜140。布线结构801包括绝缘部件802以及绝缘部件802内部的导电部件。利用这样的布置同样地，能够通过激光退火方法来使热产生元件130的不被导电部件803覆盖的部分(区域800a中包括的部分)局部退火。因此，在排出基板800的制造期间由热产生元件130接收的热历史的最高温度变得高于在排出基板800的制造期间布线结构801中包括的导电部件和其它导电部件803接收的热历史的最高温度。保护膜140的包括在区域800a中的部分也可以通过激光退火方法等被局部退火。
<又另一个实施例>
图9a例示了由喷墨打印机、传真装置、复印机等所代表的液体排出装置1600的内部布置。在该示例中，液体排出装置可以被称为打印装置。液体排出装置1600包括液体排出头1510，该液体排出头1510将液体(在该示例中为墨水或打印材料)排出到预定介质p(在该示例中为诸如纸的打印介质)。在该示例中，液体排出头可以被称为打印头。液体排出头1510被安装在盒1620上，并且盒1620可以被附接到具有螺旋槽1604的导螺杆1621。导螺杆1621可以经由驱动力传送齿轮1602和1603与驱动马达1601的旋转同步地旋转。与此一起，液体排出头1510可以连同盒1620沿着导引物1619在由箭头a或b指示的方向上移动。
介质p在盒移动方向上被压纸板1605按压，并且被固定到滚筒(platen)1606。液体排出装置1600使液体排出头1510往复运动，并且对由运送单元(未示出)在滚筒1606上运送的介质p执行液体排出(在该示例中为打印)。
液体排出装置1600经由光电耦合器1607和1608来确认盒1620上提供的杆1609的位置，并且切换驱动马达1601的旋转方向。支撑部件1610支撑用于覆盖液体排出头1510的喷嘴(液体孔口或简称为孔口)的盖部件1611。抽吸单元1612通过经由盖内开口1613抽吸盖部件1611的内部来执行液体排出头1510的恢复处理。杆1617被提供以用于通过抽吸开始恢复处理，并且与与盒1620啮合的凸轮1618的移动一起移动。来自驱动马达1601的驱动力由众所周知的传送机构(诸如离合器开关)控制。
主体支撑板1616支撑移动部件1615和清洁刮板1614。移动部件1615移动清洁刮板1614，并且通过擦拭来执行液体排出头1510的恢复处理。控制单元(未示出)也被提供在液体排出装置1600中，并且控制上述每个机构的驱动。
图9b例示了液体排出头1510的外观。液体排出头1510可以包括头单元1511和箱体(液体容纳单元)1512，该头单元1511包括多个喷嘴1500，该箱体1512保存要被供给到头单元1511的液体。箱体1512和头单元1511可以在例如虚线k处被分离，并且箱体1512可以被更换。液体排出头1510包括用于从盒1620接收电信号的电触点(未示出)，并且根据电信号来排出液体。箱体1512包括例如纤维状的或多孔状的液体保存部件(未示出)，并且可以通过液体保存部件保存液体。
图9c例示了液体排出头1510的内部布置。液体排出头1510包括基底1508、通道壁部件1501和顶板1502，该通道壁部件1501布置在基底1508上并且形成通道1505，该顶板1502具有液体供给路径1503。作为排出元件或液体排出元件，加热器1506(电热换能器)与各喷嘴1500相对应地排列在液体排出头1510的基板(液体排出头基板)上。当与每个加热器1506相对应地提供的驱动元件(开关元件，诸如晶体管)被开启时，加热器1506被驱动以产生热。
来自液体供给路径1503的液体被存储在共用液体室1504中，并且通过对应的通道1505被供给到每个喷嘴1500。供给到每个喷嘴1500的液体响应于与该喷嘴1500对应的加热器1506的驱动而从喷嘴1500排出。
图9d例示了液体排出装置1600的系统布置。液体排出装置1600包括接口1700、mpu1701、rom1702、ram1703和门阵列(g.a.)1704。接口1700从外面接收用于执行液体排出的外部信号。rom1702存储要被mpu1710执行的控制程序。ram1703保存各种信号和数据，诸如上述液体排出外部信号和供给到液体排出头1708的数据。门阵列1704执行对液体排出头1708的数据的供给控制，并且控制接口1700、mpu1701和ram1703之间的数据传送。
液体排出装置1600进一步包括头驱动器1705、马达驱动器1706和1707、运送马达1709以及载体马达1710。载体马达1710运送液体排出头1708。运送马达1709运送介质p。头驱动器1705驱动液体排出头1708。马达驱动器1706和1707分别驱动运送马达1709和载体马达1710。
当驱动信号被输入到接口1700时，它可以在门阵列1704和mpu1701之间被转换为液体排出数据。每个机构根据该数据来执行期望的操作，由此驱动液体排出头1708。
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