专利名称：用于复位显示时寻址驱动模式的等离子体显示屏的方法
技术领域：
本发明涉及一种用于复位等离子体显示屏的方法，更具体而言，涉及一种用于当表面放电类型三极真空管等离子体显示屏由显示时寻址(Address-While-Display)驱动方法驱动时，复位每个XY-电极线对放电单元状态的方法。
相关技术描述
图1示出一种表面放电类型三极真空管等离子体显示屏的结构。图2示出了图1所示等离子体显示屏放电单元的实例。参考图1和2，在通用表面放电等离子体显示屏1的前后玻璃衬底10和13之间提供地址电极线A1、A2、...、Am-1、Am，绝缘层11和15，Y-电极线Y1、...、Yn，X-电极线X1、...、Xn，荧光层16，隔断墙17及作为保护层的氧化镁(MgO)层12。
地址电极线A1到Am以预定模式在后玻璃衬底13的前表面上形成。后绝缘层15在具有地址电极线A1到Am的后玻璃衬底13的整个表面上形成。隔断墙17在后绝缘层15的前表面上形成，与地址电极线A1到Am平行。这些隔断墙17定义了各个放电单元的放电区域并且用来防止放电单元之间的交叉干扰。荧光层16位于隔断墙17之间。
X-电极线X1到Xn及Y-电极线Y1到Yn以预定模式在前玻璃衬底10的后表面上形成，与地址电极线A1到Am正交。各交叉点定义了放电单元。每一根X-电极线X1到Xn都包括由透明导体材料，如氧化铟锡(ITO)形成的透明电极线Xna(图2)，及用于提高导电性的金属电极线Xnb(图2)。每一根Y-电极线Y1到Yn都包括由透明导体材料如ITO形成的透明电极线Yna(图2)，及用于提高导电性的金属电极线Ynb(图2)。前绝缘层11位于后表面具有X-电极线X1到Xn和Y-电极线Y1到Yn的前玻璃衬底10的整个后表面上。用于保护屏1防止强电场的保护层12，例如MgO层，位于前绝缘层11的整个表面上。用于形成等离子体的气体密封在放电空间14中。
图3示出了关于图1所示等离子体显示屏的Y-电极线的一种典型的寻址-显示分离驱动方法。参考图3，为了实现时分灰度级显示，一个单位帧分成了8个子域SF1到SF8。此外，各子域SF1到SF8都分别包括寻址周期A1到A8及显示周期S1到S8。
在每个寻址周期A1到A8中，一个显示数据信号施加到图1的地址电极线A1到Am，同时，一个扫描脉冲顺序施加到Y-电极线Y1到Yn。如果在施加扫描信号的时候一个高电平显示数据信号施加到地址电极线A1到Am中的一些，则只在相关的放电单元中从寻址放电感应出墙电荷。
在每个显示周期S1到S8中，一个显示放电脉冲交替施加到Y-电极线Y1到Yn和X-电极线X1到Xn，从而引起放电单元中的显示放电，其中在每个寻址周期A1到A8中感应出墙电荷。因此，等离子体显示屏的亮度同一个单位帧中显示周期S1到S8的总长度成正比。一个单位帧中显示周期S1到S8的总长度是255T(T是单位时间)。因此，包括该单位帧未显示的情况，可以显示256个灰度级。
这里，第一子域SF1的显示周期S1设置为与20对应的时间1T。第二子域SF2的显示周期S2设置为与21对应的时间2T。第三子域SF3的显示周期S3设置为与22对应的时间4T。第四子域SF4的显示周期S4设置为与23对应的时间8T。第五子域SF5的显示周期S5设置为与24对应的时间16T。第六子域SF6的显示周期S6设置为与25对应的时间32T。第七子域SF7的显示周期S7设置为与26对应的时间64T。第八子域SF8的显示周期S8设置为与27对应的时间128T。
因此，如果一个要显示的子域适当地选自这8个子域，包括在任何子域都不执行显示的灰度级0的总共256个灰度级可以显示。
根据以上描述的寻址-显示分离显示方法，各子域SF1到SF8的时间域被分离，从而子域SF1到SF8的各寻址周期的时间域被分离，及子域SF1到SF8的各显示周期的时间域被分离。因此，在一个寻址周期中，一个XY-电极线对在被寻址之后保持等待，直到其它所有的XY-电极线队都被寻址。所以，在每个子域中，寻址周期增加，而显示周期减少。因此，从等离子体显示屏发射出的光的亮度降低。一种推荐的用于克服这个问题的方法是如图4所示的显示时寻址驱动方法。
关于图1所示等离子体显示屏的Y-电极，图4示出了一种典型的显示时寻址驱动方法。参考图4，为了实现时分灰度级显示，一个单位帧分成了8个子域SF1到SF8。这里，子域SF1到SF8关于Y-电极线Y1到Yn部分重叠并构成一个单位帧。由于所有子域SF1到SF8在任何时间点都存在，所以为了执行每个寻址步骤，寻址时隙在显示放电脉冲中间设置。
在每个子域SF1到SF8中，执行复位步骤、寻址步骤和显示放电步骤。分配给每个子域SF1到SF8的时间依赖于一个灰度级对应的显示放电时间。例如，当利用8位视频数据以帧为单位显示256个灰度级时，如果一个单位帧(通常是1/60秒)包括256个单位时间，则根据最低有效位视频数据来驱动的第一子域SF1有1(20)单位时间，第二子域SF2有2(21)单位时间，第三子域SF3有4(22)单位时间，第四子域SF4有8(23)单位时间，第五子域SF5有16(24)单位时间，第六子域SF6有32(25)单位时间，第七子域SF7有64(26)单位时间，而根据最高有效位视频数据来驱动的第八子域SF8有128(27)单位时间。由于分配给子域SF1到SF8的单位时间总和为255，所以255灰度级显示可以实现。如果将一个在任何子域都没有显示放电的灰度级包含在内，则256灰度级显示可以实现。
图5示出了一种用于图1所示等离子体显示屏的典型的驱动装置。参考图5，该用于等离子体显示屏1的典型的驱动装置包括视频处理器66、逻辑控制器62、寻址驱动器63、X-驱动器64和Y-驱动器65。视频处理器66将外部模拟视频信号转换成数字信号以便产生一个内部视频信号，包括例如8位红色(R)视频数据、8位绿色(G)视频数据、8位蓝色(B)视频数据、时钟信号、水平同步信号及垂直同步信号。响应来自视频处理器66的内部视频信号，逻辑控制器62产生驱动控制信号SA、SY和SX。寻址驱动器63处理从逻辑控制器62输出的驱动控制信号SA、SY和SX中的寻址信号SA以便产生一个显示数据信号并将该显示数据信号施加到地址电极线。X-驱动器处理从逻辑控制器62输出的驱动控制信号SA、SY和SX中的X-驱动控制信号SX并将该处理结果施加到X-电极线。Y-驱动器处理从逻辑控制器62输出的驱动控制信号SA、SY和SX中的Y-驱动控制信号SY并将该处理结果施加到Y-电极线。
当将如图4所示的显示时寻址驱动方法应用到上述等离子体显示屏的驱动时，从等离子体显示屏发射出的光的亮度可以增加，但是当显示脉冲周期性施加的时候，将不容易执行复位，显示脉冲周期性施加引起复位性能的下降。
例如，在根据传统的显示时寻址驱动方法的复位过程中，一个简单的擦除放电发生，其中墙电荷只从在前一个子域发生显示放电的单元中被擦除。因此，当空间电荷在在前一个子域发生显示放电的单元中增加时，空间电荷在前一个子域没有发生显示放电的单元中减少。在这种情况下，当在前一个子域发生显示放电的单元可以由相对低的寻址电压选择时，在前一个子域没有发生显示放电的单元可以由相对高的寻址电压选择。因此，寻址电压和显示电压必须增加，这可能严重地影响等离子体显示装置的可靠性和寿命。此外，在前一个子域发生显示放电的单元和在前一个子域没有发生显示放电的单元中的显示亮度是不一致的，从而降低了显示性能。
发明概述为了解决上述问题，本发明的一个目的是提供一种能够在利用显示时寻址驱动方法驱动表面放电类型三极真空管等离子体显示屏中显示高性能的复位方法，从而提高显示性能，而且可以降低寻址电压和显示电压，从而提高等离子体显示装置的可靠性和寿命。
为了达到本发明的以上目的，提供了一种用于当一级正电压和一级负电压交替施加到表面放电类型三极真空管等离子体显示屏的所有X-和Y-电极线时，统一每个XY-电极线对放电单元状态的复位方法。该复位方法包括线放电步骤、擦除步骤和迭代步骤。
线放电步骤在一部分第一脉宽周期中执行，其中由于对应于第一XY-电极线对的第二子域在对应于第一XY-电极线对的第一子域结束后启动，所以一级负电压施加到所有X-电极线，同时，一级正电压施加到所有Y-电极线。在线放电步骤中，高于一级的二级负电压施加到第一XY-电极线对的一根X-电极线，同时，高于一级的三级正电压施加到第一XY-电极线对的一根Y-电极线，从而引起对应于第一XY-电极线对的所有放电单元放电。在擦除步骤中，墙电荷从所有对应于第一XY-电极线对的放电单元中被擦除。在迭代步骤中，线放电步骤和擦除步骤在剩余的XY-电极线对上重复。
根据本发明的复位方法，在线放电步骤中，由于高于一级的二级负电压和高于一级的三级正电压的施加，所以在所有对应于第一XY-电极线对的放电单元中引起放电，从而令人满意地形成墙电荷和空间电荷。在下一个擦除步骤中，墙电荷从所有对应于第一XY-电极线对的放电单元中统一被擦除，但空间电荷仍令人满意地保持着。此外，由于执行迭代步骤，当一级正电压和一级负电压交替施加到所有X-和Y-电极线时，线放电步骤和擦除步骤可以在剩余的每个XY-电极线对上执行。如上所述，由于适合于显示时寻址驱动方法的有效复位被执行，所以显示性能提高。此外，寻址电压和显示电压设置为低，从而提高了等离子体显示装置的可靠性和寿命。
附图简述通过参考附图来详细描述其优选实施例，本发明的以上目的和优点将变得更加显而易见。
图1是一种典型的表面放电类型三极真空管等离子体显示屏内部结构的透视图。
图2是在图1所示等离子体显示屏中一种放电单元实例的截面图。
图3是关于图1所示等离子体显示屏的Y-电极线的一种典型的寻址-显示分离驱动方法的时序图。
图4是关于图1所示等离子体显示屏的Y-电极线的一种典型的显示时寻址驱动方法的时序图。
图5是一种用于图1所示等离子体显示屏的典型驱动装置的方框图。
图6是用于根据本发明第一种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法的时序图。
图7是可以执行图6复位方法的X-和Y-驱动器的电路图。
图8是用于根据本发明第二种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法的时序图。
图9是可以执行图8复位方法的X-和Y-驱动器的电路图。
图10是用于根据本发明第三种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法的时序图。
图11是可以执行图10复位方法的X-和Y-驱动器的电路图。
图12是用于根据本发明第四种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法的时序图。
图13是可以执行图12复位方法的X-和Y-驱动器的电路图。
图14是当使用根据本发明的复位方法时，施加到放电单元的显示电压对施加到它的寻址电压的曲线图。
图15是当使用传统的简单复位方法时，施加到放电单元的显示电压对施加到它的寻址电压的曲线图。
发明详述图6示出了用于根据本发明第一种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法。在图6中，参考特征SX1表示施加到执行单位帧FR1中初始复位和寻址的XY-电极线对的X-电极线的驱动信号，而参考特征SY1表示施加到该执行单位帧FR1中初始复位和寻址的XY-电极线对的Y-电极线的驱动信号。参考特征SX2表示施加到执行单位帧FR1中第二次复位和寻址的XY-电极线对的X-电极线的驱动信号，而参考特征SY2表示施加到该执行单位帧FR1中第二次复位和寻址的XY-电极线对的Y-电极线的驱动信号。参考特征SXn表示施加到执行单位帧FR1中最后一次复位和寻址的XY-电极线对的X-电极线的驱动信号，而参考特征SYn表示施加到该执行单位帧FR1中最后一次复位和寻址的XY-电极线对的Y-电极线的驱动信号。参考特征SA1...m表示从图5的寻址驱动器63施加到所有地址电极线的显示数据信号。
图7示出了可以执行图6复位方法的X-和Y-驱动器。在图7中，等离子体显示屏1左边的电路对应于图5的Y-驱动器65，而等离子体显示屏1右边的电路对应于图5的X-驱动器64。
参考图7，Y-驱动器(图5的65)包括高通晶体管YU1到YUn，低通晶体管YL1到YLn，Y-能量再生电路ERY，Y-显示放电电路SPY及Y-复位/寻址电路RA。高通晶体管YU1到YUn和低通晶体管YL1到YLn连接到Y-电极线Y1到Yn。Y-能量再生电路ERY收集在显示放电脉冲下降期间Y-电极线Y1到Yn周围的电荷，同时还有从Y-显示放电电路SPY施加到Y-电极线Y1到Yn的电荷，并在显示放电脉冲上升期间将该收集到的电荷施加到Y-电极线Y1到Yn。Y-显示放电电路SPY将一级正电压Vpb和一级负电压Vs1交替施加到Y-电极线Y1到Yn。Y-能量再生电路ERY和Y-显示放电电路SPY一般通过高通晶体管YU1到YUn应用到所有Y-电极线Y1到Yn。Y-复位/寻址电路RA输出用于根据本发明的复位的电压Vre和Vel及用于每根Y-电极线在复位时间和寻址时间中寻址的电压Vsc。因此，该Y-复位/寻址电路RA通过每个低通晶体管YL1到YLn独立地应用到每根Y-电极线Y1到Yn。
类似地，X-驱动器(图5的64)包括高通晶体管XU1到XUn，低通晶体管XL1到XLn，X-能量再生电路ERX，X-显示放电电路SPX及X-复位电路RE。高通晶体管XU1到XYUn和低通晶体管XL1到XLn连接到X-电极线X1到Xn。X-能量再生电路ERX收集在显示放电脉冲下降期间X-电极线X1到Xn周围的电荷，同时还有从X-显示放电电路SPX施加到X-电极线X1到Xn的电荷，并在显示放电脉冲上升期间将该收集到的电荷施加到X-电极线X1到Xn。X-显示放电电路SPX将一级正电压Vpb和一级负电压Vs1交替施加到X-电极线X1到Xn。X-能量再生电路ERX和X-显示放电电路SPX一般通过高通晶体管XU1到XUn应用到所有X-电极线X1到Xn。X-复位电路RE输出用于每根X-电极线在根据本发明复位的复位时间的电压Veh和Vsc。因此，该X-复位电路RE通过每个低通晶体管XL1到XLn独立地应用到每根X-电极线X1到Xn。
一种根据本发明的用于显示时寻址驱动方法的复位方法将参考图6和7进行详细描述。
如图6所示，在用于等离子体显示屏的显示时寻址驱动方法中，当一级正负电压Vpb和Vs1交替施加到所有X-和Y-电极线X1到Xn和Y1到Yn时，复位和寻址在XY-电极线对X1Y1、X2Y2、...XnYn上执行。
一种根据本发明的复位方法包括线放电步骤ta-t1、擦除步骤tb-tc和迭代步骤。由于对应于第一XY-电极线对的第二子域在对应于第一XY-电极线对的在单位帧FR1中执行初始复位和寻址的第一子域结束后启动，在第一脉宽周期t0-t1中，一级负电压Vsl施加到所有X-电极线X1到Xn，同时，一级正电压Vpb施加到所有Y-电极线Y1到Yn。在第一脉宽周期t0-t1中的线放电步骤ta-t1中，第一XY-电极线对(例如，X1Y1)的高通晶体管(例如，XU1和YU1)切断，而其低通晶体管(例如，XL1和YL1)开启，X-复位电路RE的晶体管ST13开启，且Y-复位/寻址电路RA的晶体管ST5开启。因此，高于一级的二级负电压Vsc施加到第一XY-电极线对X1Y1的X-电极线X1，同时，高于一级的三级正电压Vre施加到第一XY-电极线对X1Y1的Y-电极线Y1。因此，在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中引起放电，从而，统一形成墙电荷并令人满意地形成空间电荷。
在紧随第一脉宽周期t0-t1之后的第二脉宽周期t1-t2中，其中线放电步骤ta-t1执行，第一XY-电极线对X1Y1的高通晶体管XU1和YU1开启，其低通晶体管XL1和YL1切断，X-显示放电电路SPX的晶体管ST10开启，且Y-显示放电电路SPY的晶体管ST4开启。因此，一级正电压Vpb施加到所有X-电极线X1到Xn，同时，一级负电压Vsl施加到所有Y-电极线Y1到Yn，因此，在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中，墙电荷统一形成且空间电荷令人满意地形成。
在紧随第二脉宽周期t1-t2之后的第三脉宽周期t2-t3中，在预定时间tb-tc执行的擦除步骤中，第一XY-电极线对X1Y1的高通晶体管XU1和YU1切断，其低通晶体管XL1和YL1开启，X-复位电路RE的晶体管ST12开启，且Y-复位/寻址电路RA的晶体管ST7开启。因此，低于一级的四级正电压Veh施加到第一XY-电极线对X1Y1的X-电极线X1，同时，低于一级的五级负电压Vel施加到第一XY-电极线对X1Y1的Y-电极线Y1。因此，墙电荷从对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中擦除。但是，空间电荷在放电单元中令人满意地保持着。
这样的线放电步骤和擦除步骤在剩余的每个XY-电极线对(见图6的驱动信号SX2和SY2)上顺序执行。
根据所述参考图6和7的本发明的复位方法，在线放电步骤ta-t1中，在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中引起放电，因此墙电荷统一形成且空间电荷令人满意地形成。此外，由于第二脉宽周期t1-t2之后有第三脉宽周期t2-t3紧随，在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中引起二次放电，因此墙电荷更加统一地形成且空间电荷更加令人满意地形成。在下一个擦除步骤中，墙电荷从对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中统一擦除，但空间电荷仍然令人满意地保持着。此外，由于迭代步骤被执行，当一级正电压Vpb和一级负电压Vsl交替施加到所有X-和Y-电极线X1到Xn和Y1到Yn时，线放电步骤和擦除步骤可以在剩余的每个XY-电极线对上执行。如上所述，用于显示时寻址驱动方法的有效、适当的复位提高了显示性能。此外，寻址电压和显示电压设置为低，从而提高等离子体显示装置的可靠性和寿命。
在图6中，在根据本发明的复位之后，持续时间td-te、th-ti和ty-tz是用于寻址的，其间墙电荷在选定的放电单元中形成。
图8示出了用于根据本发明第二种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法。图9示出了可以执行图8复位方法的X-和Y-驱动器(图5的64和65)。在图6到9中，相同的参考特征表示具有同样功能的同样元件。在图8和9中示出的第二种实施例与在图6和7中示出的第一种实施例几乎是相同的，只在擦除步骤有区别。这样，对于在图8和9中示出的第二种实施例的描述将集中在擦除步骤。
在擦除时间tb-tc的前半段tb-tbc中，第一XY-电极线对(例如，X1Y1)的高通晶体管(例如，XU1和YU1)切断，而其低通晶体管(例如，XL1和YL1)开启，X-复位电路RE的晶体管ST12开启，Y-复位/寻址电路RA的晶体管ST7开启，而低于一级的六级正电压Va施加到图1的所有地址电极线A1到Am。换句话说，在擦除时间tb-tc的前半段tb-tbc中，低于一级的五级负电压Vel施加到第一XY-电极线对X1Y1的Y-电极线Y1，同时，低于一级的六级正电压Va施加到所有地址电极线A1到Am。因此，相反的放电发生在第一XY-电极线对X1Y1的Y-电极线Y1和所有地址电极线A1到Am中，从而擦除已经在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中形成的墙电荷。这样的擦除操作在每个(例如，擦除时间tf-tg)后续的擦除时间中重复。
图10示出了用于根据本发明第三种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法。图11示出了可以执行图10复位方法的X-和Y-驱动器(图5的64和65)。在图6、7、10和11中，相同的参考特征表示具有同样功能的同样元件。在图10和11中示出的第三种实施例与在图6和7中示出的第一种实施例几乎是相同的，只在擦除步骤有区别。这样，对于在图10和11中示出的第三种实施例的描述将集中在擦除步骤。
在第三种实施例中，擦除在整个单位脉宽周期t2-t3中执行。在时间t2-t3中，第一XY-电极线对(例如，X1Y1)的Y-电极线Y1的高通晶体管的YU1切断，该Y-电极线Y1的低通晶体管YL1开启，且Y-复位/寻址电路RA的晶体管ST15开启。因此，根据连接到晶体管ST15源极的电阻设备R的电阻值，施加到第一XY-电极线对X1Y1的Y-电极线Y1的电压从一级负电压Vsl或地电压GND到一级正电压Vpb逐渐增加。所以，已经在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中形成的墙电荷被擦除。这里，如果高于一级的三级正电压Vre施加到Y-复位/寻址电路RA的晶体管ST15的漏极，则根据连接到晶体管ST15源极的电阻设备R的电阻值，施加到第一XY-电极线对X1Y1的Y-电极线Y1的电压从一级负电压Vsl或地电压GND到三级正电压Vre逐渐增加，从而擦除已经在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中形成的墙电荷。
图12示出了用于根据本发明第四种实施例的显示时寻址驱动方法的复位方法。图13示出了可以执行图12复位方法的X-和Y-驱动器(图5的64和65)。在图6、7、12和13中，相同的参考特征表示具有同样功能的同样元件。在图12和13中示出的第四种实施例与在图6和7中示出的第一种实施例几乎是相同的，只在擦除步骤有区别。这样，对于在图12和13中示出的第四种实施例的描述将集中在擦除步骤。
在第四种实施例中，擦除在整个单位脉宽周期t2-t3中执行。在时间t2-t3中，第一XY-电极线对(例如，X1Y1)的X-电极线X1的高通晶体管XU1切断，该X-电极线X1的低通晶体管XL1开启，且X-复位电路RE的晶体管ST16开启。因此，根据连接到晶体管ST16漏极的电阻设备R的电阻值，施加到第一XY-电极线对X1Y1的X-电极线X1的电压从一级正电压Vpb或地电压GND到一级负电压Vsl逐渐降低。所以，已经在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中形成的墙电荷被擦除。这里，如果高于一级的二级负电压Vsc施加到X-复位电路RE的晶体管ST16的源极，则根据连接到晶体管ST16漏极的电阻设备R的电阻值，施加到第一XY-电极线对X1Y1的X-电极线X1的电压从一级正电压Vpb或地电压GND到二级负电压Vsc逐渐降低，从而擦除已经在对应于第一XY-电极线对X1Y1的所有放电单元中形成的墙电荷。
图14示出了当使用根据本发明的复位方法时，施加到放电单元的显示电压对施加到它的寻址电压。图15示出了当使用传统的简单复位方法时，施加到放电单元的显示电压对施加到它的寻址电压。在图14和15中，参考特征Va表示施加在一个放电单元寻址电极和该放电单元Y-电极之间的寻址电压或者施加在一个放电单元寻址电极和该放电单元X-电极之间的寻址电压。Vs表示施加到该放电单元X-电极和Y-电极之间的显示电压。Vaymax表示当Y-电极用作扫描电极时，关于每个显示电压Vs的最大寻址电压。Vaxmax表示当X-电极用作扫描电极时，关于每个显示电压Vs的最大寻址电压。Vaymin表示当Y-电极用作扫描电极时，关于每个显示电压Vs的最小寻址电压。Vaxmin表示当X-电极用作扫描电极时，关于每个显示电压Vs的最小寻址电压。Cpx表示根据本发明在最大寻址电压Vaymax和Vaxmax之间叠加特征的曲线图。Cpn表示根据本发明在最小寻址电压Vaymin和Vaxmin之间叠加特征的曲线图。Cox表示根据传统技术在最大寻址电压Vaymax和Vaxmax之间叠加特征的曲线图。Cony表示当Y-电极用作扫描电极时，根据传统技术最小寻址电压Vaymin的特征曲线图。Conx表示当X-电极用作扫描电极时，根据传统技术最小寻址电压Vaxmin的特征曲线图。参考图14和15，根据本发明的最小寻址电压Vaymin和Vaxmin小于根据传统技术的这些值，因此寻址电压Va的余量增加。特别地，在本发明中，即使显示电压Vs降低，最小寻址电压Vaymin和Vaxmin也不增加。这里，寻址电压Va的余量表示最大寻址电压和最小寻址电压之间的差值。
如上所述，根据本发明的复位方法，在线放电步骤中在对应于第一XY-电极线对的所有放电单元中引起放电，因此墙电荷和空间电荷可以令人满意地形成。因此，如果擦除步骤执行，墙电荷将从对应于第一XY-电极线对的所有放电单元中统一被擦除，而空间电荷令人满意地在放电单元中保持着。此外，迭代步骤使得当正电压和负电压交替施加到所有X-和Y-电极线时，线放电步骤和擦除步骤在每个XY-电极线对上都能够进行。这样适合于显示时寻址驱动方法的有效复位提高了显示性能。此外，低寻址电压和低显示电压提高了等离子体显示屏设备的可靠性和寿命。
本发明不限于上述实施例。对于本领域的技术人员，应当理解在不背离由附加权利要求定义的本发明主旨和范围的前提下可以对其进行各种形式和细节上的变化。
权利要求
1.一种用来当一级正电压和一级负电压交替施加到表面放电类型等离子体显示屏的所有X-电极线和所有Y-电极线时复位的方法，以标准化每个XY-电极线对放电单元，包括步骤(a)同时将二级负电压施加到第一XY-电极线对的X-电极线，将三级正电压施加到第一XY-电极线对的Y-电极线，以便在脉冲周期中在对应于第一XY-电极线对的所有放电单元中引起放电；(b)在对应于第一XY-电极线对的第一子域结束之后，同时将一级正电压施加到所有Y-电极线；(c)擦除对应于第一XY-电极线对的所有放电单元中的墙电荷；及(d)在其余XY-电极线对上重复步骤(a)、(b)和(c)，其中二级和三级都高于一级。
2.权利要求1的方法，其中在第一脉冲周期之后的第二脉冲周期中，一级正电压和一级负电压同时分别施加到第一XY-电极线对的X-电极线和该XY-电极线对的Y-电极线，在第二脉冲周期之后的第三脉冲周期中，一级负电压和一级正电压同时分别施加到第一XY-电极线对的X-电极线和第一XY-电极线对的Y-电极线，以便引起对应于第一XY-电极线对的所有放电单元中的二次放电，及步骤(c)在第三脉冲周期中执行。
3.权利要求2的方法，其中擦除只在第三脉冲周期的一部分中执行。
4.权利要求3的方法，其中在步骤(c)中，四级正电压和五级负电压同时分别施加到第一XY-电极线对的X-电极线和第一XY-电极线对的Y-电极线；从而擦除对应于第一XY-电极线对的所有放电单元中的墙电荷，其中四级和五级都低于一级。
5.权利要求3的方法，其中在步骤(c)中，五级负电压和六级正电压同时分别施加到第一XY-电极线对的Y-电极线和所有地址电极线，从而擦除对应于第一XY-电极线对的所有放电单元中的墙电荷，其中五级和六级都低于一级。
6.权利要求2的方法，其中步骤(c)在整个第三脉宽周期上执行。
7.权利要求6的方法，其中在步骤(c)中，施加到第一XY-电极线对的Y-电极线的电压从一级负电压和地电压中的一个到一级正电压和三级正电压中的一个逐渐增加。
8.权利要求6的方法，其中在步骤(c)中，施加到第一XY-电极线对的X-电极线的电压从一级正电压和地电压中的一个到一级负电压和二级负电压中的一个逐渐降低。
全文摘要
一种复位方法，包括线放电步骤、擦除步骤和迭代步骤。线放电步骤在一部分第一脉宽周期中执行。其中，由于对应于第一XY－电极线对的第二子域在对应于第一XY－电极线对的第一子域结束后启动，所以一个一级负电压施加到所有X－电极线，同时，一个一级正电压施加到所有Y－电极线。在线放电步骤中，高于一级的二级负电压施加到第一XY－电极线对的一根X－电极线，同时，高于一级的三级正电压施加到第一XY－电极线对的一根Y－电极线，从而在对应于第一XY－电极线对的所有放电单元中引起放电。在擦除步骤中，墙电荷从对应于第一XY－电极线对的所有放电单元中被擦除。在迭代步骤中，线放电步骤和擦除步骤在第一XY－电极线对之外的所有XY－电极线对上重复执行。
文档编号G09G3/20GK1409286SQ021434
公开日2003年4月9日 申请日期2002年9月26日 优先权日2001年9月26日
发明者李周烈, 姜京湖, 金熙焕 申请人:三星Sdi株式会社