专利名称：D/a转换器电路，有机电致发光驱动电路和有机电致发光显示设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及D/A转换器电路、有机电致发光(EL)驱动电路和有机EL显示设备，具体地讲，本发明涉及一种高精度D/A转换器电路，其使用电流镜像电路，并能够被低电压驱动，并且在多个D/A转换器电路以IC形式形成时，能够限制D/A转换器电路所占的面积。此外，本发明涉及一种有机EL驱动电路，用于通过与显示数据相对应的驱动电流来驱动列线(有机EL元件的阳极侧驱动线)或数据线，同时限制显示设备的亮度变化和单个显示设备的亮度变化，并易于执行伽马校正，其中显示数据由D/A转换器电路产生，并输出到有机EL板的端子插脚。
背景技术：
已经提出了一种安装在便携式电话机、PHS、DVD播放器或PDA(数字便携式终端设备)的有机EL显示设备的有机EL显示板，该有机EL显示板具有396(132×3)个列线端子插脚和162个行线端子插脚，列线端子插脚的数量和行线端子插脚的数量趋于进一步增长。
在本申请的申请人申请的JP2003-234655A(专利文献1)中公开了这种有机EL显示板的电流驱动电路的示例，其中为每一个列插脚设置D/A转换器电路。在该示例中，与列插脚相对应而设置的D/A转换器电路根据参考驱动电流通过对显示数据进行D/A转换来在列方向上产生驱动电流，或根据其产生驱动电流的电流。
专利文献1JP2003-234655A
为减小功耗，例如，除最末输出级电源之外，D/A转换器电路的输出级电源的电源电压低至大约DC 3V，而最末输出级电源的电压是DC 15V到20V。与列插脚(或驱动器IC的输出端子)之一相对应而设置的D/A转换器电路产生电流，基于该电流，由分配给列插脚(或驱动器IC的输出端子)的参考驱动电流产生有机EL元件(下文称为“OEL元件”)的驱动电流，以驱动输出级电流源。由此限制了整个电流驱动电路的功耗。
但是，因为与端子插脚相对应地设置形成为IC的D/A转换器电路，为限制IC所占的面积，目前将D/A转换器电路限于4到6位。
发明内容
本发明要解决的问题当利用4到6位的D/A转换器驱动输出级电流源来电流驱动每个OEL元件时，存在的问题在于D/A转换器电路的电流转换精度不高，与列插脚或输出端子相对应的驱动电流会发生变化。因此，显示设备的亮度可能发生变化，或是单个显示器件的亮度可能发生变化。
另外，如同阴极射线管的情况那样，有机EL显示板的OEL元件的亮度与对应于显示数据而产生的驱动电流不是线性关系，并且表现出取决于R、G和B的元件材料的特性曲线。因此，当改变环境条件时，会改变OEL元件的图像质量，当有机EL显示板的分辨率变得较高时，图像质量的改变变得较明显。因此，需要伽马(γ)校正。
在执行伽马校正时，通常用软件校正要设定在D/A转换器电路中的显示数据。但是，4到6位的D/A转换器电路使得无法进行伽马校正。为解决这个问题，为每一个插脚提供伽马校正电路。在这种解决方法中，出现了电流驱动电路所占的面积增大的新问题。
本发明旨在解决现有技术中的问题，本发明的目的是提供能够用低电压驱动，并在形成为IC时能够限制所占的面积的D/A转换器电路。
本发明的另一目的是提供一种能够限制亮度的变化或不均匀，并使伽马校正易于进行的有机EL驱动电路或有机EL显示设备，以及一种使用这种有机EL驱动电路的有机EL显示设备。
解决问题的手段为实现上述目的，一种D/A转换器电路，包括具有与要转换的数据的数位相对应地设置的多个输出侧晶体管的第一电流镜像电路，并通过在至少一个输出侧晶体管中获得与数据的数位权重相对应的电流，来产生模拟电流，该D/A转换器电路包括第二电流镜像电路，连接在与数据的低数位相对应的输出侧晶体管中的至少一个的上游或下游侧，其中，将第二电流镜像电路的输出侧晶体管与其输入侧晶体管的工作电流之比设定为n∶1(其中n是正整数)，通过获得与第二电流镜像电路的输出侧晶体管的数位权重相对应的电流，来产生模拟电流，其中所述数位权重小于1。
本发明的优点在本发明中，通过将第二电流镜像电路与第一电流镜像电路的输出侧晶体管串联在电源线与参考电位线(地线)之间，来获得与权重小于1的数位相对应的模拟电流。因此，在本发明中，可以将产生与最高数位的权重相对应的模拟电流的输出侧晶体管的数位向低数位侧移位。在这种情况下，将与权重为1或更大的权重相对应的、由第一电流镜像电路的输出侧晶体管之一产生的电流值减小与向低数位的移位相对应的值。但是，可以通过增大输入侧晶体管的驱动电流来恢复减小的电流。例如，当将所述数位向另一个数位移动一位时，可以通过使电流镜像电路的输入侧晶体管的驱动电流加倍，来获得另一个数位中的模拟电流。
因为从权重为1的数位开始的高侧数位的权重相对于直接在前的数位以2的幂，即，1，2，4，8，16，...，来增加，所以相对应地增加输出侧晶体管的数量。对于权重小于1的数位，1/2(＝0.5)，1/4(＝0.25)，1/8(＝0.125)，即，1除以2的幂，与第一电流镜像电路串联的第二电流镜像电路产生与除以2的幂而获得的电流相对应的电流就足够了。因此，与权重按2的幂增大的的最大数位的情况相比，第二电流镜像电路的输出侧晶体管的数量变得更小，这样可以减少构成D/A转换器电路的晶体管的数量，从而减小D/A转换器电路所占的IC面积。
此外，根据本发明的另一方面，设置偏置电路，以均衡诸如第二电流镜像电路的输入晶体管和输出晶体管的源极或漏极之类的输出电极的电压。因此，可以高精度地产生各个数位的模拟电流。此外，由于把与权重小于1的数位相对应的第一电流镜像电路的输出侧晶体管的输出侧与第二电流镜像电路串联在电源线与参考电位线(地线)之间，所以第二电流镜像电路的工作电流(流入输入侧晶体管和输出侧晶体管的电流之和)流动。因此，比第二电流镜像电路的输出侧晶体管针对权重小于1的数位的电流大的电流流入了第一电流镜像电路的输出侧晶体管，从而能够限制输出侧晶体管的工作电压。当然，大电流流入与权重大于1的数位相对应的输出侧晶体管。因此，能够以低电压驱动D/A转换器电路。
由此，可以实现能够用低电压驱动的，并在形成为IC时限制D/A转换器电路所占的面积的D/A转换器电路。此外，列线或数据线的电流驱动电路利用D/A转换器电路来产生与显示数据相对应的驱动电流，并将所述驱动电流输出到有机EL显示板的端子插脚，以致这种电流驱动电路能够限制显示设备的亮度或不均匀。此外，通过将D/A转换器电路的位数增大到8位或更多位，可以容易地对各个输出端子的显示数据进行伽马校正，从而实现电流驱动电路，并限制电流驱动电路所占面积的增加。
具体实施例方式
图1示出了应用了根据本发明实施例的D/A转换器电路的有机EL驱动电路的电路方框图，图2是本发明另一实施例的电路方框图，以及图3是有源矩阵型有机EL驱动电路的电路方框图。
在图1中，参考数字10表示作为有机EL显示板的有机EL驱动电路的列驱动器IC(下文称为“列驱动器”)，11表示D/A转换器电路，12表示用于产生参考驱动电流Ip的恒定电压源，13表示恒定电压偏置电路，14表示峰值电流产生器电路，15表示控制电路，以及16表示存储显示数据的寄存器。
D/A转换器电路11包括电流镜像电路，电流镜像电路包括输入侧N沟道MOS晶体管TNa和TNp，以及输出侧N沟道MOS晶体管TNb到TNi。输入侧晶体管TNp与输入侧晶体管TNa并行设置。
输出侧晶体管TNb到TNi的漏极分别与8位显示数据的数字数位相对应，并产生流到漏极的模拟电流的总和。在输出侧晶体管TNb到TNi的源极与地GND之间，分别设置N沟道MOSFET Trb到Tri，作为开关电路。晶体管Trb到Tri的栅极分别与显示数据的输入端子D0到D7相连。就是说，晶体管Trb到Tri用作开关电流，并根据来自寄存器16的显示数据来确定开关电路的导通/截止。根据控制电路15的闩锁脉冲LP，从MPU等，在寄存器16中设定显示数据。
另外，N沟道输入侧晶体管TNa、TNp，TNb到TNi，Trb到Tri的背栅极接地。
输入侧晶体管TNa的源极直接接地，输入侧晶体管TNp的源极通过开关电路SW接地。晶体管TNa、TNp，TNb到TNi的栅极公共连接在一起，晶体管TNa和TNp的栅极和漏极与D/A转换器电路11的输入端子11a相连。晶体管TNa和TNp被连接成二极管，并用作电流镜像电路的输入侧晶体管。
另外，由通过反相器15a从控制电路15提供的控制脉冲CONT控制开关电路SW的导通/截止。
显示数据D0到D3与权重小于1，即，1/8，1/4，1/2，的3个数位相对应，输出侧晶体管TNb到Tni的漏极分别与设置在上游侧的电流镜像电路111、112和113相连。电流镜像电路111、112和113的输出侧晶体管通过输出线114，分别与D/A转换器电路11的输出端子11b相连。
显示数据D3到D7与权重为1或更大的4个数位相对应。与这4个数位相对应的输出侧晶体管TNe到TNi的漏极通过输出线114与输出端子11b相连。
D/A转换器电路11的输出端子11b与输出级电流源1的输入相连，D/A转换器电路11驱动输出级电流源1。输出级电流源1通常包括电流镜像电路。该电流镜像电路的输入侧晶体管由D/A转换器电路11驱动，并且通过有机EL显示板的端子插脚2，向OEL元件3的阳极提供在其输出侧晶体管中产生的电流。该电流驱动OEL元件。另外，OEL元件3的阴极通常通过行侧驱动电路接地。因为行侧驱动电路不与本发明直接相关，所以这里示为接地。
输出侧晶体管TNa，TNp和TNb到TNi旁的符号×1，×2，×4，....是并联的晶体管的单元数量。在×1的情况下，没有并联。输出侧晶体管TNe到TNi产生与显示数据D3到D7的权重相对应的模拟电流。输出侧晶体管TNb到TNd的单元数量分别是×1，从而流过这些晶体管的工作电流相等。
因为在输出侧晶体管TNb到TNd的上游侧设置电流镜像电路111、112和113，所以输出侧晶体管TNb到TNd分别产生具有权重1/8，1/4，1/2的模拟电流。
就是说，与第四数位(D3)相对应的D/A转换器电路11的输出晶体管TNe的权重为1，其中第四数位(D3)与显示数据D0到D7的中心数位相对应。因此，与数位(D0到D2)相对应的输出晶体管TNb到TNd的数位具有1除以依次增加的2的幂而得到的权重，而与数位(D4到D7)相对应的输出晶体管TNb到TNd的数位，具有以2的幂依次增加权重。
另外，当显示数据是8位时，第四数位(D3)与在权重为1的数位除以2时，实质上与中心相对应的数位(对于m位显示数据的情况，当m是偶数时，m/2数位，当m是奇数时，中心数位)相对应。因此，将权重小于1的数位分配给与权重比实质上对应于显示数据中心的数位的权重小的数位D0到D2相对应的输出侧晶体管TNb到TNd。
因此，可以将最高数位的权重128移位与3个数位的权重相对应的量。8位数据的最高数位的权重128通常是最高数位的前一个数位的权重64的两倍。但是，在本实施例中，用由设置在上游侧的电流镜像电路划分的电流之一作为诸如权重小于1的数位D0到D2之类的数位的电流。即，可以通过产生权重小于1的电流来限制设置在上游侧的电流镜像电路的输出侧晶体管的数量增加。
在这种情况下，通过使用上游侧电流镜像电路的输入侧晶体管和输出侧晶体管之间的沟道宽度比(或栅极宽度比)，向在上游侧设置的电流镜像电路的晶体管分配在下游侧设置的电流镜像电路的输出晶体管的电流，可以容易地实现小于1的权重。向D/A转换器电路11的输出端子11b输出分配到上游侧电流镜像电路的输出侧晶体管的、权重小于1的电流。
例如，在当权重小于1的数位的数量只是1时，将最高数位侧移动一个数位的情况下，上游侧电流镜像电路的输入侧晶体管和输出侧晶体管以1∶1划分电流，并从权重小于1的数位向D/A转换器电路的输出端子11b输出一半电流，最高数位的晶体管的单元数量变成64，减小了64。在这种情况下，由本实施例中设置在上游侧的电流镜像电路导致的权重为1/2的晶体管电压电路数量总共增加了4，包括了电流镜像电路中增加的2个晶体管，以及恒定电压偏置电路13中增加的2个晶体管。
在与D0相对应的输出侧晶体管TNb的上游侧设置的电流镜像电路111包括N沟道输入侧晶体管QN1和N沟道输出侧晶体管QN2。晶体管QN1的漏极通过晶体管TN1与电源线+VDD相连，晶体管QN2的漏极通过晶体管TN2和输出线114与输出端子11b相连。晶体管QN1和QN2的源极与输出侧晶体管TNb的漏极相连。
在与D1相对应的输出侧晶体管TNc的上游侧设置的电流镜像电路112包括N沟道输入侧晶体管QN3和N沟道输出侧晶体管QN4。晶体管QN3的漏极通过晶体管TN3与电源线+VDD相连，晶体管QN4的漏极通过晶体管TN4和输出线114与输出端子11b相连。晶体管QN3和QN4的源极与输出侧晶体管TNb的漏极相连。
在与D2相对应的输出侧晶体管TNd的上游侧设置的电流镜像电路113包括N沟道输入侧晶体管QN5和N沟道输出侧晶体管QN6。晶体管QN5的漏极通过晶体管TN5与电源线+VDD相连，晶体管QN6的漏极通过晶体管TN6和输出线114与输出端子11b相连。晶体管QN5和QN6的源极与输出侧晶体管TNb的漏极相连。
另外，晶体管QN1到QN6的栅极与电源线+VDD相连。
恒定电压偏置电路13包括恒定电压电路13a和N沟道晶体管TN1到TN6。
晶体管TN1到TN6的栅极通过电压为Va的恒定电压电路13a与线115相连。因此，与晶体管TN1到TN6的下游侧相连的晶体管QN1到QN6的漏极电压变为Va-Vgs，并且变为大致相等。另外，Vgs是每一个晶体管QN1到QN6的栅源电压，在0.7V的数量级。晶体管QN1到QN6的栅极电压相同。
由此，可以以晶体管单元为单位，使构成电流镜像电路111到113的晶体管的漏-源极电流相等，从而改善电流转换精度。
并联晶体管QN1的晶体管单元的数量与并联晶体管QN2的晶体管单元的数量之比为7∶1。因此，将这些晶体管的沟道宽度(栅极宽度)之比设定为7∶1。由此，从输出线114汇入的电流是流入输出侧晶体管TNb的电流的八分之一。
这些晶体管的沟道宽度之比确定了电流镜像电路111的输入侧晶体管QN1与输出侧晶体管QN2的工作电流之比。
与此类似，并联晶体管QN3的晶体管单元的数量与并联晶体管QN4的晶体管单元的数量之比为3∶1。因此，从输出线114汇入流入下游侧输出晶体管TNc的电流的四分之一。
此外，并联晶体管QN5的晶体管单元的数量与并联晶体管QN6的晶体管单元的数量之比为1∶1。因此，从输出线114汇入流入下游侧输出晶体管TNd的电流的一半。
如上所述，从输出端子11b汇入的电流的权重变为1/8，1/4和1/2，在权重小于1的各个数位中产生这些权重。在这种情况下，流入下游晶体管TNb到TNd的电流是由电流镜像电路111到113分配的电流之和，即，电流镜像电路的总电流，并且等于流入第四数位(D3)的晶体管TNe的电流。因此，可以使晶体管TNb到TNd的漏-源极之间的电压比在直接获得权重小于1的数位的电流的情况下的电压低。此外，因为电压具有与流入晶体管TNa和TNp的驱动电流相对应的值，所以精度较高。
这样，因为流入晶体管TNb到TNe的电流大致相等，所以提高了来自权重小于1的第四数位(D3)的数位中的电流的精度。此外，因为最高数位的并联单元的数量少到16，所以提高了被转换电流的精度。
并联的输入侧晶体管TNa的单元数量与并联晶体管TNp的单元数量之比为1∶9。因此，将这些晶体管的沟道宽度(栅极宽度)之比设定为1∶9。
另外，将输出晶体管中产生的电流值向低数位移位，与之相对应地减小了D/A转换器电路11的大小。但是，可以在移位的低数位中获得移位之前的数位中的模拟电流。恒定电压源12产生输入侧晶体管的驱动电流。
恒定电压源12与例如低至+3V的电源线+VDD相连，并通过输入端子11a，向设置在下游侧的晶体管TNa和TNb提供驱动电流Ip。
恒定电流源12与参考电流分配电路的输出电流源相对应。参考电流分配电路包括电流镜像电路，向电流镜像电路的输入侧晶体管提供参考电流，电流镜像电路的与输出端子插脚相对应地并行设置的多个输出侧晶体管产生参考电流，作为镜像电流。分配的参考电流或通过放大参考电流而获得的参考驱动电流在OEL元件3的初始驱动周期中，产生驱动电流中的峰值电流。与产生峰值电流的电流相对应的电流是驱动电流Ip。从参考电流分配电路中设置的电流镜像电路的输出侧晶体管向各个D/A转换器电路11输出驱动电流Ip。因此，电流源12通常包括单个P沟道MOS晶体管，该P沟道MOS晶体管的源极与电源线+VDD相连，漏极与输入端子11a相连。
如图1所示，晶体管TNp的下游侧的开关电路SW接收由反相器15a反转控制脉冲CONT而获得的信号。控制电路15产生控制脉冲CONT，该脉冲CONT在OEL元件3的初始驱动周期中变为高电平(“H”)达恒定时段。因此，开关电路SW在初始驱动周期中变成截止，在D/A转换器电路11中产生用于产生峰值电流的模拟电流。此后，控制脉冲CONT变为低电平(“L”)，从而反转的信号“H”使开关电路SW导通。因此，驱动电流Ip以Ip/10流到晶体管TNa和TNp，并将OEL元件3的驱动电流从初始驱动周期中的峰值电流减小到稳态电流。
因此，虽然由电流镜像电路的输出侧晶体管TNb到TNd从输出端子11b汇入的电流的权重是1/8，1/4和1/2，但是图1所示的D/A转换器电路11可以使这些工作电流大致等于权重为1的第四数位(D3)的输出晶体管TNe的电流。此外，虽然转换位的数量是8，但是最大权重是×16。所以，可以限制比第四数位(D3)高的数位的输出电流的变化。
图2示出了根据本发明另一实施例的D/A转换器电路110，该D/A转换器电路110包括取代了恒定电压偏置电路13的电压跟随器(缓冲放大器)130。
不是通过电源线+VDD，而是通过电压跟随器130来提供电流镜像电路111、112和113的输入侧晶体管QN1、QN3和QN5的驱动电流。因为取消了晶体管TN1到TN6，所以进一步减少了晶体管的数量。
电压跟随器130包括差分放大器(例如，运算放大器)，差分放大器具有与输出线114相连的(+)输入端子，以及与差分放大器的输出端子相连的(-)输入端子。输出端子通过线115与晶体管QN1、QN3与QN5的漏极相连。
因为本实施例的其它部分与图1所示的那些部分相同，所以省略对其的说明。
在本实施例中，电压跟随器130设定这些输出电压等于输出端子11b的电压，以使晶体管QN1到QN6的漏极电压等于输出端子11b的电压。
由此，电流镜像电路111到113的输入侧晶体管和输出侧晶体管的漏极电压和其栅极电压等于电源线+VDD的电压。因此，这些电流镜像电路的偏置电压相同，从而减小工作电流误差，提高电流转换的精度。
D/A转换器电路110的优点是，当像在无源矩阵型有机EL板中一样，在图1所示的D/A转换器电路的输出端子11a中设置输出级电流源1时，改善了电流转换的精度。
就是说，虽然在驱动以高于电源线+VDD(例如，3V)，例如15到20V的电源电压工作的输出级电流源1时，输出线114的电位根据输出端子11a的输出电流改变几伏特，但是在本实施例中，可以将电压变化限制在从几mV到几十mV的范围内。
在图1所示的实施例中，并联的晶体管QN3的单元数量与晶体管QN4的单元数量之比为3∶1，晶体管QN5的单元数量与晶体管QN6的单元数量之比为1∶1。但是，在本实施例中，晶体管QN3和QN4的工作电流之比是3∶1，其单元数量之比是6∶2，晶体管QN5和QN6的工作电流之比是1∶1，其单元数量之比是4∶4。因此，可以使流入所有晶体管单元电路的工作电流为Ip/8，其中Ip是在产生输入侧晶体管单元电路的峰值电流时的驱动电流值。稳态中的驱动电流是Ip/10。
因此，在本实施例中，可以使输出侧晶体管TNb到TNe的漏极的电位大致相等。由此，可以进一步提高输出侧晶体管TNb到TNe的输出电流(模拟转换电流)的精度。
图3是示出了有源矩阵型有机EL板的具体示例的电路方框图。因为D/A转换器电路110(或D/A转换器11)的输出端子11a是电流汇入输出，所以在图3中取消了输出级电流源1，并将D/A转换器电路的输出端子11a直接连接到端子插脚2。在本实施例中，输出端子11a通过端子插脚2与有源矩阵型有机EL板101的像素电路4的数据线X(X1到Xn)相连，以驱动有机EL板。
电流驱动电路100具有与各个输出端子插脚2相对应地设置的D/A转换器110，并由MPU 6控制。控制电路15在MPU 6的控制下，向写控制电路5发送时序控制信号T1和T2。
如图3所示，在X和Y矩阵布线(数据线X1，…，Xn和扫描线Y1，…，Y2)的每一个交叉点设置像素电路4，像素电路4包括设置在每一个交叉点的N沟道MOS晶体管Tr1，并且晶体管Tr1的栅极与扫描线(Y1)相连，其源极与数据线(X1)相连。像素电路4中设置的P沟道MOS晶体管Tr2驱动OEL元件4a。在晶体管Tr2的源极与栅极之间连接电容器C。晶体管Tr2的源极与例如+7V的电源线+Vcc相连，其漏极与OEL元件4a的阳极相连。OEL元件4a的阴极与行侧扫描电路7的开关电路7a相连，并通过开关电路7a接地。
在像素电路4中，在晶体管Tr1与Tr2之间设置P沟道MOS晶体管Tr3和N沟道MOS晶体管Tr4。晶体管Tr3是电流镜像电路4b的输入侧晶体管，晶体管Tr4是电流镜像电路4b的输出侧晶体管。晶体管Tr1的漏极与这些晶体管相连。晶体管Tr4连接在晶体管Tr3和Tr1的连接点与电流镜像电路4b的公共栅极(晶体管Tr2的栅极)之间。
晶体管Tr1的栅极通过扫描线Y1(写线)与写控制电路5相连，晶体管Tr4的栅极通过扫描线Y2(擦除线)与写控制电路5相连。写控制电路5根据控制信号T1和T2来扫描该扫描线Y1(写线)和扫描线Y2(擦除线)，在这些扫描线变为“H”时，导通晶体管Tr1和Tr4。因此，晶体管Tr2受到预定驱动电流的驱动，并对电容器C充电，从而保持预定驱动电压。由此，将驱动电流值写入电容器C中。在这种情况下，电容器C存储该驱动电流作为电压值。另外，根据来自控制电路15的控制脉冲CONT，峰值电流在初始充电周期中流向电容器C。
由存储在电容器C中的电压来驱动MOS晶体管Tr2。在这种情况下，存储在电容器C中存储的电压变为与写驱动电流相对应的电压值，由与写驱动电流相对应的电流值驱动OEL元件4a。在晶体管Tr2与Tr3的沟道宽度相等时，可以产生与写电流相等的驱动电流。
在所述的每一个实施例中，在电源线与地线(参考电位线)之间，将电流镜像电路111到113设置在构成D/A转换器的电流镜像电路的输出侧晶体管TNb到TNd的上游侧，并与之相连。但是，可以将这些晶体管设置在电流镜像电路的输出侧晶体管TNb到TNd的下游侧。
工业实用性在所述实施例中，虽然D/A转换器电路主要具有N沟道MOS晶体管，但是可以用P沟道MOS晶体管，或N沟道MOS晶体管与P沟道MOS晶体管的组合来构造D/A转换器电路。此外，这些晶体管可以是双极性晶体管。在后一种情况下，双极性晶体管的基极、发射极和集电极分别与MOS晶体管的栅极、源极和漏极相对应，并且发射极面积比与MOS晶体管的沟道宽度(栅极宽度)比相对应。
附图简要说明图1是应用了根据本发明的D/A转换器电路的有机EL显示板的图2是另一个实施例的电路方框图。
图3是有源矩阵型有机EL驱动电路的电路方框图。
参考数字和符号的说明1…输出级电流源2…端子插脚3，4a…OEL元件5…写控制电路6…MPU7…行侧扫描电路10…列驱动器11…D/A转换器电路12…恒定电流源13…恒定电压偏置电路13a…恒定电压电路14…峰值电流产生器电路15…控制电路15a…反相器16…寄存器111到113…电流镜像电路130…电压跟随器TNa到TNi，QN1到QN6，TN2到TN6…N沟道MOS晶体管
权利要求
1.一种D/A转换器电路，包括具有与要转换的数据的数位相对应地设置的多个输出侧晶体管的第一电流镜像电路，并通过在至少一个输出侧晶体管中获得与数据的数位权重相对应的电流，来产生模拟电流，所述D/A转换器电路包括第二电流镜像电路，连接在与所述数据的低数位相对应的所述输出侧晶体管中的至少一个的上游或下游侧，其中，将所述第二电流镜像电路的所述输出侧晶体管与所述第二电流镜像电路的输入侧晶体管的工作电流之比设定为n∶1(其中n是正整数)，通过获得与所述第二电流镜像电路的所述输出侧晶体管上的、权重小于1的数位相对应的电流，来产生模拟电流。
2.根据权利要求1所述的D/A转换器电路，其中将与权重小于1的数位相对应的电流输出到所述D/A转换器电路的、与要转换的数据的低数位中的至少一个相对应的输出端子。
3.根据权利要求2所述的D/A转换器电路，还包括恒定偏置电路，其中所述恒定电压偏置电路将所述第二电流镜像电路的输入侧晶体管和输出侧晶体管的输出电极的电压设定为预定恒定电压。
4.根据权利要求3所述的D/A转换器电路，其中所述恒定电压偏置电路包括恒定电压电路和与所述第二电流镜像电路的所述输入侧晶体管和所述输出侧晶体管分别串联的多个晶体管，所述恒定电压电路通过把与所述输入侧晶体管和所述输出侧晶体管串联的所述多个晶体管的栅极或基极设定为预定恒定电压，来把所述输出电极的电压设定为恒定电压。
5根据权利要求4所述的D/A转换器电路，其中要转换的数据是m位数据，当m是偶数时，用m/2作为权重为1的数位，当m是奇数时，用中心数位作为权重为1的数位，为权重小于1的每个数位设置所述第二电流镜像电路，并与权重小于1的数位相对应地选择n。
6.根据权利要求3所述的D/A转换器电路，其中所述第二电流镜像电路的所述输入侧晶体管和所述输出侧晶体管，以及与所述输入侧晶体管和所述输出侧晶体管串联的所述多个晶体管分别是MOS晶体管，将用所述第二电流镜像电路的所述工作电流除以2的幂而获得的电流值分别分配给所述第二电流镜像电路的所述输出侧晶体管，并输出到输出端子。
7.根据权利要求3所述的D/A转换器电路，其中所述第二电流镜像电路的所述输入侧晶体管和所述输出侧晶体管，以及与所述输入侧晶体管和所述输出侧晶体管串联的所述多个晶体管分别是MOS晶体管，所述恒定电压偏置电路包括电压跟随器，用于将所述第二电流镜像电路的所述输出侧晶体管的所述输出电极连接到所述输入侧晶体管的所述输出电极。
8.根据权利要求6或7所述的D/A转换器电路，其中要转换的数据是8位或更多位。
9.根据权利要求6或7所述的D/A转换器电路，其中要转换的数据是8位或更多位的经伽马校正的显示数据。
10.一种有机电致发光驱动电路，其中根据权利要求1到9中的任何一项所述的要转换的数据是显示数据，以及由根据权利要求1到9中的任何一项所述的D/A转换器电路的输出电流来驱动有机电致发光元件。
11.一种有机电致发光驱动电路，包括根据权利要求1到9中的任何一项所述的D/A转换器电路，以及由D/A转换器电路的输出电流驱动的、用于驱动有机电致发光元件的电流源，其中根据权利要求1到9中的任何一项所述的要转换的数据是显示数据。
12.一种有机电致发光显示设备，包括根据权利要求10或11所述的有机电致发光驱动电路。
全文摘要
一种能够以低电压高精度地驱动的、并在制造成IC电路时占据较少面积的D/A转换器电路。该D/A转换器电路具有由与要转换的数据的数位位置相对应地设置的输出侧晶体管构成的第一电流镜像电路，和与所述数据的低级数位位置相对应的至少一个输出侧晶体管的上游或下游侧级联的第二电流镜像电路。第二电流镜像电路的输出侧晶体管的工作电流与对应的输入侧晶体管的工作电流之比是n∶1(n是1或大于1的整数)。在第二电流镜像电路的输出侧晶体管中产生与比1的位置低的位置的权重对应的电流，从而产生模拟转换电流。
文档编号G09G3/30GK1938953SQ2005800097
公开日2007年3月28日 申请日期2005年3月28日 优先权日2004年3月29日
发明者阿部真一, 前出淳, 藤泽雅宪, 藤川昭夫 申请人:罗姆股份有限公司