专利名称：显示器驱动电路及调整显示器输出亮度的方法
技术领域：
本发明关于显示器，特别涉及显示器的驱动电路。
背景技术：
图1为依据现有技术的显示器驱动电路的示意图。驱动电路100包括像素102 以及用以驱动像素102的输出级104。驱动电路100的输出级104又包括一 ρ型金属氧 化物半导体场效应晶体管(p-type-MOSFET) 112及一 η型金属氧化物半导体场效应晶体管 (n-type-MOSFET) 114，两晶体管112及114各包括一栅极耦接至该一像素信号Sp并接受其 控制，使该像素102上的电压切换于高压Vh及低压(接地电压)V_之间而开启或关闭。施加于像素102上的输出电压V。ut往往影响像素的亮度，然而，显示器本身的性质 也会导致画面亮度出现些微变化。以碳纳米管显示器(carbon nanotube display, CNDP) 为例，基于其本身的特性，碳纳米管显示器常因老化而导致亮度渐增。针对上述情况，驱动 电路100必须括一调校装置130以达成调整显示器亮度的目的。举例而言，该调校装置130 为图1中P型金属氧化物半导体场效应晶体管T1与η型金属氧化物半导体场效应晶体管 T2所形成的传输门，接受一偏压Vbias的控制而调整该调校装置130的等效电阻值，进而校准 该像素102的显示亮度。然而，值得注意的是，由于晶体管T1本身的耦合效应(栅极与漏极/源极间存在耦 合电容)，使得像素102上的输出电压V。ut反过来影响偏压Vbias，如图2所示。其中像素102 上的输出电压V。ut随像素信号Sp而变动于两电压电平之间。当输出电压V。ut由低压VeND切 换至高压Vh时，会使偏压Vbias的电压陡升而产生一突波P1 ；而当输出电压V。ut由高压Vh切 换至低压VeND时，则会使偏压Vbias的电压剧降而产生另一突波P2。再者，由于显示器的驱动 电路100为一高压装置，而操作于像素102上的高压VH，举例而言，可高达110伏特，使得偏 压Vbias因上述耦合效应而产生的突波变得不可忽略。一旦偏压Vbias发生变动，该调校装置 130的等效电阻值亦随之改变，进而造成显示器画面出现闪烁、跳动等不稳定的现象。
发明内容
本发明提供一种显示器驱动电路，用以驱动一显示器的至少一像素，该显示器驱 动电路包括一输出级、一调校装置以及一突波抑制装置。其中该输出级耦接至该像素，并受 一像素信号控制以使该像素上的一输出电压切换于一低电平与一高电平之间；该调校装置 耦接于该输出级与该像素之间，包括一输入端用以接受一偏压的控制而调整该调校装置的 等效电阻值以校准该像素的显示亮度；以及该突波抑制装置耦接于该调校装置的该输入端 与该像素信号之间，用以抑制该偏压因该输出电压的电压电平切换所产生的突波。本发明所述的显示器驱动电路，该突波抑制装置包括一电压下拉装置，用以当该 输出电压由该低电平切换至该高电平时将该偏压的电压拉低。本发明所述的显示器驱动电路，该电压下拉装置包括一第一晶体管，该第一晶体 管包括一第一栅极，耦接至该像素信号；一第一漏极，耦接至该调校装置的该输入端；以及一第一源极，耦接至一低压点。
本发明所述的显示器驱动电路，该电压下拉装置还包括一第一脉波产生器，耦接 于该像素信号与该第一栅极之间，用以产生一第一脉波。本发明所述的显示器驱动电路，该突波抑制装置还包括一电压上拉装置，用以当 该输出电压由该高电平切换至该低电平时将该偏压的电压拉高。本发明所述的显示器驱动电路，该电压上拉装置为一第二晶体管，该第二晶体管 包括一第二栅极，耦接至该像素信号；一第二漏极，耦接至该调校装置的该输入端；以及 一第二源极，耦接至一高压点。本发明所述的显示器驱动电路，该电压上拉装置还包括一第二脉波产生器，耦接 于该像素信号与该第二栅极之间，用以产生一第二脉波。本发明所述的显示器驱动电路，该突波抑制装置包括一偏压传输装置，耦接于一 偏压源与该调校装置的该输入端之间，用以将该偏压源提供的该偏压传输至该调校装置的 该输入端。本发明所述的显示器驱动电路，该偏压传输装置包括一第三晶体管，该第三晶 体管还包括一第三栅极，耦接至该像素信号；一第三源极，耦接至该偏压源；以及一第三 漏极，耦接至该调校装置的该输入端；以及一第四晶体管，该第四晶体管还包括一第四栅 极，耦接至该像素信号；一第四源极，耦接至该调校装置的该输入端；以及一第四漏极，耦 接至该偏压源。本发明所述的显示器驱动电路，该第一晶体管为一 η型金属氧化物半导体场效应
晶体管。本发明所述的显示器驱动电路，该第二晶体管为一 ρ型金属氧化物半导体场效应
晶体管。本发明所述的显示器驱动电路，该显示器为一碳纳米管显示器。本发明所述的显示器驱动电路，该第三晶体管为一 η型金属氧化物半导体场效应 晶体管，而该第四晶体管为一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明另提供一种调整显示器输出亮度的方法，包括配置一驱动电路，该驱动电 路包括至少一输出级，其中该输出级耦接至一显示器的一像素，而该输出级接受一像素信 号控制以使该像素上的一输出电压切换于一低电平对一高电平之间；配置一调校装置于该 输出级与该像素之间；施加一偏压于该调校装置以调整该调校装置的等效电阻值而校准该 像素的显示亮度；以及抑制该偏压因该输出电压的电压切换所产生的突波。本发明所述的调整显示器输出亮度的方法，还包括当该输出电压由该低电平切换 至该高电平时将该偏压的电压拉低。本发明所述的调整显示器输出亮度的方法，还包括当该输出电压由该高电平切换 至该低电平时将该偏压的电压拉高。本发明可解决现有技术中画面亮度不稳的问题。
图1为依据现有技术的显示器驱动电路的示意图；图2为偏压与输出电压的关系示意图3为依照本发明的驱动电路示意图；图4A为输出电压的波形时序图；图4B则为上述突波抑制装置对应输出电压所产生的波形时序图；图5为依照本发明的调整显示器输出亮度的方法流程图。
具体实施例方式为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举多个较佳实施例，并配合所附图示，作详细说明如下。图3为依据本发明的驱动电路示意图。驱动电路300包括一像素302、一输出级 304、一调校装置330。其中输出级304耦接至像素302，并受一像素信号Sp控制而使像素 上的一输出电压V。ut切换于一高电平Vh及一低电平VeND之间。该调校装置330耦接于该输 出级304与该像素302之间，包括一输入端A用以接受一偏压Vbias的控制而调整该调校装 置330的等效电阻值，最后达到校准该像素的显示亮度的目的。为了解决现有技术所述的 问题，本发明的驱动电路300还包括一突波抑制装置340，其耦接于该调校装置330的输入 端A与该像素信号Sp之间，用以抑制该偏压Vbias中因该输出电压V。ut的电压切换所产生的 突波。在一实施例中，本发明的驱动电路300的该突波抑制装置340包括一电压下拉装 置341，用以当该输出电压V。ut由低电平切换至高电平时，将该偏压Vbias的电压拉低。在本 实施例中，该电压下拉装置341所执行的动作是由一 η型金属氧化物半导体场效应晶体管 T3所完成，其中该晶体管T3以栅极耦接该像素信号Sp、以漏极耦接该调校装置330的该输 入端Α，并以源极耦接一低压点。为求方便说明，上述低压点在本实施例中与接地电压Vem 相同，但实际情形不必以此为限。当该像素信号Sp为高电平而使晶体管T3开启时，会使其 漏极与源极导通，并将其漏极上较高的电压电平实时往下拉至该接地电压V·，目的是产生 与上述图2中的突波P1相抵消的电压。此外，上述电压下拉装置341还包括一脉波产生器 351，本领域技术人员可知，当像素信号Sp被送至晶体管T3的栅极前，可先调整成脉波的形 式。该脉波产生器351可由多个逻辑门串接而成，此为现有技术，故在此不再赘述。同样地，本发明的驱动电路300的该突波抑制装置340又包括一电压上拉装置 342，用以当该输出电压V。ut由高电平切换至低电平时，将该偏压Vbias的电压拉高。在本实 施例中，该电压上拉装置342所执行的动作是由一 ρ型金属氧化物半导体场效应晶体管T4 所完成，其中该晶体管T4以栅极耦接该像素信号Sp、以漏极耦接该调校装置330的该输入 端A，并以源极耦接一高压点。为求方便说明，上述高压点在本实施例中与高压Vh相同，但 实际情形不必以此为限。当该像素信号Sp为低电平而使晶体管T4开启时，会使其漏极与源 极导通，并将其漏极上较低的电压电平实时往上拉至该高压VH，目的是产生与上述图2中的 突波P2相抵消的电压。此外，上述电压下拉装置341还包括一脉波产生器352，本领域技术 人员可知，当像素信号Sp被送至晶体管T4的栅极前，可先调整成脉波的形式，而该脉波产生 器352可由多个逻辑门串接而成，此为现有技术，故在此不再赘述。本发明的驱动电路300的该突波抑制装置340还包括一偏压传输装置343，其耦接 于一偏压源(图未示)与该调校装置330的该输入点A之间，用以将该偏压源提供的偏压 Vbias传输至该调校装置330的输入端A上。该偏压源提供一稳定的偏压Vbias，然而，实际上该调校装置330的输入点A的电压电平可能并非稳定，故此偏压传输装置343将该稳定的 偏压Vbias传输至该调校装置330，即意味将调校装置330的电压拉回正常准位。该偏压传 输装置343具有多种实施方式，举例而言，其可为由一 η型金属氧化物半导体场效应晶体管 T5及一 ρ型金属氧化物半导体场效应晶体管T6所组成的传输门。其中晶体管T5及晶体管 T6的栅极皆耦接至像素信号Sp，晶体管T5的源极与晶体管T6的漏极皆耦接至该偏压源，而 晶体管T5的漏极与晶体管T6的源极皆耦接至该调校装置330的输入点A。在一实施例中，本发明的突波抑制装置340可同时具有该电压下拉装置341、该电压上拉装置342以及该偏压传输装置343。图4A表示输出电压V。ut的波形时序图，而图4B 则为上述突波抑制装置340对应输出电压V。ut所产生的波形时序图。图4B中，时序的第1 段、第2段及第3段分别由该电压下拉装置341、该偏压传输装置343及该电压上拉装置342 所造成。时序的第1段，电压电平被拉下至接地电压Vem以期与图2中的突波P1抵消，在 第2段，电压电平恢复至理想的Vbias，而在第3段，电压电平被拉上至Vh以期与图2中的突 波P2抵消。通过本发明的突波抑制装置340，调校装置330所接收的电压可被控制在稳定 的偏压Vbias上，使现有技术中画面亮度不稳的问题获得解决。图5为依据本发明的调整显示器输出亮度的方法流程图。请一并参照图3，该方法 包括于步骤S502中，配置一驱动电路300，该驱动电路300包括至少一输出级304，其中该 输出级304耦接至一像素302，而该输出级接受一像素信号Sp控制以使该像素上的一输出 电压Vout切换于一高电平Vh及一低电平VeND之间；于步骤S504中，配置一调校装置330于 该输出级304与该像素302之间；于步骤S506中，施加一偏压Vbias于该调校装置330以调 整该调校装置330的等效电阻值，进而校准该像素的显示亮度；最后于步骤S508中，抑制该 偏压Vbias因该输出电压V。ut的电压切换所产生的突波。其中步骤S508又包括在步骤S512 中，当该输出电压V。ut由一低电平切换至一高电平时将该偏压Vbias的电压拉低；以及在步骤 S514中，当该输出电压V。ut由一高电平切换至一低电平时将该偏压Vbias的电压拉高。以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本 项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因 此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。附图中符号的简单说明如下100 驱动电路；102 像素；104 输出级；130 调校装置；112 晶体管；114 晶体
管；A 输入点J1 晶体管;Τ2 晶体管；Vh 高压；Vgnd 低压；Vbias 偏压；Vout 输出电压；300 驱动电路；302 像素；304 输出级；330 调校装置；340 突波抑制装置；341 :电压下拉装 置；342 电压上拉装置；343 偏压传输装置；351 脉波产生器；352 脉波产生器；A 输入 点；SP 像素信号；T3 晶体管；Τ4 晶体管；Τ5 晶体管；Τ6 晶体管；VH 高压；V_ 低压；Vbias 偏压 ’Vout 输出电压。
权利要求
一种显示器驱动电路，其特征在于，用以驱动一显示器的至少一像素，该显示器驱动电路包括一输出级，耦接至该像素，并受一像素信号控制以使该像素上的一输出电压切换于一低电平及一高电平之间；一调校装置，耦接于该输出级与该像素之间，包括一输入端用以接受一偏压的控制而调整该调校装置的等效电阻值以校准该像素的显示亮度；以及一突波抑制装置，耦接于该调校装置的该输入端与该像素信号之间，用以抑制该偏压因该输出电压的电压电平切换所产生的突波。
2.根据权利要求1所述的显示器驱动电路，其特征在于，该突波抑制装置包括一电压 下拉装置，用以当该输出电压由该低电平切换至该高电平时将该偏压的电压拉低。
3.根据权利要求2所述的显示器驱动电路，其特征在于，该电压下拉装置包括一第一 晶体管，该第一晶体管包括一第一栅极，耦接至该像素信号； 一第一漏极，耦接至该调校装置的该输入端；以及 一第一源极，耦接至一低压点。
4.根据权利要求3所述的显示器驱动电路，其特征在于，该电压下拉装置还包括一第 一脉波产生器，耦接于该像素信号与该第一栅极之间，用以产生一第一脉波。
5.根据权利要求1所述的显示器驱动电路，其特征在于，该突波抑制装置还包括一电 压上拉装置，用以当该输出电压由该高电平切换至该低电平时将该偏压的电压拉高。
6.根据权利要求5所述的显示器驱动电路，其特征在于，该电压上拉装置为一第二晶 体管，该第二晶体管包括一第二栅极，耦接至该像素信号； 一第二漏极，耦接至该调校装置的该输入端；以及 一第二源极，耦接至一高压点。
7.根据权利要求6所述的显示器驱动电路，其特征在于，该电压上拉装置还包括一第 二脉波产生器，耦接于该像素信号与该第二栅极之间，用以产生一第二脉波。
8.根据权利要求1所述的显示器驱动电路，其特征在于，该突波抑制装置包括一偏压 传输装置，耦接于一偏压源与该调校装置的该输入端之间，用以将该偏压源提供的该偏压 传输至该调校装置的该输入端。
9.根据权利要求8所述的显示器驱动电路，其特征在于，该偏压传输装置包括 一第三晶体管，该第三晶体管还包括一第三栅极，耦接至该像素信号；一第三源极，耦接至该偏压源；以及一第三漏极，耦接至该调校装置的该输入端；以及一第四晶体管，该第四晶体管还包括一第四栅极，耦接至该像素信号；一第四源极，耦接至该调校装置的该输入端；以及一第四漏极，耦接至该偏压源。
10.根据权利要求3所述的显示器驱动电路，其特征在于，该第一晶体管为一n型金属氧化物半导体场效应晶体管。
11.根据权利要求6所述的显示器驱动电路，其特征在于，该第二晶体管为一p型金属 氧化物半导体场效应晶体管。
12.根据权利要求1所述的显示器驱动电路，其特征在于，该显示器为一碳纳米管显示器o
13.根据权利要求9所述的显示器驱动电路，其特征在于，该第三晶体管为一n型金属 氧化物半导体场效应晶体管，而该第四晶体管为一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管。
14.一种调整显示器输出亮度的方法，其特征在于，包括配置一驱动电路，该驱动电路包括至少一输出级，其中该输出级耦接至一显示器的一 像素，而该输出级接受一像素信号控制以使该像素上的一输出电压切换于一低电平与一高 电平之间；配置一调校装置于该输出级与该像素之间；施加一偏压于该调校装置以调整该调校装置的等效电阻值而校准该像素的显示亮度；以及抑制该偏压因该输出电压的电压电平切换所产生的突波。
15.根据权利要求14所述的调整显示器输出亮度的方法，其特征在于，还包括当该输 出电压由该低电平切换至该高电平时将该偏压的电压拉低。
16.根据权利要求14所述的调整显示器输出亮度的方法，其特征在于，还包括当该输 出电压由该高电平切换至该低电平时将该偏压的电压拉高。
全文摘要
本发明提供一种显示器驱动电路及调整显示器输出亮度的方法，特别涉及一种显示器驱动电路，用以驱动一显示器的至少一像素，该显示器驱动电路包括一输出级、一调校装置、以及一突波抑制装置。其中该输出级耦接至该像素，并受一像素信号控制以使该像素上的一输出电压切换于一高电平与一低电平间；该调校装置耦接于该输出级与该像素之间，包括一输入端用以接受一偏压的控制而调整该调校装置的等效电阻值以校准该像素的显示亮度；以及该突波抑制装置耦接于该调校装置的该输入端与该像素信号之间，用以抑制该偏压因该输出电压的电压电平切换所产生的突波。本发明可解决现有技术中画面亮度不稳的问题。
文档编号G09G5/10GK101833912SQ20091012701
公开日2010年9月15日 申请日期2009年3月10日 优先权日2009年3月10日
发明者周彦云 申请人:普诚科技股份有限公司