电压选择电路、电泳显示装置以及电子设备的制作方法

文档序号:2568399阅读:181来源:国知局
专利名称:电压选择电路、电泳显示装置以及电子设备的制作方法
技术领域
本发明涉及电压选择电路、电泳显示装置以及电子设备。
背景技术
作为有源矩阵型的电泳显示装置,已知在像素内具备开关用晶体管和
存储电路(SRAM, Static Random Access Memory,静态随机存取存储器) 的类型(参照专利文献1)。专利文献1所记载的显示装置,构成为,具 有在形成有开关用晶体管、像素电极的基板上粘接内置有带电微粒的微嚢 的结构,通过在夹持微嚢的像素电极和共用电极之间产生的电场控制带电 微粒来显示图像。
专利文献1:日本特开2003-84314号z〉才艮
专利文献2:日本特愿2007-295996 (特开2008-268853号^^艮)
但是,本申请人提出了进一步改良专利文献1所记载的电泳显示装置 的电泳元件的方案(参照专利文献2)。在该电泳显示装置中,能够独立 控制对锁存电路的图像信号的写入动作和对电泳元件进行电压施加而显示 图像的动作。例如在图像信号的写入时将锁存电路的电源电压设为例如5V 以抑制驱动电路的负载、消耗电力,在显示图像时将锁存电路的电源电压 设为例如15V以得到高对比度的显示。还有,这样的动作也能够适用于专 利文献1所记载的电泳显示装置。
但是,在像上述那样在图像信号的写入时和图像显示动作时使锁存电 路的电源电压不同的情况下,对锁存电路供给电源电压的电源系统,必需 图18所示那样的电压选择电路。
图18 (a)所示的电压选择电路641以及图18 (b)所示的电压选择电路642,都是从输出端子Nout输出从驱动用高电平电位VH (例如15V)、 4象素写入高电平电位VH (例如5V)以及电池电位VB (例如2V)中选出 的电位的电路。
图18 (a)所示的电压选择电路641,具备具有P-MOS晶体管PM1 和电平移位器(level shifter ) LSI的第一开关电路SC11;具有P-MOS晶 体管PM21和电平移位器LS21的第二开关电路SC12;和具有P-MOS晶 体管PM31和电平移位器LS31的第三开关电路SC13。
在电压选择电路641中,有P-MOS晶体管PMl当然使用高耐压晶体 管。而且,P-MOS晶体管PMl 、 PM21、 PM31的各漏极端子连接于共 用的输出布线DL (输出端子Nout),所以为了能够遮断从第一开关电路 SC11输出的驱动用高电平电位VH , P-MOS晶体管PM21、 PM31也使 用高耐压晶体管。
还有,与P-MOS晶体管PM21的栅极端子连接的电平移位器LS21 和与P-MOS晶体管PM31的栅极端子连接的电平移位器LS31,都必须对 P-MOS晶体管PM21、 PM31的各自的栅极端子供给驱动用高电平电位 VH,所以必须使用高耐压晶体管来构成。
另一方面,在图18 (b)所示的电压选择电路642中,第一开关电路 SC11与电压选择电路641共用。另一方面,第二开关电路SC22构成为具 有N-MOS晶体管NM1和电平移位器LS21,第三开关电路SC23构成为 具有N-MOS晶体管NM2和电平移位器LS32。
即便在第二以及第三开关电路SC22、 SC23中具备N-MOS晶体管的 电压选择电路642中,为§了遮断从第一开关电路SC11输出的驱动用高电 平电位VH,仍必须将N-MOS晶体管NM1以及N-MOS晶体管NM2设 为高耐压晶体管。
但是,关于第三开关电路SC23的电平移位器LS32,只要能够使 N-MOS晶体管NM2的栅极源极之间的电压(Vgs)成为高于阈值电压的 头见定电压即可,所以也可以^使例如电池电压升压为图^f象写入用高电平电位 VL。因此,电平移位器LS32也能够使用5 6V左右的低耐压晶体管。与图18 (a)所示的电压选择电路641相比能够使电路面积稍稍减少。
这样,即便在开关元件使用P-MOS晶体管、N-MOS晶体管的任意一 种的情况下,也必须多个高耐压晶体管,存在电路面积增大这一问题。还 有,高耐压晶体管,因为泄露电流增大而在消耗电力这方面不利,而且尺 寸较大的高耐压晶体管有时会限制电路布局。

发明内容
本发明是鉴于上述现有技术的问题而完成的,其目的之一在于提供一 种能够削减电路面积、并且能够抑制泄露电流的电压选择电路和具备其的 电泳显示装置。
为了解决上述课题,本发明提供了一种电压选择电路,其输出从多个 输入电位选择的电位,其特征在于,能够从输出端子选择性输出作为最高 电位的第一高电平电位、第二高电平电位和作为最低电位的第三高电平电 位;对所述输出端子供给所述第一高电平电位的第一开关电路,具有高耐 压晶体管和与所述高耐压晶体管的栅极端子连接的电平移位器;对所述输 出端子供给所述第二高电平电位的笫二开关电路,具有第一低耐压晶体管、 与所述第一低耐压晶体管的栅极端子连接的电平移位器、和介于所述第一 低耐压晶体管和所述输出端子之间的二极管;以及对所述输出端子供给所 迷第三高电平电位的笫三开关电路,具有第二低耐压晶体管、和介于所述 第二低耐压晶体管和所述输出端子之间的二极管。
根据该结构,通过在第二以及第三开关电路中分别设置二极管,能够 减少使用的高耐压晶体管的数量,能够实现电路面积的缩小和泄露电流的 降低。
首先,在第二以及第三升关电路中,能够通过各自的二极管遮断第一 高电平电位,所以在第二以及第三开关电路中没有必要使用高耐压晶体管。 而且,使用低耐压晶体管构成的第二以及第三开关电路,成为电路面积缩 小的开关电路。还有,在第三开关电路的第二低耐压晶体管中只输入作为 最^f氐电压的第三高电平电位,所以不需要电平移位器,相应地能够缩小电路面积。
而且,低耐压晶体管与高耐压晶体管相比,泄露电流变小,所以在代 替高耐压晶体管而使用低耐压晶体管的本发明的电压选择电路中,能够减 小作为电路整体的泄露电流。而且,因为是組合尺寸小的低耐压晶体管和 二极管,所以布局容易,也能够减少其工时数。
构成设置于述笫二开关电路的电平移位器的晶体管,优选,低耐压晶 体管。
在第二开关电路中,由于存在二极管而无需对第一低耐压晶体管的栅 极端子输出第一高电平电位,所以电平移位器能够成为使用低耐压晶体管 而构成的电平移位器。因此,能够缩小笫二开关电路的电平移位器的尺寸, 能够缩小电路面积。
接着,本发明提供了一种电泳显示装置,其在一对基板之间夹持有包 括电泳微粒的电泳元件、具有包括多个像素的显示部,在每个所述像素中 设置有像素电极、像素开关元件、和在所述像素电极和所述像素开关元件 之间连接的锁存电路,其特征在于,至少所述锁存电路的电源电压,由上 述记载的本发明的电压选择电路供给。
根据该结构,具备了电路面积小、消耗电力也少的电压选择电路,所 以能够实现抑制控制电路的复杂化、消耗电力的增加、且高功能的电泳显 示装置。
所述第三高电平电位,优选,设置于该电泳显示装置的电源系统的电 池的电压。
根据该结构,电池电压直接供给至锁存电路,所以能够使用简单的电 路使锁存电路动作。
接着,本发明的电子设备,其特征在于,具有上述记载的本发明的电 泳显示装置。
根据该结构,能够提高电泳系统中的消耗电力小、且具备高功能的电 泳显示装置的电子设备。


图l是第一实施方式中的电泳显示装置的概略结构图。
图2是第一实施方式中的电泳显示装置的像素电路图。 图3是第一实施方式中的电泳显示装置的概略剖视图。 图4是微嚢的概略结构图。 图5是电泳显示装置的动作说明图。
图6是表示第一实施方式中的电泳显示装置的控制部的图。
图7是电压选择电路的电路结构图。
图8是表示第一实施方式中的驱动方法的流程图。
图9是第一实施方式中的驱动方法中的定时图。
图IO是第一实施方式中的驱动方法的说明所用的图。
图ll是第二实施方式中的电泳显示装置的概略结构图。
图12是第二实施方式中的电泳显示装置的像素电路图。
图13是第二实施方式中的驱动方法中的定时图。
图14是第二实施方式中的驱动方式的说明所用的图。
图15是表示作为电子设备的一例的手表的图。
图16是表示作为电子设备的一例的电子纸的图。
图17是表示作为电子设备的一例的电子笔记本的图。
图18是现有的电压选择电路的图。
符号说明
100, 200:电泳显示装置 5:显示部
32:电泳元件 35, 35a、 35b:像素电极
37:共用电极 40、 40A、 40B、 140、 140A、 140B:像素
41、 41a、 41b:驱动用TFT (像素开关元件)
49:低电位电源线50:高电位电源线62:数据线驱动电路
63:控制器(控制部) 64a:电压选择电路
70、 70a、 70b:锁存电路(存储电路)
71、 73、 PM1、 PM2、 PM3、 PMll、 PM12: P-MOS晶体管Dl、 D2: 二极管 LS1、 LS2:电平移位器 SC1:第一开关电路SC2:第二开关电路 SC3:第三开关电路
具体实施例方式
以下,使用附图对本发明的一实施方式即有源矩阵方式的电泳显示装 置进行说明。
还有,本实施方式,表示本发明的一种方式,本发明并不限定于此, 能够在本发明的技术思想的范围内任意变化。还有,在以下的附图中,为 了易于理解各结构,使实际结构与各结构中的比例尺、数量等不同。
图l是本实施方式中的电泳显示装置100的概略结构图。
电泳显示装置100,具备多个像素40排列成矩阵状的显示部5。在显 示部5的周边,配置有扫描线驱动电路61 、数据线驱动电路62、控制器(控 制部)63以及共用电源调制电路64。扫描线驱动电路61、数据线驱动电 路62以及共用电源调制电路64,分别连接于控制器63。控制器63,基于 从上位装置供给的图像数据、同步信号,综合控制扫描线驱动电路61、数 据线驱动电路62以及共用电源调制电路64。在显示部5,形成有从扫描线 驱动电路61延伸的多条扫描线66、从数据线驱动电路62延伸的多条数据 线68,与它们的交叉位置相对应地设有像素40。
扫描线驱动电路61,通过m条扫描线66 (Yl、 Y2.....Ym )连接
于各个像素40,在控制器63的控制下依次选择从第1行到第m行的扫描 线66,通过选中的扫描线66供给规定设置于像素40的驱动用TFT41 (参 照图2)的导通定时的选择信号。
数据线驱动电路62,通过n条数据线68 (Xl、 X2.....Xn )连接于
各个像素40,在控制器63的控制下,对像素40供给规定与像素40的各 自相对应的l位的图像数据的图像信号。
还有,在本实施方式中,在规定像素数据"O"时,对像素40供给低电 平(L)的图像信号,在规定像素数据"l"时,对像素40供给高电平(H)的图像信号。
在显示部5,设有从共用电源调制电路64延伸的低电位电源线49、高 电位电源线50以及共用电极布线55,这些布线连接于像素40。共用电源 调制电路64,在控制器63的控制下,生成应该供给至上述布线的各自的 各种信号,另一方面进行这些布线的电连接以及断开(高阻抗化)。
图2是像素40的电路结构图。
在像素40中,设有驱动用TFT ( Thin Film Transistor,薄膜晶体管) 41 (像素开关元件)、锁存电路(存储电路)70、电泳元件32、像素电极 35以及共用电极37。以围绕这些元件的方式,配置有扫描线66、数据线 68、低电位电源线49以及高电位电源线50。像素40,是通过锁存电路70 将图像信号作为电位保持的SRAM ( Static Random Access Memory,静态 随机存取存储器)方式的结构。
驱动用TFT41,是包括N-MOS( Negative Metal Oxide Semiconductor, 负金属氧化物半导体)晶体管的像素开关元件。驱动用TFT41的栅极端子 连接于扫描线66,源极端子连接于数据线68,漏极端子连接于锁存电路 70的数据输入端子Nl。锁存电路70的数据输出端子N2连接于像素电极 35。在像素电极35和共用电极37之间夹持有电泳元件32。像素40构成 为,通过由从锁存电路70输入像素电极35的电位和通过共用电极布线55 (图1)输入共用电极37的共用电极电位Vcom的电位差而产生的电场驱 动电泳元件32,来显示图像。
锁存电路70,具备传送反相器(転送O八'一夕)70t和反馈反相器,各 反相器从通过高电位电源端子PH连接的高电位电源线50、通过低电位电 源端子PL连接的低电位电源线49供给电源电压。传送反相器70t和反馈 反相器70f都是C-MOS ( Complementary Metal Oxide Semiconductor,互 补金属氧化物半导体)反相器,成为相互的输入端子与另一方的输出端子 连4妾的环结构。
传送反相器70t,具有各自的漏极端子连接于数据输出端子N2的 P-MOS ( Positive Metal 6xide Semiconductor,正金属氧化物半导体)晶体管71和N-MOS晶体管72。 P-MOS晶体管71的源极端子连接于高电位 电源端子PH, N-MOS晶体管72的源极端子连接于低电位电源端子PL。 P-MOS晶体管71以及N-MOS晶体管72的栅极端子(传送反相器70t的 输入端子),连接于数据输入端子N1 (反馈反相器70f的输出端子)。
反馈反相器70f,具有各自的漏极端子连接于数据输入端子Nl的 P-MOS晶体管73和N-MOS晶体管74。 P-MOS晶体管73和N-MOS晶 体管74的栅极端子(反馈反相器70f的输入端子),连接于数据输出端子 N2 (传送反相器70t的输出端子)。
当在上述结构的锁存电路70中,存储有高电平(H)的图像信号(图 像数据"l")时,从锁存电路70的数据输出端子N2输出低电平(L)的信 号。另一方面,当在锁存电路70中存储有低电平(L)的图像信号(图像 信号"0")时,从数据输出端子N2输出高电平(H)的信号。
图3是显示部5中的电泳显示装置100的部分剖视图。电泳显示装置 100,具有在元件基板30和对向基板31之间夹持有排列有多个微嚢20而 成的电泳元件32的结构。在显示部5,在元件基板30的电泳元件32侧排 列形成有多个像素电极35,电泳元件32通过粘接剂层33而粘接于像素电 极35。
元件基板30是包括玻璃、塑料等的基板,因为是被配置在与图像显示 面相反一侧所以也可以是不透明的。像素电极35,是由在Cu箔上按顺序 镀镍和镀金而层叠成的部件、Al、 ITO (铟锡氧化物)等形成的电极。虽 省略了图示,但在像素电极35和元件基板30之间形成有图1、图2所示 的扫描线66、数据线68、驱动用TT41以及锁存电路70等。
另一方面,对向1^131是包括玻璃、塑料等的基板,因为被配置在图 像显示侧所以成为透明基板。在对向电极31的电泳元件32侧形成有与多 个像素电极35相对的平面形状的共用电极37,在共用电极37上设有电泳 元件32。共用电极37,是由MgAg (镁银)、1TO、 IZO (铟锌氧化物) 等形成的透明电极。
还有,电泳元件32, —般事先形成于对向基板31侧,作为包括直至粘接剂层33的电泳片处理。在制造工序中,在粘接剂层33的表面贴附有 保护用的剥离纸的状态下处理电泳片。接着,通过相对于另行制造的元件 基板30 (形成有像素电极35、各种电路等),贴附剥离了剥离纸的该电泳 片,形成显示部5。因此,粘接剂层33仅存在于像素电极侧35侧。
图4是微嚢20的示意剖视图。微嚢20,是具有例如20 ~ 50nm左右 的粒径、在内部密封有分散介质21、多个白色微粒(电泳微粒)27和多个 黑色微粒(电泳微粒)26的球状体。微嚢20,如图3所示,被共用电极 37和像素电极35夹持,在一个像素40内配置有一个或多个微嚢20。
微嚢20的外壳部(壁膜),采用聚曱基丙烯酸甲酯、聚曱基丙烯酸乙 酯等的丙烯酸树脂,尿素树脂、阿拉伯胶等的具有透光性的高分子树脂所 形成。
分散介质21,为使白色微粒27与黑色微粒26分散于微嚢20内的液 体。作为M介质21,能够例示水、醇类溶剂(曱醇,乙醇、异丙醇,丁 醇,辛醇,曱基溶纤剂等),酯类(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮类(丙 酮,曱乙酮,曱基异丁基酮等)、脂肪族烃(戊烷,己烷,辛烷等)、脂 环式烃(环己烷,甲基环己烷等)、芳香族烃(苯,甲苯,具有长链烷基 的苯类(二曱苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基 苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、卣代烃(二氯曱烷, 氯仿,四氯化碳,1,2-二氯乙烷等)、羧酸盐等,也可以为其他的油类。这 些物质能够单独使用或用补混合物,进而也可以配和表面活性剂等。
白色微粒27,为包括二氧化钛、锌华、三氧化锑等的白色颜料的孩M立 (高分子或者胶体),例如带负电使用。黑色孩支粒26,例如,为包括苯胺 黑、炭黑等的黑色颜料的微粒(高分子或者胶体),例如带正电使用。
在这些颜料中,根椐需要,能够添加由电解质、界面活性剂、金属皂、 树脂、橡胶、油、石蜡、化合物等的微粒构成的带电控制剂、钛系耦合剂、 铝系耦合剂、硅烷系耦合剂等的M剂、润滑剂、稳定剂等。
还有,可以代替黑色微粒26以及白色微粒27,使用例如红色、绿色、 蓝色等的颜料。根据该结构,显示部5能够显示红色、绿色、蓝色等。图5是电泳元件的动作说明图。图5 (a)表示像素40显示白色的情 况,图5 ( b )表示像素40显示黑色的情况。
在电泳显示装置100中,通过驱动用TFT41对锁存电路70的数据输 入端子Nl输入图像信号,从而将图像信号作为电位存储于锁存电路70。 由此,从锁存电路70的数据输出端子N2对像素电极35输入与图像信号 相对应的电位,如图5所示,基于像素电极35和共用电极37的电位差, 像素40显示黑或白。
在图5 (a)所示的白显示的情况下,共用电极37被保持为相对的高 电位,像素电极35被保持为相对的低电位。由此,带负电的白色樣t粒27 靠近共用电极37,另一方面带正电的黑色微粒26靠近像素电极35。其结 果,从成为显示面侧的共用电极37侧观察该像素时,识别出白色(W)。
在图5 (b)所示的黑显示的情况下,共用电极37被保持为相对的低 电位,像素电极35被保持为相对的高电位。由此,带正电的黑色微粒26 靠近共用电极37,另一方面带负电的白色微粒27靠近像素电极35。其结 果,从共用电极37侧观察该^象素时,识别出黑色(B)。 (控制部)
图6是表示电泳显示装置100所具备的控制器63的详细情况的框图。
控制器63,具备作为CPU ( Central Processing Unit,中央处理单 元)的控制电路161、 EEPROM ( Electrically-Erasable and Programmable Read-Only Memory,电可擦可编程只读存储器;存储部)162、电压生成 电路163、数据緩冲器164、帧存储器165和存储器控制电路166。
控制电路161,生成时钟信号CLK、水平同步信号Hsync、垂直同步 信号Vsync等的控制信号(定时脉冲),对配置在控制电路161的周边的 各电路供给这些控制信号。
EEPROM162,存储有通过控制电路161进行各电路的动作控制所必 需的设定值(模式设定值、量(volume)值)。例如将每个动作模式的驱 动顺序的设定值作为LUT (Look Up Table,查找表)存储。还有, EEPROM162中也可以存储有电泳显示装置的工作状态等的显示所用的预设的图像数据。
电压生成电路163,是对扫描线驱动电路61、数据线驱动电路62以及 共用电源调制电路64供给驱动电压的电路。
数据緩沖器164,是控制器63的与上位装置的接口部,保持从上位装 置输入的图像数据D,并且对于控制电路161发送图像数据D。
帧存储器165,是具有与显示部5的像素40的排列相对应的空间的自 由读写的存储器。存储器控制电路166,将从控制电路161供给的图像数 据D按照控制信号与显示部5的像素排列对应展开,写入帧存储器165。 帧存储器165,将包括存储的图像数据D的数据群作为图像信号依次发送 给数据线驱动电路62。
数据线驱动电路62,基于从控制电路161供给的控制信号,将从帧存 储器165发送的图像信号遂行锁存。而且,与通过扫描线驱动电路61所进 行的扫描线66的依次选择动作同步,对数据线68供给锁存了的图像信号。
还有,在本实施方式的电泳显示装置100中,在共用电源调制电路64 中设有对于高电位电源线50切换并同时供给多个电源电位Vdd的电压选 择电路64a。
图7 ( a )是电压选择电路64a的电路结构图,图7 ( b )是电压选择电 路64a所包括的电平移位器LSI的电路结构图。
电压选择电路64a,如图7(a)所示,具有切换通过第一输入布线 SL1输入的驱动用高电平电位VH (第一高电平电位;例如15V)的输出 的笫一开关电路SC1;切换通过第二输入布线SL2输入的图像写入用高电 平电位VL (第二高电平电位;例如5V)的输出的第二开关电路SC2;和 切换通过第三输入布线SL3输入的电池电位VB (第三高电平电位;例如 2V)的输出的第三开关电路SC3。从第一到第三开关电路SC1 SC3通过 输出布线DL连接于输出端子Nout。
第一开关电路SC1,具有P-MOS晶体管PM1和电平移位器LS1。 P-MOS晶体管PM1的源极端子连接于笫一输入布线SL1,漏极端子连接 于输出布线DL,栅极端子通过栅极布线GL1连接于电平移位器LS1。第一开关电路SC1,通过开关信号XVHSEL的输入来控制开关。当 作为开关信号XVHSEL将接地电位(0V,低电平)的脉冲输入P-MOS 晶体管PM1的栅极端子时,P-MOS晶体管PM1成为导通状态,第一输入 布线SL1和输出布线DL电连接,对输出端子Nout输出驱动用高电平电 位VH。
电平移位器LSI,生成用于将P-MOS晶体管PM1维持在截止状态的 高电平电位。即,将作为控制电路的电源电压的电池电压VB升压为驱动 用高电平电位VH,并对栅极布线GLl供给。
电平移位器LS1,具备例如图7 (b)所示的电路结构,增大从输入端 子Vin输入的信号的振幅,并对输出端子Vout输出。电平移位器LSl, 具有源极端子连接于高电位电源(驱动用高电平电位VH)的P-MOS晶 体管PMll、 PM12,和源极端子连接于低电位电源(接地电位GND)的 N-MOS晶体管NMll、 NM12。
P-MOS晶体管PMll的漏极端子,连接于N-MOS晶体管NMll的漏 极端子、P-MOS晶体管PM12的栅极端子和输出端子Vout。 P-MOS晶体 管PM12的漏极端子连接于N-MOS晶体管NM12的漏极端子和P-MOS 晶体管PMll的栅极端子。来自输入端子Vin的输入信号,被输入N-MOS 晶体管NM12的栅极端子,并且通过反相器INV1反转的输入信号被输入 N-MOS晶体管NMll的栅极端子。
电平移位器LSI,将通过P-MOS晶体管PMll输入的高电位(驱动 用高电平电位VH)、或者通过N-MOS晶体管NMll输入的低电位(接 地电位GND)分别作为高电平、低电平输出。
第二开关电路SC2,具有P-MOS晶体管PM2、电平移位器LS2和二 极管Dl。 P-MOS晶体管PM2的源极端子连接于第二输入布线SL2,漏极 端子通过二极管Dl连接于&出布线DL,栅极端子通过栅极布线GL2连 接于电平移位器LS2。二极管Dl从P-MOS晶体管PM2朝向输出布线DL 顺方向连接。
第二开关电路SC2,通过开关信号XVLSEL的输入进行开关控制。当作为开关信号XVLSEL将接地电位(0V,低电平)的脉沖输入P-MOS晶 体管PM2的栅极端子时,P-MOS晶体管PM2成为导通状态,第二输入布 线SL2和输出布线DL电连接,通过二极管Dl对输出端子Nout输出像素 写入用高电平电位VL。
电平移位器LS2,生成用于将P-MOS晶体管PM2维持在截止状态的 高电平电位。即,将电池电压VB升压为像素写入用高电平电位VL,并对 栅极布线GL2供给。
电平移位器LS2的具体结构,与图7 (b)所示的电平移位器LSI同 样,从高电位电源供给像素写入用高电平电位VL。因此,构成电平移位 器LS2的晶体管不需耐压10V以上的高耐压晶体管,都能够由耐压5~6V 左右的低耐压晶体管构成。
第三开关电路SC3,具有P-MOS晶体管PM3和二极管D2。 P-MOS 晶体管PM3的源极端子连接于第三输入布线SL3,漏极端子通过二极管 D2连接于输出布线DL,栅极端子连接于栅极布线GL3。 二极管D2从 P-MOS晶体管PM3朝向输出布线DL顺方向连接。
笫三开关电路SC3,返过开关信号XVBSEL的输入进行开关控制。当 作为开关信号XVBSEL将接地电位(0V,低电平)的脉冲输入P-MOS晶 体管PM3的栅极端子时,P-MOS晶体管PM3成为导通状态,第三输入布 线SL3和输出布线DL电连接,通过二极管D2对输出端子Nout输出电池 电位VB。在第三开关电路SC3中,在栅极布线GL3中没有设置电平移位 器。
具备上述结构的电压选择电路64a,在第二和第三开关电路SC2、 SC3 中分别设有二极管Dl、 D2,从而能够减少使用的高耐压晶体管的数量, 能够实现电路面积的缩小和泄露电流的降低。
首先,在第二以及第三开关电路SC2、 SC3中,能够通过二极管D1、 D2遮断从第一开关电路SC1输出的驱动用高电平电位VH,所以P-MOS 晶体管PM2、 PM3中没有必要使用高耐压晶体管。因此,能够使用耐受 像素写入用高电平电位VL (例如5V)的程度的低耐压晶体管来形成P-MOS晶体管PM2、 PM3,能够缩小晶体管的尺寸。
还有,在P-MOS晶体管PM2中没有必要遮断驱动用高电平电位VH, 所以作为设置于第二开关电路SC2中的电平移位器LS2,能够使用将电池 电位VB升压至像素写入用电平电位VL的电平移位器。因此,能够不使 用高耐压晶体管构成电平移位器LS2,也能够缩小电平移位器LS2的尺寸。
而且,在第三开关电路SC3的P-MOS晶体管PM3中,只输入作为电 源系统的最低电压的电池电位VB,所以不需要电平移位器。
这样一来,在电压选择电路64a中,只在第一开关电路SC1中设置尺 寸不得不增大的高耐压晶体管即可,而且与图18所示的电压选择电路641、 642相比电平移位器的数量也减少,所以能够缩小电路面积。还有,泄露 电流大的高耐压晶体管的数量减少,所以能够使作为电路整体的泄露电路 减少,也能够减少消耗电力。
还有,在电压选择电路64a中设置二极管Dl、 D2,能够使二极管相 比晶体管尺寸更小,还有泄露电流也减少,所以与第二开关电路SC2的 P-MOS晶体管PM2、第三开关电路SC3的P-MOS晶体管PM3作为高耐 耐压晶体管而构成的情况相比电路面积减小,泄露电流也减小。而且,二 极管结构简单,所以与设置晶体管的情况相比布局工时数也少。
但是,二极管具有顺方向电压Vf,所以由于流经二极管的电流可能会 产生0.2~0.6V左右的电压降低。因此,优选,预测上述的电压下降量, 将输入第二开关电路SC2的像素写入用高电平电位VL设为高的电位。例 如,当在输出端子Nout需要5V的像素写入用高电平电位VL时,优选将 供给至电压选择电路64a的像素写入用高电平电位VL设在例如5.5V左 右。
还有,只要是即便产生上述的电压下降也不会对向锁存电路70的图像 信号的写入动作带来妨碍,也可以不进行输入电位的调整。
还有,即便在第三开关电路SC3中,在二极管D2中产生电压下降, 但也仅将从第三开关电路SC3输出的电池电位VB,用于在后述的图像保 持步骤ST3中的锁存电路70的电位保持。而且,在稳定状态的锁存电路70中几乎没有电流流过,所以认为流经二极管D2的电流也变小。因此, 认为,依存于顺方向电流的顺方向电压Vf也变小,不会发生锁存电路70 的存储内容丧失这种程度的电压下降。
但是,当电压下降^艮小但也不能够保持锁存电路70的电位时,与第三 关电路SC2同样,必需将输入电位设定得较高等的对策。 (驱动方法)
接着,关于具备上述结构的电泳显示装置100的驱动方法进行说明。 图8是表示电泳显示装置100的驱动方法的流程图。 如图8所示,本实施方式的驱动方法,具有对像素40的锁存电路 70输入图像信号的图像信号输入步骤ST1 (图像信号输入期间)、在显示 部5显示基于写入的图像信号的图像的图像显示步骤ST2 (图像显示期 间)、保持显示的图像的第一图像保持步骤ST3 (图像保持期间)、恢复 显示图像的对比度的刷新步骤ST4 (刷新期间)和第二图像保持步骤ST5 (图像保持期间)。
图9是图8所对应的定时图。还有图IO是表示在以下的说明中所使用 的2个像素40A、 40B的图。还有,在图9以及图10中,各符号的"A"、 "B,,、"a,,、"b"的后缀,只是为了明确区分作为说明对象的2个像素40( 40A、 40B)和属于它们的构成要素,没有其他意图。
在图9中,示出了扫描线66的电位G、高电位电源线50的电位Vdd、 低电位电源线49的电位Vss、锁存电路70a的数据输入端子Nla的电位、 锁存电路70b的数据输入端子Nlb的电位、共用电极37的电位Vcom、像 素电极35a的电位Va、以及像素电极35b的电位Vb。
还有,图10的像素40A,表示在后述的图像显示步骤中进行黑显示的 像素,像素40B表示进行白显示的像素。
以下,关于本实施方式的驱动方法,详细进刊4兌明。 首先,在图像信号输入步骤ST1中,对高电位电源线50 (Vdd)供给 像素写入用高电平电位VL (例如5V)。即,在图7 (a)所示的电压选择 电路64a中,输入仅使笫二开关电路SC2处于接通状态的开关信号XVLSEL(低电平),从输出端子Nout对高电位电源线50输入像素写入 用高电平电位VL。
还有,对低电位电源线49 ( Vss )输入接地电位GND ( 0V,低电平)。 共用电极37处于高阻抗状态。
还有,在控制器63中,通过控制电路161对存储控制电路166供给输 入数据緩沖器164的图像数据D,存储控制电路166将图像数据D展开于 帧存储器165。由此,完成了在显示部5显示基于图4象数据D的图像的准 备。
接着,如图9所示,对各像素40的锁存电路70输入图像信号。即, 对扫描线66输入作为选择信号的高电平(H)的脉冲,使与该扫描线66 相连接的驱动用TFT41处于导通状态。由此,数据线68与锁存电路70连 接,从帧存储器165供给的图像信号被输入锁存电路70。
在像素40A中,经由驱动用TFT41a从数据线68a对锁存电路70a输 入与黑显示(像素数据"0")相对应的低电平(接地电位GND; 0V)的图 像信号。由此,锁存电路70a的数据输入端子Nla的电位变为接地电位 GND,数据输出端子N2a的电位变为像素写入用高电平电位VL。
另一方面,在像素40B中,经由驱动用TFT41b从数据线68b对锁存 电路70b输入与白显示(像素数据"l")相对应的高电平(像素写入用高电 平电位VL)的图像信号。由此,锁存电路70b的数据输入端子Nlb的电 位变为像素写入用高电平电位VL,数椐输出端子N2b的电位变为接地电 位GND (低电平)。
还有,在图像信号输入步骤ST1中,与锁存电路70a连接的像素电极 35a的电位变为像素写入用高电平电位VL,与锁存电路70b连接的像素电 极35b的电位变为接地电位GND,但共用电极37处于高阻抗状态,所以 电泳显示装置32的显示状态没有变化。
如果分别对像素40A、 40B输入图像信号,则转移至图像显示步骤ST2。
在图像显示步骤ST2中,高电位电源线50的电位Vdd,被从像素写 入用高电平电位VL (例如5V)提升至用于驱动电泳元件32的驱动用高电平电位VH (例如15V)。即,在电压选择电路64a中,使第二开关电 路SC2变为断开状态,并且使第一开关电路SC1变为接通状态,从输入端 子Nout对高电位电源线50输入驱动用高电平电位VH。
将低电位电源线49的电位Vss作为接地电位GND (0V)。还有,对 共用电极37,输入驱动用高电平电位VH和接地电平电位GND以规定周 期重复的矩形脉沖。
由此,在像素40A中,将锁存电路70a的数据输出端子N2a的电位上 升至驱动用高电平电位VH,像素电极35a的电位Va变为驱动用高电平电 位。而且,在输入有矩形脉沖的共用电极37为接地电位GND的期间,由 4象素电极35a和共用电极37的电位差驱动电泳元件32。即,如图5(b) 所示,带正电的黑色微粒26向共用电极37侧靠近,带负电的白色微粒27 向像素电极35a侧靠近,像素40A进行黑显示。
另一方面,在像素40B中,将锁存电路70a的数据输出端子N2b的电 位设为接地电位GND,所以像素电极35b的电位Vb也变为接地电位GND。 而且,在共用电极37为驱动用高电平电位VH的期间,由像素电极35b 和共用电才及37之间的电位差驱动电泳元件32。即,如图5(a)所示,带 负电的白色微粒27向共用电极37侧靠近,带正电的黑色微粒26向像素电 极35a侧靠近,像素40B进行白显示。
通过以上的图像信号输入步骤ST1以及图像显示步骤ST2中的一连串 的动作,能够在显示部5显示基于图像数据D的图像。
如果图像显示动作结束,则如图8所示,转移至第一图像保持步骤ST3。
在第一图像保持步骤ST3,使共用电极37变为高阻抗状态。还有,在 电压选择电路64a中,使第一开关电路SC1变为断开状态,并且使第三开 关电路SC3变为接通状态,由此将锁存电路70的高电位电源端子PH从 驱动用高电平电位VH降压至电池电位VB。即,将锁存电路70维持在通 过电池电位VB(例如2V )驱动的电源接通状态,在图像信号输入步骤ST1 中保持输入的图像信号。
还有,在第一图像保持步骤ST3中,锁存电路70保持电位,所以像素电极35a的电位Va变为电池电位VB,像素电极35b的电位Vb变为接 地电位GND,但共用电极37处于高阻抗状态,所以电泳元件32不会4皮驱 动。因此,在第一图像保持步骤ST3中,显示部5的显示不会变化。这一 点在第二图像保持步骤ST5中也一样。
接着,在转移至第一图像保持步骤ST3之后,经过规定时间之后,转 移至刷新步骤ST4。
在刷新步骤ST4中,在电压选择电路64a中使第三开关电路SC3变为 断开状态,并且使第一开关电路SC1变为接通状态。由此,如图9所示, 将高电位电源线50的电位Vdd再次提升至驱动用高电平电位VH。还有, 对共用电极37输入驱动用高电平电位VH和接地电位GND以规定周期重 复的矩形脉冲。
这样一来,在共用电极37是接地电位GND的期间,基于像素电极35 (35a)与共用电极37的电位差驱动电泳元件32,该像素40 ( 40A )进行 黑显示。通过该黑显示动作,在黑显示的像素40 (40A)中随时间流逝而 降低的对比度,能够恢复至图像显示步骤ST2即刻之后的状态。
另一方面,在共用电才及37是驱动用高电平电位VH的期间,基于像素 电极35 ( 35b )与共用电极37的电位差驱动电泳元件32,该像素40 ( 40B ) 进行白显示。通过该白显示动作,在白显示的像素40 (40B)中随时间流 逝而降低的对比度,能够恢复至图像显示步骤ST2即刻之后的状态。
还有,在图9中,关于对于共用电极37输入2个周期量的脉冲的情况 进行表示,但是在刷新步骤ST4中输入共用电极37的脉沖,只要驱动用 高电平电位VH的期间和接地电位GND的期间各至少设置一次即可,长 度也可以超过2个周期。
在刷新步骤ST4中,使显示图像的对比度恢复之后,转移至第二图像 保持步骤ST5。使锁存电路70的电源电压再次降低至电池电位VB (高电 平)而以最小限度的消耗电力保持图像信号,同时将共用电极37设为高阻 抗的状态历经较长期间保持显示图像。之后,通过交替重复刷新步骤ST4 和规定期间的图像保持步骤ST5 (ST3),能够保持显示图像的对比度。根据上述详细说明的本实施方式的驱动方法,在图像显示步骤ST2之 后,设置图像保持步骤ST3以及刷新步骤ST4,从而能够历经较长期间对 比度不降低地保持显示图像。
还有,在图像显示步骤ST3中,将锁存电路70的电源保持为工作状 态而非断开,所以不进行对于锁存电路70的再次的图像信号输入,能够进 行刷新动作,能够消除由于图像信号的传送所产生的电力消耗。
而且,在图像保持步骤ST3中,高电位电源端子PH的电位Vdd降低 至电池电位VB,锁存电路70的驱动电压降低至电泳显示装置100的最低 电压,所以能够抑制图像显示步骤ST3、 ST5中的电力消耗。
还有,在本实施方式的电泳显示装置100中,具备如图7所示的电压 选择电路64a,所以能够对于高电位电源线50自如供给电池电位VB。
还有,对图像保持步骤ST3的长度没有特别限定,但如果时间延长, 则对比度的降低幅度变大,与之相伴,刷新步骤ST4中的电泳元件32的 驱动时间必须延长。还有,由于刷新动作所产生的对比度变化变大,变得 醒目容易视觉识别。因此,只要设定图像保持步骤ST3的长度,使得在没 有过度发生对比度的降低的时间点完成刷新动作。
在本实施方式所涉及的驱动方法中,在图像显示步骤ST2中,对共用 电极37多个周期量地输入驱动用高电平电位VH和接地电位GND周期性 重复的矩形脉冲。这样的驱动方法,在本发明中称为"共振驱动"。作为"共 振驱动"的定义,是指在图像显示步骤ST2中对共用电极37施加至少一个 周期以上的重复驱动用高电平电位VH (高电平)和接地电位GND (低电 平)的脉冲的驱动方法。
根据该共振驱动方法,能够使黑色微粒和白色微粒更加可靠地移动至 预期的电极,所以能够提高对比度。还有,能够通过驱动用高电平电位VH 和接地电位GND这两个值控制施加于像素电极和共用电极的电位,所以 能够谋求低电压化,并且能够简化电路结构。还有,在作为像素电极35 的开关元件使用TFT时,存在通过低电压驱动能够确保TFT的可靠性这 样的优点。还有,优选,共振驱动的频率以及周期,与电泳元件32的规格以及特 性相对应地适当设定。
而且在本发明中,在图像显示步骤ST2中,也能够使用不进行共振驱 动的驱动方法。此时,将闺像显示步骤ST2分割为黑色图像显示期间和白 色图像显示期间,在黑色图像显示期间中将共用电极37固定为接地电位 GND,在白色图像显示期间将共用电极37固定为驱动用高电平电位VH 由此,在黑色图像显示期间中像素40A进行黑显示,在白色图像显示期间 中像素40B进行白显示,所以能够与上述实施方式同样在显示部5显示图 像。
(第二实施方式)
接着,对于本发明的第二实施方式参照附图进行说明。
图11是表示笫二实施方式中的电泳显示装置200的概略结构图。图 12是表示笫二实施方式中的电泳显示装置200的像素电路图。
还有,在图11以及图12中,对于与之前的第一实施方式相同的构成 要素标注相同的符号,并省略对它们的详细说明。
如图11所示,在电泳显示装置200中,在显示部5像素140矩阵状排 列。各像素140分别连接于从共用电源调制电路64延伸的第一控制线91 和第二控制线92。与像素140连接的其他布线(扫描线66、数据线68、 共用电极布线55、高电位电源线50、低电位电源线49)与第一实施方式 相同。
如图12所示,电泳显示装置200的像素140,在图2的像素40的结 构上,还具备介于锁存电路70与像素电极35之间的开关电路80。开关电 路80,具有第一传输门TG1和第二传输门TG2。
第一传输门TG1,具有P-MOS晶体管81和N-MOS晶体管82。P-MOS 晶体管81和N-MOS晶体管82的源极端子连接于第一控制线91,漏极端 子连接于像素电极35。 P-MOS晶体管81的栅极端子连接于锁存电路70 的数据输入端子Nl (驱动用TFT41的漏极端子),N-MOS晶体管82的 栅极端子连接于锁存电路70的数据输出端子N2。第二传输门TG2,具有P-MOS晶体管83和N-MOS晶体管84。 P-MOS 晶体管83和N-MOS晶体管84的源极端子连接于第二控制线92,漏极端 子连接于像素电极35。 P-MOS晶体管83的栅极端子连接于锁存电路70 的数据输出端子N2, N-MOS晶体管84的栅极端子连接于锁存电路70的 数据输入端子Nl。
在具备上述结构的电泳显示装置200中,为在显示部5显示图像,经 由驱动用TFT41对锁存电路70的数据输入端子Nl输入图像信号,将图 像信号作为电位由锁存电路70存储。这样一来,通过基于从锁存电路70 的数据输入端子Nl以及数据输出端子N2输出的电位而动作的开关电路 80,第一控制线91或第二控制线92与像素电极35连接。其结果,从第一 或第二控制线91、 92对像素电极35输入与图像信号相对应的电位,如图 5所示,基于像素电极35与共用电极37的电位差像素140进行黑或白显 示。
图13是表示电泳显示装置200的驱动方法的定时图,与第一实施方式 所参照的图9相对应。图14是表示通过图13所示的驱动方法进行黑显示 的像素140A和进行白显示的像素140B的图,与第一实施方式所参照的图 10相对应。
在图13中,除了图9:所示的第一实施方式中的定时图,还示出了第一 控制线91的电位Sl和第二控制线92的电位S2。
即便是本实施方式的电泳显示装置200,也能够釆用图8所示的第一 实施方式中的驱动方法。即,能够采用依次执行对像素140的锁存电路70 输入图像信号的图像信号输入步骤ST1、在显示部5显示基于写入的图像 信号的图像的图像显示步骤ST2、保持显示了的图像的第一图像保持步骤 ST3、恢复显示图像的对比度的刷新步骤ST4和第二图像保持步骤ST5的 驱动方法。
但是,在本实施方式的驱动方法中,如图13所示,将图像显示步骤 ST2分割为黑色图像显示期间ST21和白色图像显示期间ST22,在各个期 间进^f亍黑显示和白显示,从而在显示部5显示图^^。在黑色图像显示期间ST21中,对笫一控制线91输入驱动用高电平电 位VH,另一方面第二控制线92处于高阻抗状态。由此,像素140A的像 素电极35a的电位Va变为驱动用高电平电位VH,另一方面像素140B的 像素电极35b的电位变为高阻抗状态。因此,仅驱动属于像素140A的电 泳元件32, <象素140A进行黑显示。
另一方面,在白色图像显示步骤ST22中,第一控制线91成为高阻抗 状态,对第二控制线92输入接地电位GND。由此,像素140B的像素电 极35b的电位Vb变为接地电位GND,另 一方面像素140A的像素电极35a 变为高阻抗状态。因此,仅驱动属于像素140B的电泳元件32,〗象素140B 进行白显示。这样一来,显示部5显示基于图像数据的图像。
根据上述驱动方法,在图像显示步骤ST2中,第一控制线91和第二 控制线92中的任一方都成为高阻抗状态。因此,能够防止由相邻配置的像 素电极35a、 35b之间的电位差而产生经由粘接剂层33、微嚢20的泄漏电 流。由此,能够实现省电性更加优异的电泳显示装置。
还有,在本实施方式中,在图像显示步骤ST3、 ST5中,第一以及第 二控制线91、 92的双方都处于高阻抗状态。由此,基于锁存电路70的输 出,第一以及第二控制线91、 92中的任一方连接的像素电极35也成为高 阻抗状态,所以在图像保持步骤ST3、 ST5中不易产生泄漏电流。
还有,在本实施方式的电泳显示装置200中,从第一或第二控制线91、 92供给施加于像素电极35的电压,所以在刷新步骤ST4中对第一以及第 二控制线91、 92的双方输入电位。刷新步骤ST4在短时间内结束,所以 认为如图13所示,即便对笫一以及第二控制线91、 92的双方都输入电位 也很少会产生泄漏电流。但是,为了更加可靠地防止泄漏电流,优选,与 图像显示步骤ST2 —样,将刷新步骤ST4分割为黑色图像显示步骤和白色 图像显示步骤,在各个步骤中对第一以及第二控制线91、 92中的任一方输 入电位,另一方面使另一方的控制线处于高阻抗状态。
还有,在本实施方式的电泳显示装置200中,开关电路80介于锁存电 路70和像素电极35之间,通过操作与开关电路80相连接的第一以及笫二控制线91、 92的电位,不管锁存电路70的保持电位如何都能够进行显示 部5的显示控制。
例如,当对第一以及第二控制线91、 92的双方输入驱动用高电平电位 VH时,能够对所有的像素140的像素电极35输入驱动用高电平电位VH。 而且,如果在该状态下对共用电极37输入接地电位GND (低电平),则 显示部5能够进行全面黑显示。还有,如果对第一以及第二控制线91、 92 的双方输入接地电位GND (低电平),对共用电才及37输入驱动用高电平 电位VH,则显示部5能够进行全面白显示。因此,根据本实施方式,能 够不对锁存电路70传送图像信号而进行显示部5的消除动作。 (电子设备)
接着,对上述实施方式的电泳显示装置100、 200适用于电子设备的情 况进行说明。
图15,是手表1000的正视图。手表IOOO,具备表壳1002,和连结 于表壳1002的一对表带1003。
在表壳1002的正面,设置包括上述实施方式的电泳显示装置100(200) 的显示部1005、秒针1021、分针1022、和时针1023。在表壳1002的侧面, 设置作为操作子的巻钮(竜頭)1010与操作钮1011。巻钮1010,连结于 表壳内部设置的主轴(图示省略),与主轴成为一体而以多级(例如2级) 按拔自如、且旋转自如地设置。在显示部1005中,能够对成为背景的图像、 日期、时间等的字符串,或者秒针、分针、时针等进行显示。
图16是表示电子纸1100的构成的立体图。电子纸IIOO,在显示区域 1101具备上述各实施方式的电泳显示装置100 (200)。电子纸1100具有 柔性,具备包括具有与现有的纸张同样的质感及柔软性的可以进行改写的 片的主体1102而构成。
图17是表示电子笔记本1200的构成的立体图。电子笔记本1200,多 层束集上述的电子纸1100,由封套1201所夹持。封套1201,例如具备对 从外部的装置所传送的显示数据进行输入的图示省略的显示数据输入单 元。由此,能够相应于该显示数据,以原状保持束集电子纸的状态,进行 显示内容的改变、更新。根据以上的手表1000、电子纸1100以及电子笔记本1200,则因为在 显示部采用本发明中的电泳显示装置100 (200),所以成为具备省电性优 异的显示部的电子设备。
还有,各图所示的电子设备,对本发明中的电子设备进行例示,并非 对本发明的技术范围进行限定。例如,在便携电话、便携用音频设备等的 电子设备的显示部,本发明中的电泳显示装置也能够合适地采用。
权利要求
1. 一种电压选择电路,其输出从多个输入电位选择的电位,其特征在于,能够从输出端子选择性输出作为最高电位的第一高电平电位、第二高电平电位和作为最低电位的第三高电平电位;对所述输出端子供给所述第一高电平电位的第一开关电路,具有高耐压晶体管和与所述高耐压晶体管的栅极端子连接的电平移位器;对所述输出端子供给所述第二高电平电位的第二开关电路,具有第一低耐压晶体管、与所述第一低耐压晶体管的栅极端子连接的电平移位器、和介于所述第一低耐压晶体管和所述输出端子之间的二极管;以及对所述输出端子供给所述第三高电平电位的第三开关电路,具有第二低耐压晶体管、和介于所述第二低耐压晶体管和所述输出端子之间的二极管。
2. 根据权利要求l所记载的电压选择电路,其特征在于, 构成设置于所述第二开关电路的电平移位器的晶体管,是低耐压晶体管。
3. —种电泳显示装置,其在一对基板之间夹持有包括电泳微粒的电泳 元件、具有包括多个像素的显示部,在每个所述像素中设置有像素电极、 像素开关元件、和在所述像素电极和所述像素开关元件之间连接的锁存电 路,其特征在于,至少所述锁存电路的电源电压,从根据权利要求1或2所记载的电压 选择电路供给。
4. 根据权利要求3所记载的电泳显示装置,其特征在于, 所述第三高电平电位,是设置于该电泳显示装置的电源系统的电池的电压。
5. —种电子设备,其特征在于, 具备权利要求3或4所记载的电泳显示装置。
全文摘要
本发明提供了电压选择电路、电泳显示装置以及电子设备,该电压选择电路能够削减电路面积、还能够抑制消耗电力、泄漏电流。该电压选择电路(64a),具备第一开关电路(SC1)、第二开关电路(SC2)以及第三开关电路(SC3)。第一开关电路(SC1)具有高耐压的P-MOS晶体管(PM1)和电平移位器(LS1),第二开关电路(SC2)具有低耐压的P-MOS晶体管(PM2)、电平移位器(LS2)和二极管(D1),第三开关电路(SC3)具有低耐压的P-MOS晶体管(PM3)和二极管(D2)。
文档编号G09G3/34GK101546525SQ20091012883
公开日2009年9月30日 申请日期2009年3月17日 优先权日2008年3月24日
发明者斋藤英俊 申请人:精工爱普生株式会社
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