电光学装置以及电子设备的制作方法

本发明涉及电光学装置以及电子设备。

背景技术：
近年来，提出了各种使用了有机发光二极管（OrganicLightEmittingDiode，以下称“OLED”）元件等发光元件的电光学装置的方案。在该电光学装置中，一般构成为以与扫描线和数据线的交叉对应的方式，与应显示的图像的像素对应地设置包括上述发光元件、晶体管等的像素电路（例如参照专利文献1）。在这样的结构中，若与像素的灰度等级对应的电位的数据信号被施加给该晶体管的栅极，则该晶体管向发光元件供给与栅极-源极间的电压对应的电流。由此，该发光元件以与灰度等级对应的亮度发光。专利文献1：日本特开2007－316462号公报然而，输出数据信号的电路为了以短时间充电数据线，需要较高的驱动能力。另一方面，为了进行高品质的显示，需要以细致的精度控制数据信号的电位来表现细致的灰度变化。但是，在具有较高驱动能力的电路中，以细致的精度控制数据信号的电位很困难。

技术实现要素：
本发明是鉴于上述的情况而完成的，其目的之一在于提供一种无需细致的精度的数据信号就能够进行高品质的显示的电光学装置。为了实现上述目的，本发明所涉及的电光学装置的特征在于，具备：多根扫描线；多根数据线；显示部，其具备与上述多根扫描线和上述多根数据线的交叉对应设置的多个像素电路；第一保持电容，其与上述多根数据线分别对应设置来保持上述数据线各自的电位；数据线驱动电路，其与上述多根数据线电连接；驱动控制电路，其控制上述数据线驱动电路的动作；以及显示控制电路，其向上述驱动控制电路供给用于表示在上述显示部应显示的画面整体的明亮度的明亮度信息，上述多个像素电路分别具备：发光元件；驱动晶体管，其向发光元件供给电流；写入晶体管，其在上述驱动晶体管的栅极和上述数据线之间电连接；以及第二保持电容，其一端与上述驱动晶体管的栅极电连接并保持上述驱动晶体管的栅极和源极间的电压，上述显示控制电路将规定上述发光元件的亮度的图像信号供给至上述数据线驱动电路，上述数据线驱动电路具备：被从上述驱动控制电路供给电位控制信号的电位控制线、和与上述多根数据线的每一根对应设置的多个电平移位电路，上述多个电平移位电路分别具有：第三保持电容，其一端与上述数据线连接，并且基于上述图像信号的电位被供给到其另一端；和第一晶体管，其在上述第三保持电容的另一端以及上述电位控制线之间电连接，上述驱动控制电路根据上述明亮度信息，控制上述电位控制信号的电位。根据该发明，数据线与第一保持电容和第三保持电容的一端连接，向第三保持电容的另一端供给基于规定发光元件的亮度的图像信号的电位。因此，数据线的电位变动的大小是根据第一保持电容以及第三保持电容的电容比将基于图像信号的电位的变动的大小压缩了的值。即、数据线的电位的变动范围与基于图像信号的电位的变动范围相比变窄。由此，即使不以细致的精度标记数据信号，也能够以细致的精度设定驱动晶体管的栅极节点的电位，并能够高精度地向发光元件供给电流，从而能够实现高品质的显示。另外，能够将数据线的电位变化幅度抑制为很小，所以能够防止因数据线的电位变动所引起的串扰、不均等的产生。此外，在根据第一保持电容以及第三保持电容的电容比压缩基于图像信号的电位的变动幅度的情况下，与不压缩的情况相比，发光元件的亮度降低。但是，根据本实施方式，根据明亮度信息来控制电位控制信号的电位，从而能够增大驱动晶体管的栅极以及源极间的电压，所以能够向发光元件供给较大的电流。即、根据本发明，能够同时实现高精度控制供给至发光元件的电流的大小、和向发光元件供给较大的电流。由此，本发明所涉及的电光学装置能够实现高品质的显示，并且能够进行明亮的图像的显示。此外，本发明所涉及的电光学装置通过第三保持电容的一端并经由数据线，向第一保持电容以及第二保持电容供给电荷，由此确定驱动晶体管的栅极节点的电位。具体而言，驱动晶体管的栅极节点的电位由第一保持电容的电容值、第二保持电容的电容值、以及第三保持电容向第一保持电容和第二保持电容供给的电荷量来确定。假设在电光学装置不具备第一保持电容的情况下，驱动晶体管的栅极节点的电位由第二保持电容的电容值和第三保持电容所供给的电荷来确定。由此，在第二保持电容的电容值由于半导体工序的误差而在每个像素电路具有相对的偏差的情况下，驱动晶体管的栅极节点的电位也在每个像素电路产生偏差。在该情况下，产生显示不均，显示品质降低。与此相对，本发明具备保持数据线的电位的第一保持电容。第一保持电容与数据线的每一根对应地设置，所以与在像素电路内设置的第二保持电容相比，能够构成为具有大面积的电极。因此，设置于各列的多个第一保持电容与第二保持电容相比，能够将起因于半导体工序的误差的电容值的相对的偏差抑制为较小。由此，能够在每个像素电路防止驱动晶体管的栅极节点的电位偏差，能够实现防止了显示不均的产生的高品质的显示。另外，在上述的电光学装置中，优选上述显示控制电路具备将上述发光元件的亮度、上述图像信号所示的电位、以及上述明亮度信息对应地存储的存储部，根据上述明亮度信息，生成规定上述发光元件的亮度的上述图像信号。在根据明亮度信息变更电位控制信号的电位从而变更了在显示部应显示的画面整体的明亮度的情况下，发光元件的亮度和供给至该发光元件的图像信号所示的电位的关系也发生变化。在该情况下，有时即使不考虑电位控制信号的电位变化而实施γ修正，发光元件也会以与图像信号所规定的亮度不同的亮度进行发光。与此相对，本发明所涉及的电光学装置具有存储部，该存储部除了发光元件的亮度以及图像信号所示的电位之外，还将明亮度信息对应地存储。因此，即使是在根据明亮度信息变更了在显示部应显示的画面整体的亮度的情况下，发光元件也能够以图像信号所规定的准确的亮度进行发光。另外，在上述的电光学装置中，优选上述电光学装置具备控制上述多个像素电路的动作的扫描线驱动电路，上述数据线驱动电路具备供给初始电位的第一供电线，上述电平移位电路具备在上述第三保持电容的一端以及上述第一供电线之间电连接的第二晶体管，在第一期间，上述驱动控制电路将上述第二晶体管维持在导通状态，在上述第一期间结束后开始的第二期间，上述扫描线驱动电路将上述写入晶体管维持在导通状态，上述驱动控制电路将上述第一晶体管维持在导通状态，并且将上述第二晶体管维持在截止状态，在上述第二期间结束后开始的第三期间，上述扫描线驱动电路将上述写入晶体管维持在导通状态，上述驱动控制电路将上述第一晶体管以及上述第二晶体管维持在截止状态，向上述第三保持电容的另一端供给基于上述图像信号的电位。根据该发明，在第一期间以及第二期间，对数据线的电位进行初始化后，在第三期间，向第三保持电容的另一端供给规定发光元件的亮度的电位的信号。因此，驱动晶体管的栅极节点的电位被正确地设定为与规定发光元件的亮度的电位的信号对应的值，所以能够进行高品质的显示。另外，在第三期间向第三保持电容的另一端供给的基于图像信号的电位，根据第三保持电容以及第一保持电容的电容比而被压缩后，供给至驱动晶体管的栅极节点。因此，本发明所涉及的电光学装置能够高精度供给向发光元件供给的电流的大小，能够进行高品质的显示。另外，在上述的电光学装置中，优选上述电平移位电路具备第四保持电容，上述第四保持电容在从上述第一期间开始到上述第三期间开始为止的期间中的至少一部分，向一端供给上述显示控制电路输出的上述图像信号所示的电位，在上述第三期间，一端与上述第三保持电容的另一端电连接。根据该发明，在第一期间以及第二期间，数据信号被供给至第四保持电容的一端，在被暂时保持后，在第三期间，被供给至驱动晶体管的栅极节点。假设在电光学装置不具备第四保持电容的情况下，在第三期间必须进行对于驱动晶体管的栅极节点的数据信号的供给的动作的全部，需要将第三期间的时间长度设定为足够的长度。与此相对，本发明在第一期间以及第二期间，并行进行数据信号的供给动作和数据线等的初始化动作，所以能够缓和在一个水平扫描期间应执行的动作在时间上的制约。由此，能够使数据信号的供给动作低速化，并且能够充分确保进行数据线等的初始化的期间。另外，根据该发明，除了第一保持电容、第二保持电容以及第三保持电容之外，还使用第四保持电容来压缩基于图像信号的电位的变动的大小，所以能够以细致的精度向发光元件供给电流。另外，在上述的电光学装置中，也可以是如下方式：上述数据线驱动电路具备多个与上述第四保持电容分别对应设置的第一开关以及第二开关的组，上述第一开关的输出端与上述第三保持电容的另一端电连接，上述第一开关的输入端与上述第四保持电容的一端和上述第二开关的输出端电连接，在从上述第一期间开始到上述第三期间开始为止的期间，上述驱动控制电路在上述第一开关成为截止的状态下，使上述第二开关导通，上述显示控制电路向上述第二开关的输入端供给上述图像信号所表示的电位，在上述第三期间，上述驱动控制电路在上述第二开关成为截止的状态下，使上述第一开关导通。另外，在上述的电光学装置中，优选上述第四保持电容具备在被供给固定电位的第二供电线和上述第二开关的输出端之间以并联的方式电连接的多个第四独立电路，上述多个第四独立电路分别具有在上述第二供电线和上述第二开关的输出端之间以串联的方式电连接的第四独立电容和第四独立开关，上述驱动控制电路根据上述明亮度信息，选择性地使上述多个第四独立开关的一部分或者全部导通。根据该发明，能够根据明亮度信息，使第四保持电容的电容值变化。由此，例如，在显示部应显示的画面整体的明亮度明亮而伴随数据线的电位变动的不均等被识别的可能性较低的情况下，能够降低相对于基于图像信号的电位的变动幅度的压缩率，从而显示对比度较大的清晰的图像。另外，在上述的电光学装置中也可以是如下方式：上述多根数据线按照规定数量进行分组，与属于1个组的规定数量的数据线对应的规定数量的上述第二开关的输入端被共同连接，上述驱动控制电路使属于上述1个组的规定数量的第二开关同步于上述图像信号的供给地以规定的顺序导通。另外，在上述的电光学装置中，优选上述像素电路具备在上述驱动晶体管的栅极以及漏极之间电连接的阈值补偿晶体管，上述扫描线驱动电路在上述第二期间，将上述阈值补偿晶体管维持在导通状态，在上述第二期间以外的期间，将上述阈值补偿晶体管维持在截止状态。根据该发明，能够将驱动晶体管的栅极的电位设定为与驱动晶体管的阈值电压对应的电位，并能够补偿每个驱动晶体管的阈值电压的偏差。另外，在上述的电光学装置中优选为，具备与上述多根数据线的每一根对应设置并供给规定的复位电位的多根第三供电线，上述像素电路具备在上述第三供电线和上述发光元件之间电连接的初始化晶体管，上述扫描线驱动电路在上述第一期间、上述第二期间以及上述第三期间中的至少一部分，将上述初始化晶体管维持在导通状态。根据该发明，能够抑制寄生于发光元件的电容的保持电压的影响。另外，在上述的电光学装置中优选为，多个上述第三供电线的每一根分别沿着多根上述数据线而设置，上述第一保持电容由多根上述数据线和多根上述第三供电线中相互相邻的上述数据线以及上述第三供电线形成。根据该发明，能够充分增大第三保持电容（即、与第一保持电容以及第二保持电容相比增大），所以数据线的电位的变动范围与规定发光元件的亮度的电位的信号的电位的变动范围相比，能够充分减小变窄，即使不以细致的精度标记数据信号，也能够以细致的精度设定驱动晶体管的栅极节点的电位。另外，在充分增大第三保持电容的情况下，能够防止在每个像素电路中驱动晶体管的栅极节点的电位发生偏差，能够实现防止了显示不均的产生的高品质的显示。此外，第三保持电容也可以由将相互相邻的数据线以及第二供电线设置于同层而形成。另外，第三保持电容也可以是以在俯视时使相互相邻的数据线以及第二供电线重叠的方式配置而形成。另外，在上述的电光学装置中，也可以为如下方式：上述第一保持电容具备在多根上述数据线以及多根上述第三供电线中相互相邻的上述数据线以及上述第三供电线之间以并联的方式电连接的多个第一独立电路，上述多个第一独立电路分别具有在相互相邻的上述数据线以及上述第三供电线之间以串联的方式电连接的第一独立电容和第一独立开关，上述驱动控制电路根据上述明亮度信息，选择性地使上述多个第一独立开关的一部分或者全部导通。另外，在上述的电光学装置中，也可以为如下方式：上述第三保持电容具备以并联的方式电连接的多个第三独立电路，上述多个第三独立电路分别具有与上述数据线以串联的方式电连接的第三独立电容和第三独立开关，上述驱动控制电路根据上述明亮度信息，选择性地使上述多个第三独立开关的一部分或者全部导通。根据该发明，例如，在显示部应显示的画面整体的明亮度明亮而伴随数据线的电位变动的不均等被识别的可能性较低的情况下，能够降低与基于图像信号的电位的变动幅度相对应的压缩率，从而显示对比度较大的清晰的图像。另外，在上述的电光学装置中优选为，上述像素电路具备在上述驱动晶体管和上述发光元件之间电连接的发光控制晶体管，上述扫描线驱动电路至少在从上述第一期间开始时到上述第三期间结束时为止的期间，将上述发光控制晶体管维持在截止状态。此外，本发明除了能够涉及电光学装置外，还能够涉及具有该电光学装置的电子设备。作为电子设备，典型地能够列举头戴式显示器（HMD）、电子取景器等显示装置。附图说明图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的电光学装置的结构的立体图。图2是表示该电光学装置的结构的图。图3是表示该电光学装置中的驱动控制电路的图。图4是表示该电光学装置中的像素电路的图。图5是表示该电光学装置的动作的时序图。图6是该电光学装置的动作说明图。图7是该电光学装置的动作说明图。图8是该电光学装置的动作说明图。图9是该电光学装置的动作说明图。图10是对该电光学装置中的栅极节点的电位变化进行说明的说明图。图11是表示该电光学装置中的数据信号的振幅压缩的说明图。图12是表示该电光学装置中的晶体管的特性的说明图。图13是表示第二实施方式所涉及的电光学装置的结构的图。图14是表示该电光学装置中的驱动控制电路的图。图15是表示该电光学装置的动作的时序图。图16是该电光学装置的动作说明图。图17是该电光学装置的动作说明图。图18是该电光学装置的动作说明图。图19是该电光学装置的动作说明图。图20是对该电光学装置中的数据信号的电位幅度的压缩进行说明的说明图。图21是表示变形例5所涉及的保持电容的结构的图。图22是表示变形例6所涉及的保持电容的结构的图。图23是表示变形例7所涉及的保持电容的结构的图。图24是表示变形例4所涉及的像素电路的图。图25是表示使用了实施方式等所涉及的电光学装置的HMD的立体图。图26是表示HMD的光学构成的图。具体实施方式以下，参照附图，对用于实施本发明的方式进行说明。第一实施方式图1是表示本发明的实施方式所涉及的电光学装置1的结构的立体图。电光学装置1例如是在头戴式显示器中显示图像的微型显示器。如图1所示，电光学装置1具备显示面板2和对显示面板2的动作进行控制的控制部3。显示面板2具备多个像素电路、和驱动该像素电路的驱动电路。在本实施方式中，显示面板2具备的多个像素电路以及驱动电路形成在硅基板上，在像素电路上使用作为发光元件的一个例子的OLED。另外，显示面板2例如被收纳于在显示部开口的框状的壳体82，并且与FPC（FlexiblePrintedCircuits：挠性电路板）基板84的一端连接。在FPC基板84上，通过COF（ChipOnFilm：覆晶薄膜）技术安装半导体芯片的控制部3，并且设置多个端子86，从而与图示省略的上级电路连接。图2是表示第一实施方式所涉及的电光学装置1的结构的框图。如上所述，电光学装置1具备显示面板2和控制部3。其中，控制部3具备显示控制电路4和驱动控制电路5。从图示省略的上位电路与同步信号同步地向显示控制电路4供给数字图像数据Video。此处，所谓的图像数据Video是例如以8位规定在显示面板2（严格来说是后述的显示部100）上应显示的图像的像素的灰度等级的数据。另外，所谓的同步信号是指包含垂直同步信号、水平同步信号以及点时钟信号的信号。显示控制电路4根据同步信号，生成控制信号Ctr，并将该控制信号Ctr供给至显示面板2以及驱动控制电路5。此外，所谓的控制信号Ctr是包含脉冲信号、时钟信号、和使能信号等的信号。另外，显示控制电路4根据电光学装置1的使用者通过图示省略的输入部所输入的光亮度指定信息而生成明亮度信息Br，并将该明亮度信息Br供给至驱动控制电路5。此处，所谓的光亮度指定信息是指规定显示面板2（严格来说是后述的显示部100）显示图像时的画面整体的明亮度的数据。另外，明亮度信息Br是规定显示部100显示图像时的画面整体的明亮度的数据，可以取得Rbr个相互不同的值。此处，Rbr是1以上的自然数。此外，也可以将明亮度信息Br设定为与光亮度指定信息相等的值。此外，在本实施方式中，显示控制电路4根据使用者输入的光亮度指定信息，生成明亮度信息Br，但也可以根据图像数据Video生成明亮度信息Br。例如，可以根据由图像数据Video规定的发光元件的亮度的平均值计算出。接下来，显示控制电路4根据明亮度信息Br和图像数据Video以如下方式生成模拟图像信号Vid。即、显示控制电路4具备存储部6，该存储部6以使图像信号Vid所表示的电位、显示面板2所具备的发光元件（后述的OLED130）的亮度、以及明亮度信息Br相对应的方式进行存储。在存储部6中，以与明亮度信息Br所能取的值的每一个对应的方式设置Rbr个查找表LUT。并且，在各查找表LUT中，以使在显示部100应显示的画面成为与明亮度信息Br所示的值对应的明亮度的情况下的、图像信号Vid所示的电位和发光元件的亮度相对应的方式进行存储。显示控制电路4参照与明亮度信息Br对应的查找表LUT，从而输出与由图像数据Video规定的亮度对应的电位，并生成图像信号Vid。并且，显示控制电路4将所生成的图像信号Vid供给至显示面板2。驱动控制电路5根据由显示控制电路4供给的控制信号Ctr以及明亮度信息Br，生成各种控制信号和各种电位，将它们供给至显示面板2。具体而言，驱动控制电路5向显示面板2供给控制信号Sel（1）、Sel（2）、Sel（3）；相对于这些信号处于逻辑反转的关系的控制信号／Sel（1）、／Sel（2）、／Sel（3）；负逻辑的控制信号／Gini；正逻辑的控制信号Gref；规定的复位电位即电位Vorst；和电位控制信号。此处，根据明亮度信息Br来确定电位控制信号的电位Vref。此外，以下，有时将控制信号Sel（1）、Sel（2）、Sel（3）统称为控制信号Sel，将控制信号／Sel（1）、／Sel（2）、／Sel（3）统称为控制信号／Sel。如图2所示，显示面板2具备显示部100和驱动显示部100的驱动电路（数据线驱动电路10以及扫描线驱动电路20）。在显示部100矩阵状地排列有与应显示的图像的像素对应的像素电路110。详细而言，在显示部100中，以在图中沿横向（X方向）延伸的方式设置有m行扫描线12，另外，以在图中沿纵向（Y方向）延伸、并且与各扫描线12相互保持电绝缘的方式设置有按3列分组的（3n）列数据线14。并且，以与m行扫描线12和（3n）列数据线14的交叉部对应的方式设置有像素电路110。因此，在本实施方式中，像素电路110以纵m行×横（3n）列排列为矩阵状。此处，m、n都是自然数。有时为了区别扫描线12以及像素电路110的矩阵中的行（row：排），在图中从上依次称为1、2、3、…、（m－1）、m行。同样地，有时为了区别数据线14以及像素电路110的矩阵的列（Column：列），在图中从左依次称为1、2、3、…、（3n－1）、（3n）列。另外，为了概括地说明数据线14的组，若使用1以上n以下的整数j，则从左数第（3j－2）列、第（3j－1）列以及第（3j）列的数据线14属于第j组。此外，与同一行的扫描线12和属于同一组的3列数据线14的交叉对应的3个像素电路110分别以与R（红）、G（绿）、B（蓝）的像素对应的方式表现这3个像素应显示的彩色图像的1个点。即、在本实施方式中，构成为利用加色混合并通过与RGB对应的OLED的发光来表现1个点的彩色。另外，如图2所示，在显示部100中，以在纵向延伸并且与各扫描线12相互保持电绝缘的方式设置（3n）列供电线16（第三供电线）。对各供电线16共同地供给电位Vorst。此处，有时为了区别供电线16的列，在图中从左依次称为第1、2、3、…、（3n）、（3n＋1）列供电线16。沿着第1列～第（3n）列数据线14的每一列来设置第1列～第（3n）列供电线16的每一列。即、在将p设为1以上（3n）以下的整数时，第p列供电线16以及第p列数据线14以相互相邻的方式被设置。另外，在显示面板2上，以分别与第1列～第（3n）列数据线14对应的方式设置（3n）个保持电容50。保持电容50的一端与数据线14连接，另一端与供电线16连接。即、保持电容50作为对数据线14的电位进行保持的第一保持电容发挥作用。优选保持电容50通过相互相邻的供电线16以及数据线14夹持绝缘体（电介质）而形成。在该情况下，以得到需要的大小的电容的方式设定相互相邻的供电线16和数据线14之间的距离。此外，以下，将保持电容50的电容值标记为Cdt。在图2中，将保持电容50设置在显示部100的外侧，但这只是等效电路，也可以将保持电容50设置在显示部100的内侧。另外，也可以从显示部100的内侧横跨到外侧地设置保持电容50。扫描线驱动电路20是根据控制信号Ctr而生成用于在整个帧的期间逐行按顺序对扫描线12进行扫描的扫描信号Gwr的电路。此处，将向第1、2、3、…、（m－1）、m行扫描线12供给的扫描信号Gwr分别标记为Gwr（1）、Gwr（2）、Gwr（3）、…、Gwr（m-1）、Gwr（m）。此外，除了扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）之外，扫描线驱动电路20还按行生成与该扫描信号Gwr同步的各种控制信号并供给至显示部100，但图2中省略了图示。另外，所谓帧期间是指电光学装置1显示1个镜头（画面）的图像所需的期间，例如若同步信号所包括的垂直同步信号的频率为120Hz，则是其1个周期的8.3毫秒的期间。数据线驱动电路10具备分别与（3n）列数据线14以一一对应的方式设置的（3n）个电平移位电路LS、按构成各组的3列数据线14设置的n个多路复用器DM、以及数据信号供给电路70。数据信号供给电路70根据由控制部3供给的图像信号Vid和控制信号Ctr，生成数据信号Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）。具体而言，数据信号供给电路70例如包含移位寄存器而构成，并根据控制信号Ctr生成将图像信号Vid分时了的数据信号Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）。并且，数据信号供给电路70分别将数据信号Vd（1）、Vd（2）、…、Vd（n）供给至与第1、2、…、n组对应的多路复用器DM。此外，将数据信号Vd（1）～Vd（n）能取的电位的最高值设为Vmax，将最低值设为Vmin。图3是用于对多路复用器DM和电平移位电路LS的结构进行说明的电路图。此外，图3以属于第j组的多路复用器DM、和与该多路复用器DM连接的3个电平移位电路LS为代表来表示。此外，以下，有时将属于第j组的多路复用器DM标记为DM（j）。以下，除了图2之外还参照图3，对多路复用器DM以及电平移位电路LS的结构进行说明。如图3所示，多路复用器DM是按列设置的传输门34（第二开关）的集合体，按顺序向构成各组的3列供给数据信号。此处，与属于第j组的（3j－2）、（3j－1）、（3j）列对应的传输门34的输入端相互共同连接，分别向该共用端子供给数据信号Vd（j）。在控制信号Sel（1）是H电平时（控制信号／Sel（1）是L电平时），在第j组中设置在作为左端列的（3j－2）列的传输门34接通（导通）。同样地，在控制信号Sel（2）是H电平时（控制信号／Sel（2）是L电平时），在第j组中设置在作为中央列的（3j－1）列的传输门34接通，在控制信号Sel（3）是H电平时（控制信号／Sel（3）是L电平时），在第j组中设置在作为右端列的（3j）列的传输门34接通。电平移位电路LS按列具有保持电容44、N通道MOS型的晶体管43（第一晶体管）、和P通道MOS型晶体管45（第二晶体管）的组，是对从各列的传输门34的输出端输出的数据信号的电位进行移位的电路。此处，保持电容44的一端与对应的列的数据线14和晶体管45的漏极节点连接，另一方面，保持电容44的另一端与传输门34的输出端和晶体管43的漏极节点连接。即、保持电容44作为一端与数据线14连接的第三保持电容发挥作用。虽然在图3中省略了，但将保持电容44的电容值设为Crf1。各列的晶体管45的源极节点横跨各列地与供电线61（第一供电线）共同连接，并横跨各列地从驱动控制电路5向栅极节点共同供给控制信号／Gini。因此，晶体管45使作为保持电容44的一端的节点h2（以及数据线14）与供电线61在控制信号／Gini是L电平时电连接，而在控制信号／Gini是H电平时非电连接。此外，从驱动控制电路5向供电线61供给电位Vini（初始电位）。另外，各列的晶体管43的源极节点横跨各列地与供电线62（电位控制线）共同连接，并横跨各列地从驱动控制电路5向栅极节点共同供给控制信号Gref。因此，晶体管43使作为保持电容44的另一端的节点h1与供电线62在控制信号Gref是H电平时电连接，而在控制信号Gref是L电平时非电连接。此外，从驱动控制电路5向供电线62供给电位Vref（电位控制信号）。参照图4对像素电路110进行说明。如果从电学方面来看，各像素电路110是相互相同的结构，所以在此处，以位于第i行、第j组中的左端列的第（3j－2）列的i行（3j－2）列的像素电路110为例进行说明。此外，i是一般表示像素电路110排列的行的情况下的符号，是1以上m以下的整数。如图4所示，像素电路110包括P通道MOS型的晶体管121～125、OLED130、以及保持电容132。对该像素电路110供给扫描信号Gwr（i）、和控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）。此处，扫描信号Gwr（i）、控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）是分别与第i行对应地通过扫描线驱动电路20供给的信号。因此，如果是第i行，扫描信号Gwr（i）、控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）也向所关注的（3j－2）列以外的其他列的像素电路共同供给。晶体管122的栅极节点与第i行的扫描线12连接，漏极或者源极节点的一方与第（3j－2）列数据线14连接，另一方分别与晶体管121中的栅极节点g、保持电容132的一端、以及晶体管123的源极或者漏极节点的一方连接。即、晶体管122在晶体管121的栅极节点g和数据线14之间电连接，作为对晶体管121的栅极节点g和数据线14之间的电连接进行控制的写入晶体管发挥作用。此处，为了使晶体管121的栅极节点与其他的节点相区别而将其标记为g。晶体管121的源极节点与供电线116连接，漏极节点分别与晶体管123的源极节点或者漏极节点的另一方、以及晶体管124的源极节点连接。此处，向供电线116供给在像素电路110中成为电源的高位侧的电位Vel。对在晶体管121、122中，漏极节点或者源极节点与其他的构成要素电连接进行了说明，但在电位关系发生了变化的情况下，能够使作为漏极节点说明的节点成为源极节点，使作为源极节点说明的节点成为漏极节点。在以下说明的晶体管123～125也如此。无论在哪种情况下，例如，晶体管121的源极节点以及漏极节点的任意一方与供电线116电连接。而且，晶体管121的源极节点以及漏极节点的任意的另一方经由晶体管124而与OLED130电连接。另外，在图4中，晶体管121的源极节点以及漏极节点的任意的另一方经由晶体管123而与OLED130的阳极电连接。在晶体管121在饱和区域动作的情况下，控制与晶体管121的栅极-源极间的电压对应的导通状态，向OLED130供给与该导通状态相对应的电流。即、晶体管121作为使与晶体管121的栅极节点以及源极节点间的电压对应的电流流动的驱动晶体管发挥作用。向晶体管123的栅极节点供给控制信号Gcmp（i）。该晶体管123作为对晶体管121的源极节点以及栅极节点g之间的电连接进行控制的阈值补偿晶体管发挥作用。向晶体管124的栅极节点供给控制信号Gel（i），漏极节点分别与晶体管125的源极节点和OLED130的阳极连接。即、晶体管124作为对晶体管121的漏极节点和OLED130的阳极之间的电连接进行控制的发光控制晶体管发挥作用。向晶体管125的栅极节点供给与第i行对应的控制信号Gorst（i），漏极节点与第（3j-1）列供电线16连接并保持电位Vorst。该晶体管125作为对供电线16和OLED130的阳极之间的电连接进行控制的初始化晶体管发挥作用。在本实施方式中显示面板2形成在硅基板上，所以晶体管121～125的基板电位为电位Vel。保持电容132一端与晶体管121的栅极节点g连接，另一端与供电线116连接。因此，保持电容132作为保持晶体管121的栅极-源极间的电压的第二保持电容发挥作用。此外，将保持电容132的电容值标记为Cpix。此时，保持电容50的电容值Cdt、保持电容44的电容值Crf1、和保持电容132的电容值Cpix被设定为：Cdt＞Crf1＞＞Cpix。即、设定为Cdt比Crf1大，Cpix远小于Cdt以及Crf1。此外，作为保持电容132，可以使用寄生于晶体管121的栅极节点g的电容，也可以使用在硅基板上利用相互不同的导电层夹持绝缘层所形成的电容。OLED130的阳极是按每个像素电路110独立设置的像素电极。与此相对，OLED130的阴极是横跨全部像素电路110而共用的共用电极118，在像素电路110中被保持为成为电源的低位侧的电位Vct。OLED130是在上述硅基板中利用阳极与具有透光性的阴极夹持白色有机EL层所形成的元件。并且，在OLED130的射出侧（阴极侧）重叠与RGB的任意一个对应的彩色滤光片。在这样的OLED130中，若电流从阳极流向阴极，则从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子在有机EL层再次复合而生成激子，并产生白色光。此时成为产生的白色光透过与硅基板（阳极）相反侧的阴极并经过彩色滤光片的着色而在观察者侧被观察到的结构。第一实施方式的动作参照图5对电光学装置1的动作进行说明。图5是用于对电光学装置1中的各部的动作进行说明的时序图。如该图所示，扫描线驱动电路20将扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）依次切换为L电平，在1个帧的期间中按每一个水平扫描期间（H）依次扫描第1～第m行扫描线12。一个水平扫描期间（H）中的动作横跨各行的像素电路110而共同。于是，以下，在水平扫描第i行的扫描期间，特别关注i行（3j－2）列的像素电路110来对动作进行说明。在本实施方式中，若大致区分第i行的扫描期间，则分为图5中（b）所示的初始化期间、（c）所示的补偿期间、以及（d）所示的写入期间。而且，（d）的写入期间之后，成为（a）所示的发光期间，在经过1个帧的期间后，再次到达第i行的扫描期间。因此，如果以时间的顺序来说，反复（发光期间）→初始化期间→补偿期间→写入期间→（发光期间）这样的循环。此外，在图5中，与第i行的前一行的第（i－1）行对应的扫描信号Gwr（i-1）、和控制信号Gel（i-1）、Gcmp（i-1）、Gorst（i-1）分别成为在时间上分别比与第i行对应的扫描信号Gwr（i）、控制信号Gel（i）、Gcmp（i）、Gorst（i）在时间上领先一个水平扫描期间（H）的波形。发光期间为了便于说明，从成为初始化期间的前提的发光期间进行说明。如图5所示，在第i行的发光期间，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为H电平、将控制信号Gel（i）设定为L电平、将控制信号Gcmp（i）设定为H电平、将控制信号Gorst（i）设定为H电平。因此，如图6所示，在i行（3j－2）列的像素电路110中，晶体管124导通，而晶体管122、123、125截止。因此，晶体管121向OLED130供给与栅极-源极间的电压Vgs对应的电流Ids。如后述，在本实施方式中，在发光期间的电压Vgs是根据数据信号的电位从晶体管121的阈值电压进行了电平移位的值。因此，在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下向OLED130供给与灰度等级对应的电流。此外，第i行的发光期间是水平扫描第i行以外的期间，所以数据线14的电位适当地变动。但在第i行的像素电路110中，因为晶体管122截止，所以此处不考虑数据线14的电位变动。另外，在图6中，利用粗线表示动作说明中重要的路径（以下的图7～图9、图15～图18也相同）。初始化期间接下来，若到达第i行的扫描期间，则首先作为第一期间，（b）的初始化期间开始。在初始化期间，如图5所示，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为H电平、将控制信号Gel（i）设定为H电平、将控制信号Gcmp（i）设定为H电平、将控制信号Gorst（i）设定为L电平。因此，如图7所示，在i行（3j－2）列的像素电路110中，晶体管124截止，晶体管125导通。由此，向OLED130供给的电流的路径被切断，并且OLED130的阳极被复位为电位Vorst。如上所述，OLED130是利用阳极和阴极夹持有机EL层而成的结构，所以如图中虚线所示，在阳极-阴极之间并联寄生电容Coled。在发光期间，在电流流过OLED130时，该OLED130的阳极-阴极间的两端电压被该电容Coled保持，但该保持电压因晶体管125的导通而被复位。因此，在本实施方式中，在之后的发光期间电流再次流过OLED130时，不易受到由该电容Coled保持的电压的影响。详细而言，例如若在从高亮度的显示状态转为低亮度的显示状态时是不复位的结构，则保持亮度高（流过大电流）时的高电压，所以接下来，即使要使小电流流过，也会流过过载电流而不能够成为低亮度的显示状态。与此相对，在本实施方式中，因晶体管125的导通，OLED130的阳极的电位被复位，所以提高了低亮度侧的再现性。此外，在本实施方式中，将电位Vorst设定成该电位Vorst与共用电极118的电位Vct的差低于OLED130的发光阈值电压。因此，在初始化期间（接下来说明的补偿期间以及写入期间），OLED130是截止（非发光）状态。另一方面，如图5所示，在初始化期间，驱动控制电路5分别将控制信号／Gini设定为L电平、将控制信号Gref设定为H电平。因此，如图7所示，在电平移位电路LS中，晶体管43以及晶体管45成为导通的状态。由此，保持电容44的一端与供电线61电连接，与保持电容44的一端电连接的节点h2以及数据线14被初始化为电位Vini，另一方面，保持电容44的另一端与供电线62电连接，与保持电容44的另一端电连接的节点h1被初始化为电位Vref。在本实施方式中，将电位Vini设定为（Vel－Vini）比晶体管121的阈值电压｜Vth｜大。此外，晶体管121是P通道型，所以以源极节点的电位为基准的阈值电压Vth为负。因此，为了防止在高低关系的说明中产生混乱，以绝对值｜Vth｜表示阈值电压并以大小关系规定阈值电压。补偿期间在第i行的扫描期间，接下来，作为第二期间，到达（c）的补偿期间。在补偿期间中，如图5所示，驱动控制电路5分别将控制信号/Gini设定为H电平，将控制信号Gref设定为H电平。因此，如图8所示，在电平移位电路LS中，晶体管43成为导通的状态，另一方面，晶体管45成为截止的状态。由此，保持电容44的另一端与供电线62电连接，节点h1被设定为电位Vref。另外，在补偿期间，如图5所示，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为L电平、将控制信号Gel（i）设定为H电平、将控制信号Gcmp（i）设定为L电平、将控制信号Gorst（i）设定为L电平。因此，如图8所示，晶体管123导通，所以晶体管121成为二极管连接。由此，漏极电流在晶体管121流动，对栅极节点g以及数据线14进行充电。详细而言，电流按照供电线116→晶体管121→晶体管123→晶体管122→第（3j－2）列数据线14这样的路径流动。因此，因晶体管121的导通而处于相互连接状态的数据线14以及栅极节点g从电位Vini上升。但在上述路径流动的电流伴随栅极节点g接近电位（Vel－｜Vth｜）而难以流动，所以在到达补偿期间的结束之前，数据线14以及栅极节点g在电位（Vel－｜Vth｜）饱和。因此，在到达补偿期间的结束之前，保持电容132保持晶体管121的阈值电压｜Vth｜。此外，以下，有时将补偿期间结束时的栅极节点g的电位（Vel－｜Vth｜）标记为电位Vp。写入期间在初始化期间后，作为第三期间，到达（d）的写入期间。在写入期间，如图5所示，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为L电平、将控制信号Gel（i）设定为H电平、将控制信号Gcmp（i）设定为H电平、将控制信号Gorst（i）设定为L电平。由此，晶体管121的二极管连接被解除。另外，如图5所示，驱动控制电路5分别将控制信号／Gini设定为H电平、将控制信号Gref设定为L电平。由此晶体管45维持截止的状态，并且晶体管43也成为截止的状态。因此，虽然从第（3j－2）列数据线14至i行（3j－2）列的像素电路110中的栅极节点g的路径成为浮置状态，但该路径中的电位被保持电容50、132维持在（Vel－｜Vth｜），即、维持在电位Vp。在第i行的写入期间，数据信号供给电路70例如将第j组的数据信号Vd（j）按顺序切换为与i行（3j－2）列、i行（3j－1）列、i行（3j）列的像素的灰度等级对应的电位。另一方面，驱动控制电路5同步于数据信号的电位的切换来按顺序排他地使控制信号Sel（1）、Sel（2）、Sel（3）成为H电平。此外，虽在图5中省略了，但驱动控制电路5也输出与控制信号Sel（1）、Sel（2）、Sel（3）成逻辑反转的关系的控制信号／Sel（1）、／Sel（2）、／Sel（3）。由此，在多路复用器DM中，在各组中传输门34分别以左端列、中央列、右端列的顺序导通。此处，在左端列的传输门34通过控制信号Sel（1）、／Sel（1）被导通时，如图9所示，作为保持电容44的另一端的节点h1从补偿期间中被设定的电位Vref变化为数据信号Vd（j）的电位，即变化为与i行（3j－2）列的像素的灰度等级对应的电位。参照图10对此时的栅极节点g的电位变化进行详细说明。图10是用于对补偿期间以及写入期间的栅极节点g以及节点h1的各电位变化进行说明的说明图。图10（A）表示补偿期间结束时（严格来说，是从补偿期间结束时开始到向保持电容44的另一端供给数据信号Vd（j）为止的期间）的栅极节点g以及节点h1的电位，图10（B）表示写入期间结束时（严格来说，在写入期间中向保持电容44的另一端供给数据信号Vd（j）后的期间）的栅极节点g以及节点h1的电位。此外，以下，将变化后的栅极节点g的电位表示为Vgate。如图8以及图9所示，在补偿期间以及写入期间，保持电容50以及保持电容132并联地电连接。因此，保持电容50以及保持电容132的合成电容的电容值C0通过以下的式（1）表示。C0＝Cpix＋Cdt……（1）因此，若将在补偿期间结束时在保持电容50以及保持电容132的合成电容所积累的电荷设为Q0a（图10（A））、将在写入期间结束时该合成电容所积累的电荷设为Q0b（图10（B）），则在写入期间，从保持电容50以及保持电容132的合成电容流出的电荷（Q0a－Q0b）通过以下的式（2）表示。Q0a－Q0b=C0*（Vp－Vgate）……（2）同样，若将在补偿期间结束时保持电容44所积累的电荷设为Q1a（图10（A））、将在写入期间结束时保持电容44所积累的电荷设为Q1b（图10（B）），则在写入期间，流入保持电容44的电荷（Q1b－Q1a）通过以下的式（3）表示。Q1b－Q1a=Crf1*｛（Vgate－Vd（j））－（Vp－Vref）｝……（3）在写入期间，从保持电容50以及保持电容132的合成电容流出的电荷与流入保持电容44的电荷相等，所以以下的式（4）成立。Q0a－Q0b=Q1b－Q1a……（4）因此，通过式（1）～式（3），能够计算出写入期间的栅极节点g的电位Vgate。具体而言，电位Vgate通过以下的式（5）表示。Vgate=｛Crf1／（Crf1＋C0）｝*｛Vd（j）－Vref｝＋Vp……（5）此处，若将以下的式（6）所示的电容比k1导入，则电位Vgate能够通过以下的式（7）表示。k1=Crf1／（Crf1＋Cdt＋Cpix）……（6）Vgate=k1*｛Vd（j）－Vref｝＋Vp……（7）若以ΔV表示此时的节点h1的电位变化量｛Vd（j）－Vref｝，以ΔVg表示栅极节点g的电位变化量（Vgate－Vp），则以下的式（8）成立。ΔVg=k1*ΔV……（8）这样，栅极节点g成为从补偿期间的电位Vp＝（Vel－｜Vth｜），向上升方向移位了节点h1的电位变化量ΔV乘以电容比k1所得的值（k1*ΔV）的值的Vgate＝Vel－｜Vth｜＋k1·ΔV。此时，晶体管121的电压Vgs的绝对值｜Vgs｜成为从阈值电压｜Vth｜减去栅极节点g的电位上升的移位量的值。即、以下的式（9）成立。｜Vgs｜=｜Vth｜－k1*ΔV……（9）图11是表示写入期间的数据信号的电位和栅极节点g的电位的关系的图。如上所述，从控制电路5供给的数据信号根据像素的灰度等级能取最小值Vmin至最大值Vmax的电位范围。在本实施方式中，不将该数据信号直接写入栅极节点g，如图所示，而是进行电平移位来写入栅极节点g。此时，栅极节点g的电位范围ΔVgate如以下的式（10）所示，被压缩为数据信号的电位范围ΔVdata（＝Vmax－Vmin）乘以电容比k1而得到的值。ΔVgate=k1*ΔVdata……（10）如上所述，电容值Cpix远小于电容值Crf1以及电容值Cdt，所以例如，在以Crf1：Cdt＝1：9的方式设定了保持电容44、50的电容时，能够将栅极节点g的电位范围ΔVgate压缩为数据信号的电位范围ΔVdata的1／10。另外，能够由电位Vp（＝Vel－｜Vth｜）、电位Vref确定使栅极节点g的电位范围ΔVgate相对于数据信号的电位范围ΔVdata向哪个方向移位多少。这是因为以电位Vref为基准按电容比k1压缩数据信号的电位范围ΔVdata，并且该压缩范围以电位Vp为基准进行移位后的范围成为栅极节点g的电位范围ΔVgate。像这样在第i行的写入期间，向第i行的像素电路110的栅极节点g写入从补偿期间中的电位Vp（=Vel－｜Vth｜）移位了节点h的电位变化量ΔV乘以电容比k1而得到的量的电位（Vel－｜Vth｜＋k1·ΔV）。发光期间在第i行的写入期间结束后，发光期间开始。在本实施方式中，在第i行的写入期间结束之后，隔了一个水平扫描期间的时间，发光期间开始。在发光期间，如上所述，扫描线驱动电路20将扫描信号Gwr（i）设定为H电平，所以晶体管122截止。由此，栅极节点g的电位维持在移位后的电位（Vel－｜Vth｜＋k1·ΔV）。另外，在发光期间，如上所述，扫描线驱动电路20将控制信号Gel（i）设定为L电平，所以在i行（3j－2）列的像素电路110中，晶体管124导通。栅极-源极间的电压Vgs为（｜Vth｜－k1·ΔV），所以如前面的图6所示，在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下向OLED130供给与灰度等级对应的电流。在第i行的扫描期间，在除了第（3j－2）列的像素电路110以外的第i行的其他像素电路110中在时间上也并行执行上述动作。并且，实际上，这样的第i行的动作在1个帧的期间中按第1、2、3、…、（m－1）、m行的顺序执行，并且以帧为单位重复。根据本实施方式，栅极节点g中的电位范围ΔVgate相对于数据信号的电位范围ΔVdata缩小，所以即使不以细致的精度标记数据信号，也能够向晶体管121的栅极-源极间施加反映了灰度等级的电压。因此，在像素电路110中，即使在OLED130流动的微小电流相对于晶体管121的栅极-源极间的电压Vgs的变化相对地变化较大的情况下，也能够高精度地控制供给至OLED130的电流。此外，晶体管121向OLED130供给与式（8）所示的栅极-源极间的电压Vgs对应的电流Ids。而且，OLED130以与电流Ids的大小对应的亮度发光。因此，在将栅极节点g的电位范围ΔVgate相对于数据信号的电位范围ΔVdata进行压缩的情况下，与不压缩的情况相比，使OLED130以高亮度发光较为困难。在该情况下，显示部100显示的画面整体上变暗。与此相对，在本实施方式中，驱动控制电路5根据明亮度信息Br控制电位Vref。具体而言，在显示部100应显示的画面整体的明亮度明亮的情况下，驱动控制电路5将电位Vref设定为高电位。由此，能够增大电压Vgs，能够同时实现明亮的图像的显示和电流Ids的控制精度提高。另外，如图4中虚线所示，有时在数据线14与像素电路110中的栅极节点g之间寄生电容Cprs。在该情况下，若数据线14的电位变化幅度较大，则经由该电容Cprs向栅极节点g传播，发生所谓的串扰、不均等而使显示品质降低。该电容Cprs的影响在对像素电路110进行微细化时显著出现。与此相对，在本实施方式中，数据线14的电位变化范围相对于数据信号的电位范围ΔVdata也缩小，所以能够抑制经由电容Cprs所产生的影响。另外，根据本实施方式，通过晶体管121向OLED130供给的电流Ids抵消阈值电压的影响。因此，根据本实施方式，即使晶体管121的阈值电压在每个像素电路110有偏差，也能补偿该偏差，向OLED130供给与灰度等级对应的电流，所以能够抑制损害显示画面的一致性那样的显示不均的产生，其结果是能够进行高品质的显示。参照图12，对该抵消进行说明。如该图所示，晶体管121为了对向OLED130供给的微小电流进行控制，在弱反转区域（亚阈值区域）动作。图中，A表示阈值电压｜Vth｜较大的晶体管，B表示阈值电压｜Vth｜较小的晶体管。此外，在图12中，栅极-源极间的电压Vgs是实线所表示的特性与电位Vel之差。另外，在图10中，以从源极朝向漏极的方向为负（下）的对数表示纵刻度的电流。在补偿期间，栅极节点g从电位Vref_H变为电位（Vel－｜Vth｜）。因此，阈值电压｜Vth｜较大的晶体管A的动作点从S向Aa移动，另一方面，阈值电压｜Vth｜较小的晶体管B的动作点从S向Ba移动。接下来，在向2个晶体管所属的像素电路110输入的数据信号的电位相同的情况下，换句话说在指定了相同的灰度等级的情况下，在写入期间，来自动作点Aa、Ba的电位移位量都是相同的k1·ΔV。因此，晶体管A的动作点从Aa向Ab移动，晶体管B的动作点从Ba向Bb移动，但对于电位移位后的动作点中的电流而言，晶体管A、B都几乎以相同的Ids而一致。第二实施方式在第一实施方式中，构成为通过多路复用器DM直接向各列的保持电容44的另一端、即节点h供给数据信号。因此，在各行的扫描期间，从驱动控制电路5供给数据信号的期间等于写入期间，所以时间上的制约较大。于是，接下来，对能够缓和这样的时间上的制约的第二实施方式进行说明。此外，以下，为了避免说明的重复，以与第一实施方式不同的部分为中心进行说明。图13以及图14是表示第二实施方式的电光学装置1的结构的图。该图所示的第二实施方式与图2以及图3所示的第一实施方式不同之处主要为在各电平移位电路LS上设置有保持电容41（第四保持电容）以及传输门42（第一开关）。详细而言，如图14所示，传输门42电插于传输门34的输出端与保持电容44的另一端之间。即、传输门42的输入端与传输门34的输出端连接，传输门42的输出端与保持电容44的另一端连接。另外，如图13以及图14所示，驱动控制电路5对各列的传输门42共同供给控制信号Gcpl以及控制信号／Gcpl。各列的传输门42在控制信号Gcpl是H电平时（控制信号／Gcpl是L电平时）一齐导通。另外，在各列中，保持电容41的一端即节点h3与传输门34的输出端（以及传输门42的输入端）连接，保持电容41的另一端即节点h4与被供给固定电位，例如电位Vss的供电线63（第二供电线）共同接地。虽然在图14中省略了，但将保持电容41的电容值设为Crf2。此外，电位Vss相当于作为逻辑信号的扫描信号、控制信号的L电平。第二实施方式的动作参照图15，对第二实施方式所涉及的电光学装置1的动作进行说明。图15是用于说明第二实施方式中的动作的时序图。如该图所示，扫描信号Gwr（1）～Gwr（m）依次被切换为L电平，在1个帧的期间，按每一个水平扫描期间（H）依次扫描第1～第m行扫描线12这一点与第一实施方式相同。另外，在第二实施方式中，第i行的扫描期间成为（b）所示的初始化期间、（c）所示的补偿期间、以及（d）所示的写入期间的顺序这一点也与第一实施方式相同。此外，在第二实施方式中，（d）的写入期间是从控制信号Gcpl由L电平变为H电平时（控制信号／Gcpl变成L电平时）至扫描信号Gwr从L电平变为H电平时为止的期间。在第二实施方式中，也与第一实施方式相同，如果以时间的顺序来说，反复（发光期间）→初始化期间→补偿期间→写入期间→（发光期间）这样的循环。但在第二实施方式中，与第一实施方式相比较，数据信号的供给期间不等于写入期间，数据信号的供给比写入期间提前，这一点有所不同。详细而言，在第二实施方式中，能够横跨（a）的初始化期间与（b）的补偿期间来供给数据信号，这一点与第一实施方式不同。发光期间如图15所示，在第i行的发光期间，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为H电平、将控制信号Gel（i）设定为L电平、将控制信号Gcmp（i）设定为H电平、将控制信号Gorst（i）设定为H电平。因此，如图16所示，在i行（3j－2）列的像素电路110中，晶体管124导通，另一方面，晶体管122、123、125截止，所以该像素电路110中的动作基本上与第一实施方式相同。即、晶体管121向OLED130供给与栅极-源极间的电压Vgs对应的电流Ids。初始化期间到达第i行的扫描期间，首先，开始（b）的初始化期间（第一期间）。在初始化期间，如图15所示，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为H电平、将控制信号Gel（i）设定为H电平、将控制信号Gcmp（i）设定为H电平、将控制信号Gorst（i）设定为L电平。因此，如图17所示，在i行（3j－2）列的像素电路110中，晶体管124截止，且晶体管125导通。由此向OLED130供给的电流的路径被切断，并且因晶体管124的导通而使OLED130的阳极被复位为电位Vorst，所以该像素电路110中的动作基本与第一实施方式相同。另一方面，在初始化期间，如图15所示，驱动控制电路5分别将控制信号／Gini设定为L电平、将控制信号Gref设定为H电平、将控制信号Gcpl设定为L电平。因此，如图17所示，晶体管43以及晶体管45成为导通的状态。由此，保持电容44的一端以及数据线14被初始化为电位Vini，并且保持电容44的另一端被初始化为电位Vref。如上所述，在第二实施方式中，数据信号供给电路70横跨初始化期间以及补偿期间地供给数据信号。即、数据信号供给电路70例如将第j组的数据信号Vd（j）按顺序切换为与i行（3j－2）列、i行（3j－1）列、i行（3j）列的像素的灰度等级对应的电位。另一方面，驱动控制电路5与数据信号的电位的切换对应地依次排他地使控制信号Sel（1）、Sel（2）、Sel（3）成为H电平。由此，在各多路复用器DM设置的3个传输门34分别以左端列、中央列、右端列的顺序导通。此处，在初始化期间，在属于第j组的左端列的传输门34通过控制信号Sel（1）而导通的情况下，如图17所示，数据信号Vd（j）被供给至保持电容41的一端，所以该数据信号被保持电容41保持。补偿期间在第i行的扫描期间，接下来到达（c）的补偿期间。在补偿期间，如图15所示，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为L电平、将控制信号Gel（i）设定为H电平、将控制信号Gcmp（i）设定为L电平、将控制信号Gorst（i）设定为L电平。因此，如图18所示，在i行（3j－2）列的像素电路110中，晶体管122导通，栅极节点g与数据线14电连接，另一方面，因晶体管123的导通，晶体管121成为二极管连接。因此，电流按照供电线116→晶体管121→晶体管123→晶体管122→第（3j－2）列数据线14这样的路径流动，所以栅极节点g从电位Vini上升，不久在（Vel－｜Vth｜）饱和。因此，在第二实施方式中，在到达补偿期间的结束为止，保持电容132对晶体管121的阈值电压｜Vth｜进行保持。另外，在补偿期间，如图15所示，驱动控制电路5分别将控制信号／Gini设定为H电平、将控制信号Gref设定为H电平、将控制信号Gcpl设定为L电平。因此，如图18所示，在电平移位电路LS中，晶体管43成为导通的状态，另一方面晶体管45成为截止的状态。由此，保持电容44的另一端和供电线62电连接，节点h1被设定为电位Vref。另外，在补偿期间，在属于第j组的左端列的传输门34通过控制信号Sel（1）导通的情况下，如图18所示，数据信号Vd（j）被保持电容41保持。此外，在初始化期间，属于第j组的左端列的传输门34已经通过控制信号Sel（1）导通的情况下，在补偿期间，该传输门34不导通，但在保持电容41保持数据信号Vd（j）这一点没有改变。若补偿期间结束，则扫描线驱动电路20将控制信号Gcmp（i）从L电平变更为H电平，所以解除晶体管121的二极管连接。另外，若补偿期间结束，驱动控制电路5将控制信号Gref从H电平变更为L电平，所以晶体管43截止。因此，虽然从第（3j－2）列数据线14至i行（3j－2）列的像素电路110中的栅极节点g的路径成为浮置状态，但该路径的电位被保持电容50、132维持为（Vel－｜Vth｜）。写入期间在第i行的扫描期间，接下来到达（d）的写入期间。在写入期间，如图15所示，驱动控制电路5分别将控制信号／Gini设定为H电平、将控制信号Gref设定为L电平、将控制信号Gcpl设定为H电平。因此，如图19所示，在电平移位电路LS中，传输门42导通，所以被保持电容41保持的数据信号被供给至作为保持电容44的另一端的节点h1。因此，节点h1从补偿期间的电位Vref移位。即、节点h1变化为电位（Vref＋ΔVh）。此外，有时将电位（Vref＋ΔVh）表示为电位Vh。图20是用于说明在写入期间开始前后的、节点h1的电位变化量ΔVh的说明图。图20（A）表示写入期间开始前的节点h1的电位，图20（B）表示写入期间开始后（即、传输门42导通后的期间）的节点h1的电位。如图18以及图19所示，在补偿期间以及写入期间，使保持电容50以及保持电容132以并联的方式电连接，并使它们与保持电容44以串联的方式电连接。因此，保持电容44、保持电容50以及保持电容132的合成电容的电容值C1使用以式（1）表示的电容值C0而通过以下的式（11）表示。C1=（C0*Crf1）／（C0＋Crf1）……（11）因此，若将在写入期间开始前保持电容44、保持电容50以及保持电容132的合成电容所积累的电荷设为Q1c（图20（A））、将在写入期间开始后该合成电容所积累的电荷设为Q1d（图20（B）），则在写入期间从该合成电容流出的电荷（Q1c－Q1d）通过以下的式（12）表示。Q1c－Q1d=C1*（Vref－Vh）……（12）同样，若将在写入期间开始前保持电容41所积累的电荷设为Q2c（图20（A））、将在写入期间开始后保持电容41所积累的电荷设为Q2d（图20（B）），则在写入期间流入保持电容41的电荷（Q2d－Q2c）通过以下的式（13）表示。Q2d－Q2c=Crf2*（Vh－Vd（j））……（13）在写入期间，从保持电容44、保持电容50以及保持电容132的合成电容流出的电荷、和流入保持电容41的电荷相等，所以以下的式（14）成立。Q1c－Q1d=Q2d－Q2c……（14）因此，通过式（12）～式（14），能够计算出写入期间的节点h1的电位Vh。具体而言，电位Vh通过以下的式（15）表示。Vh=｛C1／（C1＋Crf2）｝*（Vref）+｛Crf2／（C1＋Crf2）｝*（Vd（j））……（15）由此，节点h1中的电位变化量ΔVh通过以下的式（16）表示。ΔVh=Vh－Vref=｛Crf2／（C1＋Crf2）｝*｛Vd（j）－Vref｝……（16）此处，若将以下的式（17）所示的电容比k2导入，则电位变化量ΔVh能够通过以下的式（18）表示。k2=Crf2／（C1＋Crf2）……（17）ΔVh=k2*｛Vd（j）－Vref｝……（18）另外，在写入期间，如图15所示，扫描线驱动电路20分别将扫描信号Gwr（i）设定为L电平、将控制信号Gel（i）设定为H电平、将控制信号Gcmp（i）设定为H电平、将控制信号Gorst（i）设定为L电平。此时，栅极节点g经由数据线14与保持电容44的一端连接，所以从补偿期间中的电位Vp＝（Vel－｜Vth｜）发生变化。此外，此时的栅极节点g的电位变化如上述的式（1）～（10）、以及图10、图11中说明的所示。即、在上述的第一实施方式中，节点h1的电位在写入期间开始前后从电位Vref变化为数据信号Vd（j）所示的电位，与此相对，在第二实施方式中，从电位Vref变化到电位Vh。因此，在写入期间中的栅极节点g的电位Vgate能够相对于式（7）的Vd（j）而代入式（15）的Vh而计算出来。具体而言，电位Vgate如以下的式（19）所示。Vgate=k1*ΔVh＋（Vel－｜Vth｜）=k1*k2*｛Vd（j）－Vref｝＋（Vel－｜Vth｜）……（19）另外，在写入期间开始前后的栅极节点g的电位变化量ΔVg能够相对于式（8）的ΔV而代入式（18）的ΔVh而计算出。具体而言，电位变化量ΔVg如以下的式（20）所示。ΔVg=k1*ΔVh=k1*k2*｛Vd（j）－Vref｝……（20）这样，节点h1的电位使数据信号Vd（j）所示的电位从电位Vref移位并将其变化通过电容比k2压缩的值。由此，栅极节点g的电位Vgate变化将节点h1的电位变化量ΔVh进一步以电容比k1压缩了的值。即、如式（19）所示，栅极节点g的电位Vgate供给如下的电位，即、使数据信号Vd（j）从电位Vref移位，并且将该移位后的电位乘以根据电容值Cdt、Crf1、Crf2、Cpix确定的电容比（电容比k1、电容比k2）而压缩了的电位。发光期间在第二实施方式中，在第i行的写入期间结束之后，发光期间开始。在发光期间，如上所述，扫描线驱动电路20将控制信号Gel（i）设定为L电平，所以在i行（3j－2）列的像素电路110中，晶体管124导通。因此，如图16所示，在补偿了晶体管121的阈值电压的状态下，向OLED130供给与灰度等级对应的电流。在第i行的扫描期间，也在第（3j－2）列的像素电路110以外的第i行的其他像素电路110中在时间上并行地执行这样的动作。并且，实际上，在1个帧的期间，按第1、2、3、…、（m－1）、m行的顺序执行上述第i行的动作，并且以每个帧为单位重复。根据第二实施方式，与第一实施方式相同，在像素电路110中，即使在OLED130流动的微小电流相对于晶体管121的栅极-源极间的电压Vgs相对地变化较大的情况下，也能够高精度地控制向OLED130供给的电流。另外，根据第二实施方式，与第一实施方式相同，即使不将数据信号Vd（j）的电位设定为高电位，也能够通过将电位Vref设为高电位来使OLED130以高亮度发光，电光学装置1能够显示明亮的图像。根据第二实施方式，除了与第一实施方式相同，能够充分初始化在发光期间被OLED130的寄生电容保持的电压之外，即使晶体管121的阈值电压在每个像素电路110有偏差，也能抑制损害显示画面的一致性那样的显示不均的产生，结果是能够进行高品质的显示。根据第二实施方式，从初始化期间至补偿期间执行使保持电容41对从驱动控制电路5经由多路复用器DM供给的数据信号进行保持的动作。因此，能够缓和对在一个水平扫描期间应执行的动作在时间上的制约。例如，在补偿期间，伴随栅极-源极间电压Vgs接近阈值电压，在晶体管121流动的电流降低，所以需要时间将栅极节点g收敛至电位（Vel－｜Vth｜），但在第二实施方式中，与第一实施方式相比较，如图15所示，能够确保补偿期间较长。因此，根据第二实施方式，与第一实施方式相比较，能够高精度地补偿晶体管121的阈值电压的偏差。另外，也能够使数据信号的供给动作低速化。应用-变形例本发明并不局限于上述的实施方式、应用例等实施方式等，例如能够进行如下所述的各种变形。另外，也能够适当地组合任意选择出的一个或者多个如下所述的变形的方式。变形例本发明并不局限于上述的实施方式，例如能够进行如下所述的各种变形。另外，也能够适当地组合任意选择出的一个或者多个如下所述的变形的方式。变形例1在上述的实施方式中，控制部3和显示面板2是独立的，但对于控制部3，也可以与显示部100、数据线驱动电路10、和扫描线驱动电路20一起集成于硅基板。变形例2在上述的实施方式以及变形例中，采用将电光学装置1集成在硅基板上的结构，但也可以构成为集成在其他的半导体基板。例如，可以是SOI基板。另外，也可以应用多晶硅工序而形成于玻璃基板等。总之，使像素电路110微细化，在晶体管121中，对相对于栅极电压Vgs的变化漏极电流以指数函数较大变化的结构有效。另外，在无需像素电路的微细化的情况下，也可以应用本发明。变形例3在上述的实施方式以及变形例中，成为使数据线14每3列为一组，并且在各组按顺序选择数据线14来供给数据信号的结构，但构成组的数据线数量可以是“2”以上“3n”以下的规定数量。例如构成组的数据线数量可以是“2”，也可以是“4”以上。另外，也可以是不分组，即不使用多路复用器DM而按线顺序一齐向各列的数据线14供给数据信号的结构。变形例4在上述的实施方式以及变形例中，使像素电路110中的晶体管121～125统一为P通道型，但也可以统一为N通道型。另外，也可以适当地组合P通道型以及N通道型。图24是变形例4所涉及的像素电路110的电路图。如图24所示，变形例4所涉及的像素电路110是将晶体管121～125统一为N通道型的电路。如图24所示，在将晶体管121～125统一为N通道型的情况下，也可以将与上述的实施方式以及变形例中的与数据信号Vd（j）正负反转的电位供给至各像素电路110。另外，在上述的实施方式等中，将晶体管45设为P通道型，将晶体管43设为N通道型，但也可以以P通道型或者N通道型统一。另外，也可以将晶体管45设为N通道型，将晶体管43设为P通道型。变形例5在上述的实施方式以及变形例中，各保持电容50是通过相互相邻的供电线16以及数据线14夹持绝缘体（电介质）而形成的单一的保持电容，但也可以通过多个电容元件形成各保持电容50。在该情况下，优选驱动控制电路5是进行根据明亮度信息Br选择多个电容元件中的一部分或者全部并使选择的电容元件与供电线16以及数据线14电连接的控制的结构。图21是表示变形例5所涉及的保持电容50的结构的电路图。变形例5所涉及的保持电容50具备在相互相邻的数据线14以及供电线16之间以并联的方式电连接的规定数量Rcd的独立电路Ud（第一独立电路）。此处规定数量Rcd是2以上的自然数。各独立电路Ud包含在数据线14以及供电线16之间以串联的方式电连接的保持电容501（第一独立电容）、晶体管502以及晶体管503而构成。具体而言，各独立电路Ud具备保持电容501、在保持电容501的一端和供电线16之间电连接的晶体管502、以及在保持电容501的另一端和数据线14之间电连接的晶体管503。此处，规定数量Rcd的保持电容501的各个所具有的电容值可以是全部相同的值，也可以是分别具有不同值的电容值。例如，在规定数量Rcd＝“3”的情况下，保持电容50所具有的3个保持电容501的电容值之比可以为“1：1：1”，也可以为“1：2：4”。另外，在变形例5所涉及的显示面板2上，以与规定数量Rcd的独立电路Ud的各个一一对应的方式，设定规定数量Rcd的控制线504和规定数量Rcd的控制线505。在某个独立电路Ud上具备的晶体管502的栅极，与对应于该独立电路Ud的控制线504电连接，在该独立电路Ud上具备的晶体管503的栅极与对应于该独立电路Ud的控制线505电连接。另外，变形例5所涉及的驱动控制电路5根据明亮度信息Br，生成控制信号Gcd（1）、Gcd（2）、…、Gcd（Rcd），将这些规定数量Rcd的控制信号Gcd的每一个供给至规定数量Rcd的控制线504的每一根，并且，供给至规定数量Rcd的控制线505的每一根。由此，驱动控制电路5能够根据明亮度信息Br，从规定数量Rcd的保持电容501中使一部分或者全部的保持电容501选择性地与数据线14以及供电线16电连接。即、变形例5所涉及的电光学装置1能够根据明亮度信息Br控制保持电容50的电容值Cdt。例如，在驱动控制电路5根据明亮度信息Br将电位Vref设定为高电位的情况下，在显示部100上应显示的画面整体的亮度例如变明亮。在显示部100上应显示的画面整体的亮度变明亮的情况下，即使产生伴随数据线14的电位变动的串扰、不均等，电光学装置1的使用者识别其的可能性也较低。因此，此时，通过减小电容值Cdt，将电容比k1以及电容比k2设为较大的值（即、减小压缩率），显示部100能够显示明亮的图像，并且能够显示对比度较大的清晰的图像。在图21所示的例子中，晶体管502以及晶体管503作为在数据线14和供电线16之间与保持电容501以串联的方式电连接的第一独立开关发挥作用。此外，在图21所示的例子中，在各独立电路Ud上具备2个晶体管502、503，但独立电路Ud也可以仅具备其中的一方。在该情况下，晶体管502或者晶体管503中的一方相当于第一独立开关。变形例6在上述的实施方式以及变形例中，保持电容44是通过单一的电容元件形成的电容，但保持电容44也可以（与变形例5所涉及的保持电容50相同）通过多个电容元件形成。在该情况下，优选驱动控制电路5是进行根据明亮度信息Br进行从多个电容元件中选择一部分或者全部并使选择的电容元件与节点h1以及节点h2电连接的控制的结构。图22是表示变形例6的保持电容44的结构的电路图。变形例6的保持电容44具备在节点h1以及节点h2之间以并联的方式电连接的规定数量Rc1的独立电路U1（第三独立电路）。此处，规定数量Rc1是2以上的自然数。各独立电路U1包含在节点h1以及节点h2之间以串联的方式电连接的保持电容441（第三独立电容）、晶体管442以及晶体管443而构成。具体而言，各独立电路U1具备保持电容441、在保持电容441的一端和节点h2之间电连接的晶体管442、以及在保持电容441的另一端和节点h1之间电连接的晶体管443。此处，规定数量Rc1的保持电容441的各个所具有的电容值可以是全部相同的值，也可以分别具有不同的值。另外，在变形例6所涉及的显示面板2上，以与规定数量Rc1的独立电路U1的各个一一对应的方式设置规定数量Rc1的控制线444和规定数量Rc1的控制线445。晶体管442的栅极与对应的控制线444电连接，晶体管443的栅极与对应的控制线445电连接。另外，变形例6所涉及的驱动控制电路5根据明亮度信息Br生成控制信号Gc1（1）、Gc1（2）、…、Gc1（Rc1），并将这些规定数量Rc1的控制信号Gc1的每一个供给至规定数量Rc1的控制线444的每一根和规定数量Rc1的控制线445的每一根。由此，驱动控制电路5能够根据明亮度信息Br，从规定数量Rc1的保持电容441中使一部分或者全部的保持电容441选择性地与节点h1以及节点h2电连接。即、变形例6所涉及的电光学装置1能够根据明亮度信息Br控制保持电容44的电容值Crf1。由此，能够控制电容比k1以及电容比k2，能够控制栅极节点g的电位范围ΔVgate的压缩率、显示部100应显示的图像的明亮度以及对比度等。此外，晶体管442以及晶体管443作为与保持电容441以串联的方式连接的第三独立开关发挥作用。另外，独立电路U1也可以仅具备2个晶体管442、443中的一方。在该情况下，晶体管442或者晶体管443中的一方相当于第三独立开关。变形例7在上述的实施方式以及变形例中，保持电容41是通过单一的电容元件形成的电容，但保持电容41也可以（与变形例5的保持电容50相同）通过多个电容元件形成。在该情况下，优选驱动控制电路5是进行根据明亮度信息Br选择多个电容元件中的一部分或者全部并使选择的电容元件与节点h3以及节点h4电连接的控制的结构。图23是表示变形例7所涉及的保持电容41的结构的电路图。变形例7所涉及的保持电容41具备在节点h3以及节点h4之间以并联的方式电连接的规定数量Rc2的独立电路U2（第四独立电路）。此处，规定数量Rc2是2以上的自然数。各独立电路U2包含在节点h3以及节点h4之间以串联的方式电连接的保持电容411（第四独立电容）和晶体管412而构成。具体而言，各独立电路U2具备保持电容411和在保持电容411的一端以及节点h3（或者节点h4）之间电连接的晶体管412。此处，规定数量Rc2的保持电容411的各个所具有的电容值可以是全部相同的值，也可以是分别具有不同的值的电容值。另外，在变形例6所涉及的显示面板2上，以与规定数量Rc2的独立电路U2的各个一一对应的方式，设置规定数量Rc2的控制线413。晶体管412的栅极与对应的控制线413电连接。另外，变形例7所涉及的驱动控制电路5根据明亮度信息Br生成控制信号Gc2（1）、Gc2（2）、…、Gc2（Rc2），并将这些规定数量Rc2的控制信号Gc2的每一个供给至规定数量Rc2的控制线413的每一根。由此，驱动控制电路5能够根据明亮度信息Br，从规定数量Rc2的保持电容411中使一部分或者全部的保持电容411选择性地与节点h3以及节点h4电连接。即、变形例7所涉及的电光学装置1能够根据明亮度信息Br控制保持电容41的电容值Crf2。由此，能够控制电容比k2，并能够控制栅极节点g的电位范围ΔVgate的压缩率、显示部100应显示的图像的明亮度以及对比度等。此外，晶体管412作为与保持电容411以串联的方式连接的第四独立开关发挥作用。另外，晶体管412也可以是设置在保持电容411和节点h4之间的晶体管。进一步而言，独立电路U2可以具备2个晶体管。在该情况下，这2个晶体管相当于第四独立开关。变形例8在上述的实施方式以及变形例中，显示控制电路4根据图像数据Video以及明亮度信息Br生成图像信号Vid，但也可以仅根据图像数据Video生成图像信号Vid。在该情况下，存储部6具备一个以使图像信号Vid所示的电位与发光元件的亮度相对应的方式进行存储的查找表LUT即可。变形例9在上述的实施方式以及变形例中，作为电光元件，例示了作为发光元件的OLED，但例如是无机发光二极管、LED（LightEmittingDiode：发光二极管）等以与电流对应的亮度发光的元件即可。应用例接下来，对应用了实施方式等、应用例的电光学装置1的电子设备进行说明。电光学装置1面向像素为小尺寸、高精细的显示的用途。因此，作为电子设备，以头戴式显示器为例进行说明。图25是表示头戴式显示器的外观的图，图26是表示其光学构成的图。首先，如图25所示，头戴式显示器300在外观上与一般眼镜相同，具有眼镜腿310、鼻架320、镜片301L、301R。另外，如图26所示，头戴式显示器300在鼻架320附近、且在镜片301L、301R的内侧（图中下侧）设置左眼用的电光学装置1L与右眼用的电光学装置1R。电光学装置1L的图像显示面配置在图26中的左侧。由此，电光学装置1L的显示图像经由光学透镜302L在图中向9点钟方向射出。半透半反镜303L使电光学装置1L的显示图像向6点钟方向反射，另一方面，使从12点钟方向射入的光透过。电光学装置1R的图像显示面配置在与电光学装置1L相反的右侧。由此，电光学装置1R的显示图像经由光学透镜302R在图中向3点钟方向射出。半透半反镜303R使电光学装置1R的显示图像向6点钟方向反射，另一方面，使从12点钟方向入射的光透过。在该结构中，头戴式显示器300的配戴者能够以使电光学装置1L、1R的显示图像与外面的样子重叠的透过状态进行观察。另外，在该头戴式显示器300中，若在伴有视差的双眼图像中、使左眼用图像在电光学装置1L显示，使右眼用图像在电光学装置1R显示，则能够使佩戴者感觉显示的图像仿佛具有纵深感和立体感（3D显示）。此外，除了头戴式显示器300外，电光学装置1也能够应用于摄像机、透镜交换式的数码相机等中的电子式取景器。附图标记的说明1…电光学装置；2…显示面板；3…控制部；4…显示控制电路；5…驱动控制电路；6…存储部；10…数据线驱动电路；12…扫描线；14…数据线；16…供电线；20…扫描线驱动电路；43、45…晶体管；44、50…保持电容；100…显示部；110…像素电路；121～125…晶体管；130…OLED；132…保持电容；LS…电平移位电路；DM…多路复用器；62…供电线；Br…明亮度信息；Vd…数据信号。