电光装置和电子设备的制作方法

电光装置和电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种电光装置和电子设备等，其与现有技术相比能够更有效地释放静电。电光装置（100）包括：衬垫（300）；多个有机发光二极管（215）；与各有机发光二极管（215）的阴极共通地电连接的VCT电极（260）；以及一端与衬垫（300）电连接，另一端与VCT电极（260）电连接的保护元件（312）。衬垫（300）既可以沿着形成有电光装置（100）的基板的外周边之中的至少三条边中的每一条边而配置，也可以作为沿着该基板的外周边而配置的多个衬垫中的一个而配置。
【专利说明】电光装置和电子设备

【技术领域】
[0001]本发明涉及电光装置和电子设备，并且涉及例如作为电光元件而使用了有机发光二极管的电光装置和包括该电光装置的电子设备等。

【背景技术】
[0002]近年来，关于作为电光元件使用了有机发光二极管(Organic Light EmittingD1de:以下，称为“0LED”)等的发光元件的电光装置，提出了各种技术。在这种电光装置中，多条扫描线与多条数据线被交叉配置，并且与扫描线和数据线的交叉相对应，以矩阵状而配置有多个像素电路。各像素电路至少具有驱动晶体管和发光元件，当与图像的灰度等级相对应的数据信号被供给至驱动晶体管的栅时，该驱动晶体管将向发光元件供给与其栅极-源极间电压相对应的电流。发光元件以与来自驱动晶体管的电流相对应的亮度而发光。
[0003]这样的电光装置是一种适合应用于例如电子取景器(Electronic View Finder:以下，称为“EVF”)及头戴式显示器(Head Mounted Display:以下，称为“HMD”)等的超小型显示器的装置。在这种情况下，在电光装置中，要求在尽可能地减小每一像素的尺寸的同时使像素数目增多，从而用有限的画面尺寸来显示较高品质的图像。因此，形成电光装置的半导体基板(芯片)的尺寸具有增大的趋势。
[0004]另一方面，即使在这种电光装置中，防止因静电放电(Electro StaticDischarge:以下，称为“ESD”)而造成的损伤及误动作发生等的静电击穿防护措施较为重要，关于电光装置中的静电击穿防护措施，提出了各种技术。例如，在专利文献I中，公开了包括如下的半导体装置的电光装置，所述半导体装置在半导体电路与用于以信号来向该半导体电路进行供给的输入端子之间配置了保护该半导体电路免受ESD伤害的保护电路。
[0005]例如，如专利文献I中所公开的那样，保护半导体电路免受ESD伤害的保护电路被构成为，将从端子侵入的静电释放到供给半导体电路等的高电位侧电源电压的电源线、或供给该半导体电路的接地电压的电源线中。
[0006]然而，在这种方法中，当形成电光装置的半导体基板的尺寸增大时，根据沿着基板的外周边而配置的端子(衬垫)，将会使得与供给上述的高电位侧电源电压或接地电压的端子的距离变远。
[0007]在图16中，图示了一般的电光装置中的静电击穿防护措施的说明图。图16为，模式化地图示了电光装置端子的配置的俯视图。
[0008]电光装置10被形成在半导体基板上，在该半导体基板上，设置将多个像素电路配置成矩阵状的显示部12和沿基板的外周边配置的多个衬垫14。经由多个衬垫14中的任意一个而从外部向构成显示部12的像素电路供给控制信号及电源电压。
[0009]另外，在电光装置10具备向构成显示部12的像素电路供给驱动信号的驱动电路的情况下，该驱动电路被配置在显示部12与多个衬垫14之间，从外部向多个衬垫14供给用于控制驱动电路的各种信号及电源电压。
[0010]在多个衬垫14之中，衬垫14a距离被配置在隔着显示部12而对置的位置上的衬垫14b最远。例如，当将衬垫14b设为从外部被供给高电位侧电源电压或接地电压的电源衬垫时，被配置在衬垫14a附近的静电保护电路16a将在与衬垫14b之间经由较长的配线18而被连接。此时，存在如下的可能性，即，配线18的阻抗增高，从而无法将从衬垫14a侵入的静电高效地释放到电源衬垫14b处。虽然也考虑到将配线18配置在显示部12的厚度方向上的上部或下部，但在任何情况下配线18的阻抗均会增高，从而可能会出现同样的情况。
[0011]专利文献1:特开2008-211223号公报


【发明内容】

[0012]本发明是鉴于以上这种技术课题而进行的。按照本发明的几种形态，与现有技术相比，能够提供可更有效地将静电释放的电光装置和电子设备等。
[0013]本发明的第一形态的电光装置包括:衬垫；多个有机发光二极管；第一电极，其与构成所述多个有机发光二极管的各有机发光二极管的阴极共通地电连接；第一保护元件，其一端与所述衬垫电连接，另一端与所述第一电极电连接。
[0014]在本形态中，具备多个有机发光二极管的电光装置被构成为，包括与各有机发光二极管的阴极共通地连接的第一电极和被连接在第一电极与衬垫之间的第一保护元件。因此，即使在电光装置的尺寸(或形成电光装置的基板的尺寸)增大的情况下，也能够在利用与现有技术相比而较短的连接配线来连接第一保护元件与第一电极的状态下，将静电释放到具有较低阻抗的第一电极上。其结果为，根据本形态，与现有技术相比，能够提供可更有效地释放静电的电光装置。
[0015]本发明的第二形态所涉及的电光装置为，在第一形态中，上述第一保护元件为，保护极管、关断晶体管和闸流晶体管之中的任意一种。
[0016]根据本形态，由于作为第一保护元件而采用了保护二极管、关断晶体管和闸流晶体管之中的任意一种，因而仅通过变更与第一保护元件连接的电极，就能够与现有情形相比而更有效地释放静电。
[0017]本发明的第3形态的电光装置为，在第一形态或第二形态中，包括:多个驱动晶体管，其各自向各个所述有机发光二极管供给电流；第二电极，其与构成所述多个驱动晶体管的各驱动晶体管的源极共通地电连接；第二保护元件，其一端与所述衬垫电连接，另一端与所述第二电极电连接。
[0018]在本形态中，电光装置被构成为，还包括与向各有机发光二极管供给电流的各驱动晶体管的源极共通地连接的第二电极和连接在第二电极与衬垫之间的第二保护元件。因此，即使在电光装置的尺寸(或形成电光装置的基板尺寸)增大的情况下，也能够经由第二保护元件而向具有较低阻抗的第二电极释放静电。其结果为，根据本形态，能够提供与现有技术相比可更有效地释放静电的电光装置。
[0019](4)本发明的第4形态的电光装置为，在第3形态中，上述第二保护元件为保护二极管或关断晶体管。
[0020]根据本形态，由于作为第二保护元件而采用保护二极管或关断晶体管，因而只要变更与第二保护元件连接的电极，即可与现有技术相比而更有效地释放静电。
[0021](5)本发明的第5形态的电光装置为，在第3形态或第4形态中，所述第二电极以俯视观察时与形成有所述多个有机发光二极管的显示区域重叠的方式而配置，所述第一电极由以绕所述第二电极一周的方式而配置的一个或多个电极构成。
[0022]按照本形态，由于以有效利用显示区域的方式而配置，因而第一电极和第二电极各自的阻抗进一步降低，从而能够更高效地释放从衬垫侵入的静电。
[0023](6)本发明的第6形态的电光装置为，在第3形态或第4形态中，所述第二电极以俯视观察时与形成有所述多个有机发光二极管的显示区域重叠的方式而配置，所述第一电极具有，沿着所述第二电极的外周边中相互交叉的两条边的外周边。
[0024]此处，在第二电极具有矩形形状的情况下，第一电极也可以具有沿着第二电极的外周边中的三条边的外周边。根据本形态，由于以有效地利用显示区域的方式而配置，因而第一电极和第二电极各自的阻抗进一步降低，从而能够进一步高效地释放从衬垫侵入的静电。
[0025](7)本发明的第7形态的电光装置为，在第3形态至第6形态中的任意一种中，包括对所述第二电极与所述第二保护元件的另一端进行电连接的连接配线，所述连接配线以俯视观察时与所述第一电极重叠的方式而配置。
[0026]在本形态中，由于在第二电极的外侧配置有第一电极，因而第一电极与第一保护元件之间能够通过最短距离来进行连接。而且，还通过以俯视观察时与第一电极重叠的方式来配置对在其内部所配置的第二电极与第二保护元件进行连接的连接配线，以使第二电极与第二保护元件之间通过最短距离而连接，从而能够更高效地释放静电。
[0027](8)本发明的第8形态的电光装置为，在第一形态至第7形态的任意一种中，包括被供给接地电压的电源衬垫，连接所述第一电极与所述第一保护元件的配线的阻抗与所述第一电极的阻抗的合成阻抗，低于与所述电源衬垫电连接的配线的阻抗。
[0028]按照本形态，由于连接第一电极和第二电极的配线的阻抗与第一电极的阻抗的合成阻抗低于与供给电源电压的电源衬垫连接的配线的阻抗，因而能够提供与现有技术相比可更有效地释放静电的电光装置。
[0029]( 9 )本发明的第9形态的电光装置为，在第一形态至第8形态的任意一种中，所述衬垫为，沿着形成有所述电光装置的基板的外周边而配置的多个衬垫中的一个。
[0030]按照本形态，在沿着基板的外周边而配置多个衬垫的情况下，即使基板的尺寸增大，但也能够提供与现有技术相比可更有效地释放静电的电光装置。
[0031](10)本发明的第10形态的电光装置为，在第一形态至第8形态的任意一种中，沿着形成有所述电光装置的基板的外周边之中的至少三条边中的每一条边而配置有所述衬垫。
[0032]根据本形态，在沿着基板的外周边之中的至少三条边中的每一条边而配置有多个衬垫的情况下，即使基板的尺寸增大，也能够提供与现有技术相比可更有效地释放静电的电光装置。
[0033](11)本发明的第11形态的电光装置为，在第一形态至第10形态的任意一种中，所述衬垫为所述电光装置的安装用衬垫。
[0034]根据本形态，由于是安装在显示模块等之内，因而能够提供与现有技术相比可更高效地释放从安装用衬垫侵入的静电的电光装置。
[0035](12)本发明的第12形态的电子设备包括，第一形态至第11形态中的任意一种电光装置。
[0036]根据本形态，能够提供一种电子设备，其应用了与现有技术相比能够更高效地释放从衬垫侵入的静电的电光装置的电子设备。

【专利附图】

【附图说明】
[0037][图1]为表示本实施方式的电光装置的构成概要的图。
[0038][图2]为表示图1的电光装置的电路平面配置的一例的图。
[0039][图3]为表示图1的像素电路的构成例的图。
[0040][图4]为表示图3的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例的图。
[0041][图5]为本实施方式中的保护电路的说明图。
[0042][图6]为图5的保护电路的构成例的电路图。
[0043][图7]为对VEL电极与保护电路进行连接的连接配线的说明图。
[0044][图8]为模式化地表示图2的沿A-A线的电光装置的剖面结构的一例的图。
[0045][图9]为表示本实施方式的第一改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例的图。
[0046][图10]为表示本实施方式的第二改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例的图。
[0047][图11]为表示本实施方式的第3改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例的图。
[0048][图12]为表示本实施方式的第4改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例的图。
[0049][图13]为表示应用了本实施方式中的电光装置的显示模块的构成例的图。
[0050][图14]为表示本实施方式中的作为电子设备的HMD的外观的图。
[0051][图15]为表示图14所示的HMD的光学构成概要的图。
[0052][图16]为一般的电光装置中的静电击穿防护措施的说明图。

【具体实施方式】
[0053]以下，利用附图来详细说明本发明的实施方式。并且，以下说明的实施方式并不是对权利要求书所述的本发明的内容进行不当限定的方式。另外，为了解决本发明的课题，以下所说明的全部结构不一定都是必需的构成要素。
[0054][电光装置]
[0055]在图1中，图示了本发明的一种实施方式的电光装置的构成概要。
[0056]本实施方式中的电光装置100为,例如在娃基板上形成有使用OLED来作为发光兀件的多个像素电路、及向各像素电路供给驱动信号等的驱动电路等的有机EL装置。
[0057]电光装置100包括扫描线驱动电路110、数据线驱动电路120和显示部200。在电光装置100的外部，设置有控制电路150和电源电路160。
[0058]电光装置100也可以具有在外部设置扫描线驱动电路110和数据线驱动电路120之中的至少一个的结构。另外，电光装置100也可以具有内置了控制电路150和电源电路160中的至少一个的结构。
[0059]显示部200包括被排列成矩阵状的多个像素电路210。多个像素电路210各自具有相同结构。在显示部200中，各扫描线以沿着图1的X方向延伸的方式而排列有m(m为2以上的整数)条扫描线112。另外，在显示部200中，各数据线以沿着图1的Y方向延伸的方式而排列有η (η为2以上的整数)列的数据线122。而且,与m行的扫描线112和η列的数据线122的交叉相对应，而设置有像素电路210。与I条扫描线112和沿X方向相邻的3条数据线122的交叉相对应的3个像素电路210分别对应于R (红)、G (绿)和B (蓝)的像素，并表现构成彩色图像的像素的I个点。
[0060]控制电路150对扫描线驱动电路110和数据线驱动电路120供给控制信号Ctrl、Ctr2，并且对数据线驱动电路120供给与各行的像素相对应的图像数据。另外，控制电路150能够对由电源电路160所实施的各种电源电压的生成进行控制。
[0061]控制信号C t r I为，作为用于对扫描线驱动电路110进行控制的脉冲信号的垂直同步信号、水平同步信号、时钟信号及使能信号。
[0062]控制信号C t r 2为，作为用于对数据线驱动电路120进行控制的水平同步信号、点时钟信号DCLK、闩锁脉冲信号LP及使能信号。
[0063]图像数据为，与根据来自扫描线驱动电路110的扫描信号而选择的行的每个像素的灰度等级相对应的数据。
[0064]扫描线驱动电路110在由垂直同步信号所规定的各帧期间中，基于控制信号Ct r 1，而生成用于按照每I行而依次对扫描线112进行扫描的扫描信号Gwr (I)~Gwr(m)0在图1中，将供给第1、第2、第3、…、第(m-Ι)、第m的扫描线112的扫描信号分别标记为 Gwr (I)、Gwr (2)、Gwr (3)、...> Gwr (m-1 )> Gwr (m)。
[0065]另外，扫描线驱动电路110除了扫描信号Gwr (I)~Gwr (m)之外，还按每行而生成供给各像素电路的控制信号，但在图1中省略了图示。
[0066]数据线驱动电路120在每个水平扫描期间，将与由扫描线驱动电路110所选择的行的各像素的灰度等级相对应的数据信号Vd (I)~Vd (η)供给至各数据线122。
[0067]电源电路160生成并供给扫描线驱动电路110、数据线驱动电路120和控制电路I~50中的各个电路所需的各种电源电压。
[0068]具体而言，电源电路160对扫描线驱动电路110供给用于使扫描线驱动电路110工作的电源电压、及用于生成扫描信号Gwr (I)~Gwr (m)及供给各像素电路的控制信号的各种电源电压。
[0069]另外，电源电路160对数据线驱动电路120供给用于使数据线驱动电路120工作的电源电压、及与灰度等级相对应的多个灰度电压。
[0070]而且，电源电路160对构成显示部200的各像素电路供给用于使各像素电路工作的电源电压。
[0071]在图2中，图示了图1的电光装置100的电路平面配置的一例。在图2中，对与图1相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0072]在形成电光装置100的半导体基板(以下，适当地简称为“基板”)中，沿着矩形形状的显示部200的外周边而配置有扫描线驱动电路110a、110b、数据线驱动电路120和图中未图示的测试电路130。
[0073]扫描线驱动电路IlOaUlOb沿着显示部200的外周边之中的对置的两条边SD1、SD2中的每一条而配置。沿着显示部200的外周边之中与边SD1、SD2交叉的边SD3而配置有数据线驱动电路120，沿着显示部200的外周边之中与边SD3对置的边SD4而配置有测试电路130。
[0074]另外，沿着形成有电光装置100的基板的外周边之中的对置的边SD10、SDll和与边SD10、SD11交叉的边SD12而配置有多个衬垫300，以作为测试用衬垫。与各衬垫300相对应地设置有各保护电路310，各保护电路310在对应的衬垫300的附近位置处，被配置在比该衬垫300更靠基板的内部侧。
[0075]而且，沿着形成有电光装置100的基板的外周边之中与边SD12相向的边SD13而配置有多个安装用衬垫320。与各安装用衬垫320相对应地设置有各保护电路330，各保护电路330在对应的安装用衬垫320的附近位置处，被配置在比该安装用衬垫320更靠基板的端部侧。并且，保护电路330的构成与保护电路310的构成相同。
[0076]扫描线驱动电路IlOaUlOb各自具有图1的扫描线驱动电路110的功能，对于相同的扫描线以互为相同的时序而供给扫描信号及控制信号。由此，能够减少因扫描信号等由于构成显示部200的像素电路210的位置而发生讹误所导致的显示不均匀。
[0077]测试电路130进行用于验证构成显示部200的多个像素电路210的工作的控制。具体而言，在测试模式工作时，测试电路130对I条或多条数据线122中的每一条，经由对应的衬垫300而进行输出数据信号的控制。因此，使构成显示部200的多个像素电路210及与它们连接的数据线122等的验证成为可能。
[0078]在具有以上这种构成的电光装置100中，与衬垫300对应地设置的保护电路310具有，使静电释放到共通地连接于构成显示部200的多个像素电路210的VEL电极和VCT电极中的至少一方上的构成。
[0079]以下，为了对本实施方式的VEL电极和VCT电极进行说明，从而对连接VEL电极和VCT电极的像素电路210进行说明。
[0080]在图3中，图示了图1的像素电路210的构成例。图3表示位于第i(i为自然数)行的第j (j为自然数)列的像素电路。在图3中，对与图1相同的部分标记相同符号而适当省略其说明。
[0081]像素电路210包括P型金属氧化膜半导体(Metal-Oxide Semiconductor:以下，称为“M0S”)晶体管211?214、0LED215和保持电容216。成为晶体管212?214的各自的栅信号的扫描信号Gwr (i)、控制信号Gcmp (i)、Gel (i)供给像素电路210。扫描信号Gwr (i)、控制信号Gcmp (i)、Gel (i)是与第i行相对应地，由扫描线驱动电路110 (110a、110b)供给的信号，也共通地供给到第i行的j列以外的其它列的像素电路。
[0082]晶体管211作为驱动晶体管,其源极与VEL电极250 (第二电极)电连接，其漏极与晶体管213的漏极、和晶体管214的源极电连接。另外，晶体管211的栅极与晶体管212的漏极、晶体管213的源极、以及保持电容216的一端电连接。在像素电路210中，成为电源的高电位侧的电压Vel被供给至VEL电极250。电压Vel是由电源电路160所供给的电压。
[0083]晶体管212作为写入晶体管，其源极与数据线122电连接，其栅极与扫描线112连接。晶体管212的栅极通过作为栅极信号的扫描信号Gwr (i)而被控制。
[0084]晶体管213作为阈值补偿晶体管，其栅极被供给控制信号Gcmp(i)。晶体管213的栅极通过作为栅极信号的控制信号Gcmp (i)而被控制。
[0085]晶体管214作为电流供给控制晶体管，其漏极与0LED215的阳极电连接，其栅极被供给控制信号Gel (i)0晶体管214的栅极通过作为栅极信号的控制信号Gel (i)而被控制。通过设置晶体管214，能够避免例如在刚接通电源后电流被供给至0LED215而导致显示了预想之外的图像的事态。
[0086]另外，如图3所示，作为晶体管211?214的基板电位而供给有电压Vel。
[0087]而且，在像素电路210中可以设置P型MOS晶体管，该P型MOS晶体管的漏极与0LED215的阳极电连接，而源极被供给所给予的初始电压。通过以规定的时序，经由该晶体管而向0LED215的阳极施加初始电压，从而能够使蓄积于0LED215的寄生电容内的电荷初始化，进而能够防止因0LED215的寄生电容而导致的显示劣化。
[0088]0LED215的阴极与VCT电极260 (第一电极)电连接，该阴极中被供给像素电路210中作为电源的低电位侧的电压Vet。0LED215是通过在基板上由阳极与具有透光性的阴极夹持白色有机EL层而构成的发光元件，在作为出射侧的阴极上重叠配置R、G、B中的某一滤色器。在0LED215中，当电流从阳极流入阴极时，从阳极注入的空穴将与从阴极注入的电子在有机EL层中复合而生成激子，并发出白色光。该白色光在透射过阴极后被滤色器着色，并被观察者目视确认到。
[0089]保持电容216的另一端与VEL电极250电连接，并对晶体管211的栅极-源极间电压进行保持。
[0090]保持电容216使用晶体管211的栅极的寄生电、或通过导电层来夹持绝缘层而形成的电容来形成。
[0091]若简单地对图3所示的像素电路210的工作进行说明，则在由扫描信号所选择的I个水平扫描期间内，经由晶体管212而被写入与灰度等级相对应的数据信号。于是，晶体管213成为导通，在晶体管211的阈值被补偿的状态下，数据信号被保持在保持电容216内。其后，晶体管214成为导通，从而在0LED215中被供给有与晶体管211的栅极-源极间电压相对应的电流。因此，0LED215能够在对晶体管211的阈值进行了补偿的状态下，以与灰度等级相对应的亮度而发光。
[0092]在图4中，图示了图3的VEL电极250和VCT电极260的平面配置的一例。在图4中，对与图2或图3相同的部分标记相同符号而适当省略其说明。
[0093]VEL电极250以俯视观察时与形成多个OLED的显示区域、即显示部200重叠的方式而配置。VEL电极250与多个安装用衬垫320的任意一个电连接，且经由该安装用衬垫320而使电压Vel被供给至VEL电极250。
[0094]与此相对，VCT电极260在与VEL电极250电隔离的状态下，以围绕VEL电极250一周的方式而配置。VCT电极260与多个安装用衬垫320中的任意一个电连接，经该安装用衬垫320而使电压Vct被供给至VCT电极260。由此，由于构成显示部200的多个像素电路210中的每一个电路在同一条件下与VEL电极250连接，因此能够实现显示不均匀的降低。
[0095]此外，电压Vct能够设为与接地电压Vss相同电位的电压。然而，在本实施方式中，多个安装用衬垫320在用于供给接地电压Nss的电源衬垫之外，包含用于供给电压Vct的衬垫。因此，能够使对保护电路310 (具体而言为，构成保护电路310的保护元件)和VCT电极260进行连接的配线的阻抗与VCT电极260的阻抗的合成阻抗，低于与用于供给接地电压Vss的电源衬垫电连接的配线的阻抗。
[0096]而且，沿着基板的外周边而配置的衬垫300附近的保护电路310 (在图4中未图示)，经由与现有技术相比而较短的配线与VEL电极250或VCT电极260电连接。因此，根据本实施方式，能够与现有情形相比而更高效地使静电释放到较低阻抗的电极上。
[0097]在图5中，图示了本实施方式中的保护电路310的说明图。在图5中，对与图1?图4相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0098]在图6中，图示了图5的保护电路310的构成例的电路图。在图6中，对与图5相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0099]在本实施方式中，与衬垫300连接并被配置在其附近的图2的保护电路310与上述的VEL电极250和VCT电极260连接。从衬垫300侵入的静电被释放到与现有技术相比而阻抗较低的VEL电极250或VCT电极260上，从而对与保护电路310连接的内部电路进行保护。
[0100]如图6所示，保护电路310包括保护元件312、314和保护电阻316。保护元件312(第一保护元件)的一端与衬垫300电连接，另一端与VCT电极260电连接。保护元件314(第二保护元件)的一端与衬垫300电连接，另一端与VEL电极250电连接。
[0101]g卩，电光装置100能够包括衬垫300、多个0LED215、与各0LED215的阴极共同地电连接的VCT电极260、和一端与衬垫300电连接而另一端与VCT电极260电连接的保护元件312。在图6中，保护元件312由保护二极管构成，该保护二极管的阳极与VCT电极260电连接，该保护二极管的阴极与衬垫300电连接。
[0102]另外，保护元件312也可以由关断晶体管或闸流晶体管构成。
[0103]而且，电光装置100可以包括多个晶体管211、与各晶体管211的源极共通地电连接的VEL电极250、一端与衬垫300电连接而另一端与VEL电极250连接的保护元件314。在图6中，保护元件314由保护二极管构成，该保护二极管的阳极与衬垫300电连接，该保护二极管的阴极与VEL电极250电连接。
[0104]而且，保护元件314也可以由关断晶体管构成。
[0105]此时，由于VCT电极260以围绕VEL电极250—周的方式而配置，因而如图7所示，优选构成保护电路310的保护元件312的另一端与VCT电极260之间通过最短路径的连接配线410而被连接。另外，如图7所示，电光装置100包括对VEL电极250与构成保护电路310的保护元件314的另一端进行连接的连接配线400，且连接配线400优选以俯视观察时与VCT电极260重叠的方式而配置。通过采用这种方式，不仅能够用最短路径来对保护元件312的另一端与VCT电极260之间进行连接，还能够用最短路径来对连接保护元件314的另一端与VEL电极250之间进行连接。
[0106]在图8中，模式化地图示了图2的沿A-A线的电光装置100的剖面结构的一例。在图8中，对与图1?图3相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。此外，虽然在图8中图示了沿着从扫描线驱动电路IlOb穿过的A-A线的剖面结构的一例，但沿着从扫描线驱动电路IlOa穿过的线的剖面结构也是同样的。另外，在图8中，对于0LED215的剖面结构的详细情况省略了图示。
[0107]电光装置100被形成在P型半导体基板500上。在P型半导体基板500上，形成有N型杂质区(阱)502、504及P型杂质区506、508、510。在N型杂质区502上，形成有像素电路210。在N型杂质区504和P型杂质区506、508上，形成有构成扫描线驱动电路IlOb的电路的一部分。在P型杂质区510上，形成有构成图6所示的保护电路310的保护元件312。
[0108]被形成在P型半导体基板500的上层上的衬垫300，经由通过通孔而电连接的多个配线层，而与被形成在P型杂质区510上的N型高浓度杂质区512连接。在该P型杂质区510上，进一步形成有P型高浓度杂质区514，P型高浓度杂质区514经由通过通孔而电连接的多个配线层，而与VCT电极260电连接。N型高浓度杂质区512侧成为保护二极管的阴极侧，P型高浓度杂质区514侧成为保护二极管的阳极侧。通过N型高浓度杂质区512和P型高浓度杂质区514而形成了保护元件312。此外，虽然图8中未图示，但同样地也形成了保护元件314。
[0109]VCT电极260被形成在构成扫描线驱动电路IlOb的晶体管的上层上。
[0110]在VEL电极250的下层上，形成有堆叠了由夹持绝缘膜的导电层所构成的电容的保持电容216。该保持电容216的一端与上层的VEL电极250电连接，另一端与未图示的晶体管的栅极等连接。
[0111]VEL电极250经由通过通孔而电连接的多个配线层，而与被形成在N型杂质区502上的N型高浓度杂质区516电连接。在N型杂质区502上，隔着在上层经由栅极氧化膜而形成有栅电极的沟道区，而形成有P型有源区518、520。P型有源区518成为P型晶体管的源极，P型有源区520成为P型晶体管的漏极。P型有源区520经由通过通孔而电连接的多个配线层，而与被形成在VEL电极250的上层上的0LED215电连接。
[0112]此外，在本实施方式中，构成被配置在安装用衬垫320附近的保护电路330的保护元件不与VEL电极250或VCT电极260连接。这是因为，与VEL电极250或VCT电极260相比，能够通过最短距离而连接到安装用衬垫320中的被供给电压Vel或电压Vct的衬垫的电源线上的缘故。然而，关于安装用衬垫320，也与衬垫300同样地，也可以使构成被配置在其附近的保护电路330的保护元件连接于VEL电极250或VCT电极260。
[0113]S卩，虽然本发明所涉及的衬垫沿着形成电光装置100的基板的外周边之中的至少三条边中的每条边而配置，但也可以是为，沿着该基板的外周边而配置的多个衬垫300中的一个、或者为电光装置100的安装用衬垫320。
[0114]如以上所说明的那样，在本实施方式中，将被共通地连接在显示部200上所形成的多个OLED上的VEL电极250或VCT电极260，与构成保护电路310的保护元件连接。因此，即使在形成电光装置100的基板的尺寸增大了的情况下，也能够在不绕设配线的情况下，与现有技术相比而更高效地使从衬垫侵入的静电释放到较低阻抗的电极上。
[0115][改变例]
[0116]虽然在图4中，VCT电极260以围绕VEL电极250 —周的方式而配置，但本实施方式中的VCT电极260的平面形状并不限定于此。VCT电极既可以由以围绕VEL电极一周的方式而配置的多个电极构成，也可以以具有沿着VEL电极的外周边之中的至少两条边的、外周边的方式而配置。
[0117]第一改变例
[0118]在图9中，示出本实施方式的第一改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例。在图9中，对与图4相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0119]在第一改变例的电光装置10a中所配置的VEL电极和VCT电极与图4的电光装置100中所配置的VEL电极250和VCT电极260不同之点是俯视观察时的VCT电极的形状。在电光装置10a中，VCT电极260a具有，沿着矩形形状的VEL电极250的外周边之中的三条边的外周边，并具有-字或U字的形状。
[0120]具体而言，VCT电极260a具有，沿着VEL电极250的外周边之中对置的边SD20、SD21和与边SD20、SD21交叉的边SD22的外周边。在图9中，边SD22是沿着安装用衬垫320的排列方向的边。VCT电极260a与多个安装用衬垫320中的任意一个电连接，经由该安装用衬垫320而向VCT电极260a供给电压Vet。
[0121]另外，虽然在图9中，VCT电极260a的开口侧被设置于与边SD22对置的边SD23侦牝但该开口侧也可被设置于边SD20、SD21、边SD22中的任意一边侧。
[0122]根据第一改变例，由于能够进一步缩短连接衬垫300与VCT电极260a的配线，并且能够进一步降低VCT电极260a的阻抗，从而与本实施方式同样地，能够实现显示不均匀性的降低。
[0123]2.第二改变例
[0124]在图10中，图示了本实施方式的第二改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例。在图10中，对与图4或图9相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0125]在第二改变例的电光装置10b中所配置的VEL电极和VCT电极与图4的电光装置100中所配置的VEL电极250和VCT电极260不同点在于，VCT电极被分割配置这一点。在电光装置10b中，形成有VCT电极260bl、260b2，VCT电极260bI与图9的VCT电极260a同样地，具有沿着图10的矩形形状的VEL电极250的外周边之中的三条边的外周边，并具有2字或U字的形状。VCT电极260b2具有沿着VEL电极250的外周边之中的剩余的一条边的外周边。
[0126]具体而言，VCT电极260bl具有，沿着VEL电极250的外周边之中对置的边SD20、SD21和与边SD20、SD21交叉的边SD22的外周边。VCT电极260b2具有，沿着VEL电极250的外周边之中与边SD22对置的边SD23的外周边。S卩，VCT电极260bl被设置在VCT电极260b2的开口侧，VCT电极260bl、260b2通过被对置配置，从而以围绕VEL电极250 —周的方式而配置。VCT电极260b1、260b2与多个安装用衬垫320中的任意一个电连接，且经由该安装用衬垫320而向VCT电极260bl、260b2供给电压Vet。
[0127]另外，虽然在图10中，VCT电极260bl的开口侧被设置于边SD23侧，但该开口侧也可以被设置于边SD20、SD21、边SD22中的任意一边侧。
[0128]根据第二改变例，由于能够进一步缩短连接衬垫300与VCT电极260bl、260b2中的任意一个电极的配线，并且能够进一步降低VCT电极260bl、260b2的阻抗，因而与本实施方式同样地，能够实现显示不均匀的降低。
[0129]3.第3改变例
[0130]在图11中，图示了本实施方式的第3改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例。在图11中，对与图4或图9相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0131]在第3改变例的电光装置10c中所配置的VEL电极和VCT电极与图4的电光装置100中所配置的VEL电极250和VCT电极260的不同点在于，俯视观察时的VCT电极的形状。在电光装置10c中，VCT电极260c具有沿着矩形形状的VEL电极250的外周边之中相互交叉的两条边的外周边，并具有L字的形状。
[0132]具体而言，VCT电极260c具有沿着VEL电极250的外周边之中相互交叉的边SD20、SD22的外周边。VCT电极260c与多个安装用衬垫320中的任意一个电连接，且经由该安装用衬垫320而向VCT电极260c供给电压Vet。
[0133]另外，虽然在图11中，VCT电极260c具有沿着边SD20、SD22的外周边，但也可以具有沿着边SD20、SD23及边SD23、SD21、或边SD21、SD22的外周边。
[0134]根据第3改变例，由于能够进一步缩短连接衬垫300与VCT电极260c的配线，并且能够进一步降低VCT电极260c的阻抗，因而与本实施方式同样地，能够实现显示不均匀的降低。
[0135]4.第4改变例
[0136]在图12中，图示了本实施方式的第4改变例中的电光装置的VEL电极和VCT电极的平面配置的一例。在图12中，对与图4或图9相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0137]在第4改变例的电光装置10d中所配置的VEL电极和VCT电极与图4的电光装置100中所配置的VEL电极250和VCT电极260的不同点在于，VCT电极被分割配置这一点。在电光装置10d中，形成有VCT电极260dl、260d2，VCT电极260dl与图11的VCT电极260c同样地，具有沿着矩形形状的VEL电极250的外周边之中相互交叉的两条边的外周边，并具有L字的形状。VCT电极260d2也具有沿着VEL电极250的外周边之中相互交叉的剩余的两条边的外周边，并具有L字的形状。
[0138]具体而言，VCT电极260dl具有沿着VEL电极250的外周边之中相互交叉的边SD20、SD22的外周边，VCT电极260d2具有沿着VEL电极250的外周边之中相互对置(应为交叉)的边SD23、SD21的外周边。即，VCT电极260dl、260d2通过对置配置，从而以围绕VEL电极250 —周的方式而配置。VCT电极260dl、260d2与多个安装用衬垫320中的任意一个电连接，并经由该安装用衬垫320而向VCT电极260dl、260d2供给电压Vet。
[0139]此外，虽然在图12中，VCT电极260dl具有沿着边SD20、SD22的外周边，VCT电极260d2具有沿着边SD23、SD21的外周边，但也可以设为VCT电极260dl具有沿着边SD20、SD23的外周边，而VCT电极260d2具有沿着边SD21、SD22的外周边。
[0140]根据第4改变例，由于能够进一步缩短连接衬垫300与VCT电极260dl、260d2中的任意一个电极的配线，并且能够进一步降低VCT电极260dl、260d2的阻抗，从而与本实施方式同样地，能够实现显示不均匀的降低。
[0141][电子设备]
[0142]通过构成使用了本实施方式中的电光装置100和柔性印刷电路(FlexiblePrinted Circuits:以下，称为“FPC”)基板的显示模块，从而使得向电光装置100的电子设备的安装更加简便化。
[0143]在图13中，图示了应用本实施方式中的电光装置100的显示模块的构成例。
[0144]显示模块600包括电光装置100和FPC基板610。在FPC基板610上，包括与电光装置100的安装用衬垫320连接的多个安装端子(未图示)、利用COF (Chip On Film，即“薄膜上贴装芯片”)技术所安装的集成电路装置620和与外部电路连接的多个端子622。在FPC基板610上，形成有将多个安装端子与集成电路装置620的端子电连接的配线、以及将集成电路装置620的端子与多个端子622电连接的配线。
[0145]集成电路装置620具有图1的控制电路150和电源电路160的功能，并实施电光装置100的显示控制。
[0146]本实施方式中的电光装置100或使用了它的显示模块600能够应用于以下的这种电子设备中。
[0147]在图14中，图示了本实施方式中的作为电子设备的HMD的外观。
[0148]在图15中，图示了图14所示的HMD的光学构成概要。在图15中，对与图14相同的部分标记相同符号并适当省略其说明。
[0149]本实施方式中的HMD700包括镜腿710L、710R、鼻梁架720和镜片701L、701R。如图15所示，该HMD700在镜腿710L和镜片701L附近，备有左眼用的电光装置730L(或具备电光装置730L的显示模块)和光学透镜702L。另外，如图15所示，HMD700在镜腿710R和镜片701R附近，备有右眼用的电光装置730R (或具备电光装置730R的显示模块)和光学透镜702R。
[0150]而且，如图15所示，HMD700包括，被配置在来自镜片701L的光到达左眼的光路上的半透明反射镜703L和被配置在来自镜片701R的光到达右眼的光路上的半透明反射镜703R。作为电光装置730L、730R，各自能够应用本实施方式的电光装置100。
[0151]电光装置730L的图像显示面在图15中朝向右侧而配置，与电光装置730L所形成的显示图像相对应的光经由光学透镜702L而被照射到半透明反射镜703L上。半透明反射镜703L将来自光学透镜702L的光向左眼所处的方向上反射，同时使来自镜片70IL的光向左眼所处的方向透射。
[0152]电光装置730R的图像显示面在图15中朝向左侧而配置，与电光装置730R所形成的显示图像相对应的光经由光学透镜702R而被照射到半透明反射镜703R上。半透明反射镜703R将来自光学透镜702R的光向右眼所处的方向上反射，同时使来自镜片701R的光向右眼所处的方向透射。
[0153]因此，HMD700的佩戴者能够在与经由镜片701L、702R而进入的外部情况重合的透视状态下，观察电光装置730L、730R的显示图像。
[0154]此时，在HMD700中，通过在伴随有视差的两眼图像之中使左眼用图像在电光装置730L上显示，并在该两眼图像之中使右眼用图像在电光装置730R上显示，从而使佩戴者能够识别到具有立体感的图像。
[0155]通过将本实施方式中的电光装置100应用于以上这种HMD700中，从而一方面充分地实施了静电击穿防护措施，而且使高品质的图像显示成为可能。
[0156]以上，基于上述实施方式对本发明的电光装置和电子设备等进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，在不脱离其要旨的范围内，能够在各种状态下进行实施，也能够进行以下这种改变。
[0157](I)虽然在本实施方式中，以图1所示的结构为例对电光装置100进行了说明，但本发明并不限定于此。
[0158](2)虽然在本实施方式中，将电光装置100的电路配置及电极配置作为图2及图4所示的配置而进行了说明，但本发明并不限定于此。
[0159](3)虽然在本实施方式中，以图3所示的结构为例对像素电路210的结构进行了说明，但本发明并不限定于此。
[0160](4)虽然在本实施方式中，作为构成像素电路内的晶体管为P型MOS晶体管的情况而进行了说明，但本发明并不限定于此，至少其中I个为N型MOS晶体管也可以。
[0161](5)虽然在本实施方式中，作为应用了电光装置100的电子设备，以HMD为例进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，作为本发明的电子设备，也可以为作为超小型显示器而应用了 EVF等直视型的显示面板的设备。
[0162]另外，作为本发明的电子设备，可列举出信息便携式终端(PDA:Personal DigitalAssistants (个人数字助理))、数码照相机、电视、摄像机、汽车导航装置、传呼机、电子记事本、电子书、台式计算器、文字处理器、工作站、可视电话、POS (Point of sale system (销售系统网点))终端、打印机、扫描仪、复印机、视频游戏机、以及具备触摸屏的设备等。
[0163]虽然在本实施方式中，作为电光装置和电子设备等而对本发明进行了说明，但本发明并不限定于此。例如，也可以为本发明所涉及的电光装置的元件保护方法等。
[0164]符号说明
[0165]10、100、100a、100b、100c、100d、730L、730R …电光装置、
[0166]12、200 …显示部、14、14a、14b、300...衬垫、
[0167]16a…静电保护电路、18...配线、
[0168]110、110a、I 1b…扫描线驱动电路、120…数据线驱动电路、
[0169]130…测试电路、150…控制电路、160…电源电路、210…像素电路、
[0170]211~214…晶体管、215…0LED、216…保持电容、
[0171]250…VEL电极(第二电极)、
[0172]260,26(^,2601^2601^260(^260(^260(^..7(^ 电极(第一电极)、
[0173]310、330…保护电路、312…保护元件(第一保护元件)、
[0174]314…保护元件(第二保护元件)、316...保护电阻、320…安装用衬垫、
[0175]400、410…连接配线、500…P型半导体基板、
[0176]502、504…N型杂质区、506、508、510…P型杂质区、
[0177]512、516…N型高浓度杂质区、514…P型高浓度杂质区、
[0178]518、520…P型有源区、600…显示模块、
[0179]610…FPC基板、620…集成电路装置、622…端子、
[0180]700 …HND、701L、701R …镜片、702L、702R …光学透镜、
[0181] 703L、703R…半透明反射镜、710L、710R…镜腿、720…鼻梁架。
【权利要求】
1.一种电光装置,其特征在于,包括: 衬垫； 多个有机发光二极管； 第一电极，其与构成所述多个有机发光二极管的各有机发光二极管的阴极共通地电连接； 第一保护元件，其一端与所述衬垫电连接，另一端与所述第一电极电连接。
2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于， 所述第一保护元件为，保护二极管、关断晶体管、以及闸流晶体管之中的任意一种。
3.如权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于， 包括: 多个驱动晶体管，其各自向各个所述有机发光二极管供给电流； 第二电极，其与构成所述多个驱动晶体管的各驱动晶体管的源极共通地电连接； 第二保护元件，其一端与所述衬垫电连接，另一端与所述第二电极电连接。
4.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于， 所述第二保护元件为保护二极管或关断晶体管。
5.如权利要求3或4所述的电光装置，其特征在于， 所述第二电极以俯视观察时与形成有所述多个有机发光二极管的显示区域重叠的方式而配置， 所述第一电极由以绕所述第二电极一周的方式而配置的一个或多个电极构成。
6.如权利要求3或4所述的电光装置，其特征在于， 所述第二电极以俯视观察时与形成有所述多个有机发光二极管的显示区域重叠的方式而配置， 所述第一电极具有，沿着所述第二电极的外周边中相互交叉的两条边的外周边。
7.如权利要求3至6的任一项中所述的电光装置，其特征在于， 包括对所述第二电极与所述第二保护元件的另一端进行电连接的连接配线， 所述连接配线以俯视观察时与所述第一电极重叠的方式而配置。
8.如权利要求1至7的任一项中所述的电光装置，其特征在于， 包括被供给接地电压的电源衬垫， 连接所述第一电极与所述第一保护元件的配线的阻抗与所述第一电极的阻抗的合成阻抗，低于与所述电源衬垫电连接的配线的阻抗。
9.如权利要求1至8的任一项中所述的电光装置，其特征在于， 所述衬垫为，沿着形成有所述电光装置的基板的外周边而配置的多个衬垫中的一个。
10.如权利要求1至8的任一项中所述的电光装置，其特征在于， 沿着形成有所述电光装置的基板的外周边之中的至少三条边中的每一条边而配置有所述衬垫。
11.如权利要求1至10的任一项中所述的电光装置，其特征在于，所述衬垫为所述电光装置的安装用衬垫。
12.—种电子设备,其特征在于， 包括权利要求1至11的任一项中所述的电光装置。
【文档编号】G09G3/32GK104078002SQ201410111722
【公开日】2014年10月1日 申请日期:2014年3月24日 优先权日:2013年3月25日
【发明者】野村猛 申请人:精工爱普生株式会社