弯曲显示装置制造方法

弯曲显示装置制造方法
【专利摘要】提供了一种沿第一方向弯曲的弯曲显示装置，所述弯曲显示装置包括：第一基板，第一基板包括多条信号线、覆盖信号线的绝缘层、设置在绝缘层上的像素电极以及与像素电极电绝缘并且沿信号线中的大体沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的信号线设置的屏蔽电极；第二基板，设置为与第一基板相对并且包括共电极；以及光控层，置于第一基板和第二基板之间。
【专利说明】弯曲显示装置
[0001] 本申请要求于2013年7月29日提交的第10-2013-0089566号韩国专利申请的优 先权,本申请的内容通过引用被全部包含于此。

【技术领域】
[0002] 本公开涉及一种显示装置。更具体地说，本公开涉及一种具有弯曲显示面板的显 示装置。

【背景技术】
[0003] 液晶显示器包括两个基板以及设置在两个基板之间的液晶层。液晶显示器驱动液 晶层的液晶分子，以控制像素中的光透射率，由此显示图像。
[0004] 在液晶显示器的各种操作模式中的垂直对准模式液晶显示器中，当在两个基板之 间产生电场时，液晶层的液晶分子相对于基板垂直地对准，而垂直对准的液晶分子使光透 射，由此显示图像。垂直对准模式液晶显示器包括液晶畴，以使液晶分子沿不同的方向对 准，由此改善液晶显示器的视角。
[0005] 近年来，已经开发了弯曲显示装置。弯曲显示装置给用户提供弯曲的显示区域，从 而弯曲显示装置给用户提供具有改善的三维效果、临场感和存在感的图像。


【发明内容】

[0006] 本公开提供了一种包括具有改善的显示品质的弯曲显示面板的弯曲显示装置。
[0007] 本发明的示例性实施例提供了一种沿第一方向弯曲的弯曲显示装置。在这样的实 施例中，所述弯曲显示装置包括：第一基板；设置为与第一基板相对并且包括共电极的第 二基板；以及光控层，置于第一基板和第二基板之间。
[0008] 在这样的实施例中，第一基板包括：多条信号线；绝缘层，覆盖信号线；像素电极， 设置在绝缘层上；以及屏蔽电极，与像素电极电绝缘并且沿信号线中的大体沿着与第一方 向交叉的第二方向延伸的信号线设置。
[0009] 根据这样的示例性实施例，屏蔽电极接收具有与施加到共电极的电压基本相同的 电位的电压，由此在屏蔽电极和共电极之间不产生电场。因此，屏蔽电极阻挡了从背光组件 提供的光穿过液晶层，并可以从与屏蔽电极相对应的第二基板中省略黑矩阵。
[0010] 因此，位于第二基板上的黑矩阵可以有效防止感知到在像素区域中因第一基板和 第二基板之间的偏差而引起的线状的坚直暗部。
[0011] 在这样的实施例中，通过调节屏蔽电极的宽度，可以有效地防止感知到由于在相 邻的像素电极之间的界面中的液晶分子的偏差而导致的纹理缺陷。

【专利附图】

【附图说明】
[0012] 通过参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例，本公开的上述和其它特点将 变得更加明显，其中：
[0013] 图1A是根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的透视图；
[0014] 图1B是图1A中示出的弯曲显示装置的侧视图；
[0015] 图2是示出了根据本发明的第一基板的示例性实施例的平面视图；
[0016] 图3是当在第一基板和第二基板之间产生电场时沿图2中示出的1-1'线截取的 剖视图；
[0017] 图4是示出了根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的平面视图；
[0018] 图5A是沿图4中示出的11-11'线截取的剖视图；
[0019] 图5B是沿图4中示出的111-111'线截取的剖视图；
[0020] 图6是示出了屏蔽电极的示例性实施例的平面视图；
[0021] 图7A是示出了出现坚直线故障的像素的示图；
[0022] 图7B是示出了包括屏蔽电极的像素的示例性实施例的示图；
[0023] 图8是具有各种面板尺寸的弯曲显示装置的偏差值（misalignment value)与曲 率半径的关系的曲线图；
[0024] 图9是示出了根据本发明的弯曲显示装置的可选示例性实施例的透视图；
[0025] 图10是示出了根据本发明的弯曲显示装置的可选示例性实施例的像素结构的平 面视图；
[0026] 图11是示出了限定在像素区域中的畴及液晶对准方向的示图。

【具体实施方式】
[0027] 现在，将在下文中参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了各种实施例。然 而，本发明可以以许多不同的形式实施，且不应解释为局限于这里提出的实施例。相反，提 供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并且将把本发明的范围充分地传达给本领域 的技术人员。相同的标号始终代表相同的兀件。
[0028] 应该理解的是，当元件或层被称作"在"另一元件或层"上"、"连接到"或者"结合 至IJ"另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接或结合到另一元件 或层，或者，可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作"直接在"另一元件或层"上"、 "直接连接到"或者"直接结合到"另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。
[0029] 应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件、组件、区 域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这 些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个区域、层或部分区分开来。因 此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被 称作第二元件、组件、区域、层或部分。
[0030] 为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如"在…之下"、"在…下方"、"下"、 "在…上方"、"上"等，以描述如在图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应 该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中 的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为"在"其它元件或特征"下方"或 "之下"的元件随后将被定位为"在"其它元件或特征"上方"。因而，术语"在…下方"可包 括"在…上方"和"在…下方"两种方位。所述装置可被另外定位（旋转90度或者在其它 方位），并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。
[0031] 这里使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。如这里所 使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的"一个（种）"和"所述（该）"也意 图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语"包含"和/或"包括"时，说明 存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其它 特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0032] 考虑到测量的问题和与特定量的测量相关的误差（即，测量系统的局限性），如这 里所使用的"大约"或"近似"包括陈述的值并意味着在如本领域普通技术人员所确定的具 体值的可接受的偏差范围内。例如，"大约"可以指在一个或更多个标准偏差的范围内，或者 在所述值的±30%、20%、10%、5%的范围内。
[0033] 除非另有定义，否则这里使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）具有与本 发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这 里明确定义，否则术语（诸如在通用字典中定义的术语）应该被解释为具有与本说明书和/ 或相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于正式的含义来进 行解释。
[0034] 在这里参照作为理想化的实施例的示意性视图的剖视图来描述示例性实施例。这 样，预计将出现例如由制造技术和/或公差引起的示图的形状的变化。因此，这里描述的实 施例不应被解释为局限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造所造成的形 状上的偏差。例如，通常示出或被描述为平坦的区域可以具有粗糙的和/或非线性的特征。 此外，示出的锐角可被倒圆。因此，附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状并不 意图示出区域的精确形状，也不意图限制当前权利要求的范围。
[0035] 在下文中，将参照附图详细地描述本发明的示例性实施例。
[0036] 图1A是根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的透视图，图1B是图1A中示 出的弯曲显示装置的侧视图。
[0037] 参照图1A，作为示例性实施例，显示装置500具有在第一方向D1上弯曲的形状。 在这样的实施例中，显示装置500可以在用户观看显示装置500的方向上弯曲，从而用户感 知到显示在弯曲屏幕（例如，弯曲屏幕中的弯曲显示区域DA)上的图像。具有弯曲显示区 域DA的显示装置500被称作为弯曲显示装置500。当使用弯曲显示装置500显示图像时， 可以充分地改善提供给用户的图像的三维效果、临场感和存在感。
[0038] 在示例性实施例中，弯曲显示装置500包括第一基板100、面对第一基板100的第 二基板300以及置于第一基板100和第二基板300之间的光控层（未不出）。在一个不例 性实施例中，例如，光控层可以是但不限于液晶层。
[0039] 第一基板100和第二基板300具有沿第一方向D1弯曲的形状。第一基板100的 一部分或者整体可以沿第一方向D1连续地弯曲，因此显示区域DA沿第一方向D1弯曲，从 而具有弯曲的表面形状。在这样的实施例中，第二基板300可以与第一基板100对应地弯 曲。
[0040] 参照图1B，在示例性实施例中，在第一基板100和第二基板300具有弯曲形状的情 况下，垂直于与第二基板300的表面（例如，外表面）上的第一位置P1接触的切线11的法 线10穿过位于第一基板100的表面（例如，外表面）上的第二位置P2。然而，沿着用户观 看弯曲显示装置500的注视方向穿过第二位置P2的注视线15穿过位于第三基板300上的 第三位置P3,第三位置P3与第二基板300上的第一位置P1不同。
[0041] 第一位置P1和第三位置P3之间的距离根据弯曲显示装置500的曲率而变化。在 这样的实施例中，随着弯曲装置500的曲率增加，第一位置P1和第三位置P3之间的距离增 加。
[0042] 如上所述，第一位置P1和第三位置P3之间出现距离的现象被称为由于曲率导致 的第一基板100和第二基板300之间的偏差（或曰"未对准"）。这里，第一位置P1和第三 位置P3之间的距离被定义为偏差值。在下文中，将详细描述有效防止感知到由于偏差导致 的纹理缺陷的弯曲显示装置的示例性实施例。
[0043] 图2是示出了根据本发明的第一基板的示例性实施例的平面视图，图3是当在第 一基板和第二基板之间产生电场时沿图2中示出的1-1'线截取的剖视图。
[0044] 参照图2和图3,弯曲显示装置500的第一基板100包括第一栅极线GLi-1和第二 栅极线GLi以及设置于其上的第一数据线DLj和第二数据线DLj+1。在示例性实施例中，像 素电极PEj设置在可由第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第一数据线DLj和第二数 据线DLj+1限定的像素区域PA中。
[0045] 像素电极PEj设置为与沿第一方向D1和其相邻的其它像素电极（例如，左侧像素 电极PEj-1和右侧像素电极TOj+1)分隔开并且电绝缘。
[0046] 第一基板100还包括电连接到第二栅极线GLi和第一数据线DLj的薄膜晶体管 TR，以切换施加到像素电极PEj的信号。在示例性实施例中，薄膜晶体管TR包括从第二栅 极线GLi分支的栅电极GE、从第一数据线DLj分支的源电极SE以及电连接到像素电极PEj 的漏电极DE。
[0047] 第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi基本上沿第一方向D1延伸，第一数据线DLj 和第二数据线DLj+1基本上沿与第一方向D1垂直的第二方向D2延伸。在示例性实施例 中，如图2中所示，第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第一数据线DLj和第二数据线 DLj+1具有条带的形状，但不限于此。在可选的示例性实施例中，第一栅极线GLi-1和第二 栅极线GLi以及第一数据线DLj和第二数据线DLj+1可以具有弯曲的形状。
[0048] 在示例性实施例中，第一屏蔽电极SCEj设置在像素电极PEj和左像素电极PEj-1 之间，第二屏蔽电极SCEj+1设置在像素电极PEj和右像素电极PEj+1之间。
[0049] 第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1分别沿着第一数据线DLj和第二数据 线DLj+1设置，并且具有比第一数据线DLj和第二数据线DLj+1的宽度大的宽度。在这样 的实施例中，第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1设置为当在平面视图中观看时分 别覆盖第一数据线DLj和第二数据线DLj+1。
[0050] 第一屏蔽电极SCEj的宽度比像素电极PEj和左像素电极PEj-1之间的距离小，并 且像素电极PEj与左像素电极PEj-1电绝缘。第二屏蔽电极SCEj+1的宽度比像素电极PEj 和右像素电极PE j+1之间的距离小，并且像素电极PEj与右像素电极PE j+1电绝缘。
[0051] 如图3中所示，当像素电极PEj和右像素电极PEj+1之间的距离被称为"dl"时， 第二屏蔽电极SCEj+1具有比"dl"小的宽度wl。
[0052] 在示例性实施例中，第二基板300包括面对像素电极PE j的共电极CE。液晶层LC 置于像素电极PE和共电极CE之间，并且液晶层LC的液晶分子通过在像素电极PE和共电 极CE之间产生的电场而对准。共电极CE被施以共电压，像素电极PE被施以来自第一数据 线DLj的数据电压。因此，在像素电极PE和共电极CE之间产生的电场具有与共电压和数 据电压之间的电位差相对应的强度，液晶层LC的液晶分子的对准根据电场强度而变化，从 而控制液晶层LC的透光率。
[0053] 在这样的实施例中，提供到液晶层LC的光可以是从设置在第一基板100下方的背 光组件（未示出）所提供的光。
[0054] 在示例性实施例中，第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1被施以具有黑色 灰度的电压。在示例性实施例中，例如，施加到第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1 的电压可以具有与施加到共电极CE的共电压的电位基本相同的电位。因此，如图3中所示， 第二屏蔽电极SCEj+1和共电极CE之间未产生电场。在这样的实施例中，当液晶层LC包括 负性液晶分子时，液晶分子在无电场的状态下相对于第二屏蔽电极SCEj+1的表面基本上 垂直地对准。
[0055] 如上所述，当液晶分子基本上坚直地对准时，从背光组件提供的光可以被坚直地 对准的液晶分子阻挡。因此，设置第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1的区域可以 变成阻挡从背光组件提供的光的光阻挡区域BA。
[0056] 如上所述，在示例性实施例中，在第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1沿第 一数据线DLj和第二数据线DLj+1设置的情况下，光阻挡区域BA可以沿第二方向D2限定。
[0057] 在这样的实施例中，第二基板300在与第一基板100的光阻挡区域相对应的区域 (设置第一屏蔽电极SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1的区域）中可以不包括黑矩阵。
[0058] 因此，在这样的实施例中，在第一基板100上设置像素电极PEj以及第一屏蔽电极 SCEj和第二屏蔽电极SCEj+1的情况下，即使在第一基板100和第二基板300之间出现偏 差时，仍可以有效地防止光阻挡区域BA在像素区域PA内运动。因此，可以有效地防止在像 素区域PA中沿着弯曲显示装置500所弯曲的方向（例如，与第一方向D1垂直的第二方向 D2)形成以线状出现的坚直的暗部。
[0059] 图4是示出了根据本发明的弯曲显示装置的示例性实施例的平面视图，图5A是沿 图4中示出的11-11'线截取的剖视图，图5B是沿图4中示出的111-111'线截取的剖视图。
[0060] 弯曲显示装置500包括多个像素，这些像素彼此具有基本上同样的结构和功能。 因此，为了便于说明，图4仅示出了沿第一方向D1布置的两个像素，例如第一像素Pi j和第 二像素 Pi (j+1)。
[0061] 参照图4、图5A和图5B，弯曲显示装置500的示例性实施例包括第一基板100、设 置为与第一基板100相对（例如，面对第一基板100)的第二基板300以及置于第一基板 100和第二基板300之间的液晶层IX。
[0062] 第一基板100包括第一基础基板S1、第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi、第一数 据线DLlj、第二数据线DL2j、第三数据线DLl(j+l)和第四数据线DL2(j+l)以及存储线。
[0063] 例如，第一基础基板S1可以是具有透光性和柔性的绝缘基板，诸如塑料基板。在 一个示例性实施例中，例如，第一像素Pij设置在由第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi 以及第一数据线DLlj和第二数据线DL2j限定的第一像素区域中，而第二像素Pi (j+1) 设置在由第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及第三数据线DL1 (j+1)和第四数据线 DL2 (j+1)限定的第二像素区域中，
[0064] 第一像素Pi j包括第一薄膜晶体管TR1和第二薄膜晶体管TR2以及第一子像素电 极SPE1和第二子像素电极SPE2,而第二像素Pi (j+1)包括第三薄膜晶体管TR3和第四薄膜 晶体管TR4以及第三子像素电极SPE3和第四子像素电极SPE4。
[0065] 屏蔽电极SCE设置在第一像素Pi j和第二像素Pi (j+1)之间。屏蔽电极SCE大体 上沿着与第一方向D1垂直的第二方向D2延伸。
[0066] 如图4中所示，第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi大体上沿着第一方向D1延伸， 第一数据线DLlj、第二数据线DL2j、第三数据线DLl(j+l)和第四数据线DL2(j+l)大体上 沿着与第一方向D1垂直的第二方向D2延伸。第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi在与第 一数据线DLlj、第二数据线DL2j、第三数据线DLl(j+l)和第四数据线DL2(j+l)交叉的同 时通过栅极绝缘层112与第一数据线DLlj、第二数据线DL2j、第三数据线DL1 (j+1)和第四 数据线DL2 (j+1)绝缘。
[0067] 第一薄膜晶体管TR1包括从第二栅极线GLi分支的第一栅电极GE1、从第一数据线 DLlj分支的第一源电极SE1以及与第一源电极SE1分隔开预定距离的第一漏电极DE1。第 二薄膜晶体管TR2包括从第二栅极线GLi分支的第二栅电极GE2、从第二数据线DL2j分支 的第二源电极SE2以及与第二源电极SE2分隔开预定距离的第二漏电极DE2。
[0068] 第一像素区域PA1包括沿第二方向D2布置的两个区域，例如，第一子像素区域 SPA1和第二子像素区域SPA2。在示例性实施例中，第一子像素区域SPA1的大小与第二子 像素区域SPA2的大小可以不同。在一个示例性实施例中，例如，第一子像素区域SPA1可以 比第二子像素区域SPA2小。
[0069] 第一子像素电极SPE1设置在第一子像素区域SPA1中并且电连接到第一薄膜晶体 管TR1的第一漏电极DE1。第二子像素电极SPE2设置在第二子像素区域SPA2中并且电连 接到第二薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。
[0070] 第一子像素电极SPE1包括第一主干部T1和以辐射形式从第一主干部T1延伸的 多个第一分支部B1，从而将第一子像素区域SPA1分成为多个畴。在示例性实施例中，如图 4中所示，第一主干部T1具有十字形，因此第一子像素区域SPA1被第一主干部T1分成为四 个畴。第一分支部B1沿彼此大体上平行的方向延伸，并且被布置为在被第一主干部T1限 定的每个区域中彼此分隔开。在一个示例性实施例中，例如，第一分支部B1可以沿着相对 于第一主干部T1呈大约45度倾斜的方向延伸。在示例性实施例中，彼此相邻的第一分支 部B1彼此分隔开微米的距离（例如，几微米或者几十微米），从而在第一分支部B1中限定 多个第一细狭缝US1。由于第一细狭缝US1，液晶层LC的液晶分子在畴中以不同的方向预 倾斜。
[0071] 第二子像素电极SPE2包括第二主干部T2和以辐射形式从第二主干部T2延伸的 多个第二分支部B2,从而将第二子像素区域SPA2分成为多个畴。在示例性实施例中，如图 4中所示，第二主干部T2具有十字形，因此第二子像素区域SPA2被第二主干部T2分成为四 个畴。第二分支部B2沿彼此大体上平行的方向延伸，并且被布置为在被第二主干部T2限 定的每个区域中彼此分隔开。在示例性实施例中，彼此相邻的第二分支部B2彼此分隔开微 米的距离，从而在第二分支部B2中限定多个第二细狭缝US2。由于第二细狭缝US2,液晶层 LC的液晶分子在畴中以不同的方向预倾斜。
[0072] 存储线包括：主存储线MSLi，设置在第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2 之间，并大体上沿第一方向D1延伸；第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2,从主存储线 MSLi分支并且大体上沿着第二方向D2延伸。
[0073] 当在平面视图中观看时，主存储线MSLi可以与第一子像素电极SPE1和第二子像 素电极SPE2部分地叠置。第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2可以与第一子像素电 极SPE1部分地叠置。在示例性实施例中，第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2之间的 距离可以小于第一数据线DL1 j和第二数据线DL2j之间的距离，而第一子像素电极SPE1的 沿第一方向D1的宽度可以大于第一子存储线SSL1和第二子存储线SSL2之间的距离且小 于第一数据线DLlj和第二数据线DL2j之间的距离。
[0074] 在示例性实施例中，第一像素Pij还包括从第一栅极线GLi-1分支并且与第二子 像素电极SPE2部分地叠置的存储电极SSE。
[0075] 第二像素Pi (j+1)的结构和功能与第一像素Pij的结构和功能基本相同，因此将 省略对第二像素Pi (j+1)的重复的详细描述。
[0076] 第二像素Pi (j+1)与第一像素Pi j共用第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi以及 存储线MSLi。在这样的实施例中，第二像素Pi (j+1)包括电连接到第三数据线DL1 (j+1)的 第三薄膜晶体管TR3和电连接到第四数据线DL2 (j+1)的第四薄膜晶体管TR4以及电连接 到第三薄膜晶体管TR3的第三子像素电极SPE3和电连接到第四薄膜晶体管TR4的第四子 像素电极SPE4。在这样的实施例中，第二像素Pi (j+1)包括第三子存储线SSL3和第四子存 储线SSL4。
[0077] 图5A示出了第一像素Pij和第二像素Pi (j+1)之间的边界部分的剖面结构。
[0078] 参照图5A，第二子存储线SSL2和第三子存储线SSL3与第一栅极线GLi-1和第二 栅极线GLi -起设置在第一基础基板S1上。
[0079] 第二子存储线SSL2和第三子存储线SSL3被栅极绝缘层112覆盖，而第二数据线 DL2j和第三数据线DL1 (j+1)设置在栅极绝缘层112上。
[0080] 在示例性实施例中，第二子存储线SSL2和第三子存储线SSL3之间的距离d2大于 第二数据线DL2j和第三数据线DL1 (j+1)之间的距离d3。当在平面视图下观看时，第二子 存储线SSL2与第二数据线DL2 j部分地叠置或者与第二数据线DL2 j分隔开预定的距离。在 示例性实施例中，第三存储线SSL3与第三数据线DL1 (j+1)部分地叠置或者与第三数据线 DL1 (j+1)分隔开预定的距离。
[0081] 第二数据线DL2j和第三数据线DL1 (j+1)被有机绝缘层113覆盖。有机绝缘层 113可以限定红色像素R、绿色像素G和蓝色像素（未示出）。在示例性实施例中，红色像素 R被限定在第一像素区域PA1中，而绿色像素G被限定在第二像素区域PA2中。
[0082] 第一子像素电极SPE1、第二子像素电极SPE2、第三子像素电极SPE3和第四子像素 电极SPE4设置在有机绝缘层113上。当在平面视图下观看时，第一像素Pij的第一子像素 电极SPE1与第二子存储线SSL2叠置，第二像素Pi (j+1)的第三子像素电极SPE3与第三子 存储线SSL3叠置。
[0083] 第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3在第一方向D1上彼此分隔开。在 示例性实施例中，第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3之间的距离大于第二子存 储线SSL2和第三子存储线SSL3之间的距离d2。
[0084] 屏蔽电极SCE设置在第一像素Pij和第二像素Pi (j+1)之间。如图4中所示，屏蔽 电极SCE沿着第二数据线DL2j和第三数据线DL1 (j+1)大体上在第二方向D2上延伸。屏 蔽电极SCE设置为与第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3分隔开，因此屏蔽电极 SCE与第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3电绝缘。
[0085] 在示例性实施例中，屏蔽电极SCE设置在有机绝缘层113上。在这样的实施例中， 像第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE3 -样，屏蔽电极SCE可以包括透明导电材 料，例如，氧化铟锡（"IT0"）、氧化铟锌（"IZ0"）等。
[0086] 屏蔽电极SCE在第一方向D1上的宽度w2可以小于第一子像素电极SPE1和第三 子像素电极SPE3之间的距离并且大于第二数据线DL2j和第三数据线DL1 (j+1)之间的距 离d3。
[0087] 在这样的实施例中，屏蔽电极SCE的宽度w2可以等于或大于第二数据线DL2j和 第三数据线DL1 (j+1)之间的距离d3、第二数据线DL2j的宽度以及第三数据线DL1 (j+1)的 宽度的总和。
[0088] 将参照图8详细描述确定屏蔽电极SCE的宽度w2的方法。
[0089] 在示例性实施例中，如图5A和图5B所示，屏蔽电极SCE与第一子像素电极SPE1到 第四子像素电极SPE4彼此设置在同一层上。在可选的示例性实施例中，屏蔽电极SCE可以 与第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4设置在不同的层上。在一个示例性实施例 中，例如，屏蔽电极SCE可以设置在有机绝缘层113上，屏蔽电极SCE可以被内绝缘层（未 示出）覆盖，而第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4可以设置在内绝缘层上。
[0090] 图6是示出了屏蔽电极的示例性实施例的平面视图。
[0091] 参照图4和图6,多个屏蔽电极SCE设置在第一基板100上，屏蔽电极SCE大体上 沿第二方向D2延伸从而彼此基本上平行，并且基本上沿第一方向D1布置。屏蔽电极SCE 均可以设置为与像素列之间的边界相邻。
[0092] 屏蔽电极SCE通过第一连接线CL1和第二连接线CL2彼此连接。在这样的实施例 中，第一连接线CL1共同地连接到屏蔽电极SCE的第一端部，而第二连接线CL2共同地连接 到屏蔽电极SCE的第二端部。
[0093] 在示例性实施例中，如图6中所示，第一连接线CL1和第二连接线CL2与屏蔽电极 SCE -体地形成为单个整体的且不可分割的单元，但不限于此或受此限制。在可选的示例性 实施例中，第一连接线CL1和第二连接线CL2可以与存储线MSLi和SSL1到SSL4设置在同 一层，然后通过接触孔电连接到屏蔽电极SCE。
[0094] 在示例性实施例中，第一连接线CL1和第二连接线CL2分别连接到屏蔽电极SCE 的两端。在可选的示例性实施例中，第一连接线CL1和第二连接线CL2中的仅仅一个可以 设置在第一基板100上。
[0095] 第一连接线CL1和第二连接线CL2从外部源（未示出）接收具有与共电压Vcom 的电位相同的电位的电压（在下文中称为共电压Vcom)。根据另一示例性实施例，第一连接 线CL1和第二连接线CL2可以被施以具有与共电压Vcom的电位不同的电位的电压。
[0096] 返回参照图5A，第二基板300包括第二基础基板S2、外敷层312和共电极313。 共电极313接收共电压Vcom并且被设置为面对第一子像素电极SPE1到第四子像素电极 SPE4,因此在共电极313和第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4之间产生电场。在 示例性实施例中，共电极313可以一体地形成为单个整体的且不可分割的单元。
[0097] 屏蔽电极SCE被施以与施加到共电极313的共电压Vcom基本相同的电位的电压。 因此，有效地防止在屏蔽电极SCE和共电极313之间产生电场。在这样的实施例中，当液晶 层LC包括负性液晶分子时，液晶分子在无电场的状态下相对于屏蔽电极SCE的表面基本上 垂直地对准。
[0098] 如上所述，当液晶分子基本上垂直地对准时，从背光组件提供的光可以被垂直对 准的液晶分子阻挡。因此，设置屏蔽电极SCE的区域可以用作阻挡从背光组件提供的光的 第一光阻挡区域BA1。
[0099] 如上所述，在这样的实施例中，在屏蔽电极SCE沿第一数据线DL2j和第二数据线 DLl(j+l)设置的情况下，第一光阻挡区域BA1可以沿第二方向D2设置。
[0100] 第二基板300在与设置屏蔽电极SCE的区域相对应的区域中可以不包括黑矩阵。
[0101] 因此，在这样的实施例中，在第一基板1〇〇上设置屏蔽电极的情况下，即使在第一 基板100和第二基板300之间出现偏差时，仍可以有效地防止第一光阻挡区域BA1在像素 区域PA内移动。因此，可以有效地防止在像素区域PA中沿着弯曲显示装置500所弯曲的 方向（例如，与第一方向D1垂直的第二方向D2)形成以线状出现的坚直的暗部。
[0102] 参照图4和图5B，第二基板300还包括黑矩阵314。黑矩阵314包括阻挡光入射 于其上的材料，因此黑矩阵314阻挡入射到其上的光的透射（例如，光泄漏）。
[0103] 黑矩阵314沿着主存储线MSLi以及第一栅极线GLi-1和第二栅极线GLi设置，从 而黑矩阵314具有大体沿着第一方向D1延伸的条带形状。
[0104] 在沿第一方向D1弯曲的弯曲显示装置500的示例性实施例中，沿着第二方向D2 在第一基板100和第二基板300之间未发生偏差。因此，设置在第二基板300上的黑矩阵 314大体上沿着第一方向D1延伸，由此限定第二光阻挡区域BA2。在这样的实施例中，第二 光阻挡区域BA2大体沿第一方向D1设置。
[0105] 可以在第二基板300的与由设置在第一基板100上的屏蔽电极SCE限定的第一光 阻挡区域BA1相对应的区域中省略黑矩阵314。
[0106] 在示例性实施例中，屏蔽电极SCE和黑矩阵314设置在第一数据线DLlj、第二数据 线DL2j、第三数据线DLl(j+l)和第四数据线DL2(j+l)与第一栅极线GLi-1和第二栅极线 GLi以及主存储线MSLi交叉的区域中。
[0107] 在示例性实施例中，如图5A和图5B所示，外敷层312可以补偿因黑矩阵314引起 的台阶差。因此，共电极313可以设置在具有基本均匀或平坦的表面的外敷层312上，由此 共电极313与第一子像素电极SPE1到第四子像素电极SPE4之间的距离可以基本均匀地维 持。
[0108] 在图4到图6中示出的示例性实施例中，弯曲显示装置500可以沿一个特定方向 (例如，第一方向D1)弯曲。在可选的示例性实施例中，弯曲显示装置500可以沿第一方向 D1和第二方向D2弯曲或者呈半球形的形状弯曲，屏蔽电极SCE可以大体上沿第一方向D1 和第二方向D2设置。在这样的实施例中，可以省略设置在第二基板300上的黑矩阵314。
[0109] 图7A是示出了出现坚直线故障的像素的示图，图7B是示出了包括屏蔽电极的像 素的示图。
[0110] 图7A示出了在弯曲显示装置500沿第一方向D1弯曲的同时当具有网格形状并且 大体沿着第一方向D1和第二方向D2延伸的黑矩阵设置在第二基板300上时测量的像素的 亮度。根据图7A，当第一基板100和第二基板300彼此不重合时，在沿第二方向D2设置的 数据线和黑矩阵之间出现偏差。因此，由于黑矩阵，而在像素区域PA中产生线状的坚直暗 部VD。
[0111] 如图7B所示，在示例性实施例中，当具有条带形状并且大体沿着第一方向D1延伸 的黑矩阵314(参照图5B)设置在第二基板300上，并且大体沿着第二方向D2延伸的屏蔽 电极SCE (参照图4)沿数据线设置在第一基板100上时，除了像素区域PA的畴之间的边界 部分之外未产生线状的坚直暗部VD。
[0112] 如上所述，在示例性实施例中，通过屏蔽电极SCE有效地防止在像素区域PA中形 成线状的坚直暗部VD，可以显著改善弯曲显示装置500的显示品质。
[0113] 图8是具有各种面板尺寸的弯曲显示装置的偏差值（misalignment value)与曲 率半径的关系的曲线图。
[0114] 在图8中，x轴表示弯曲显示装置500的曲率半径（毫米：mm)，而y轴表示第一基 板100和第二基板300之间的偏差值（微米：y m)。在图8中，第一条曲线G1到第七条曲 线G7分别表示具有32英寸、40英寸、46英寸、55英寸、70英寸、85英寸和95英寸的面板的 弯曲显示装置的偏差值与曲率半径的关系。曲率半径与曲率成反比。
[0115] 如图1B中所示，第一位置P1和第三位置P3之间的距离可以被定义为第一基板 100和第二基板300之间的偏差值。
[0116] 参照图8,偏差值随着曲率半径的增加而减小，而偏差值随着面板尺寸的增加而增 力口。因此，屏蔽电极SCE的宽度w2基于弯曲显示装置500的面板尺寸和曲率半径来确定。
[0117] 屏蔽电极SCE的宽度w2可以是满足下述等式的值：
[0118] 等式
[0119] w2 = C1+ a (R) + ^ (S) + y (S2) +8 (RXS)
[0120] 在等式中，
[0121] Cl、a、旦、y、S均表示常量，R表示曲率半径，而S表示面板尺寸。Cl、a、旦、 Y、S可以具有预定值。
[0122] 表 1

【权利要求】
1. 一种沿第一方向弯曲的弯曲显示装置，所述弯曲显示装置包括： 第一基板； 第二基板，设置为与所述第一基板相对并且包括共电极；W及 光控层，置于第一基板和第二基板之间， 所述第一基板，包括： 多条信号线； 绝缘层，覆盖所述信号线； 像素电极，设置在所述绝缘层上；W及 屏蔽电极，与所述像素电极电绝缘并且沿所述信号线中的沿着与第一方向交叉的第二 方向延伸的所述信号线设置。
2. 如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中，所述屏蔽电极接收具有与施加到所述共 电极的电压同的电位的电压。
3. 如权利要求2所述的弯曲显示装置，其中，所述光控层是包括负性类型液晶分子的 液晶层。
4. 如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中，所述信号线包括： 多条栅极线，沿所述第一方向延伸；W及 多条数据线，沿所述第二方向延伸，所述屏蔽电极沿所述数据线中的一条数据线设置。
5. 如权利要求4所述的弯曲显示装置，其中，当在平面视图下观看时，所述屏蔽电极的 宽度比所述数据线的宽度大。
6. 如权利要求5所述的弯曲显示装置，其中， 沿所述屏蔽电极的第一方向的宽度由弯曲显示装置的面板尺寸和曲率半径来确定，并 且沿所述屏蔽电极的第一方向的宽度处于包括满足下面的等式的值w2的范围内： w2 = C1+ a (时+目做+ y怯)+ 5巧X巧 其中，C1、a、目、Y、5均表示预定的常数，R表示曲率半径，S表示面板尺寸。
7. 如权利要求6所述的弯曲显示装置，其中，沿所述屏蔽电极的第一方向的宽度具有 在预定的公差范围内的值，其中也值是满足等式的值w2。
8. 如权利要求6所述的弯曲显示装置，其中，弯曲显示装置的曲率根据其位置是不同 的，所述屏蔽电极的宽度具有通过所述等式在多个位置处计算出的值的平均值。
9. 如权利要求4所述的弯曲显示装置，其中，所述第二基板还包括沿栅极线延伸的黑 矩阵。
10. 如权利要求4所述的弯曲显示装置，其中， 所述像素电极与相邻的像素电极电绝缘， 设置所述屏蔽电极所沿着的所述数据线设置在所述像素电极和相邻的像素电极之 间； 所述屏蔽电极设置在所述像素电极与相邻的像素电极之间。
11. 如权利要求10所述的弯曲显示装置，其中，所述屏蔽电极的第一方向上的宽度比 所述像素电极与相邻的像素电极之间的距离小。
12. 如权利要求10所述的弯曲显示装置，其中，所述屏蔽电极设置在所述绝缘层上，并 且包括与所述像素电极的材料同的材料。
13. 如权利要求4所述的弯曲显示装置，其中，所述绝缘层限定红色像素、绿色像素和 蓝色像素。
14. 如权利要求1所述的弯曲显示装置，其中， 所述像素电极包括沿所述第二方向布置的第一子像素电极和第二子像素电极， 所述第二基板还包括在所述第一子像素电极和所述第二子像素电极之间的界限处的 沿所述第一方向延伸的黑矩阵。
15. 如权利要求14所述的弯曲显示装置，其中， 所述第一子像素电极包括大体沿第二方向布置的至少两个畴， 所述至少两个畴具有彼此不同的液晶对准方向。
【文档编号】G09F9/35GK104347012SQ201410238983
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年5月30日 优先权日:2013年7月29日
【发明者】禹修完, 任完淳, 朴基凡, 宋荣九, 李熙焕, 邢庸宇 申请人:三星显示有限公司