本申请是申请号为201210059674.X、申请日为2012年3月8日、申请人为精工爱普生株式会社、发明名称为“电光学装置以及电子设备”的发明专利申请的分案申请。技术领域本发明涉及电光学装置以及电子设备。
背景技术：
近年来，提出了各种使用了有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，以下称为“OLED”)等发光元件的电光学装置。在这种电光学装置中，与扫描线和数据线的交叉相对应地设置像素电路。该像素电路一般构成为包含上述发光元件、开关晶体管和驱动晶体管(参照专利文献1)。这里，开关晶体管在数据线和驱动晶体管的栅极之间，在扫描线的选择期间导通，由此，在栅极保持向数据线供给的电位。而且，驱动晶体管构成为，使与该栅极的保持电位对应的电流流过发光元件。专利文献1：日本特开2007-310311号公报然而，在要求显示尺寸的小型化、显示的高精细化的用途中，被指出了以下问题。数据线和驱动晶体管相互接近，电容耦合的程度变高。因此，若数据线进行电位变动，则该电位变动作为一种噪声经由寄生电容向驱动晶体管的各部，特别向栅极传播，从而使该栅极的保持电位变动。因此，不能使目标电流流过发光元件，而使显示品质降低。
技术实现要素：
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的之一在于防止显示品质因起因于数据线的电位变动的噪声而降低。为了解决上述课题，本发明所涉及的电光学装置，其特征在于，具有相互交叉的扫描线以及数据线；与上述扫描线和上述数据线的交叉对应地设置的像素电路；屏蔽配线，上述像素电路具备发光元件；对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管；开关晶体管，其连接于上述驱动晶体管的栅极和上述数据线之间，根据供给至上述扫描线的扫描信号，控制其导通状态，上述屏蔽配线俯视时设置于上述数据线和上述驱动晶体管之间。根据本发明，以数据线作为发生源的噪声在到达像素电路的驱动晶体管之前被屏蔽配线吸收。因此，驱动晶体管不易受噪声等的影响，因此能够防止显示品质的降低。在本发明中，优选上述屏蔽配线和上述数据线的距离比上述屏蔽配线和上述驱动晶体管的距离短的方式。根据该方式，能够更加可靠地抑制噪声等的影响。在本发明中，即便上述屏蔽配线处于未与任何部分电连接的高阻抗(悬浮)状态，例如若与时间上恒定电位的供电线电容耦合，则也能够吸收噪声，但优选与时间上恒定的电位直接连接的结构。在这种结构中，若为在上述像素电路中，在高位侧的电源线和低位侧的电源线之间的路径上，上述发光元件和上述驱动晶体管被串联连接，上述屏蔽配线与上述高位侧的电源线或者上述低位侧的电源线连接的方式，则与已经存在的电源线连接即可。并且，在这种方式中，若为在上述像素电路中，上述屏蔽配线具有与上述高位侧的电源线或者上述低位侧的电源线连接的部分的结构，则能够实现屏蔽配线的低阻抗化，因此能够更加可靠地吸收噪声。另外，在本发明中，优选具有一端与上述驱动晶体管的栅极电连接的保持电容的结构。在该结构中，若上述屏蔽配线在俯视时覆盖上述保持电容，则基于保持电容的保持电压也能够不易受到噪声的影响。另外，上述目的通过下述结构也能达成，即，具有相互交叉的扫描线以及数据线；与上述扫描线和上述数据线的交叉对应地设置的像素电路；屏蔽配线，上述像素电路具备发光元件；对流过上述发光元件的电流进行控制的驱动晶体管；开关晶体管，其在驱动晶体管的栅极和上述数据线之间，根据供给至上述扫描线的扫描信号，控制其导通状态，上述屏蔽配线在剖视时设置于上述数据线和上述驱动晶体管之间，俯视时与上述数据线或者上述驱动晶体管的至少一部分重叠。此外，本发明所涉及的电光学装置能够适用于各种的电子设备。典型的是显示装置，作为电子设备列举个人计算机、手机等。特别是本申请发明，即便在不能充分确保保持电容时，来自数据线的噪声在到达像素电路的驱动晶体管之前也能被屏蔽配线吸收，由此能够防止显示品质的降低，例如适于像头置式显示器用、投影仪一样，形成缩小图像的显示装置。不过，本发明的电光学装置的用途不限于显示装置。例如，也能够适用于用于通过光线的照射使潜像形成于感光鼓等的图像载体的曝光装置(光学头)。附图说明图1是表示第1实施方式所涉及的电光学装置的结构的框图。图2是表示电光学装置的像素电路的等价电路的图。图3是表示电光学装置的显示动作的图。图4是表示像素电路的结构的俯视图。图5是表示以图4中的E-e线切开的结构的局部剖视图。图6是表示像素电路中吸收来自数据线的噪声的图。图7是表示像素电路中的各种寄生电容的图。图8是将像素电路中的各种寄生电容模型化的图。图9是表示串扰的一个例子的图。图10是表示第2实施方式所涉及的电光学装置的像素电路的结构的俯视图。图11是表示以图10中的F-f线切开的结构的局部剖视图。图12是表示第3实施方式所涉及的电光学装置的像素电路的结构的俯视图。图13是表示以图12中的H-h线切开的结构的局部剖视图。图14是表示第4实施方式所涉及的电光学装置的像素电路的结构的俯视图。图15是表示第5实施方式所涉及的电光学装置的像素电路的结构的俯视图。图16是表示第6实施方式所涉及的电光学装置的像素电路的结构的俯视图。图17是表示以图16中的J-j线切开的结构的局部剖视图。图18是表示第7实施方式所涉及的电光学装置的像素电路的结构的俯视图。图19是表示其他例子所涉及的像素电路的等价电路的图。图20是表示适用了电光学装置的电子设备(其1)的图。图21是表示适用了电光学装置的电子设备(其2)的图。图22是表示适用了电光学装置的电子设备(其3)的图。具体实施方式第1实施方式图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的电光学装置的结构的框图。电光学装置1是利用多个像素电路110来显示图像的装置。如该图所示，电光学装置1为包含元件部100、扫描线驱动电路210以及数据线驱动电路220的构成。其中，在元件部100，沿图中行(X)方向设置有m行的扫描线112，沿列(Y)方向且以与各扫描线112相互保持电绝缘的方式设置有n列的数据线114。像素电路110分别与m行的扫描线112和n列的数据线114的各交叉对应地排列。因此，在本实施方式中，像素电路110以纵m行×横n列排列成矩阵状。其中，m、n均为自然数。电源线116分别共同连接在各像素电路110，向其供给元件电源的高位侧的电位Vel。此外，虽在图1中省略，但如后述，在各像素电路110设置有共用电极，来供给元件电源的低位侧的电位Vct。这些电位Vel、Vct由省略图示的电源电路生成。另外，为了便于区分扫描线112以及像素电路110的行，在图1中有时从上起按顺序称为1行、2行、3行、…、(m-1)行、m行。同样，为了便于区分数据线114以及像素电路110的列，在图1中有时从左起按顺序称为1列、2列、3列、…、(n-1)列、n列。在电光学装置1中，在像素电路110以矩阵状排列的区域的周边配置有扫描线驱动电路210以及数据线驱动电路220。扫描线驱动电路210以及数据线驱动电路220的动作被省略图示的控制器控制。另外，从上述控制器向数据线驱动电路220供给指定在各像素电路110应显示的灰度(亮度)的灰度数据。扫描线驱动电路210在各帧中依次选择第1～m行。作为一个例子，扫描线驱动电路210是将扫描信号Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)分别供给至第1、2、3、…、(m-1)、m行的扫描线112的电路，在帧中，使各扫描信号依次排他地成为H电平。此外，在本说明中，帧是指使1个镜头(画面)的量的图像显示在电光学装置1所需的期间，若垂直扫描频率为60Hz，则指其1个周期的量的16.67毫秒的期间。数据线驱动电路220将与该像素电路110的灰度数据对应的电位的数据信号，经由数据线114供给至位于通过扫描线驱动电路210选择出的行的像素电路110。为方便起见，将分别供给至第1、2、3、…、(n-1)、n列的数据线114的数据信号记为Vd(1)、Vd(2)、Vd(3)、…、Vd(n-1)、Vd(n)。接下来，参照图2，对像素电路110的等价电路进行说明。此外，图2示出与第i行以及相对该第i行在下侧相邻的第(i+1)行的扫描线112、和第j列以及相对该第j列在右侧相邻的第(j+1)列的数据线114的交叉对应的2×2共计4个像素的量的像素电路110。此处，i、(i+1)是一般表示像素电路110排列的行的符号，为1以上m以下的整数。同样，j、(j+1)是一般表示像素电路110排列的列的符号，为1以上n以下的整数。如图2所示，各像素电路110具有N沟道型的晶体管130、140、保持电容135和发光元件150。各像素电路110的结构彼此相同，因此以位于第i行j列的像素电路为代表进行说明。在第i行j列的像素电路110中，晶体管130作为开关晶体管发挥作用，其栅极结点与第i行的扫描线112连接，而其漏极结点与第j列的数据线114连接，其源极结点分别与保持电容135的一端和晶体管140的栅极结点连接。保持电容135的另一端分别与晶体管140的源极结点以及发光元件150的阳极连接。另一方面，晶体管140的漏极结点与电源线116连接。为方便起见，在第i行j列的像素电路110中，将晶体管130的漏极结点记作大写的D，将晶体管140的栅极结点(晶体管130的源极结点以及保持电容135的一端)记作小写的g。特别是将第i行j列的晶体管140的栅极结点记作g(i，j)。而且，将晶体管140的漏极结点(电源线116)记作小写的d，将晶体管140的源极结点(发光元件150的阳极)记作小写的s。发光元件150的阴极在各像素电路100中与共用电极118连接。该共用电极118在各像素电路110的发光元件150中通用。发光元件150是在相互对置的阳极和阴极之间夹持由有机EL材料构成的发光层的OLED，以与从阳极向阴极流动的电流对应的亮度发光。此外，在图2中，Gwr(i)，Gwr(i+1)分别表示向第i、(i+1)行的扫描线112供给的扫描信号。另外，Vd(j)、Vd(j+1)分别表示向第j、(j+1)列的数据线114供给的数据信号。另外，在本实施方式中，在数据线114的附近设置有屏蔽配线，后面叙述屏蔽配线的详细内容。接下来，参照图3对电光学装置1的显示动作进行简单说明。图3是表示扫描信号以及数据信号的波形的一个例子的图。如该图所示，扫描信号Gwr(1)、Gwr(2)、Gwr(3)、…、Gwr(m-1)、Gwr(m)通过扫描线驱动电路210在各帧中按每个水平扫描期间(H)依次排他地成为H电平。此处，第i行的扫描线112被选择从而扫描信号Gwr(i)成为H电平时，通过数据线驱动电路220向第j列的数据线114供给与第i行j列的像素电路110的灰度数据对应的电位的数据信号Vd(j)。在第i行j列的像素电路110中，若扫描信号Gwr(i)成为H电平，则晶体管130导通，因此，栅极结点g(i，j)成为与第j列的数据线114电连接的状态。因此，栅极结点g(i，j)的电位如图3中的向上箭头所示，成为数据信号Vd(j)的电位。此时，晶体管140使与栅极结点g(i，j)的电位对应的电流流过发光元件150，保持电容135保持此时的晶体管140的栅极、源极间的电压。在第i行的扫描线112的选择结束而扫描信号Gwr(i)变为L电平时，晶体管130截止。即便晶体管130从导通切换至截止，也通过保持电容135保持着该晶体管130导通时的、晶体管140的栅极、源极间的电压。因此，即便晶体管130截止，晶体管140也使与基于保持电容135的保持电压对应的电流持续流过发光元件150，直至下次第i行的扫描线112再次被选择。因此，第i行j列的像素电路110中的发光元件150以对应于选择出第i行时的数据信号Vd(j)的电位的亮度，即，以对应于第i行j列的灰度数据的亮度，在相当于1帧的期间持续发光。此外，在第i行中，即便为第j列以外的像素电路110，也以与供给至对应的数据线114的数据信号的电位对应的亮度发光。另外，此处，对与第i行的扫描线112对应的像素电路110进行了说明，但扫描线112以第1、2、3、…、(m-1)、m行的顺序被选择的结果，各像素电路110分别以与灰度数据对应的亮度发光。该动作按每帧反复进行。另外，在图3中，与扫描信号的电位比例(scale)相比，为方便起见使数据信号Vd(j)、栅极结点g(i，j)的电位比例放大。然而，数据信号为与位于所选择出的行的像素的灰度数据对应的电位，因此数据线114根据显示内容时时刻刻进行电位变动。例如向第j列的数据线114供给图3所示的数据信号Vd(j)，因此在每个水平扫描期间(H)进行电位变动。若数据线114与像素电路110的各部电容耦合，则数据线114的电位变动会给像素电路110的各部的电位造成负面影响。特别是在要求显示尺寸的小型化和显示的高精细化的用途中，例如，在显示尺寸按对角不足1英寸且具有1280×720像素以上的分辨率的微显示器等中，与保持电容135比较，各部的寄生电容相对变大，因此其影响显著地显现。特别是，晶体管140的栅极结点g以及源极结点s的电位对流过发光元件150的电流进行规定，因此，该部分的电位变动引起显示乱码和后述的串扰等的产生，成为使显示品质大幅降低的重要因素。因此，在本实施方式中，使像素电路110以下述那样地构成，而不易受到起因于数据线的电位变动的噪声的影响。参照图4以及图5对该像素电路110的结构进行说明。图4是表示在纵、横方向彼此相邻的4个像素电路110的结构的俯视图，图5是沿图4中的E-e线切开的局部剖视图。此外，图4是表示从观察侧俯视顶部发光的像素电路110时的配线结构，但为了简单化，省略在发光元件150的像素电极(阳极)以后形成的结构体。在图5中，表示至发光元件150的像素电极，省略以后的结构体。另外，在以下各图中，为了使各层、各部件、各区域等成为能够识别的大小，使比例尺不同。首先，如图5所示，在作为基础的基板2上分别设置有将多晶硅膜岛状地图案成形的半导体层130a、140a。半导体层130a构成晶体管130，半导体层140a构成晶体管140。此处，半导体层130a在俯视时如图4所示，形成为长边在沿后面形成的扫描线112的横向延伸的矩形。另一方面，半导体层140a在俯视时形成为长边在沿后面形成的数据线114的纵向延伸的矩形。如图5所示，以覆盖半导体层130a、140b的几乎整个面的方式设置有栅极绝缘膜10。在栅极绝缘膜10的表面设置铝、钽等栅极配线层，并且，通过将该栅极配线层进行图案成形，而分别设置有扫描线112以及栅极电极层21。扫描线112在图4中沿横向延伸，并且，在每个像素电路110上具有朝向下方分支的部分，该分支部分在半导体层130a的中央部分重叠。半导体层130a中的与扫描线112的分支部分重叠的区域成为沟道区域130c(参照图5)。此外，在半导体层130a中，相对沟道区域130c在图5中左方向为漏极区域130d，右方向为源极区域130s。另一方面，栅极电极层21在俯视时如图4所示，呈在四角框中没有左边且上边、右边以及下边为一体的形状。其中，下边在半导体层140a的中央部分重叠。半导体层140a中的与栅极电极层21的下边重叠的区域为沟道区域140c(参照图5)。半导体层140a中，相对沟道区域140c区域在图5中左方向为源极区域140s，右方向为漏极区域140d。在图5中，以覆盖扫描线112、栅极电极层21或者栅极绝缘膜10的方式形成有第1层间绝缘膜11。在第1层间绝缘膜11的表面形成有导电性的配线层，并且，通过该配线层的图案成形而分别形成有中继电极41、42、43、44。其中，中继电极41经由分别对第1层间绝缘膜11以及栅极绝缘膜10进行开孔的接触孔(通孔)31与漏极区域130d连接。此外，在图4中，在不同种类的配线层彼此重叠的部分，在“□”标记中标记有“×”标记的部分为接触孔。在图5中，中继电极42的一端经由分别对第1层间绝缘膜11以及栅极绝缘膜10进行开孔的接触孔32与源极区域130s连接，而中继电极42的另一端经由对第1层间绝缘膜11进行开孔的接触孔33与栅极电极层21连接。中继电极43经由分别对第1层间绝缘膜11以及栅极绝缘膜10进行开孔的接触孔34与源极区域140s连接。此处，中继电极43的俯视时的形状如图4所示，为覆盖栅极电极层21的上边那样的长方形。因此，保持电容135如图5所示，成为以栅极电极层21和中继电极43夹持第1层间绝缘膜11的构成。中继电极44经由分别对第1层间绝缘膜11以及栅极绝缘膜10进行开孔的接触孔35与漏极区域140d连接。以覆盖中继电极41、42、43、44或者第1层间绝缘膜11的方式形成有第2层间绝缘膜12。在第2层间绝缘膜12的表面形成有导电性的配线层，并且，通过该配线层的图案成形而分别形成有中继电极61、62以及电源线116。其中，中继电极61经由对第2层间绝缘膜12进行开孔的接触孔51与中继电极41连接。中继电极62也经由对第2层间绝缘膜12进行开孔的接触孔52与中继电极43连接。电源线116经由对第2层间绝缘膜12进行开孔的接触孔53与中继电极44连接。因此，电源线116经由中继电极44与漏极区域140d连接。电源线116在俯视时如图4所示沿着扫描线112延伸的横向形成。此外，也可以通过在接触孔51、52、53中填充由钨等高熔点金属构成的柱状的连接塞来分别连接中继电极41和61彼此、中继电极43和62彼此、以及中继电极44和电源线116彼此。以覆盖中继电极61、62或者第2层间绝缘膜12的方式形成有第3层间绝缘膜13。在第3层间绝缘膜13的表面形成有导电性的配线层，并且，通过该配线层的图案成形而分别形成有数据线114、屏蔽配线81a、81b(在图5中省略)以及中继电极82。其中，数据线114经由对第3层间绝缘膜13进行开孔的接触孔71与中继电极61连接。因此，数据线114按照中继电极61、中继电极41这样的路径与漏极区域130d连接。此处，数据线114在俯视时如图4所示，沿与扫描线112的延伸方向正交的纵向形成。中继电极82经由对第3层间绝缘膜13进行开孔的接触孔72与中继电极62连接。此外，还可以通过在接触孔71、72中填充由高熔点金属构成的柱状的连接塞来分别连接中继电极61和数据线114彼此，以及中继电极62、82彼此。各屏蔽配线81a、81b在俯视时如图4所示，分别与各列对应地形成。具体地说，某列的屏蔽配线81a以位于该列的数据线114和该列的像素电路110中的晶体管140之间的方式在数据线114的右侧沿纵向形成。此时，在比较数据线114和晶体管140时，屏蔽配线81a设置在更靠近数据线114侧。即，屏蔽配线81a和数据线114之间的距离比屏蔽配线81a和晶体管140之间的距离短。因此，与晶体管140相比屏蔽配线81a更容易与数据线114电容耦合。另一方面，某列的屏蔽配线81b以位于相对该列在右侧相邻的数据线114和该列的像素电路110中的晶体管140之间的方式，在数据线114的左侧沿纵向形成。此时，在比较数据线114合晶体管140时，屏蔽配线81b设置在更靠近数据线114侧。即，屏蔽配线81b和数据线114之间的距离比屏蔽配线81b和晶体管140之间的距离短。因此，与晶体管140相比，屏蔽配线81b更容易与数据线114电容耦合。俯视时若从晶体管140观察，则其被左侧的数据线114和右侧的数据线114夹持地配设，但在左侧的数据线114的跟前配设有屏蔽配线81a，在右侧的数据线114的跟前配设有屏蔽配线81b。此外，屏蔽配线81a、81b在图4中形成为纵向，并且，延伸至像素电路110排列的区域的外侧，被施加时间上恒定的电位，例如电位Vel。另外，屏蔽配线81a、81b也可以每隔1行或者几行在俯视时与电源线116交叉的部分经由接触孔连接。以覆盖数据线114、屏蔽配线81a、81b、中继电极82或者第3层间绝缘膜13的方式形成第4层间绝缘膜14。在第4层间绝缘膜14的表面形成具有导电性以及反射性的配线层，并且，通过该配线层的图案成形而形成发光元件150的阳极。该阳极为按每个像素电路110单独的像素电极，经由对第4层间绝缘膜14进行开孔的接触孔92与中继电极82连接。因此阳极(像素电极)按照中继电极82、中继电极62、以及兼作保持电容135的另一个电极的中继电极43这样的路径与源极区域140s连接。此外，也可以在接触孔92中填充由高熔点金属构成的柱状的连接塞，来连接中继电极82以及像素电极彼此。图示省略了作为电光学装置1的以后的结构，但在阳极上按每个像素电路110层叠由有机EL材料构成的发光层，而且，在各像素电路110将共用的透明电极作为兼作阴极的共用电极118而设置。由此，发光元件150成为在相互对置的阳极和阴极之间夹持发光层的OLED，以与从阳极朝向阴极流动的电流对应的亮度发光，被从与基板2相反方向观察(顶部发光结构)。除此以外，设置用于从大气隔离发光层的密封玻璃等，但省略说明。另外，在图4中，省略了作为发光元件150的阳极的像素电极的图示，因此接触孔92上只标注表示位置的“□”标记。接下来，参照图6对基于屏蔽配线81a，81b的屏蔽功能进行说明。图6是将图4所示的像素电路110的平面结构置换成电路表示的图。如上所述，各列的数据线114进行电位变动，因此起因于其电位变动的噪声传播至像素电路110的各部。在第1实施方式中，从第j列的数据线114观察，屏蔽配线81a位于与第i行j列的晶体管140的栅极结点g、源极结点s相比靠跟前侧。因此，从第j列的数据线114产生的噪声被屏蔽配线81a和第j列的数据线114之间的耦合电容Ca吸收。另外，从第(j+1)列的数据线114观察，屏蔽配线81b也位于与第i行j列的晶体管140的栅极结点g、源极结点s相比靠跟前侧。因此，从第(j+1)列的数据线114产生的噪声被屏蔽配线81b和该第(j+1)列的数据线114之间的耦合电容Cb吸收。因此，根据该电光学装置1，晶体管140的栅极结点g、源极结点s不易受到起因于数据线114的电位变动的噪声的影响，因此，能够稳定的显示。另外，在第1实施方式中，屏蔽配线81a、81b是对与数据线114、中继电极82相同的配线层进行图案成形而形成，因此无需在制造工序中追加工序。图7是将像素电路110的等价电路与各部的寄生电容一起表示的图。在该图中，CDg表示在晶体管130的漏极结点D(数据线114)和晶体管140的栅极结点g之间产生的寄生电容，CDs表示在晶体管130的漏极结点D和晶体管140的源极结点s之间产生的寄生电容。CHOLD表示保持电容135的电容。Cgd表示在晶体管140的栅极结点g和漏极结点d(电源线116)之间产生的寄生电容，Cds表示在晶体管140的漏极结点d和源极结点s之间产生的寄生电容，COLED表示发光元件150的电容成分。在对应的扫描线为非选择期间时，像素电路110的晶体管130为截止状态。而且，电源线116以及共用电极118的电位恒定。因此，非选择期间的像素电路110能够简化为图8所示的模型。此外，在图中，Vamp为非选择期间的数据线114的电位振幅。该模型中，保持电容135的保持电压Vgs所施加的变动量ΔVgs能够如图8的式(1)那样表示。应予说明，式(1)中的系数K1如式(2)那样表示，而系数K2如式(3)那样表示。在本实施方式中，由于具有屏蔽配线81a、81b，因此与没有屏蔽配线81a、81b的构成相比，寄生电容CDg、CDs分别变小。因此，由于式(2)中(a)项的成分变大，分母成分整体变大，因此，系数K1变小。另一方面，由于式(3)中(b)项的成分变大，分母成分整体变大，因此，系数K2也变小。因此，在本实施方式中，相对电位振幅Vamp的变动量ΔVgs与没有屏蔽配线81a、81b的构成相比变小，因此，能够进行不易受到数据线114的电位变动和噪声等影响的稳定的显示。这里，栅极结点g、源极结点s的电位因起因于数据线114的电位变动的噪声而变动时，具体而言，以下述的串扰这样的形式显著化，使显示品质降低。图9是表示在不具有本实施方式这样的屏蔽配线81a、81b的电光学装置中发生的串扰的一个例子的图。这里所说的串扰是指如图9(A)所示，例如在将灰色作为背景区域使黑色的矩形区域窗口显示时，实际上如图9(B)所示，相对于黑色的区域(b2)，上侧的区域(a2)以及下侧的区域(c2)以与其他灰色的区域(a1、a3、b1、b3、c1、c3)不同的较暗的灰度显示的现象。应予说明，在图9中，以斜线的密度表示区域的亮度。另外，该串扰在使区域(b2)为白色时也产生。不管哪一种，由于以不同的灰度显示的区域均出现在区域(b2)的上下方向，因此特别有时也称作纵串扰。可以认为该纵串扰是由于下述原因产生的。即，在某个帧中，跨区域(a1、b1、c1)的数据线114在从第1行至最终第m行的选择中维持与灰色的灰度数据对应的电位。因此，属于区域(a1、b1、c1)的像素电路110分别保持通过与自身对应的扫描线的选择而在栅极结点g保持的电位，而不受来自数据线的噪声的影响。跨区域(a3、b3、c3)的数据线114以及属于该区域(a3、b3、c3)的像素电路110也相同。因此，属于区域(a1、a3、b1、b3、c1、c3)的像素电路110分别在相当于1帧的期间的整个范围，以与栅极结点g的保持电位对应的亮度发光。与此相对，跨区域(a2、b2、c2)的数据线114在区域(a2)的选择中成为与灰色的灰度数据对应的电位，在区域(b2)的选择中下降至与黑色的灰度数据对应的电位，在区域(c2)的选择中再次成为与灰色的灰度数据对应的电位。因此，在属于区域(a2)的像素电路110中，即便通过与自身对应的扫描线的选择，栅极结点g保持与灰色相当的电位，也会因起因于选择区域(b2)时的数据线114的电位变动的噪声而变化。此外，选择区域(c2)时数据线114再次返回至与灰色相当的电位，因此，通过该返回，栅极结点g有可能恢复为或接近与灰色相当的电位。然而，即便栅极结点g恢复为与灰色相当的电位，属于区域(a2)的像素电路110分别在写入后，在相当于1帧的期间中，至少在选择区域(b2)时，以对应于从与灰色相当的电位降低的电位的亮度发光。区域(c2)也相同。即，在属于区域(c2)的像素电路110中，即便根据与自身对应的扫描线的选择，栅极结点g保持与灰色相当的电位，也在下一帧中，在选择区域(b2)时受到数据线114的电位变动而变化。因此，以相当于1帧的期间的平均值来看，属于区域(a2、c2)的像素电路110的每一个与属于其他的区域(a1、a3、b1、b3、c1、c3)的像素电路110的每一个不同，观察出较暗的灰度。可以认为其为纵串扰产生的机理。根据第1实施方式，为栅极结点g以及源极结点s的每一个因屏蔽配线81a、82，不易受到起因于数据线114的电位变动的噪声的影响的结构，因此，能够抑制这样的纵串扰，进行高品质显示。此外，在第1实施方式中，使屏蔽配线81a、81b为与电源线116相同的电位Vel，但可以使其保持其他的电位，例如电位Vct。第2实施方式在第1实施方式中，对与数据线114相同的配线层进行图案成形而形成屏蔽配线81a、81b，但也可以由与数据线114不同的配线层形成。因此，接下来，作为第2实施方式，以由与比数据线114靠下层侧的中继电极61、62以及电源线116相同的配线层形成屏蔽配线81a、81b的情况为例进行说明。图10是表示第2实施方式的电光学装置的像素电路110的结构的俯视图。图11是以图10中的F-f线切开的局部剖视图。在由与中继电极61、62以及电源线116相同的配线层形成屏蔽配线81a、81b的情况下，需要避免屏蔽配线81a和中继电极61的干扰(电接触)。具体而言，需要将接触孔51设置在俯视时与屏蔽配线81a相比靠外侧(在图10、图11中为左侧)。因此，在第2实施方式中，如图10所示，使接触孔51、71配置为，俯视时在同一地点重叠，并使中继电极41延伸至该地点。当然，例如也可以将中继电极61延伸配置至其他地点等，使接触孔51、71配置成在俯视时为不同地点(省略图示)。即便在第2实施方式中，从第j列的数据线114观察，在俯视时屏蔽配线81a也位于第i行j列的晶体管140的各结点的跟前，因此从第j列的数据线114产生的噪声被屏蔽配线81a和第j列的数据线114之间的耦合电容吸收。另外，从第(j+1)列的数据线114观察，俯视时屏蔽配线81b也位于第i行j列的晶体管140的各结点的跟前，因此从第(j+1)列的数据线114产生的噪声被屏蔽配线81b和该第(j+1)列的数据线114之间的耦合电容吸收。因此，即便在第2实施方式中，由于不易受到噪声等影响，因此，能够稳定地进行显示。另外，在第2实施方式中，屏蔽配线81a、81b是对与中继电极61、62以及电源线116相同的配线层进行图案成形而形成的，因此，与第1实施方式相同，无需在制造工序中追加工序。另外，在第2实施方式中，使用与数据线114不同的配线层形成屏蔽配线81a、81b。所以，能够避免屏蔽配线81a、81b和数据线114的接触，因此，像素电路的窄间距化变得容易。即，在第1实施方式中，由与数据线114相同的配线层形成屏蔽配线81a、81b，因此为了确保屏蔽功能，需要使屏蔽配线81a、81b与数据线114分离。与此相对，在第2实施方式中，没有这样的必要，即便俯视时屏蔽配线81a、81b与数据线114重叠，只要在中继电极61的部分分离，就能够确保电绝缘，因此，窄间距化变得容易。然而，若俯视时屏蔽配线形成为与晶体管140的各结点交叉，则能够期待更强的屏蔽功能。因此，在第3实施方式、第5实施方式中说明由与数据线相同的配线层形成屏蔽配线，而实现屏蔽功能的强化的例子。另外，在第6实施方式、第7实施方式中后述说明由与数据线不同的配线层形成屏蔽配线，而实现屏蔽功能的强化的例子。第3实施方式图12是表示第3实施方式的电光学装置的像素电路110的结构的俯视图，图13是表示以图12中的H-h线切开的局部剖视图。如图12所示，在第3实施方式中，屏蔽配线81a的一部分以朝向右侧延伸，且俯视时覆盖中继电极43的方式形成。保持电容135为俯视时中继电极43和栅极电极层21重叠的区域，中继电极43为保持电容135中的另一个电极，也是晶体管140的源极结点s。因此，在第3实施方式中，屏蔽功能与第1实施方式相比进一步强化。第4实施方式图14是表示第4实施方式的电光学装置的像素电路110的结构的俯视图。如该图所示，屏蔽配线81a、81b分别按每个像素电路110，沿数据线114形成为长条状，并且，分别与电源线116连接。此外，在第4实施方式中，屏蔽配线81a、81b由与数据线114相同的配线层形成。因此，屏蔽配线81a经由对第3层间绝缘膜13进行开孔的接触孔73与电源线116连接，屏蔽配线81b也同样经由对第3层间绝缘膜13进行开孔的接触孔74与电源线116连接。此外，省略剖视图。如第1实施方式所示，在使屏蔽配线81a、81b沿数据线114分别形成为1根的情况下，若电阻率较大，或与固定电位的连接点相隔，则屏蔽配线81a、81b的阻抗变得较高，有时不能充分吸收噪声。与此相对，根据第4实施方式，按每个像素电路110设置屏蔽配线81a、81b，并且与电源线116连接，因此，能够实现低阻抗化，提高噪声的吸收能力。第5实施方式图15是表示第5实施方式的电光学装置的像素电路110的结构的俯视图。该第5实施方式中是对第3实施方式和第4实施方式进行组合而成的结构，改变图14所示的屏蔽配线81a的形状，而形成为俯视时覆盖中继电极43。因此，根据第5实施方式，能够强化屏蔽功能，提高噪声的吸收能力。第6实施方式如第2实施方式所示，在由与数据线114不同的配线层形成屏蔽配线的情况下，也可以将屏蔽配线以不与数据线114左右相邻，而在俯视时与数据线114重叠的方式设置在数据线114的下层侧。另一方面，若将屏蔽配线按每个像素电路110与例如电源线116连接，则能够提高噪声的吸收能力这一点已经在第4(第5)实施方式中叙述。因此，接下来，说明对两者进行组合，将屏蔽配线由与数据线114不同的配线层形成，以俯视时与数据线114重叠的方式设置在数据线114的下层侧，并且与电源线116一体化的第6实施方式。图16是表示第6实施方式中的电光学装置的像素电路110的结构的俯视图，图17是以图16中的J-j线切开的局部剖视图。从第1实施方式至第5实施方式，每1列设置有屏蔽配线81a、81b，但在第6实施方式中，统一成屏蔽配线81，并且，兼作电源线116。如图17所示，兼作电源线116的屏蔽配线81与中继电极61、62一起，是对形成在第2层间绝缘膜12上的配线层进行图案成形的配线。俯视屏蔽配线81时的形状如图16所示，为与纵向的数据线114重叠且比数据线114的宽度宽，并且与横向的电源线116为一体呈格子状。数据线114依次经由中继电极61、41与漏极区域130d连接，但屏蔽配线81由与中继电极61相同的配线层形成，因此需要避免干扰。因此，数据线114在图16中向右方分支，并且，延伸至未形成屏蔽配线81的部分。在该延伸部分形成有接触孔51，使数据线114与中继电极61连接。由此，屏蔽配线81和中继电极61不相互干扰地电分离。此外，在该例中，使接触孔51、71配置为俯视时在相同地点重叠，但也可以配置为成为不同地点(省略图示)。另外，在第6实施方式中，由于使数据线114向右侧分支延伸，因此会有噪声从该延伸部分进入到晶体管140的栅极结点g、源极结点s的可能性。因此，在第6实施方式中，在俯视时数据线114的分支部分和中继电极43/栅极电极层21之间设置有使屏蔽配线81向右侧延伸的分支配线81d。由此，来自向数据线114的右侧延伸的部分，即来自接触孔71附近的噪声在到达晶体管140的各结点前被分支配线81d吸收。根据第6实施方式，屏蔽配线81被设置为俯视时与数据线114重叠，并且，兼作电源线116而电位被固定化，因此，能够实现屏蔽功能的强化。第7实施方式图18是表示第7实施方式的电光学装置的像素电路110的结构的俯视图。如该图所示，第7实施方式中，使兼作电源线116的屏蔽配线81在俯视时覆盖保持电容135(栅极电极层21)以及晶体管140。如上所述，屏蔽配线81(电源线116)对与中继电极61、62相同的配线层进行图案成形而形成，因此，需要避免与中继电极61、62的干扰。在该第7实施方式中，兼作电源线116的屏蔽配线81在中继电极61、62的附近区域呈开孔的形状。此外，第7实施方式的像素电路110中的主要部分剖视图是图17中，追加以虚线表示的部分的内容。根据第7实施方式，屏蔽配线81被设置为在俯视时与数据线114重叠，并且覆盖保持电容135以及晶体管140，并且，通过兼作电源线116而电位被固定化，因此，实现屏蔽功能的进一步的强化。此外，在第7实施方式中，只要不与中继电极61、62干扰，可以使屏蔽配线81的开孔面积更窄。另外，在第7实施方式中，屏蔽配线81在俯视时覆盖保持电容135以及晶体管140的整个区域，但也可以仅覆盖一部分。应用例·变形例本发明不限于上述实施方式，可进行以下应用、变形。例如对于保持电容135的结构而言，以栅极电极层21和中继电极43夹持第1层间绝缘膜11，但也可以例如以在俯视时与栅极电极层21重叠的方式设置半导体层，用该半导体层和栅极电极层21夹持栅极绝缘膜10。作为半导体层，可以使用使源极区域140s延伸的结构，也可以使用另外图案成形的结构。除此之外，也可以为以由不同种类配线层构成的电极、配线彼此夹持层间绝缘膜、栅极绝缘膜的构成，还可以将多个并列连接的结构作为整体而作为保持电容135使用。另外，对于电插入保持电容135的位置而言，除了晶体管140的栅极结点g和源极结点s之间以外，例如如图19所示，还可以位于栅极结点g和共用电极118之间，虽未特别图示，还可以位于栅极结点g和被固定在其他电位的配线之间。对于像素电路110的驱动而言，不限于在晶体管130为导通状态的选择期间，仅使栅极结点g保持与灰度数据对应的电位的数据信号的方法。例如，可以以如下方式驱动，在晶体管130为导通状态的选择期间，使数据线114为基准电位，并且，以第1电位和第2电位切换基于电源线116以及共用电极118的电源，使保持电容135保持与晶体管140的阈值电压相当的电压，之后，使数据线114成为与灰度数据对应的电位。另外，还可以以在选择期间使数据信号的电位变化，并且使选择期间结束时的数据信号的时间变化率为与灰度数据对应的值的方式驱动，还可以以经由电容元件按每行向源极结点s供给灯信号向晶体管140流入规定(set)电流的方式驱动。无论哪种驱动，均能够通过将各实施方式的屏蔽配线设置于像素电路110，抑制使电流流过发光元件150的晶体管140的各结点的电位因来自数据线114的噪声而变动。对于屏蔽配线而言，可以使用对不同的两层以上的配线层进行图案成形的配线。例如在第6(第7)实施方式中，也可以对与数据线114以及中继电极82相同的配线层进行图案成形，成为屏蔽配线81(电源线116)和另形成的屏蔽配线的二重构造。此外，对于另形成的屏蔽配线而言，只要能够避免数据线114以及中继电极82的干扰即可。作为发光元件150，除OLED外，能够适用无机EL元件、LED(LightEmittingDiode)元件等以对应于电流的亮度发光的元件。电子设备接下来，对适用了本发明所涉及的电光学装置的几个电子设备进行说明。图20是表示将上述的实施方式所涉及的电光学装置1作为显示装置而采用的个人计算机的外观的图。个人计算机2000具备作为显示装置的电光学装置1和主体部2010。主体部2010设置有电源开关2001以及键盘2002。在电光学装置1中，作为发光元件150使用OLED的情况下，能够实现视角广阔，容易观察的画面显示。图21是表示将实施方式所涉及的电光学装置1作为显示装置而采用的手机的外观的图。手机3000除了多个操作按钮3001、方向键3002等外，还具备耳承(earpiece)3003、送话口(mouthpiece)3004、上述的电光学装置1。通过操作方向键3002，显示在电光学装置1的画面滚动。图22是表示将实施方式所涉及的电光学装置1作为显示装置而采用的移动信息终端(PDA:PersonalDigitalAssistants)的外观的图。移动信息终端4000除了多个操作按钮4001、方向键4002等外，还具备上述的电光学装置1。在移动信息终端4000中，通过规定的操作使通信簿、日程表等各种的信息显示于电光学装置1，并且，显示的信息通过方向键4002的操作被滚动。此外，作为适用了本发明所涉及的电光学装置的电子设备，除了图20至图22表示的例子外，还能够列举电视机、车辆导航装置、呼叫器、电子记事本、电子书，计算机、文字处理器、工作站，可视电话，POS终端、打印机、扫描仪、复印机、视频播放器、具备触摸面板的设备等。特别是作为微显示器，能够列举头戴式可视设备、数码照相机或者摄像机的电子取景器等。本发明也覆盖如下进一步的方面“A”：A1.一种电光学装置，包括：扫描线；数据线，所述数据线与所述扫描线相交；像素电路，所述像素电路被设置为对应于所述扫描线和所述数据线的交叉点；以及配线，所述配线被施加恒定电位，所述像素电路包含：发光元件；驱动晶体管，所述驱动晶体管控制流向所述发光元件的电流，所述驱动晶体管包含栅极，所述配线被设置在所述驱动晶体管和所述数据线之间；以及开关晶体管，所述开关晶体管连接在所述驱动晶体管的栅极和所述数据线之间，并且根据提供给所述扫描线的扫描信号来控制所述开关晶体管的导通状态。A2.根据技术方案A1所述的电光学装置，在所述像素电路中，在俯视图中所述配线被设置在所述驱动晶体管和所述数据线之间。A3.根据技术方案A1所述的电光学装置，在所述像素电路中，在横截面图中所述配线被设置在所述驱动晶体管和所述数据线之间，在俯视图中所述配线与所述数据线或与所述驱动晶体管的至少一部分重叠。A4.根据技术方案A2所述的电光学装置，所述配线和所述数据线之间的距离短于所述配线和所述驱动晶体管之间的距离。A5.根据技术方案A1所述的电光学装置，还包括第一电源线和第二电源线，在所述像素电路中，所述发光元件和所述驱动晶体管在所述第一电源线和所述第二电源线之间的路径中彼此串联连接，以及所述配线连接至所述第一电源线和所述第二电源线之一。A6.根据技术方案A5所述的电光学装置，在所述像素电路中，所述配线具有与所述第一电源线和所述第二电源线之一连接的部分。A7.根据技术方案A1所述的电光学装置，所述像素电路还包括：保持电容器，所述保持电容器的一端电连接至所述驱动晶体管的栅极。A8.根据技术方案A7所述的电光学装置，在所述像素电路中，当在俯视图中观看时所述配线覆盖所述保持电容器。A9.根据技术方案A1所述的电光学装置，所述配线与所述数据线平行。A10.根据技术方案A1所述的电光学装置，还包括另一配线以及与所述数据线紧邻的另一数据线，在俯视图中，所述另一配线被设置在所述驱动晶体管和所述另一数据线之间，所述数据线和所述另一数据线被设置在所述驱动晶体管的相反两侧。A11.一种电光学装置，包括：扫描线；数据线，所述数据线与所述扫描线相交；像素电路，所述像素电路被设置为对应于所述扫描线和所述数据线的交叉点；以及配线，所述配线被施加恒定电位，所述像素电路包含：发光元件；驱动晶体管，所述驱动晶体管控制流向所述发光元件的电流，所述驱动晶体管包含栅极，在俯视图中所述配线被设置在所述驱动晶体管和所述数据线之间；以及开关晶体管，所述开关晶体管连接在所述驱动晶体管的栅极和所述数据线之间，并且根据提供给所述扫描线的扫描信号来控制所述开关晶体管的导通状态。A12.一种电光学装置，包括：扫描线；数据线，所述数据线与所述扫描线相交；像素电路，所述像素电路被设置为对应于所述扫描线和所述数据线的交叉点；以及配线，所述配线被施加恒定电位，所述像素电路包含：发光元件；驱动晶体管，所述驱动晶体管控制流向所述发光元件的电流，所述驱动晶体管包含栅极，当在横截面图中观看时所述配线被设置在所述驱动晶体管和所述数据线之间，而当在俯视图中观看时所述配线与所述数据线或与所述驱动晶体管的至少一部分重叠；以及开关晶体管，所述开关晶体管连接在所述驱动晶体管的栅极和所述数据线之间，并且根据提供给所述扫描线的扫描信号来控制所述开关晶体管的导通状态。A13.一种电子设备，包括根据技术方案A1所述的电光学装置。符号说明1…电光学装置，81、81a、81b…屏蔽配线，110…像素电路，112…扫描线，114…数据线，116…电源线，118…共用电极，130…晶体管，135…保持电容，140…晶体管，150…发光元件，210…扫描线驱动电路，220…数据线驱动电路，2000…个人计算机，3000…手机，4000…移动信息终端。