1.一种AMOLED面板,其特征在于,包括:
像素驱动电路;
漂移补偿电路,其包括:
OLED电流监测单元,其用于监测流经面板内部OLED的电流大小;
补偿电压计算单元,其连接所述OLED电流监测单元,用于根据所述OLED电流监测单元获得的OLED的电流大小计算补偿电压,并将补偿电压提供给所述像素驱动电路中的驱动晶体管,以补偿所述驱动晶体管的电压漂移。
2.根据权利要求1所述的AMOLED面板,其特征在于:
所述OLED电流监测单元通过测量流经面板外部dummy OLED的电流大小来确定面板内部OLED的电流大小。
3.根据权利要求1所述的AMOLED面板,其特征在于,所述像素驱动电路中,用于驱动第n行第m列的OLED的驱动单元包括:
开关晶体管,其栅极与第n行栅极扫描信号线的输出端相连,其源极与第m列通讯信号线的输出端相连;
存储电容,其一端连接所述开关晶体管的漏极,其另一端电性接地;
驱动晶体管,其栅极连接所述开关晶体管的漏极,其源极与OLED驱动线相连,其漏极连接OLED的阳极,所述OLED的阴极电性接地;
补偿晶体管,其栅极与第n+1行栅极扫描信号线的输出端相连,其源极与所述漂移补偿电路的补偿电压计算单元的输出端相连,用于接收补偿电压;
耦合电容,其一端连接所述补偿晶体管的漏极,其另一端连接所述驱动晶体管的栅极。
4.根据权利要求3所述的AMOLED面板,其特征在于,所述补偿电压计算单元内置以下算式,用以计算补偿电压:
其中,ΔVth是根据面板内部OLED的电流变化算出的所述驱动晶体管的阈值电压漂移量,ΔV是补偿电压的幅度,C1和C2分别是所述存储电容和耦合电容的大小,Cgd1、Cgd2、Cgd3分别是所述开关晶体管、驱动晶体管和补偿晶体管的寄生电容。
5.根据权利要求3所述的AMOLED面板,其特征在于:
所述漂移补偿电路的补偿电压计算单元将补偿电压以脉冲周期信号的形式提供给所述像素驱动电路中的驱动单元,所述脉冲周期信号的脉宽等于栅极扫描信号的宽度。
6.一种如权利要求1至5中任意一项所述的AMOLED面板的像素驱动电路的漂移补偿方法,包括以下步骤:
S100、监测流经面板内部OLED的电流大小;
S200、根据流经面板内部OLED的电流大小计算补偿电压;
S300、将补偿电压提供给像素驱动电路中的驱动晶体管,以补偿驱动晶体管的电压漂移。
7.根据权利要求6所述的漂移补偿方法,其特征在于:
所述步骤S100中,通过测量流经面板外部dummy OLED的电流大小来确定面板内部OLED的电流大小。
8.根据权利要求6所述的漂移补偿方法,其特征在于:
所述步骤S300中,在第n行第m列的OLED的驱动单元中,当补偿晶体管在第n+1行扫描驱动信号的作用下导通时,补偿电压通过耦合电容加载到驱动晶体管的栅极。
9.根据权利要求8所述的漂移补偿方法,其特征在于,所述步骤S300中,补偿电压为脉冲周期信号,其脉宽等于栅极扫描信号的宽度。