GOA阵列基板及显示面板的制作方法

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种goa阵列基板及显示面板。

背景技术：

液晶显示面板以其显示品质高、价格低廉、携带方便等优点，成为移动通讯设备、pc、tv等的显示面板。目前液晶显示面板驱动技术逐渐趋向于采用goa电路，goa电路能简化平板显示面板的制作工序，省去水平扫描线方向的接合(bonding)工艺，可提升产能、降低产品成本，同时可以提升显示面板的集成度使之更适合制作窄边框或无边框显示产品，满足现代人们的视觉追求。

goa电路，即gatedriveronarray技术，也就是利用现有液晶显示面板array制程将栅极驱动电路制作在衬底基板上，实现对扫描线逐行扫描的驱动方式。所述goa电路包括多个薄膜晶体管，而且，为了goa电路的功能及稳定性一般会设计自举电容(cboost)，且自举电容需要一定大小才能稳定发挥作用，这样自举电容就需要在衬底基板上占据较大的空间，请参见图1，所述goa电路所处的区域110包括tft电路区111和cb区112，所述薄膜晶体管位于tft电路111，所述自举电容位于cb区112，由于cb区112占用了较大的面积，这样导致goa电路所处的区域110占用较大的面积，这样不利于带goa电路的液晶显示面板窄边框的实现。

技术实现要素：

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种goa阵列基板及显示面板。有利于窄边框的实现。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种goa阵列基板，包括：

衬底基板，所述衬底基板上设有显示区和非显示区；

goa电路，其设置在衬底基板的非显示区上，所述goa电路包括：

薄膜晶体管，其包括邻近所述衬底基板的第一金属层，所述第一金属层位于衬底基板上；

自举电容，其包括第一电极和第二电极，所述自举电容设置在所述衬底基板上；

其中，部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区。

在本发明第一方面一实施例中，当部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极时，所述第一电极直接形成在所述衬底基板上或者间接形成在所述衬底基板上。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一电极和所述第二电极之间间隔第一绝缘层。

在本发明第一方面一实施例中，所述第一绝缘层的材料为氮化硅材料。

在本发明第一方面一实施例中，所述薄膜晶体管还包括第二绝缘层、半导体层和第二金属层，所述第二绝缘层、半导体层和第二金属层依序形成在第一金属层上方。

在本发明第一方面一实施例中，所述第三区为静电释放区或虚拟区。

在本发明第一方面一实施例中，所述第三区为静电释放区和虚拟区，所述静电释放区邻近所述goa电路所处的区域设置，所述虚拟区邻近显示区设置。

在本发明第一方面一实施例中，所述自举电容完全位于所述第三区。

在本发明第一方面一实施例中，所述第三区设有第三金属层；所述自举电容的两个电极避开所述第三金属层设置且所述自举电容的其中一个电极与所述第三金属层位于同一层，或者，所述自举电容的两个电极位于所述第三金属层的上方或者下方，或者所述第三金属层位于所述自举电容的两个电极之间。

本发明第二方面实施例提供了一种显示面板，包括上述的goa阵列基板。

实施本发明实施例，具有如下有益效果：

由于部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方，所述自举电容通过充分利用层级方向的空间而减少了goa电路所处的区域的面积；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区，通过在非显示区的第三区设置所述自举电容，同样减少了goa电路所处的区域的面积。从而减少了goa电路所处的区域的面积，从而有利于窄边框的实现。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术阵列基板的部分示意图；

图2是本发明第一实施例阵列基板的部分示意图；

图3是本发明第一实施例阵列基板的剖视图；

图4是本发明第二实施例阵列基板的部分示意图；

图示标号：

110、210、310-goa电路所处的区域；111、311-tft电路区；112、312-cb区；211-衬底基板；212-第一电极；213-第一绝缘层；214-第一金属层(第二电极)；215-第二绝缘层；216-半导体层；217-第二金属层；320-静电释放区；330-虚拟区；340-显示区。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。

第一实施例

本发明实施例提供一种goa阵列基板，请参见图2和图3，所述goa阵列基板包括衬底基板211和goa电路。

在本实施例中，所述衬底基板211为玻璃基板，当然，在本发明的其他实施例中，所述衬底基板还可以是柔性基板，例如柔性塑料基板。所述衬底基板211上设有显示区和非显示区，所述显示区是用户看得到的区域，所述显示区内设有像素等，所述非显示区为用户不可见的区域，所述非显示区设有驱动器、走线等。

在本实施中，所述goa电路包括多个级联的goa单元，每一级的goa单元包括上拉控制单元、上拉单元、下拉单元、下拉维持单元、下传单元和自举电容，其中上拉控制单元、上拉单元、下拉单元、下拉维持单元、下传单元由薄膜晶体管构成，也即所述goa电路包括薄膜晶体管和自举电容，所述goa电路设置在衬底基板211的非显示区上，也即所述非显示区包括goa电路所处的区域210，在本实施例中，所述goa电路所处的区域210不用单独设置cb区，当然，本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述goa电路所处的区域可以设置较小的cb区。

在本实施例中，所述薄膜晶体管包括邻近所述衬底基板211的第一金属层214，在本实施例中，所述第一金属层214间接位于所述衬底基板211上，所述第一金属层214为薄膜晶体管结构中最接近阵列基板的金属层。在本实施例中，所述第一金属层214为栅极，但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述第一金属层还可以是源极、漏极。

在本实施例中，所述自举电容设置在所述衬底基板211上，所述自举电容包括两个相对的电极，为第一电极212和第二电极214，所述第一电极212和第二电极214间隔设置。

为了减小goa电路占用的衬底基板211的面积，本实施例利用垂直(层级方向)方向的空间，具体说来，在本实施例中，部分所述薄膜晶体管的第一金属层214作为所述自举电容的第二电极214，也即部分所述第一金属层214即作为自举电容的第二电极214使用，也作为薄膜晶体管的栅极使用。在本实施例中，所述第二电极214的面积与薄膜晶体管的所述第一金属层214的面积相等，但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述第二电极的面积还可以小于或大于所述薄膜晶体管第一金属层的面积。在本实施例中，所述第一电极212位于所述第二电极214的下方，从而所述第一电极212和所述第二电极214共同形成所述自举电容。由于所述自举电容的两个电极占用垂直方向的空间，没有或少量占用水平方向的空间，从而可以减少goa电路在水平方向占用的空间，从而有利于窄边框的实现。

在本实施例中，所述薄膜晶体管还包括第二金属层217，在本实施例中，所述第二金属层217为源极、漏极，所述第二金属层与所述第一金属层之间形成第二绝缘层215和半导体层216，所述第二绝缘层215、半导体层216和所述第二金属层217依序形成在所述第一金属层214的上方。在本实施例中，所述第二绝缘层215由氮化硅材料构成。

在本实施例中，所述第一电极212直接形成在所述阵列基板211上，也即所述第一电极212直接与所述阵列基板211接触，当然，在本发明的其他实施例中，所述第一电极还可以间接形成在所述阵列基板上，所述第一电极与所述阵列基板间隔其他绝缘层。在本实施例中，所述第一电极212为goa电路中最靠近阵列基板的金属层，所述第一电极212和所述第二电极214之间设有第一绝缘层213，所述第一绝缘层213与所述第二绝缘层215的材料一样，均由氮化硅材料构成。在本实施例中，由于在垂直方向上增加了第一电极212和第一绝缘层213，从而所述制程需要增加一道黄光和一道cvd沉积制程。另外，为了节省制程，以下描述第二实施例，既可以减少goa电路占用的空间，也可以不增加制程。

另外，本发明实施例还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上述的goa阵列基板。

第二实施例

图4为本发明第二实施例提供的一种goa阵列基板，图4的结构与图2的结构相似，因此相同的元件符号代表相同的元件，本实施例与第一实施例的主要不同点为自举电容的位置。

请参见图4，在本实施例中，所述非显示区包括goa电路所处的区域310，其中所述goa电路所处的区域310包括tft电路区311和cb区312，所述tft电路区311用于排列所述薄膜晶体管，所述自举电容区用于排列部分所述自举电容，除了goa电路所处的区域310外，所述非显示区还包括第三区，所述第三区位于所述goa电路所处的区域310和所述显示区340之间，为了减小goa电路占用的衬底基板211的面积，本实施例充分利用第三区的空间，具体说来，所述自举电容的两个电极部分位于所述第三区，也即所述自举电容的两个电极部分位于所述第三区，部分位于所述goa电路所处的区域310，由于第三区为液晶显示面板本身就具有的，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区，从而goa电路所处的区域310可以包括较小面积的cb区或者完全没有cb区，从而可以减少goa电路所处的区域310的面积，从而有利于窄边框的实现。

在本实施例中，所述第三区为静电释放区320和虚拟区330，所述静电释放区320邻近所述goa电路所处的区域310设置，所述虚拟区330邻近所述显示区340设置。所述静电释放区320布局一些静电释放电路，所述虚拟区330布局一些虚拟像素或者虚拟电路。所述自举电容的两个电极部分位于所述静电释放区320和所述虚拟区330。另外，在本发明的其他实施例中，所述第三区还可以只包括静电释放区或者虚拟区。在本发明的其他实施例中，所述自举电容的两个电极部分位于所述静电释放区或所述虚拟区。在本发明的其他实施例中，所述自举电容完全位于所述第三区，也即所述goa电路所处的区域不包括cb区。

在本实施例中，所述第三区设有第三金属层，所述第三金属层可以与薄膜晶体管的第一金属层或第二金属层同层，当然也可以不同层，所述自举电容的两个电极避开所述第三金属层设置且所述自举电容的其中一个电极与所述第三金属层位于同一层，也即所述自举电容的其中一个电极与所述第三金属层位于同一层，所述自举电容的另一个电极与所述第三金属层位于不同层。但本发明不限于此，在本发明的其他实施例中，所述自举电容的两个电极位于所述第三金属层的上方或者下方。在本发明的其他实施例中，所述第三金属层位于所述自举电容的两个电极之间，在这里，第三金属层位于两个电极之间是指第三金属层所处的层级夹在两个电极所处的层级之间，且第三金属层与所述两个电极在水平面的投影没有重叠。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

通过上述实施例的描述，本发明具有以下优点：

由于部分所述薄膜晶体管的第一金属层作为所述自举电容的第二电极，所述第一电极位于所述第二电极的下方，所述自举电容通过充分利用层级方向的空间而减少了goa电路所处的区域的面积；或者，所述非显示区包括第三区，所述第三区位于薄膜晶体管所处的区域和所述显示区之间，所述自举电容的两个电极至少部分位于所述第三区，通过在非显示区的第三区设置所述自举电容，同样减少了goa电路所处的区域的面积。从而减少了goa电路所处的区域的面积，从而有利于窄边框的实现。

以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。