电子设备及其制造方法与流程

本申请要求于2017年6月5日提交的第10-2017-0069829号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。

本文中公开的实施方式涉及具有改善的抗折叠应力可靠性的电子设备以及制造所述电子设备的方法。

背景技术

电子设备由施加的电信号激活。电子设备可根据用户的需求来以多种形式实现。例如，电子设备可以是显示图像以向用户提供信息的显示设备。替代地，电子设备可以是感测用户的输入或多种外部输入以处理与所述输入对应的信息的输入设备。

电子设备可包括用于驱动的多种内部电子元件，并且可包括多种层，电子元件位于该多种层上和/或该多种层保护电子元件。最近，已经研发了柔性、轻便、便携式的电子设备，并且电子设备的形状已经得到不同地修改。因此，多种形式的外部冲击可能被施加到电子设备。

技术实现要素：

以下描述的实施方式可提供能够稳定地响应使用环境或工艺中出现的外部冲击且具有改善可靠性的电子设备。

在一方面中，电子设备包括电子面板、柔性窗构件、保护构件和粘合构件，其中，电子面板配置成沿着在一个方向上延伸的折叠轴线折叠，柔性窗构件在电子面板的顶表面上，保护构件在电子面板的底表面上，粘合构件将电子面板联接到保护构件，保护构件包括基础层和缓冲层，基础层包括具有比聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的玻璃化转变温度高的玻璃化转变温度的材料，缓冲层接触基础层的底表面并且具有多孔隙结构。

基础层可包括聚酰亚胺(pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或晶态聚对苯二甲酸乙二醇酯(c-pet)。

基础层的底表面的粗糙度可大于基础层的顶表面的粗糙度。

基础层的底表面可比基础层的顶表面更亲水。

粘合构件可接触基础层的顶表面。

粘合构件可包括压敏粘合剂(psa)。

缓冲层可包括合成树脂泡沫。

保护构件还可包括接触基础层的顶表面的遮光层，并且粘合构件可接触遮光层的顶表面。

电子面板可包括绝缘基底和在绝缘基底上的驱动元件，驱动元件配置成由施加到驱动元件的外部电信号激活，并且包括用于显示图像的显示元件和用于感测施加到电子面板的外部输入的感测元件中的至少一个。

粘合构件可接触绝缘基底的底表面。

电子设备还可包括下保护构件和附加粘合构件，其中，下保护构件在绝缘基底与粘合构件之间并包括聚合物材料，附加粘合构件接触绝缘基底的底表面和下保护构件的顶表面，以将绝缘基底联接到下保护构件，其中，粘合构件接触下保护构件的底表面。

电子面板、柔性窗构件、粘合构件和保护构件可沿着折叠轴线折叠。

电子设备可在电子设备折叠成使得柔性窗构件比保护构件更接近折叠轴线的第一模式中操作，并且电子设备可在电子设备折叠成使得保护构件比柔性窗构件更接近折叠轴线的第二模式中操作。

在另一方面中，电子设备包括电子面板、窗构件、保护构件和粘合构件，其中，窗构件在电子面板的顶表面上，保护构件在电子面板的底表面上，保护构件包括基础层和缓冲层，粘合构件接触基础层的顶表面并将电子面板联接到保护构件，缓冲层接触基础层的底表面并且具有多孔隙结构。

基础层可包括具有比聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的玻璃化转变温度高的玻璃化转变温度的材料。

缓冲层可包括合成树脂泡沫。

缓冲层可包括接触基础层的一个表面以及与所述一个表面相对的另一非平坦表面。

基础层的底表面的粗糙度可大于基础层的顶表面的粗糙度。

基础层的底表面可比基础层的顶表面更亲水。

粘合构件可与电子面板接触，并且粘合构件可包括压敏粘合剂(psa)、光学透明粘合剂(oca)和光学透明树脂(ocr)中的至少一种。

在又一方面中，制造电子设备的方法包括对基础层的一个表面进行表面处理，在经过表面处理的表面上直接地形成缓冲层，在基础层的另一表面上设置粘合构件，以及将粘合构件附接到电子面板的表面。

缓冲层的形成可包括执行发泡工艺。

对基础层的一个表面进行表面处理可包括执行等离子处理或电晕处理。

对基础层的一个表面进行表面处理可包括使基础层的一个表面粗糙化。

对基础层的一个表面进行表面处理可包括使基础层的一个表面亲水化。

方法还可包括在基础层的另一表面上形成遮光层，其中，粘合构件在遮光层上。

遮光层的形成可包括执行打印工艺或沉积工艺。

附图说明

通过参考附图更详细地描述本发明的实施方式，本发明的以上及其他方面将变得更清楚，在附图中：

图1a是示出根据本发明的实施方式的电子设备的分解立体图。

图1b是图1a中示出的电子设备的剖视图。

图2是示出图1a的电子设备中的一些组件的示意性剖视图。

图3是示出根据本发明的实施方式的保护构件的示意性剖视图。

图4是示出根据本发明的实施方式的电子设备的剖视图。

图5是示出根据本发明的实施方式的电子设备的剖视图。

图6a是示出根据本发明的实施方式的电子设备的示意性立体图。

图6b和图6c是在其他状态中的图6a的电子设备的立体图。

图7a是图6a中示出的电子设备的剖视图。

图7b是根据比较示例的电子设备的剖视图。

图8a和图8b是示出图7a的电子设备中的一些组件的剖视图。

图9a至图9g是示出根据本发明的实施方式的制造电子设备的方法的剖视图。

图10a和图10b是示出根据本发明的实施方式的电子设备中的一部分的放大剖视图。

具体实施方式

通过参考对实施方式的以下详细描述和附图，可更容易地理解本发明构思的特征和实现本发明构思的特征的方法。在下文中，将参考附图更详细地描述实施方式。然而，本发明可以以多种不同的形式体现，并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施方式。相反，提供这些实施方式作为示例是为了使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的方面和特征。因此，可能未描述对于本领域普通技术人员完整地理解本发明的方面和特征所不必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在全部附图和书面描述中，相同的附图标记指代相同的元件，并且因此，将不重复对相同的元件的描述。此外，为了使描述清楚，可能未示出与实施方式的描述不相关的部分。在附图中，为了清楚，可能夸大了元件、层和区域的相对尺寸。

在以下描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对多种实施方式的透彻理解。然而，显而易见的是，可在没有这些具体细节的情况下或利用一个或多个等同布置来实践多种实施方式。在其他实例中，众所周知的结构和设备以框图形式示出以避免使多种实施方式不必要地含糊不清。

将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中使用以描述多种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因此，在不背离本发明的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了方便解释，诸如“在…下面”、“在…下方”、“下部”、“在…之下”、“在…上方”、“上部”等空间相对术语可在本文中使用以描述如附图中所示的一个元件或特征相对于另一个(一些)元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在还包含设备在使用中或操作中的不同的定向。例如，如果设备在附图中被翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”、“下面”或“之下”的元件将被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在…下方”和“在…之下”可以包含上方和下方两种定向。设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且应当相应地解释本文中使用的空间相对描述语。类似地，当第一部被描述为布置在第二部“上”时，这表示第一部布置在第二部的上侧或下侧处，而不限于第二部的基于重力方向的上侧。

将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为在另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接在另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接联接到另一元件、层、区域或组件，或可存在一个或多个中间元件、层、区域或组件。然而，“直接地连接/直接地联接”指的是一个组件与另一组件直接地连接或联接，而不存在中间组件。同时，诸如“在…之间”、“直接地在…之间”或者“与…相邻”和“与…直接地相邻”的描述组件之间关系的其他表述可进行类似地解释。此外，还将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是这两个元件或层之间的唯一的元件或层，或还可存在一个或多个中间元件或层。

出于本公开的目的，诸如“...中的至少一个”的表述当位于元件的列表之后时，修饰元件的整个列表而不是修饰列表中的单个元件。例如，“x、y和z中的至少一个”以及“从由x、y和z组成的群组中选择的至少一个”可被解释为仅x、仅y、仅z、或x、y和z中的两个或更多个的任何组合(诸如，例如，xyz、xyy、yz和zz)。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。

在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可彼此垂直，或可表示不彼此垂直的不同的方向。

本文中使用的术语仅是用于描述特定实施方式的目的，并且不旨在对本发明进行限制。除非上下文另有明确指示，否则如本文中所使用的，单数形式“一(a)”和“一(an)”旨在也包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包括(includes)”和“包括(including)”表示所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件、和/或它们的组合的存在或添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。

如本文中所使用的，术语“大致”、“约”、“近似”以及类似的术语作为近似的术语而不是作为程度的术语使用，并且旨在说明将由本领域的普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值和由本领域的普通技术人员考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差以内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％以内。此外，当描述本发明的实施方式时，“可(may)”的使用指的是“本发明的一个或多个实施方式”。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。此外，术语“示例性”旨在指代示例或说明。

当某种实施方式可被不同地实现时，具体的工艺顺序可与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可在大致相同的时间处执行，或以与所描述的顺序相反的顺序执行。

在本文中，参考作为实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图来描述多种实施方式。在这种情况下，可预料到由于例如制造技术和/或公差而导致的与图示的形状的偏差。此外，为了描述根据本公开的构思的实施方式的目的，本文中公开的具体结构性或功能性描述仅仅是说明性的。因此，本文中公开的实施方式不应被解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括例如由制造引起的形状中的偏差。例如，作为矩形示出的植入区域将通常在其边缘处具有圆化或弯曲的特征和/或植入浓度的梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，由植入形成的掩埋区域可导致在掩埋区域与穿过其发生植入的表面之间的区域中的一些植入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且其形状不旨在示出设备的区域的实际形状，并且不旨在限制。此外，如本领域的技术人员将认识到的，在均不背离本公开的精神或范围的情况下，所描述的实施方式可以以多种不同的方式进行修改。

可利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现本文中所描述的根据本发明的实施方式的电子设备或电气设备和/或任何其他相关的设备或组件。例如，这些设备的多种组件可形成在一个集成电路(ic)芯片上或形成在单独的ic芯片上。此外，这些设备的多种组件可在柔性印刷电路膜、带载封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或形成在一个基底上。此外，这些设备的多种组件可以是在一个或多个计算设备中的一个或多个处理器上运行的程序或线程，所述程序或线程执行计算机程序指令并且与用于执行本文中所描述的多种功能的其他系统组件进行交互。计算机程序指令存储在存储器中，所述存储器可使用标准存储器设备(诸如，例如，随机存取存储器(ram))实现在计算设备中。计算机程序指令还可存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如，例如，cd-rom、闪存驱动等)中。此外，本领域的技术人员应认识到的是，在不背离本发明的示例性实施方式的精神和范围的情况下，多种计算设备的功能可结合或集成到单个计算设备中，或特定计算设备的功能可分布到一个或多个其他计算设备上。

除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有由本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此限定，否则术语(诸如在常用词典中限定的术语)应被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义相一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义进行解释。

图1a是示出根据本发明的实施方式的电子设备ea的分解立体图。图1b是示出图1a的电子设备ea的剖视图，电子设备ea的组件彼此联接。在下文中，根据实施方式的电子设备ea将参考图1a和图1b进行描述。

电子设备ea包括窗构件100、电子面板200、粘合构件300和保护构件400。

窗构件100可具有平行于由彼此相交的第一方向d1和第二方向d2限定的平面的板形状，并且具有在第三方向d3上限定的厚度。窗构件100可以是光学透明的。因此，电子面板200可通过窗构件100对外部可见。此外，窗构件100可保护电子面板200免受外部环境的影响。

同时，窗构件100可包括柔性绝缘材料。因此，当电子设备ea是可折叠设备时，窗构件100可容易地响应来塑造电子设备ea的变形，并且可在电子设备ea的形状变形的状态中稳定地保护电子面板200。

电子面板200可由施加到电子面板200的电信号激活。电子面板200可具有有效区aa和外围区naa，有效区aa和外围区naa在由第一方向d1和第二方向d2限定的平面中。

当电信号供应到有效区aa时，有效区aa可被电激活。有效区aa可被激活以具有基于电子面板200的用途的多种功能中的至少一种。

例如，有效区aa可以是感测外部供应输入的感测区。在此情况下，电子设备ea可用作输入设备。

从外部提供的输入可以以多种形式提供。例如，输入可以是但不限于人体的一部分(例如，用户的手指)的接触或触摸、力、压力和/或光。

在某些实施方式中，有效区aa可以是显示信息的显示区。电子面板200可在有效区aa上显示图像，并且用户可通过图像获得信息。在此情况下，电子设备ea可用作输出设备。

外围区naa与有效区aa相邻。即使电信号施加到外围区naa，外围区naa也不显示图像和/或不感测外部输入。

信号线和/或驱动元件可位于外围区naa中。信号线可设置成将外部接收的信号供应到有效区aa，并且驱动元件可设置成驱动有效区aa。外围区naa可与有效区aa的一侧相邻。

在本实施方式中，外围区naa具有围绕有效区aa的框形状。然而，实施方式不限于此。在某些实施方式中，外围区naa可从电子设备ea中省略。在一些实施方式中，外围区naa的形状可被不同地限定，并且不限于特定的形状。

电子面板200可包括第一层210、元件层220和第二层230。第一层210、元件层220和第二层230可在第三方向d3上顺序地堆叠。

第一层210可以是基础层，元件层220位于该基础层上。第一层210可包括绝缘材料。例如，第一层210可以是绝缘基底、绝缘膜或绝缘薄层。

元件层220可包括用于通过施加到电子面板200的电信号而产生图像的显示元件或可包括用于感测外部输入的感测元件。有效区aa可大致由元件层220限定。

在本实施方式中，元件层220作为单层示出。然而，在本实施方式中，元件层220是示意性示出的。在某些实施方式中，元件层220可具有包括一个或多个导电层以及一个或多个绝缘层的多层结构。然而，实施方式不限于特定的实施方式。

第二层230位于第一层210上并覆盖元件层220。第二层230使元件层220与其他组件电绝缘。第二层230可包括绝缘材料。例如，第二层230可包括有机层和/或无机层。

粘合构件300位于电子面板200之下。粘合构件300可粘附到与粘合构件300相邻的组件，并且可在物理上将两个相邻组件彼此联接。在本实施方式中，粘合构件300将电子面板200和保护构件400彼此联接。

粘合构件300可具有粘合性。例如，粘合构件300可包括光学透明粘合剂(oca)、光学透明树脂(ocr)和压敏粘合剂(psa)中的至少一种。

保护构件400与电子面板200间隔开，粘合构件300插置在保护构件400与电子面板200之间。保护构件400可与粘合构件300接触。保护构件400可通过粘合构件300联接到电子面板200。

保护构件400包括基础层410和缓冲层420。基础层410可与缓冲层420位于其上的基础层对应。

基础层410可包括绝缘材料。例如，基础层410可包括具有柔性的绝缘材料。基础层410的形状可通过从外部提供的应力而被容易地改变。

此外，基础层410可包括具有高玻璃化转变温度的材料。基础层410可包括具有至少比聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的玻璃化转变温度高的玻璃化转变温度的材料。例如，基础层410可包括聚酰亚胺(pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或晶态聚对苯二甲酸乙二醇酯(c-pet)。

因为基础层410具有相对高的玻璃化转变温度，所以基础层410可具有抗热收缩和抗热膨胀的稳定性，并且可具有高的热加工性。因此，可稳定地形成缓冲层420，并且可改善保护构件400的可靠性。这将在下文进行更详细的描述。

缓冲层420直接位于基础层410的底表面上。缓冲层420可与基础层410的底表面接触。缓冲层420与基础层410之间不需要存在附加的粘合层。缓冲层420可直接地形成在基础层410上，以紧密地粘附到基础层410的底表面。这将在下文进行更详细的描述。

缓冲层420可具有弹性并且可具有多孔隙结构。多个孔隙pp可限定在缓冲层420中或由缓冲层420限定。多个孔隙pp可容易地吸收施加到缓冲层420的冲击。

缓冲层420可包括合成树脂泡沫。例如，缓冲层420可包括丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(abs)泡沫、聚氨酯(pu)泡沫、聚乙烯(pe)泡沫、乙烯-乙酸乙烯酯(eva)泡沫或聚氯乙烯(pvc)泡沫。在某些实施方式中，缓冲层420可包括多个合成树脂。然而，实施方式不限于特定的实施方式。

根据实施方式的电子设备ea可包括具有基础层410和缓冲层420的堆叠结构的保护构件400，并且因此，可以改善电子设备ea的抗外部冲击或外部应力的可靠性。基础层410和缓冲层420可彼此大致集成。因此，可以避免在基础层410与缓冲层420之间的层离现象，并且施加到基础层410的外部应力可通过缓冲层420稳定地吸收。因此，可以改善保护构件400的物理性质(例如，弹性和抗冲击性)。这将在下文进行更详细的描述。

图2是示出图1a的电子设备ea的保护构件400的示意性剖视图。在下文中，根据实施方式的保护构件400将参考图2进行更详细的描述。

如图2中所示，基础层410包括第一表面410-rs和第二表面410-ts，第一表面410-rs和第二表面410-ts在第三方向d3上彼此相对。第一表面410-rs可面向粘合构件300(参见图1a)，并且第二表面410-ts可面向缓冲层420。

第二表面410-ts可通过表面处理进行处理。因此，第一表面410-rs的表面状态可与第二表面410-ts的表面状态不同。更具体地，在对第二表面410-ts执行表面处理之前，第一表面410-rs可具有与第二表面410-ts相同的状态。

与第一表面410-rs相比，第二表面410-ts可相对地粗糙化或亲水化。因此，缓冲层420与第二表面410-ts之间的粘合力可大于将在缓冲层420与第一表面410-rs之间的粘合力，并且缓冲层420可联接到基础层410的第二表面410-ts。

缓冲层420包括基质构件mx和多个孔隙pp。多个孔隙pp可限定成分散在基质构件mx中。

基质构件mx可包括柔性材料。例如，基质构件mx可包括合成树脂。例如，基质构件mx可包括丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(abs)、聚氨酯(pu)、聚乙烯(pe)、乙烯-乙酸乙烯酯(eva)和聚氯乙烯(pvc)中的至少一种。

因为缓冲层420具有多孔隙结构，所以多个孔隙pp可限定在缓冲层420中。多个孔隙pp可允许缓冲层420的形状容易地变形，并且因此，可改善缓冲层420的弹性，并且可改善保护构件400的抗冲击性。

另一方面，如图2中所示，缓冲层420的外表面420-s可具有一定程度的粗糙度。具体地，缓冲层420的外表面420-s可具有凹部和凸部，并且可以是不平整的。

根据实施方式的缓冲层420直接地形成在基础层410的第二表面410-ts上。在此时，用于形成缓冲层420的多孔隙结构的发泡工艺可在基础层410的第二表面410-ts上直接地执行。因此，当省略附加的工艺时，缓冲层420的外表面420-s可实现为具有凹部和凸部的不平整的表面。

图3是示出根据实施方式的保护构件400-1的示意性剖视图。为了容易且方便描述的目的，图3中示出了与图2的部分对应的保护构件400-1的部分。

在下文中，根据实施方式的保护构件400-1将参考图3进行描述。在本实施方式中，与参考图2描述的相同的组件将由相同的附图标记或标识符表示，并且将省略对相同的组件的重复描述。

如图3中所示，缓冲层420-1可包括基质构件mx，多种孔隙可分散在基质构件mx中。图3中示出了作为示例的第一孔隙pp1、第二孔隙pp2和第三孔隙pp3。

第一孔隙pp1可限定成穿透缓冲层420-1。换言之，第一孔隙pp1形成为穿透基质构件mx。因此，第一孔隙pp1可同时在缓冲层420-1的内表面和外表面处暴露。缓冲层420-1的内表面可与基础层410接触，并且缓冲层420-1的外表面可与内表面相对。

第二孔隙pp2可限定成仅在缓冲层420-1的一个表面处暴露。例如，第二孔隙pp2可在缓冲层420-1的外表面处暴露，而不在缓冲层420-1的内表面处暴露。第二孔隙pp2可在缓冲层420-1的外表面处形成局部凹陷的区。

第三孔隙pp3可限定成不在缓冲层420-1的任何表面处暴露。第三孔隙pp3形成在基质构件mx内，并且不在缓冲层420-1的内表面或外表面处暴露。

第一至第三孔隙pp1、pp2和pp3可通过气体形成条件和/或通过发泡工艺中的分配环境来以多种形式设置。在根据实施方式的保护构件400-1具有改善的抗冲击性的条件下，保护构件400-1可包括在其中限定有具有多种形状的孔隙的缓冲层420-1。在这些情况下，孔隙的形状不限于特定的形状。在一些实施方式中，孔隙可以是不均匀的。

图4示出了根据实施方式的电子设备ea-1的示意性剖视图。在下文中，电子设备ea-1将参考图4进行描述。此外，与参考图1a、1b、图2和图3描述的相同的组件将由相同的附图标记或标识符表示，并且为了方便的目的，将省略对相同的组件的重复描述。

如图4中所示，电子设备ea-1可包括保护构件400-2，保护构件400-2还包括遮光层430。遮光层430位于基础层410上。因此，粘合构件300可与遮光层430接触。

遮光层430可在光学上阻挡约90％或更多的入射光。遮光层430可解决这样的问题，其中，位于遮光层430之下的组件通过有效区aa对用户不可见。

遮光层430可与基础层410的第一表面410-rs(参见图2)接触。更具体地，在基础层410与遮光层430之间未插置附加的粘合层，并且遮光层430可紧密地粘附到基础层410的第一表面410-rs。

遮光层430可包括粘结剂和分散在粘结剂中的多个颜料颗粒。颜料颗粒可例如包括炭黑。遮光层430可直接地打印或沉积在基础层410的第一表面410-rs上。

因为根据实施方式的电子设备ea-1包括进一步具有遮光层430的保护构件400-2，所以电子设备ea-1可由于单个保护构件400-2而同时具有改善的抗冲击性和改善的遮光特性。具体地，遮光层430可直接位于基础层410上，并且因此，可以防止可由粘合层引起的层的分离现象。因此，电子设备ea-1可以同时具有改善的可视性和抵抗在使用过程中出现的外部冲击或应力的改善的可靠性。

图5是示出根据实施方式的电子设备ea-2的剖视图。在下文中，电子设备ea-2将参考图5进行描述。此外，与参考图1a、1b、图2至图4描述的相同的组件将由相同的附图标记或标识符表示，并且为了简单且方便进行描述和阐明的目的，将省略对相同的组件的描述。

如图5中所示，电子设备ea-2还可包括下保护构件500。下保护构件500可位于保护构件400与电子面板200之间。

下保护构件500可包括具有相对高硬度的材料。例如，下保护构件500可包括聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)。

电子设备ea-2可包括多个粘合构件300-1。多个粘合构件300-1可包括第一粘合构件310和第二粘合构件320，第一粘合构件310和第二粘合构件320分别位于下保护构件500的底表面和顶表面上。

第一粘合构件310位于下保护构件500的底表面与保护构件400之间，以在物理上将下保护构件500联接到保护构件400。第一粘合构件310与下保护构件500和保护构件400接触。

第二粘合构件320位于下保护构件500的顶表面与电子面板200之间，以在物理上将电子面板200联接到下保护构件500。第二粘合构件320与下保护构件500和电子面板200接触。

另一方面，根据本实施方式，未在电子设备ea-2中的保护构件400的基础层410与缓冲层420之间插置附加的粘合构件。因为根据实施方式的缓冲层420直接地形成在基础层410上，所以缓冲层420在物理上联接到基础层410，而没有附加的粘合构件。因此，根据本发明的缓冲层420的结构与通过粘合构件联接到基础层或下保护构件的缓冲层的结构不同。

下保护构件500保护电子面板200免受外部冲击。因此，电子面板200可同时受保护构件400和下保护构件500保护，并且因此，可改善电子设备ea-2的可靠性。

图6a是示出根据实施方式的电子设备ea-3的示意性立体图。图6b和图6c是示出在其他状态中的图6a的电子设备ea-3的立体图。

图6a示出了在第一模式中的电子设备ea-3的立体图，图6b示出在第二模式中的电子设备ea-3的立体图，并且图6c示出了在第三模式中的电子设备ea-3的立体图。第一模式至第三模式可在彼此不同的时间或应用下进行操作。在下文中，根据实施方式的电子设备ea-3将参考图6a至图6c进行描述。此外，与参考图1a、1b、图2至图5描述的相同的组件将由相同的附图标记或标识符表示，并且为了简单且方便进行描述和阐明的目的，将省略对相同的组件的重复描述。

如图6a至图6c中所示，电子设备ea-3可以是触摸屏设备。因此，电子设备ea-3可在它的有效区aa上显示图像im，以向用户提供信息或与用户进行通信。

此外，电子设备ea-3可感测施加到有效区aa的外部输入tc。图6a中将作为用户的手指的外部输入tc示作为示例。然而，其他实施方式不限于此。电子设备ea-3可基于电子设备ea-3中所包括的感测元件的种类来感测多种外部输入中的至少一种。

在一些实施方式中，电子设备ea-3可关于折叠轴线fx折叠或展开。折叠轴线fx限定为在第二方向d2上延伸的线。

图6a示出了电子设备ea-3的第一模式。第一模式可以是电子设备ea-3被展开的状态。在第一模式中，除了外部输入tc之外，施加到电子设备ea-3的外部应力可以是零。因此，电子设备ea-3的形状在第一模式中不发生变形。

图6b示出了电子设备ea-3的第二模式。第二模式可以是电子设备ea-3在一个方向上关于折叠轴线fx折叠的状态。在此时，第一应力或第一力可施加到电子设备ea-3，并且电子设备ea-3可在具有有效区aa的表面围绕折叠轴线fx的方向上折叠(例如，向内折叠)。因此，有效区aa对外部不可见。

图6c示出了电子设备ea-3的第三模式。第三模式可以是电子设备ea-3在与第二模式的折叠方向不同的方向上关于折叠轴线fx折叠的状态。在此时，第二应力/第二力可施加到电子设备ea-3，并且电子设备ea-3可被折叠，使得具有有效区aa的表面面向外部。因此，电子设备ea-3可感测外部输入tc或可在折叠状态中(即，在第三模式中)提供图像im。

同时，根据实施方式的电子设备ea-3可仅在第二模式和第三模式中的一个中进行操作，或可在第二模式和第三模式两者中进行操作。换言之，本发明不限于特定的实施方式。

根据所述模式，外部应力可施加到电子设备ea-3，并且电子设备ea-3的形状可变形。即使电子设备ea-3的形状在使用过程中发生多种变化，电子设备ea-3也可被稳定地驱动。此外，电子设备ea-3可具有抵抗由重复折叠操作引起的应力的改善的可靠性。这将在下文进行更详细的描述。

图7a是图6a中示出的电子设备ea-3的剖视图。图7b是根据比较示例的电子设备ea-e的剖视图。图8a和图8b是示出图7a的电子设备ea-3中的一些组件的剖视图。

图7a示出了与图6a对应的在第一模式中的电子设备ea-3的剖视图，并且图7b示出了与图7a对应的根据比较示例的电子设备ea-e的剖视图。图8a示出了与图6b对应的在第二模式中的电子设备ea-3的局部剖视图，并且图8b示出了与图6c对应的在第三模式中的电子设备ea-3的局部剖视图。

在下文中，根据实施方式的电子设备ea-3将参考图7a至图8b进行描述。此外，与参考图1a至图6c描述的相同的组件将由相同的附图标记或标识符表示，并且为了简单且方便进行描述和阐明的目的，将省略或仅仅简要地提及对相同的组件的重复描述。

如图7a中所示，电子设备ea-3包括窗构件100、电子面板200、粘合构件300和保护构件400。保护构件400包括基础层410和缓冲层420。这些组件100、200、300、400、410和420可与参考图2所描述的大致相同，并且因此，将省略对上述组件的描述。

参考图7a、图8a和图8b，电子设备ea-3可包括折叠区fa、第一平坦区pa1和第二平坦区pa2。第一平坦区pa1、折叠区fa和第二平坦区pa2可在第一方向d1上顺序地布置。电子设备ea-3可关于折叠轴线fx折叠，并且可被折叠成具有曲率半径(例如，预定的曲率半径)rc。

在图8a和图8b中，为了简单且方便描述和阐明的目的，仅示出了保护构件400。参考图8a和图8b，即使电子设备ea-3关于折叠轴线fx折叠，第一平坦区pa1和第二平坦区pa2的形状也未发生变形。在第二模式和第三模式中的每个中，施加到第一平坦区pa1和第二平坦区pa2中的每个的外部应力可大致为零。

折叠区fa的形状可随着电子设备ea-3关于折叠轴线fx折叠而变形。折叠应力在折叠区fa中分别施加到基础层410和缓冲层420。

在此时，因为基础层410距折叠轴线fx的距离与缓冲层420距折叠轴线fx的距离不同，所以施加到基础层410的折叠应力与施加到缓冲层420的折叠应力不同。此外，因为基础层410和缓冲层420包括彼此不同的材料，所以基础层410和缓冲层420可具有彼此不同的形状变形率。

例如，如图6b和图8a中所示，在第二模式中，电子设备ea-3被折叠，使得电子面板200(参见图7a)位于保护构件400内部。因此，与电子面板200或窗构件100相比，保护构件400的折叠区fa可相对受到拉伸应力ts的影响。基础层410的阴影线部分通过形状变形吸收拉伸应力ts。

在此时，如图8a中所示，基础层410与折叠轴线fx之间的距离小于缓冲层420与折叠轴线fx之间的距离。换言之，基础层410比缓冲层420更接近折叠轴线fx。因此，提供到基础层410的折叠区fa的应力(例如，拉伸应力ts)的大小可小于提供到缓冲层420的折叠区fa的应力的大小。

在其他实施方式中，如图6c和图8b中所示，在第三模式中，电子设备ea-3被折叠，使得电子面板200位于保护构件400外部。因此，与电子面板200或窗构件100相比，保护构件400的折叠区fa可相对受到压缩应力cs的影响。在折叠区fa中，基础层410的阴影线部分通过形状变形吸收压缩应力cs。

在此时，如图8b中所示，缓冲层420与折叠轴线fx之间的距离小于基础层410与折叠轴线fx之间的距离。换言之，缓冲层420比基础层410更接近折叠轴线fx。因此，提供到基础层410的折叠区fa的压缩应力cs的大小可小于提供到缓冲层420的折叠区fa的压缩应力cs的大小。

再次参考图7a、图8a和图8b，根据电子设备ea-3的模式，基础层410和缓冲层420可被提供有具有不同大小的应力，并且根据电子设备ea-3的模式，基础层410的形状变形的程度可与缓冲层420的形状变形的程度不同。在此时，因为缓冲层420具有弹性和多孔隙结构，所以缓冲层420的形状可比基础层410的形状更容易地通过不同的应力而变形。缓冲层420可适当地响应基础层410的形状变形。

因此，因为保护构件400包括彼此独立的基础层410和缓冲层420，并且因为保护构件400具有集成结构，所以基础层410中出现的折叠结构可容易地通过缓冲层420分散。因此，可以抑制或防止由折叠应力差异而引起的基础层410与缓冲层420之间的层离现象。

对应地，参考图7b，根据比较示例的电子设备ea-e包括基础层410-e和缓冲层420-e，基础层410-e和缓冲层420-e通过粘合层ads彼此联接。在此时，缓冲层420-e可以以膜的形式设置，并且可通过粘合层ads粘附到基础层410-e。

当根据比较示例的电子设备ea-e按照图8a和图8b中所示进行折叠时，不同的折叠应力可分别施加到基础层410-e和缓冲层420-e。此外，因为基础层410-e和缓冲层420-e具有各自不同的变形率，所以用于缓和施加到基础层410-e的折叠应力的基础层410-e的变形程度可与用于缓和施加到缓冲层420-e的折叠应力的缓冲层420-e的变形程度不同。

在此时，折叠应力还可施加到位于基础层410-e与缓冲层420-e之间的粘合层ads，并且因此，粘合层ads的形状可变形。

如折叠区fa的变形区kk'中所示，可能在粘合层ads与基础层410-e之间形成空间fs。这可能由于在缓冲层420-e和基础层410-e通过折叠应力而变形时在缓冲层420-e与基础层410-e之间发生的层离现象而引起。

同时，比较示例的缓冲层420-e可以以如上所述的膜的形式设置，并且因此，缓冲层420-e的弹性和抗冲击性可比所描述的发明的实施方式的多孔隙缓冲层420的弹性和抗冲击性低。因此，为了缓和折叠应力来使缓冲层420-e发生变形是相对困难的，从而导致如图7b的比较示例中示出的缓冲层420-e的形状因重复折叠操作而永久地变形的问题。具有低弹性的缓冲层可促使层离问题的发生。

因为根据实施方式的电子设备ea-3包括具有多孔隙结构的缓冲层420，所以可容易地缓和折叠应力，并且电子设备ea-3可具有相对于重复折叠操作的改善的可靠性。

此外，因为电子设备ea-3的缓冲层420紧密地粘附到基础层410而没有附加的粘合构件，所以可提供具有集成结构的保护构件400。因此，缓冲层420可以稳定地吸收施加到基础层410的折叠应力。因此，可改善保护构件400的抗冲击性。

图9a至图9g是示出根据实施方式的制造电子设备的方法的剖视图。图10a和图10b是示出根据实施方式的电子设备中的一部分的放大剖视图。在下文中，根据实施方式的制造电子设备的方法将参考图9a至图9g、图10a和图10b进行描述。

如图9a和图9b中所示，处理初始层410-i的表面以形成基础层410。可将表面处理材料pt设置到初始层410-i的顶表面rs以形成经过表面处理的顶表面410-ts。

表面处理材料pt可包括气体和/或液体。例如，表面处理材料pt可以是等离子气体。等离子气体可包括但不限于惰性气体或活性气体。然而，对初始层410-i的表面处理不限于等离子处理，而还可包括其他表面处理工艺，诸如，电晕处理。

图10a和图10b示出了经过表面处理的顶表面410-ts的局部区ll'的放大视图。图10a示出了通过表面粗糙化工艺处理的基础层410-1，并且图10b示出了通过亲水化处理的基础层410-2。图10a和图10b的经过表面处理的顶表面ts中的每个可与图9b中示出的经过表面处理的顶表面410-ts对应。

参考图10a，初始层410-i的顶表面rs(例如，参见图9a)可通过表面处理粗糙化。表面处理材料pt在物理上刻蚀初始层410-i的顶表面rs以形成经过表面处理的顶表面ts。

因此，经过表面处理的顶表面ts可具有不均匀的表面(或不平整的表面)，并且经过表面处理的顶表面ts的粗糙度可大于初始层410-i的顶表面rs的粗糙度。在本实施方式中，因为经过表面处理的顶表面ts具有粗糙化的表面，所以经过表面处理的顶表面ts的表面面积可大于初始层410-i的顶表面rs的表面面积。

参考图10b，初始层410-i的顶表面rs可通过表面处理亲水化。表面处理材料pt与初始层410-i的顶表面rs发生反应以在初始层410-i的顶表面rs上设置活化基团fg(例如，羟基(oh^-))。在本实施方式中，当与初始层410-i的顶表面rs相比时，经过表面处理的顶表面ts可具有亲水性的性质。

在此之后，参考图9c和图9d，可将泡沫构件fm涂覆到基础层410的经过表面处理的顶表面410-ts以形成缓冲层420。可通过注射工具ne将泡沫构件fm设置在经过表面处理的顶表面410-ts上，并且泡沫构件fm覆盖经过表面处理的顶表面410-ts。

在此时，泡沫构件fm可直接地形成在经过表面处理的顶表面410-ts上，并且可紧密地粘附到经过表面处理的顶表面410-ts。因为将形成有泡沫构件fm的表面通过表面处理来预先进行处理，所以可改善泡沫构件fm的粘合性。因此，即使不提供附加的粘合构件，缓冲层420也可稳定地联接到基础层410。

同时，缓冲层420可通过多种方法中的至少一种形成。例如，当缓冲层420由聚氨酯泡沫形成时，可通过注射工具ne来提供多元醇、异氰酸酯、发泡剂、催化剂和添加剂的混合物，以形成在其中发生发泡现象的泡沫构件fm。

当发泡现象在泡沫构件fm中完成时，泡沫构件fm可形成为在其中限定有或形成有孔隙的缓冲层420。因此，缓冲层420可具有多孔隙结构，该多孔隙结构包括在其中形成有多个孔隙pp的基质构件mx。

另一方面，在用于形成缓冲层420的发泡工艺中可能产生热量。如上所述，根据实施方式的基础层410由聚酰亚胺(pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)或晶态聚对苯二甲酸乙二醇酯(c-pet)形成。

基础层410的材料可以是具有至少比聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的玻璃化转变温度高的玻璃化转变温度的材料。因此，在产生热量的发泡工艺中，基础层410可不受损伤而是可保持在稳定状态中。因此，可改善保护构件400的处理可靠性。

接下来，如图9d和图9e中所示，在保护构件400的一个表面上形成粘合构件300。当保护构件400以如图9d中示出的箭头方向旋转时，保护构件400可定位成使得基础层410的底表面面向上方。

此后，如图9e中所示，在基础层410的底表面上形成粘合构件300，该底表面与图2中示出的第一表面410-rs对应。粘合构件300可通过将单独形成的粘合剂片粘附到基础层410的底表面而形成。替代地，可通过将粘合材料涂覆到基础层410的底表面来形成粘合构件300。

接下来，如图9f中所示，在箭头方向上，将保护构件400粘附到电子面板200的一个表面。电子面板200可包括顺序地堆叠的第一层210、元件层220和第二层230。保护构件400通过以下方式粘附到电子面板200：粘合构件300面向与电子面板200的底表面对应的第一层210的底表面。电子面板200和保护构件400可通过粘合构件300彼此稳定地联接。

此后，如图9g中所示，可用窗构件100覆盖电子面板200的顶表面，从而制造电子设备ea。窗构件100可通过合适的联接构件联接到电子面板200。联接构件可包括位于电子面板200与窗构件100之间的粘合构件或覆盖窗构件100的一部分的机架。

根据实施方式，制造电子设备的方法可包括在基础层410上直接形成缓冲层420的工艺，并且因此，可不在基础层410与缓冲层420之间插置附加的粘合层。因此，由基础层410的形状变形引起的应力可通过缓冲层420稳定地吸收。

此外，根据本发明的实施方式的制造电子设备的方法还可包括处理基础层410的表面的工艺，并且因此，可改善基础层410与缓冲层420之间的粘合力。因此，因为缓冲层420稳定地联接到基础层410，所以缓冲层420和基础层410的联接结构可在保护构件的重复变形操作中始终保持稳定，从而改善电子设备ea的可靠性。

根据一些实施方式，电子设备包括多层的并且实现为集成结构的保护构件。因此，可以降低由重复应力引起的层离现象的影响或防止由重复应力引起的层离现象，并且可稳定地分散施加到保护构件的层的应力。因此，可改善电子设备的抗冲击性，并且可改善电子设备在使用过程中的可靠性。

此外，根据一些实施方式，基础层可包括耐热性高的材料，并且因此，可以防止在形成缓冲层的工艺中损伤基础层。因此，可以提供具有改善的处理可靠性的电子设备和制造该电子设备的方法。

虽然已经参考示例实施方式描述了本发明，但是将对本领域技术人员显而易见的是，在不背离本发明的精神和范围的情况下可作出多种改变和修改。因此，应理解的是，以上实施方式不是限制性的，而是说明性的。因此，本发明的范围将由所附权利要求及其等同的最宽泛可允许的解释来确定，并且不应受到以上描述的制约或限制。