本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法及装置、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(organiclightemittingdiode，简称oled)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点，已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。
对于oled显示装置而言，像素驱动电路中，一般通过驱动晶体管dtft来控制流经oled的电流，进而控制oled的发光亮度；然而，在实际中，由于制作工艺、条件等因素使得显示装置中驱动晶体管dtft的电特性(主要包括阈值电压)具有一定的差异，进而造成各亚像素中的驱动晶体管dtft即使在相同的驱动电压下，流经个oled的电流也是不同的，进而使得各亚像素中oled的发光亮度不同。现有技术中，通过实际的侦测各驱动晶体管dtft的阈值电压，并通过外部补偿的方式对像素数据进行补偿，以抵消因阈值电压造成的亮度不均的问题。
其中，现有技术中，驱动晶体管dtft的阈值电压是通过侦测驱动晶体管dtft栅极g的电压和源极s的电压得到的；驱动晶体管dtft栅极g的电压vg即为上述驱动电压，驱动晶体管dtft源极s的电压vs一般为实际测定值，阈值电压vth＝vg-vs；在此情况下，应当理解到，实际侦测的阈值电压的上限值不超过该驱动电压vg的大小。
然而，随着oled显示装置的长时间点亮，各驱动晶体管dtft整体的阈值电压出现较大的正向漂移，也即整体增加，可能存在部分驱动晶体管的实际阈值电压大于驱动电压的情况，而采用现有的阈值电压侦测方法是无法准确侦测到该阈值电压，从而也就无法进行有效的电压补偿，也即，显示装置仍然会存在亮度不均的问题。
技术实现要素：
本发明的实施例提供一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法及装置、显示装置，能够解决现有的显示装置中，因阈值电压漂移过大超出侦测范围而导致补偿效果不佳的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例一方面提供一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法，所述阈值电压侦测方法包括：获取所述驱动晶体管的第一阈值电压；所述第一阈值电压为：所述驱动晶体管在第一驱动数据驱动下的阈值电压；根据所述驱动晶体管的第一阈值电压，获取所述驱动晶体管的阈值参考电压；根据所述阈值参考电压和所述第一驱动数据，获取所述驱动晶体管的第二驱动数据，并获取第二阈值电压；其中，所述第二阈值电压为：所述驱动晶体管在所述第二驱动数据驱动下的阈值电压，且所述第二驱动数据大于所述第一驱动数据。
可选的，所述获取所述驱动晶体管的第一阈值电压包括：获取所述显示装置中所有驱动晶体管的第一阈值电压。
可选的，所述根据所述驱动晶体管的第一阈值电压，获取所述驱动晶体管的阈值参考电压包括：获取所有驱动晶体管的第一阈值电压的平均值，在所述所有驱动晶体管的第一阈值电压的平均值大于所述第一驱动数据的一半的情况下，将所述所有驱动晶体管的第一阈值电压的平均值，作为各驱动晶体管的阈值参考电压；所述根据所述阈值参考电压和所述第一驱动数据，获取所述驱动晶体管的第二驱动数据包括：求取所述阈值参考电压与p倍的所述第一驱动数据之和，以得到所述驱动晶体管的第二驱动数据，其中，p∈[0.5，1]。
可选的，p＝0.5。
可选的，所述根据所述驱动晶体管的第一阈值电压，获取所述驱动晶体管的阈值参考电压包括：获取所有驱动晶体管的第一阈值电压中最小的第一阈值电压，作为各驱动晶体管的阈值参考电压；所述根据所述阈值参考电压和所述第一驱动数据，获取所述驱动晶体管的第二驱动数据包括：求取所述阈值参考电压与所述第一驱动数据之和，以得到所述驱动晶体管的第二驱动数据。
可选的，所述根据所述驱动晶体管的第一阈值电压，获取所述驱动晶体管的阈值参考电压包括：获取所有驱动晶体管的第一阈值电压中最大的第一阈值电压，在所述所有驱动晶体管的第一阈值电压中最大的第一阈值电压等于所述第一驱动数据的情况下，将所述所有驱动晶体管的第一阈值电压中最大的第一阈值电压，作为各驱动晶体管的阈值参考电压；所述根据所述阈值参考电压和所述第一驱动数据，获取所述驱动晶体管的第二驱动数据包括：求取所述阈值参考电压与m倍的所述第一驱动数据之和，以得到各驱动晶体管的第二驱动数据；其中，m∈(0，0.5]。
可选的，m＝0.5。
可选的，所述根据所述驱动晶体管的第一阈值电压，获取所述驱动晶体管的阈值参考电压包括：针对单个所述驱动晶体管而言：在所述驱动晶体管的第一阈值电压与所述第一驱动数据相等的情况下，获取n倍的所述第一驱动数据，作为该驱动晶体管的阈值参考电压，其中，n∈(0，1]；所述根据所述阈值参考电压和所述第一驱动数据，获取所述驱动晶体管的第二驱动数据包括：求取所述阈值参考电压与所述第一驱动数据之和，以得到所述驱动晶体管的第二驱动数据。
本发明实施例另一方面还提供一种驱动晶体管的阈值电压侦测装置，所述阈值电压侦测装置包括：阈值电压获取电路，用于获取所述驱动晶体管的第一阈值电压；所述第一阈值电压为：所述驱动晶体管在第一驱动数据驱动下的阈值电压；处理模块：用于根据所述驱动晶体管的第一阈值电压，获取所述驱动晶体管的阈值参考电压；所述处理模块还用于，根据所述阈值参考电压和所述第一驱动数据，获取所述驱动晶体管的第二驱动数据；其中，所述第二驱动数据大于所述第一驱动数据；所述阈值电压获取电路，还用于获取所述驱动晶体管的第二阈值电压；所述第二阈值电压为：所述驱动晶体管在所述第二驱动数据驱动下的阈值电压。
本发明实施例再一方面还提供一种显示装置，包括前述的阈值电压侦测装置。
本发明实施例提供一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法及装置、显示装置，该阈值电压侦测方法包括：获取驱动晶体管的第一阈值电压；第一阈值电压为：驱动晶体管在第一驱动数据驱动下的阈值电压；根据驱动晶体管的第一阈值电压，获取驱动晶体管的阈值参考电压；根据阈值参考电压和第一驱动数据，获取驱动晶体管的第二驱动数据，并获取第二阈值电压；其中，第二阈值电压为：驱动晶体管在第二驱动数据驱动下的阈值电压，且第二驱动数据大于第一驱动数据。
本发明实施例提供一种显示装置的阈值电压侦测方法及侦测装置、显示装置，其中，显示装置的每一亚像素中均包括驱动有机发光二极管发光的驱动晶体管，该显示装置中驱动晶体管的阈值电压侦测方法包括：获取驱动晶体管的第一阈值电压；第一阈值电压为：驱动晶体管在第一驱动数据驱动下的阈值电压；根据驱动晶体管的第一阈值电压，获取驱动晶体管的阈值参考电压；根据阈值参考电压和第一驱动数据，获取驱动晶体管的第二驱动数据，并获取第二阈值电压；其中，第二阈值电压为：在第二驱动数据的驱动下驱动晶体管的阈值电压，且第二驱动数据大于第一驱动数据。
综上所述，本发明中通过获取第一驱动数据下的第一阈值电压(也即现有技术中侦测到的阈值电压，可能存在很大部分的阈值电压超出侦测范围，而并不能实际的侦测出来)，并根据第一阈值电压得到阈值参考电压，然后结合阈值参考电压和第一驱动数据得到第二驱动数据，该第二驱动数据大于第一驱动数据，并在该第二驱动数据下获取第二阈值电压，以用于进行电学补偿；由于该第二驱动数据大于第一驱动数据，相当于增大了阈值电压的侦测范围，从而能够很大程度上减少超出侦测范围的阈值电压，进而能够有效的进行阈值电压的补偿。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的像素驱动电路图；
图2为本发明实施例提供的一种阈值电压侦测方法流程图；
图3为本发明实施例提供的另一种阈值电压侦测方法流程图；
图4为本发明实施例提供的另一种阈值电压侦测方法流程图；
图5为本发明实施例提供的另一种阈值电压侦测方法流程图；
图6为本发明实施例提供的另一种阈值电压侦测方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
本发明实施例提供一种驱动晶体管的阈值电压侦测方法，可以参考图1，以oled显示装置中的驱动晶体管dtft为例(当然并不限制于此，也可以是量子点显示装置中的驱动晶体管等等)，如图2所示，该驱动晶体管的阈值电压侦测方法包括：
步骤s01、获取驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1；第一阈值电压vth1为：驱动晶体管dtft在第一驱动数据vdata1驱动下的阈值电压；也即在第一驱动数据vdata1驱动下，通过测定得到的阈值电压。
示意的，结合图1的3t1c的像素驱动电路(但本发明并不限制于该一种像素驱动电路，本发明的阈值电压侦测方法适用于任意的像素驱动电路)，第一阈值电压vth1的获取过程包括：
初始化阶段：
向第一栅线g1和第二栅线g2输入扫描信号，第一晶体管t1和第二晶体管t2开启，通过数据线dl(dataline)向驱动晶体管dtft的栅极输入第一驱动数据vdata1(例如，可以是3v)，也即vg＝vdata1＝3v；通过感测信号线sl(senseline)向驱动晶体管dtft的源极输入复位电压v0(例如，可以是0v)，也即vs＝v0，以对驱动晶体管dtft的源极进行复位。
充电阶段：
第一晶体管t1和第二晶体管t2保持开启，驱动晶体管dtft导通，电流通过第二晶体管t2向感测信号线sl的电容csense充电。
在此基础上，根据电容csense的充电电压，结合驱动晶体管dtft的栅极电压(也即第一驱动数据vdata1)，并根据电容csense的充电曲线，得到驱动晶体管dtft的源极电压，从而获得驱动晶体管dtft的第一阈值电压(vth1＝vg-vs)。
需要说明的是，该步骤s01中第一阈值电压vth1的获取过程，与现有技术中获取阈值电压的过程相同，而本发明在此基础上，还补充有以下的侦测过程。
此处应当理解到，现有技术中获取阈值电压的过程的局限在于，驱动数据为固定值，当驱动晶体管dtft的实际阈值电压超过阈值电压的侦测范围(也可以说是超出第一驱动数据vdata1的大小)时，驱动晶体管dtft不会开启，电容csense不充电，此时模数转换器adc测定得到的vs为0v，从而使得侦测到的阈值电压为3v(也即阈值电压的侦测范围的上限)，可以看出其与实际阈值电压并不相等，进而不能对该驱动晶体管dtft进行有效的阈值电压补偿。
步骤s02、根据驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，获取驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref。
步骤s03、根据阈值参考电压vref和第一驱动数据vdata1，获取驱动晶体管的第二驱动数据vdata2，并获取第二阈值电压vth2；其中，第二阈值电压vth2为：在第二驱动数据vdata2的驱动下驱动晶体管dtft的阈值电压，且第二驱动数据vdata2大于第一驱动数据vdata1。
当然，应当理解到，该步骤s03中对于第二阈值电压vth2的获取可以参考步骤s01中第一阈值电压vth1的获取过程，仅将原来的第一驱动数据vdata1更新为第二驱动数据vdata2即可。
综上所述，本发明中通过获取第一驱动数据下的第一阈值电压(也即现有技术中侦测到的阈值电压，可能存在很大部分的阈值电压超出侦测范围，而并不能实际的侦测出来)，并根据第一阈值电压得到阈值参考电压，然后结合阈值参考电压和第一驱动数据得到第二驱动数据，该第二驱动数据大于第一驱动数据，并在该第二驱动数据下获取第二阈值电压，以用于进行电学补偿；由于该第二驱动数据大于第一驱动数据，相当于增大了阈值电压的侦测范围，从而能够很大程度上减少超出侦测范围的阈值电压，进而能够有效的进行阈值电压的补偿，以提高显示装置的显示均一性。
此处需要说明的是，第一，上述步骤s01中，获取驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，可以是获取整个显示装置(显示面板)中的所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，也可以是获取整个显示装置中的部分驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，例如，可以是局部亮度不均的区域的驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1；本发明对此不作具体限定，实际中可以根据需要选择设置；以下实施例均是以获取整个显示面板中所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1为例对本发明做进一步的说明。
第二，上述步骤s02中，根据驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，获取驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref，可以是根据整个显示装置所有的驱动晶体管dtft第一阈值电压vth1的平均值来确定阈值参考电压vref，也可以是所有的驱动晶体管dtft第一阈值电压vth1中的最小值、最大值、或者中间值来确定阈值参考电压vref等等，本发明对此不作限定，实际中可以根据需要进行选择。
另外，对于获取到的阈值参考电压vref而言，可以指针对整个显示装置所有的驱动晶体管dtft，也即所有的驱动晶体管dtft为同一阈值参考电压vref；也可以是针对单个驱动晶体管dtft而言的；对于阈值参考电压vref的具体设置情况，可以参考后续具体的实施例中给出的具体方案中的相关说明。
第三，针对获取的阈值参考电压vref的方式的不同，步骤s03中，根据阈值参考电压vref和第一驱动数据vdata1，获取驱动晶体管的第二驱动数据vdata2的方式也不同，但是无论基于何种方式，通过步骤s03获取的第二驱动数据vdata2都应大于第一驱动数据vdata1，以满足本发明所要达到的技术效果。
第四，本发明中对于阈值电压的侦测(包括第一阈值电压和第二阈值电压)是在黑画面下进行，实际中也可以将侦测过程称为：关机侦测阈值电压；可以理解的是，现有技术中通过一个黑画面即可获取阈值电压(也即本发明中的第一阈值电压)，而本发明中至少需要通过两个黑画面才能获得需要进行实际补偿的阈值电压，也即本发明中的第二阈值电压。
以下通过具体的实施例对本发明中驱动晶体管的阈值电压的侦测方法作进一步的说明。
实施例一
结合图2中阈值电压的侦测方法，参考图3，对图2中各步骤的作进一步具体的说明。
上述步骤s01中获取驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1可以包括：
步骤s101、获取显示装置中所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1。
其中，第一阈值电压vth1为：驱动晶体管dtft在第一驱动数据vdata1驱动下的阈值电压。
上述步骤s02中根据驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，获取驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref可以包括：
步骤s102、获取所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1的平均值vavg，在所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1的平均值大于第一驱动数据vdata1的一半的情况下(即，vavg＞0.5vdata1)，将所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压的平均值vavg，作为各驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref(即，vref＝vavg)。
需要说明的是，上述所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1的平均值vavg，可以是算术平均值、几何平均值、平方平均值、加权平均值等，本发明对此不作限定，实际中可以根据需要选择设置。
在此情况下，上述步骤s03中根据阈值参考电压vref和第一驱动数据vdata1，获取驱动晶体管的第二驱动数据vdata2可以包括：
步骤s103、求取阈值参考电压vref与p倍的第一驱动数据vdata1之和，以得到驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2(也即，vdata2＝vref+p·vdata1＝vavg+p·vdata1)，其中，p∈[0.5，1]。
一般优选的，可以选用，p＝0.5，在此情况下，vdata2＝vavg+0.5·vdata1，由前述可知vavg＞0.5vdata1，则必然有vdata2＞vdata1；也即增大了阈值电压的侦测范围，并通过在第二驱动数据vdata2的驱动下，获取驱动晶体管dtft的第二阈值电压vth2，从而很大程度上减少超出侦测范围的阈值电压，进而能够有效的进行阈值电压的补偿。
此处需要说明的是，上述选择vavg＞0.5vdata1是基于，实际中如果所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1的平均值大于第一驱动数据vdata1的一半则表明，所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1整体有一定的正向漂移，会出现亮度不均的风险，因此，需要调整阈值电压的侦测范围，通过采用本发明中的方法增大阈值电压的侦测范围，从而能够很大程度上减少超出侦测范围的阈值电压，进而能够有效的进行阈值电压的补偿。
具体的，以下参考图1，结合前述实施例中初始化阶段和充电阶段的过程，通过具体的举例说明，对该实施例一中增大阈值电压的侦测范围做进一步的说明。
假设vdata1为3v，由于所有驱动晶体管dtft的阈值电压整体有一定的正向漂移，部分驱动晶体管的阈值电压超出了3v，例如可以是4v。
由于阈值电压的侦测范围(不超过第一驱动数据vdata1)在0～3v内，在此情况下，对于实际阈值电压为4v的驱动晶体管dtft而言，采用现有技术中的侦测方法侦测得到的阈值电压(也即本发明中测得的第一阈值电压vth1)为3v(可以参考前述实施例对应的说明部分)。
在此情况下，采用本实施例一中的侦测方法，假设所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1的平均值vavg＝2v(＞0.5·vdata1)，作为阈值参考电压vref；在此基础上，第二驱动数据vdata2＝vref+0.5·vdata1＝4.5v，此时在该第二驱动数据vdata2的驱动下，驱动晶体管dtft开启，电容csense充电为0.5v，从而可以得到第二阈值电压vth2＝vg-vs＝vdata2-vsense＝4v(也即实际的阈值电压)，也即通过增大阈值电压的侦测范围，得到了驱动晶体管dtft的实际阈值电压。
实施例二
结合图2中阈值电压的侦测方法，参考图4，对图2中各步骤的作进一步具体的说明。
上述步骤s01中获取驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1可以包括：
步骤s201、获取显示装置中所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1。
其中，第一阈值电压vth1为：驱动晶体管dtft在第一驱动数据vdata1驱动下的阈值电压。
上述步骤s02中根据驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，获取驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref可以包括：
步骤s202、获取所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最小的第一阈值电压vmin，作为各驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref。
在此情况下，上述步骤s03中根据阈值参考电压vref和第一驱动数据vdata1，获取驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2可以包括：
步骤s203、求取阈值参考电压vref与第一驱动数据vdata1之和，以得到驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2；也即，vdata2＝vref+vdata1＝vmin+vdata1。
此处应当理解到，对于任意的驱动晶体管dtft而言，阈值电压是必然存在的(也即vmin≠0)，仅是在于大小的区别；因此对于实施例二中，无论所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最小的第一阈值电压vmin为何值，则必然有vdata2＞vdata1；也即增大了阈值电压的侦测范围，并通过在第二驱动数据vdata2的驱动下，获取驱动晶体管dtft的第二阈值电压vth2，从而很大程度上减少超出侦测范围的阈值电压，进而能够有效的进行阈值电压的补偿。
具体的，以下参考图1，对该实施例二中增大阈值电压的侦测范围做进一步的说明。
假设第一驱动数据vdata1为3v，由于所有驱动晶体管dtft的阈值电压整体有一定的正向漂移，部分驱动晶体管的阈值电压超出了3v，例如可以是4v。
由于阈值电压的侦测范围(不超过第一驱动数据vdata1)在0～3v内，在此情况下，对于实际阈值电压为4v的驱动晶体管dtft而言，采用现有技术中的侦测方法侦测得到的阈值电压(也即本发明中测得的第一阈值电压vth1)为3v(可以参考前述实施例对应的说明部分)。
在此情况下，采用本实施例二中的侦测方法，假设所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1的最小值vmin＝1.5v，作为阈值参考电压vref；在此基础上，第二驱动数据vdata2＝vref+vdata1＝4.5v，此时在该第二驱动数据vdata2的驱动下，驱动晶体管dtft开启，电容csense充电为0.5v，从而可以得到第二阈值电压vth2＝vg-vs＝vdata2-vsense＝4v(也即实际的阈值电压)，也即通过增大阈值电压的侦测范围，得到了驱动晶体管dtft的实际阈值电压。
需要说明的是，上述选取所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1的最小值vmin＝1.5v仅是示意的说明，在本实施例中所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最小的第一阈值电压vmin是根据实际的侦测获取的，也可能为0.5v，1v，2v等等。
当然实际中为了能够有效的提高阈值电压的侦测范围，以进行有效的阈值电压的补偿；本实施例二中，上述步骤s202可以包括：在所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最小的第一阈值电压vmin大于或等于第一驱动数据vdata1的一半的情况下(也即此时认为所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1整体有一定的正向漂移，会出现亮度不均的风险)，将所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最小的第一阈值电压vmin，作为各驱动晶体管的阈值参考电压vref。
实施例三
结合图2中阈值电压的侦测方法，参考图5，对图2中各步骤的作进一步具体的说明。
上述步骤s01中获取驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1可以包括：
步骤s301、获取显示装置中所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1。
其中，第一阈值电压vth1为：驱动晶体管dtft在第一驱动数据vdata1驱动下的阈值电压。
上述步骤s02中根据驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，获取驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref可以包括：
步骤s302、获取所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最大的第一阈值电压vmax，在所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最大的第一阈值电压vmax等于第一驱动数据vdata1的情况下，将所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中最大的第一阈值电压vmax，作为各驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref。
在此情况下，上述步骤s03中根据阈值参考电压vref和第一驱动数据vdata1，获取驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2可以包括：
步骤s303、求取阈值参考电压vref与m倍的第一驱动数据vdata1之和，以得到各驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2(也即，vdata2＝vref+m·vdata1＝vmax+m·vdata1)，其中，m∈(0，0.5]。
一般优选的，可以选用，m＝0.5，在此情况下，vdata2＝vmax+0.5·vdata1，进而在第二驱动数据vdata2的驱动下，获取驱动晶体管dtft的第二阈值电压vth2。
该实施例中关于具体增大阈值电压的侦测范围，可以参考前述实施例一和实施例二中对应的说明，此处不再赘述。
实施例四
结合图2中阈值电压的侦测方法，参考图6，对图2中各步骤的作进一步具体的说明。
上述步骤s01中获取驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1可以包括：
步骤s401、获取显示装置中所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1。
其中，第一阈值电压vth1为：驱动晶体管dtft在第一驱动数据vdata1驱动下的阈值电压。
上述步骤s02中根据驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1，获取驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref可以包括：
步骤s402、针对单个所述驱动晶体管而言：
在驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1与第一驱动数据vdata1相等的情况下，获取n倍的第一驱动数据vdata1，作为该驱动晶体管dtft的阈值参考电压vref，也即vref＝n·vdata1，其中，n∈(0，1]。例如，当n＝0.5时，vref＝0.5vdata1。
在此情况下，上述步骤s03中根据阈值参考电压vref和第一驱动数据vdata1，获取驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2可以包括：
步骤s403、求取阈值参考电压vref与第一驱动数据vdata1之和，以得到驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2，也即，vdata2＝vref+vdata1＝n·vdata1+vdata1＝(n+1)vdata1。
当然，应当理解到，在驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1与第一驱动数据vdata1相等的情况下，上述步骤s402和步骤s403可以为一个步骤，也即在驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1与第一驱动数据vdata1相等的情况下，直接将(n+1)vdata1作为驱动晶体管dtft的第二驱动数据vdata2，而省去阈值参考电压vref的获取过程。
该实施例中关于具体增大阈值电压的侦测范围，可以参考前述实施例一和实施例二中对应的说明，此处不再赘述。
另外，可以理解到的是，相比于实施例一、实施例二、实施例三中阈值电压的侦测范围的增大，是针对所有的驱动晶体管而言的；而实施例四中，是针对第一阈值电压vth1与第一驱动数据vdata1相等的驱动晶体管dtft(也即针对第一阈值电压vth1达到阈值电压的侦测范围的上限值的驱动晶体管)而言，实际中可以根据需要，选择适当的侦测方式即可。
当然，上述实施例一、实施例二、实施例三、实施例四仅是举例说明，本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内，例如，还可以根据所有驱动晶体管dtft的第一阈值电压vth1中的中间值等来确定阈值参考电压vref等等，本发明对此不再一一赘述。
另外，对于前述实施例而言，无论采用哪种阈值电压侦测方法，对于显示装置自身而言，一般均采用预设周期的侦测方式，并且可以将本次侦测中的第二驱动数据将作为下一次侦测中的第一驱动数据；其中，上述预设周期可以是：每天进行一次侦测，也可以是每次开机或者每次关机时进行一次侦测等等。
此外，还需要说明的是，无论针对上述哪种实施例中提供的侦测方法，在第二驱动数据vdata2的驱动下获取到的驱动晶体管dtft的第二阈值电压，并不绝对是指驱动晶体管的实际阈值电压，该第二阈值电压仍然可能为本发明中增大后的阈值电压的侦测范围的上限值(也即等于第二驱动数据vdata2)，也就是说，对于部分实际阈值电压超过第二驱动数据vdata2的仍然不能有效的测定出来；在此情况下，可以进一步的增加阈值电压的侦测范围。
本发明实施例还提供一种驱动晶体管的阈值电压侦测装置，该驱动晶体管阈值电压侦测装置包括：
阈值电压获取电路，用于获取驱动晶体管的第一阈值电压；第一阈值电压为：驱动晶体管在第一驱动数据驱动下的阈值电压。
示意的，参考图1所示的，该阈值电压获取电路100包括侦测晶体管(也即第二晶体管t2)，模数转换器adc等等。
处理模块：用于根据驱动晶体管的第一阈值电压，获取驱动晶体管的阈值参考电压。
该处理模块还用于，根据阈值参考电压和第一驱动数据，获取驱动晶体管的第二驱动数据；其中，第二驱动数据大于第一驱动数据。
上述阈值电压获取电路100，还用于获取驱动晶体管的第二阈值电压；第二阈值电压为：驱动晶体管在第二驱动数据驱动下的阈值电压。
综上所述，本发明中通过获取第一驱动数据下的第一阈值电压(也即现有技术中侦测到的阈值电压，可能存在很大部分的阈值电压超出侦测范围，而并不能实际的侦测出来)，并根据第一阈值电压得到阈值参考电压，然后结合阈值参考电压和第一驱动数据得到第二驱动数据，该第二驱动数据大于第一驱动数据，并在该第二驱动数据下获取第二阈值电压，以用于进行电学补偿；由于该第二驱动数据大于第一驱动数据，相当于增大了阈值电压的侦测范围，从而能够很大程度上减少超出侦测范围的阈值电压，进而能够有效的进行阈值电压的补偿。
此处需要说明的是，第一，上述处理模块可以是以软件的形式实现上述侦测过程；例如，上述处理模块可以为包括存储器、处理器；存储器上存储有可在处理器上运行的计算机程序，处理器用于执行所述计算机程序，以实现根据驱动晶体管的第一阈值电压获取驱动晶体管的阈值参考电压，以及根据阈值参考电压和第一驱动数据，获取驱动晶体管的第二驱动数据的侦测方法。
示例性的，上述的存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失存储器，例如磁盘存储器件、闪存器件或其他易失性固态存储器件等。示例性的，上述的处理器可以是中央处理器(centralprocessingunit，cpu)，通用处理器，数字信号处理器(digitalsignalprocessor，dsp)，专用集成电路(application-specificintegratedcircuit，asic)，现场可编程门阵列(fieldprogrammablegatearray，fpga)或者其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件、硬件部件或者其任意组合。其可以实现或执行结合本申请公开内容所描述的各种示例性的逻辑方框，模块和电路。所述处理器也可以是实现计算功能的组合，例如包含一个或多个微处理器组合，dsp和微处理器的组合等等。
第二，上述处理模块也可以是硬件的形式实现上述侦测过程；例如，上述处理模块还可以包括阈值参考电压获取电路和驱动数据更新电路。
上述阈值参考电压获取电路用于根据驱动晶体管的第一阈值电压，获取驱动晶体管的阈值参考电压；其可以包括加法器、除法器、乘法器、比较器等，具体根据具体的侦测方式选择适当的电路即可。
上述驱动数据更新电路用于根据阈值参考电压和第一驱动数据，获取驱动晶体管的第二驱动数据，其可以包括加法器、除法器等，具体根据具体的侦测方式选择适当的电路即可。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述的阈值电压侦测装置，具有与前述实施例提供的阈值电压侦测装置相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对阈值电压侦测装置的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体至少可以包括有机发光二极管显示面板，例如该显示面板可以应用至显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。