显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示领域，具体涉及一种显示装置。

背景技术：

显示装置广泛应用于移动电话、可穿戴设备、电子阅读器等领域，主流的显示装置大致包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)以及有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置。

上述显示装置的制作通常需要经过在公共的衬底基板上进行多个制程，然后切割或剥离得到单个的显示装置。在切割或剥离过程中，显示装置不断受到蹂躏，容易产生屏体裂纹。

现有技术通常采用面板裂纹检测(panel crack detection，PCD)电路来检测屏体裂纹。

技术实现要素：

在一种PCD电路中，连接至像素的数据线和裂纹检测线均连接至测试电压线，为保证检测中显示效果的均一性，在PCD电路的适当位置增加电阻补偿块。现有技术的电阻补偿块的方块电阻较大，容易引入制程静电，从而影响显示装置良率。

本实用新型提供一种显示装置，降低电阻补偿块对制程静电的引入，提高显示装置的制程良率。

本实用新型提供一种显示装置，其包括：基板，包括显示区以及分布于显示区外周侧的非显示区；多个像素，设置于基板的显示区内；多条数据线，与多个像素连接；测试电压线，多条数据线中的第一数据线通过晶体管与测试电压线连接；测试控制线，连接至晶体管的栅极，测试控制线控制测试电压线与第一数据线的通断；以及裂纹检测线，设置于基板的非显示区内，裂纹检测线的一端连接至测试电压线，另一端通过开关元件与多条数据线中的第二数据线连接，其中，测试电压线与晶体管之间设有电阻补偿块，电阻补偿块与晶体管之间设有第一互连块，测试电压线与电阻补偿块连接，电阻补偿块与第一互连块之间以及第一互连块与晶体管之间通过过孔连接。

根据本实用新型实施例的一个方面，电阻补偿块与晶体管的有源区同层设置；电阻补偿块与晶体管的有源区之间相距2.0微米至5.0微米。

根据本实用新型实施例的一个方面，电阻补偿块与第一互连块之间通过两个以上第一过孔连接，两个以上第一过孔并排设置；第一互连块与晶体管的有源区之间通过两个以上第二过孔连接，两个以上第二过孔并排设置。

根据本实用新型实施例的一个方面，并排的两个以上第一过孔与并排的两个以上第二过孔相互平行并且相距3.0微米至8.0微米。

根据本实用新型实施例的一个方面，并排的两个以上第二过孔与晶体管的栅极的延伸方向平行，并排的两个以上第二过孔与晶体管的栅极之间的间距为1.5微米至3.0微米。

根据本实用新型实施例的一个方面，第一数据线与晶体管之间设有第二互连块，第一数据线与第二互连块之间以及第二互连块与晶体管之间也通过过孔连接。

根据本实用新型实施例的一个方面，第一数据线与第二互连块之间通过两个以上第三过孔连接，两个以上第三过孔并排设置；第二互连块与晶体管的有源区之间通过两个以上第四过孔连接，两个以上第四过孔并排设置。

根据本实用新型实施例的一个方面，并排的两个以上第三过孔与并排的两个以上第四过孔相互平行并且相距2.0微米至8.0微米。

根据本实用新型实施例的一个方面，并排的两个以上第四过孔与晶体管的栅极的延伸方向平行，并排的两个以上第四过孔与晶体管的栅极之间的间距为1.5微米至3.0微米。

根据本实用新型实施例的一个方面，电阻补偿块包括折线状延伸结构和/或曲线状延伸结构。

根据本实用新型实施例的一个方面，晶体管的有源区内包括源极和漏极，第一数据线(第二互连块)与晶体管的源极、漏极中的其中一个连接，测试电压线通过电阻补偿块(第一互连块)与晶体管的源极、漏极中的另一个连接。

根据本实用新型实施例的显示装置，电阻补偿块通过过孔连接至第一互连块，第一互连块通过过孔与晶体管的有源区连接，使得电阻补偿块换线后与晶体管连接。一方面可以降低该处布线的天线效应，另一方面可以适当降低电阻补偿块的较高电阻，从而降低电阻补偿块对制程静电的引入，提高显示装置的制程良率，节约成本。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。

图1示出根据本实用新型实施例的显示装置的结构示意图；

图2示出根据本实用新型实施例的显示装置中第一晶体管处连接结构的立体示意图；

图3示出根据本实用新型实施例的显示装置中第一晶体管处连接结构的平面示意图；

图4示出根据本实用新型实施例的显示装置中电阻补偿块的一种替代结构的平面示意图；

图5示出根据本实用新型实施例的显示装置中电阻补偿块的另一种替代结构的平面示意图。

具体实施方式

下面将详细描述本实用新型的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本实用新型进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本实用新型，并不被配置为限定本实用新型。对于本领域技术人员来说，本实用新型可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本实用新型的示例来提供对本实用新型更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

图1示出根据本实用新型实施例的显示装置的结构示意图，本实施例的显示装置可以是OLED显示装置，或者包括但不限于LCD等其他显示装置。显示装置包括基板110、多个像素P、多条数据线D1、D2、D3、…、D(m-2)、D(m-1)、Dm、测试电压线TD、测试控制线TG以及裂纹检测线CD。

基板110可以是刚性的，例如玻璃等，也可以是柔性的，例如聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜等聚合物衬底或者包含PI等聚合物材料的衬底。基板110包括显示区110a以及分布于显示区110a外周侧的非显示区110b。

像素P是用于显示图像的最小单元，每个像素P例如可以是用于显示红、绿、蓝等任意一种颜色(也可以是白、青等其他颜色)的子像素，也可以是包括多个子像素的像素单元。多个像素P设置于基板110的显示区110a内。多个像素P可以在显示区110a内阵列排布，例如在行方向或列方向上等间距排布，从而形成多行或多列。此处的行和列可以是与基板110边缘平行的水平和垂直方向，也可以是其他倾斜方向。

多条数据线D1至Dm(m≥2)与多个像素P连接，本实施例中多条数据线D1至Dm大致均沿列方向延伸，并且与多列像素P一一对应，每列像素P连接至对应的一条数据线上。

需要说明的是，显示装置还可以包括例如多条扫描线、多条电源线等其它公知的线结构，以及例如时序控制器、与扫描线连接的栅极驱动装置、与数据线连接的源极驱动装置等公知的装置，图中没有示出上述公知部分。

测试电压线TD可以设置于非显示区110b内，当然在一些实施例中也可以设置在基板110外。多条数据线D1至Dm中的第一数据线通过第一晶体管T1与测试电压线TD连接。第一数据线的数目可以是一条，也可以是多条，例如图1中第一数据线可以是D1、D3、……、D(m-2)、Dm。每条第一数据线都通过一个或多个第一晶体管T1与测试电压线TD连接。第一晶体管T1包括源极、漏极以及栅极，第一数据线可以与第一晶体管T1的源极、漏极中的其中一个连接，测试电压线TD与第一晶体管T1的源极、漏极中的另一个连接。

测试控制线TG连接至第一晶体管T1的栅极，使得测试控制线TG给到第一晶体管T1的栅极的电位信号可以控制测试电压线TD与第一数据线之间的通断。

裂纹检测线CD设置于基板110的非显示区110b内，裂纹检测线CD的一端连接至测试电压线TD，另一端通过开关元件与多条数据线D1至Dm中的第二数据线连接。开关元件可以是晶体管，例如图1所示的第二晶体管T2。裂纹检测线CD的数量可以是一条也可以是两条以上，每条裂纹检测线CD可以通过一个或多个第二晶体管T2与多条数据线D1至Dm中的一条或多条第二数据线连接。第二晶体管T2包括源极、漏极以及栅极，第二数据线可以与第二晶体管T2的源极、漏极中的其中一个连接，裂纹检测线CD与第二晶体管T2的源极、漏极中的另一个连接。测试控制线TG还可以连接至第二晶体管T2的栅极，使得测试控制线TG给到第二晶体管T2的栅极的电位信号可以控制裂纹检测线CD与第二数据线之间的通断。

本实施例中，裂纹检测线CD例如是对称设置的两个，图1中，分别与裂纹检测线CD对应的数据线D2、数据线D(m-1)为上述的第二数据线，多条数据线D1至Dm中，除数据线D2、数据线D(m-1)之外的其它数据线均可以作为上述的第一数据线。在本实施例中，左侧的裂纹检测线CD通过第二晶体管T2连接到第二数据线D2，右侧的裂纹检测线CD通过第二晶体管T2连接到第二数据线D(m-1)。在其他实施例中，裂纹检测线CD可以是一条或者三条及以上，第二数据线可以是一条或多条，每条裂纹检测线可以通过一个或多个第二晶体管T2连接到一条或多条数第二数据线。

检测过程中，测试控制线TG将预定的电位信号提供至第一晶体管T1的栅极、第二晶体管T2的栅极，使得测试电压线TD与第一数据线、裂纹检测线CD与第二数据线分别导通。测试电压线TD提供预定的显示信号，第一晶体管T1、第二晶体管T2导通时，第一数据线连接的列像素P、第二数据线连接的列像素P根据测试电压线TD提供的显示信号正常显示。当显示区110a内的一个或多个像素P出现缺陷时，这些像素P显示异常；当显示区110a内出现缺陷使得其中一条或多条第一数据线断裂或阻值变化时，与该第一数据线连接的列像素P显示异常(例如，在图1的实施例中，第一数据线断裂或阻值变化处上方的像素P不显示或亮度低于正常显示亮度或亮度高于正常显示亮度)；当非显示区110b内出现例如裂纹等缺陷使得裂纹检测线CD断裂或阻值变化时，与该裂纹检测线CD对应的第二数据线所连接的列像素P显示异常(例如，在图1的实施例中，与出现缺陷的裂纹检测线CD相对应的第二数据线连接的整列像素P都不显示或者亮度低于正常显示亮度或亮度高于正常显示亮度)。根据上述各数据线对应列像素P的显示情况，可以及时判断显示区110a和非显示区110b内是否出现缺陷。

测试电压线TD的数量可以是一条也可以是两条以上，测试控制线TG可以是一条也可以是两条以上，第一数据线、第二数据线可以分别与多个测试电压线TD和/或多个测试控制线TG分散对应，从而提高检测效率。例如，可以针对第一晶体管T1和第二晶体管T2设置不同的测试电压线TD和/或测试控制线TG，或者也可以针对显示区110a的左右两半分别设置不同的测试电压线TD和/或测试控制线TG。

裂纹检测线CD的存在使得测试电压线TD与第二数据线之间引入新的电阻，为提高第一数据线所连接像素P、第二数据线所连接像素P在正常情况下的显示均一性，在测试电压线TD与第一晶体管T1之间设有电阻补偿块R。测试电压线TD与电阻补偿块R连接，电阻补偿块R连接至第一晶体管T1的有源区(例如，源极、漏极中的一个)，第一数据线也连接至第一晶体管T1的有源区(例如，源极、漏极中的另一个)。

图2示出根据本实用新型实施例的显示装置中第一晶体管T1处连接结构的立体示意图，也即示出图1中A区域处连接结构的立体结构示意图。图3示出根据本实用新型实施例的显示装置中第一晶体管T1处连接结构的平面示意图，其中将部分结构透明或半透明示出。与现有技术不同的是，本实施例中，在电阻补偿块R与第一晶体管T1之间设有第一互连块120，测试电压线TD与电阻补偿块R连接，电阻补偿块R与第一互连块120之间以及第一互连块120与第一晶体管T1之间通过过孔连接。

第一晶体管T1包括有源区131以及跨过该有源区131的栅极132，有源区131包括沟道以及位于沟道两侧的源极和漏极，栅极132与该沟道位置对应。栅极132与测试控制线TG连接，电阻补偿块R与有源区131的源极、漏极中的一个(例如源极)连接，第一数据线Di(本实施例中Di为D3，在其它实施例中，Di可以为其它任意一条第一数据线)与有源区131的源极、漏极中的另一个(例如漏极)连接。为清楚示出A区域的连接结构，图2中未绘示公知的部分绝缘层，并且将栅极132透明示出。

第一晶体管T1的有源区131可以是多晶硅(polycrystalline silicon，PSi)、非晶硅(amorphous silicon，α-Si)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)等通过掺杂、注入等工艺形成。

电阻补偿块R可以是导体材料或半导体材料制成，本实施例中，电阻补偿块R可以与第一晶体管T1的有源区131采用相同材料制成，例如均采用多晶硅制成。进一步地，电阻补偿块R可以与第一晶体管T1的有源区同层设置。本实施例中电阻补偿块R为直条状，在其它一些实施例中，电阻补偿块R可以包括折线状延伸结构和/或曲线状延伸结构。

图4和图5分别示出根据本实用新型实施例的显示装置中电阻补偿块的替代结构的平面示意图。在图4所示的替代电阻补偿块R’中，电阻补偿块R’包括呈“W”字状延伸的折线状延伸结构，在图5所示的替代电阻补偿块R”中，电阻补偿块R”包括呈蛇形状延伸的折线状延伸结构。采用包括折线状延伸结构和/或曲线状延伸结构的电阻补偿块，可以更加节约布线空间。

第一互连块120以及过孔可以是导体材料制成，本实施例中例如是金属或氧化铟锡(ITO)制成。

根据本实用新型实施例的显示装置，电阻补偿块R通过过孔连接至第一互连块120，第一互连块120通过过孔与第一晶体管T1的有源区131连接，使得电阻补偿块R换线后与第一晶体管T1连接。一方面可以降低该处布线的天线效应，另一方面可以适当降低电阻补偿块R的较高电阻，从而降低电阻补偿块R对制程静电的引入，提高显示装置的制程良率，节约成本。

如前所述，电阻补偿块R可以与第一晶体管T1的有源区131同层设置，其中，在一些实施例中，电阻补偿块R与第一晶体管T1的有源区131之间的距离La为2.0微米至5.0微米，使得电阻补偿块R与第一晶体管T1之间的连接结构在保持紧凑的同时避免短路，从而避免作为换线结构的第一互连块120失效。

请同时参考图1和图2，在一些实施例中，电阻补偿块R与第一互连块120之间可以通过两个以上第一过孔141连接，两个以上第一过孔141可以并排设置。第一互连块120与第一晶体管T1的有源区131之间可以通过两个以上第二过孔142连接，两个以上第二过孔142也可以并排设置。可以理解的是，第一过孔141的数量、第二过孔142的数量也分别可以是单个。

其中，并排的两个以上第一过孔141与并排的两个以上第二过孔142可以相互平行，并排的两个以上第一过孔141与并排的两个以上第二过孔142之间的距离Lb为3.0微米至8.0微米。本实施例中，并排的两个以上第二过孔142与第一晶体管T1的栅极132的延伸方向平行，并排的两个以上第二过孔142与第一晶体管T1的栅极132之间的横向间距Lc为1.5微米至3.0微米。

通过对第一过孔141与第二过孔142之间的距离Lb以及第二过孔142与第一晶体管T1的栅极132之间的横向间距Lc进行限定，进一步使得电阻补偿块R第一互连块120之间以及第一互连块120与第一晶体管T1之间的连接结构在保持紧凑的同时避免短路，从而避免作为换线结构的第一互连块120失效。

进一步地在一些实施例中，第一数据线Di与第一晶体管T1之间设有第二互连块150，第一数据线Di与第二互连块150之间以及第二互连块150与第一晶体管T1之间也通过过孔连接，使得第一数据线Di换线后与第一晶体管T1连接。本实施例通过设置第一互连块120和第二互连块150，使得电阻补偿块R通过多次的过孔换线后与第一数据线Di连接，从而进一步降低该处布线的天线效应以及降低电阻补偿块R对制程静电的引入，提高显示装置的制程良率，节约成本。

第一数据线Di与第二互连块150之间可以通过两个以上第三过孔143连接，两个以上第三过孔143可以并排设置。第二互连块150与第一晶体管T1的有源区131之间可以通过两个以上第四过孔144连接，两个以上第四过孔144可以并排设置。可以理解的是，第三过孔143的数量、第四过孔144的数量也分别可以是单个。

其中，并排的两个以上第三过孔143与并排的两个以上第四过孔144可以相互平行，并排的两个以上第三过孔143与并排的两个以上第四过孔144之间的距离Ld为2.0微米至8.0微米。本实施例中，并排的两个以上第四过孔144与第一晶体管T1的栅极132的延伸方向平行，并排的两个以上第四过孔144与第一晶体管T1的栅极132之间的横向间距Le为1.5微米至3.0微米。

通过对第三过孔143与第四过孔144之间的距离Ld以及第四过孔144与第一晶体管T1的栅极132之间的横向间距Le进行限定，进一步使得第一数据线Di与第二互连块150之间以及第二互连块150与第一晶体管T1之间的连接结构在保持紧凑的同时避免短路，从而避免作为换线结构的第二互连块150失效。

此外在一些实施例中，第一过孔141与第二过孔142之间的距离Lb可以和第三过孔143与第四过孔144之间的距离Ld相等，在一些实施例中，第二过孔142与第一晶体管T1的栅极132之间的横向间距Lc可以和第四过孔144与第一晶体管T1的栅极132之间的横向间距Le相等。

在本实用新型的实施例中，面板裂纹检测是在面板的单元测试(cell test)阶段进行的，测试电压线TD上的信号可以是用于单元测试的电压信号，测试控制线TG上的信号可以是用于单元测试的控制信号，或者二者的信号可以与用于单元测试的信号分开设置。通过在单元测试期间进行面板裂纹检测，使得检测时间提前，能够避免后期对出现裂纹的缺陷面板仍然进行模组加工，从而可以降低成本。

在一些实施例中，晶体管T1和T2可以是薄膜晶体管，也可以是其他类型的晶体管，甚至也可以是其他能够起到开关作用的开关元件。

依照本实用新型如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本实用新型以及在本实用新型基础上的修改使用。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。