显示控制方法、电子设备和存储介质与流程

1.本公开涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种显示控制方法、电子设备和存储介质。


背景技术：

2.随着电子设备的普及，其屏幕尺寸越来越大，全面屏设备逐渐受到用户的青睐。全面屏设备不仅具有良好的外观，而且具有更高的屏幕利用率，可显示更多的屏幕内容。
3.为保证前置摄像头能够拍摄清晰的图像，相关技术中对前置摄像头的视场角范围内的显示屏作特殊处理，例如降低该区域内像素的密度或者减少金属走线或者一个晶体管tft驱动多个子像素，从而增加透光率。为方便说明，后续将显示屏中对应屏下摄像头的显示区域称之为屏下摄像头显示位置(camera under panel，cup)，之外的区域称之为正常区域(normal)。
4.以一个晶体管tft驱动多个子像素为例，cup区域的tft的驱动电流会大于normal区域的tft的驱动电流，从而导致两个区域内tft的特性偏移存在差异，最终导致cup区域和normal区域内存在亮度差异，效果如图1所示。参见图1，(a)图示出了在初始时刻显示屏显示的亮度效果，(b)图示出了在显示30分钟后显示屏显示的亮度效果；(c)图示出了在显示60分钟后显示屏显示的亮度效果。


技术实现要素：

5.本公开提供一种显示控制方法、电子设备和存储介质，以解决相关技术的不足。
6.根据本公开实施例的第一方面，提供一种电子设备，包括：设有第一显示区域和第二显示区域的显示屏；所述第一显示区域内的像素密度小于所述第二显示区域内的像素密度；所述第一显示区域内的像素采用第一像素电路，所述第二显示区域内的像素采用第二像素电路；所述第一像素电路和所述第二像素电路中存储电容的充电时间不同。
7.可选地，所述第一像素电路的补偿信号与像素数据相关；所述第二像素电路的补偿信号与预设控制信号相关，且相邻两行像素的预设控制信号存在重叠区域。
8.可选地，所述第一像素电路采用7t1c电路结构实现，所述第二像素电路采用6t2c电路结构实现。
9.可选地，还包括驱动电路；所述驱动电路包括多个驱动晶体管；每个所述驱动晶体管用于驱动所述第一显示区域内预设数量个子像素；所述预设数量的取值大于或者等于2；
10.所述充电时间与所述预设数量成正相关关系。
11.可选地，所述充电时间与所述显示屏的显示时长成正相关关系。
12.可选地，还包括处理器；所述处理器用于获取所述显示屏的当前显示时长；并基于预设的显示时长和充电时间的对应关系确定与所述当前显示时长相匹配的目标充电时间；控制所述存储电容的充电时间为所述目标充电时间。
13.可选地，还包括处理器；所述处理器用于获取显示屏的当前图像；所述当前图像是
所述显示屏在显示预设时长后显示目标图像时拍摄得到；当所述当前图像中第一显示区域和第二显示区域的亮度差值超过设定阈值时，调整第二像素电路中存储电容的充电时间，直至所述亮度差值小于所述设定阈值为止。
14.根据本公开实施例的第二方面，提供一种显示控制方法，所述方法包括：
15.获取显示屏的当前显示时长；
16.基于预设的显示时长和充电时间的对应关系，确定与所述当前显示时长相匹配的目标充电时间；
17.控制第二像素电路中存储电容的充电时间为所述目标充电时间。
18.根据本公开实施例的第三方面，提供一种显示控制方法，所述方法包括：
19.获取显示屏的当前图像；所述当前图像是所述显示屏在显示预设时长后显示目标图像时拍摄得到；
20.当所述当前图像中第一显示区域和第二显示区域的亮度差值超过设定阈值时，调整第二像素电路中存储电容的充电时间，直至所述亮度差值小于所述设定阈值为止。
21.根据本公开实施例的第四方面，提供一种电子设备，包括：
22.处理器；
23.用于存储所述处理器可执行的计算机程序的存储器；
24.其中，所述处理器被配置为执行所述存储器中的计算机程序，以实现如上述任一项所述的方法。
25.根据本公开实施例的第五方面，提供一种计算机可读存储介质，当所述存储介质中的可执行的计算机程序由处理器执行时，能够实现如上述任一项所述的方法。
26.本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
27.由上述实施例可知，本公开实施例提供的方案，通过在对第一显示区域内的像素采用第一像素电路以及第二显示区域内的像素采用第二像素电路，并且使得第一像素电路和所述第二像素电路中存储电容的充电时间不同，可以达到第一显示区域和第二显示区域的亮度保持一致的显示效果，有利于提升观看体验。
28.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
29.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。
30.图1是相关技术中示出的电子设备的显示屏的显示效果。
31.图2是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的结构示意图。
32.图3是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的结构示意图。
33.图4(a)是根据一示例性实施例示出的6t2c电路结构的初始化阶段的电路示意图。
34.图4(b)是图4(a)所示电路的工作时序图。
35.图5(a)是根据一示例性实施例示出的6t2c电路结构的补偿阶段的电路示意图。
36.图5(b)是图5(a)所示电路的工作时序图。
37.图6(a)是根据一示例性实施例示出的6t2c电路结构的数据写入阶段的电路示意
图。
38.图6(b)是图6(a)所示电路的工作时序图。
39.图7(a)是根据一示例性实施例示出的6t2c电路结构的发光阶段的电路示意图。
40.图7(b)是图7(a)所示电路的工作时序图。
41.图8(a)是根据一示例性实施例示出的7t1c电路结构的初始化阶段的电路示意图。
42.图8(b)是图8(a)所示电路的工作时序图。
43.图9(a)是根据一示例性实施例示出的7t1c电路结构的补偿阶段的电路示意图。
44.图9(b)是图9(a)所示电路的工作时序图。
45.图10(a)是根据一示例性实施例示出的7t1c电路结构的发光阶段的电路示意图。
46.图10(b)是图10(a)所示电路的工作时序图。
47.图11是根据一示例性实施例示出的6t2c电路结构中comp信号存储重叠区域的示意图。
48.图12是根据一示例性实施例示出的7t1c电路结构中scan处的低电平信号的周期与行周期相等的示意图。
49.图13是根据一示例性实施例示出的一种显示控制方法的流程图。
50.图14是根据一示例性实施例示出的另一种显示控制方法的流程图。
51.图15是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图。
具体实施方式
52.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性所描述的实施例并不代表与本公开相一致的所有实施例。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置例子。
53.为解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种显示控制方法、电子设备和存储介质，其发明构思在于，根据所发现的晶体管tft发生特性偏移的原因来分析像素像素电路的补偿原理，可以在不同的显示区域(即第一显示区域如cup区域和第二显示区域如normal区域)采用不同的像素像素电路，例如第一显示区域采用第一像素电路以及第二显示区域采用第二像素电路，并控制第一像素电路和第二像素电路中存储电容的充电时间不同，以消除或者减缓两个显示区域的亮度差异，可以达到第一显示区域和第二显示区域的亮度保持一致的显示效果，有利于提升观看体验。
54.图2是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图，图3是根据一示例性实施例示出的显示屏的两个显示区域的效果示意图。参见图2和图3，一种电子设备，包括：设有第一显示区域11和第二显示区域12的显示屏10。第一显示区域11内的像素密度小于第二显示区域12内的像素密度。第一显示区域11内的像素采用第一像素电路(图中未示出)，第二显示区域12内的像素采用第二像素电路(图中未示出)；第一像素电路和第二像素电路中存储电容(cst)的充电时间不同。其中存储电容用于存储像素对应的像素数据，以使像素显示与该像素数据相匹配的灰阶或亮度。
55.需要说明的是，第一显示区域11内的像素密度小于第二显示区域12的像素密度是为了提高第一显示区域11的透光率，此时可以在第一显示区域11的下方设置有摄像头或者
光传感器等光学器件，保证光学器件的检测效率。
56.在一实施例中，上述第一像素电路的补偿信号与像素数据(即data)相关，即第一像素电路为补偿驱动晶体管tft的特性偏移时，其补偿信号来自像素数据。或者说，在补偿所在像素中驱动晶体管tft的特性偏移时，由于每行像素显示的像素数据需要更新，导致相邻两行像素的补偿信号无关，因此无法做到为当前行像素的下一行像素来补偿特性偏移，或者说第一像素电路的补偿周期等同于行周期。在一示例中，第一像素电路可以采用7t1c电路结构实现。
57.在一实施例中，上述第二像素电路的补偿信号与预设控制信号(如预设控制信号comp)相关，且相邻两行像素的预设控制信号存在重叠区域。即第二像素电路的补偿周期与行周期无关，可以做到为当前行像素和下一行像素同时来补偿特性偏移。在一示例中，第二像素电路可以采用6t2c电路结构实现。
58.这样，本公开实施例提供的方案，通过在对第一显示区域内的像素采用第一像素电路以及第二显示区域内的像素采用第二像素电路，并且使得第一像素电路和所述第二像素电路中存储电容的充电时间不同，可以达到第一显示区域和第二显示区域的亮度保持一致的显示效果，有利于提升观看体验。
59.在一实施例中，继续参见图2，电子设备还包括驱动电路30。该驱动电路30可以驱动第一显示区域内的像素。其中，驱动电路30可以包括多个驱动晶体管(图中未示出)，每个驱动晶体管可以驱动第一显示区域11内预设数量个子像素，其中预设数量的取值大于或者等于2的整数。例如，每个驱动晶体管可以驱动2、3或者4个子像素。可理解的是，随着每个驱动晶体管驱动子像素的数量的增加，驱动晶体管中通过的电流越大，驱动晶体管的特性偏移会增加，导致第一显示区域的亮度大于第二显示区域的亮度。因此，此时增加第二显示区域的补偿信号，即延长第二显示区域内存储电容的充电时间。或者说，充电时间与预设数量成正相关关系。
60.需要说明的是，考虑到延长充电时间是增加相邻两行像素的预设控制信号的重叠时间，即增加相邻两行像素的预设控制信号的重叠区域的宽度，因重叠区域的宽度存在最大值，如后续图11中的comp(n)为低电平信号时最右侧与scan(n)为低电平信号时最左侧重合时，comp(n)和comp(n+1)的重叠区域的宽度为最大值。可理解的是，当延长充电时间时不能超过上述最大值。也就是说，上述充电时间与预设数量成正相关关系是在一定范围内的正相关。
61.这样，本公开实施例提供的方案，根据驱动晶体管驱动第一显示区域内子像素的数量来调整第二显示区域内存储内容的充电时间，可以达到第一显示区域和第二显示区域的亮度保持一致的显示效果，有利于提升观看体验。
62.实际应用中，考虑到相关技术中在电子设备出厂后上述充电时间是保持固定的，第一显示区域和第二显示区域的亮度差值会随着显示屏显示时长的增加而变大。因此，在一实施例中，电子设备可以动态调整充电时间。电子设备内存储预设的显示时长和充电时间的对应关系，例如，显示时长为30min时，充电时间为a1 ns，显示时长为60min时，充电时间为a2 ns。这样，本示例中通过动态调整第二显示区域内存储内容的充电时间，可以达到第一显示区域和第二显示区域的亮度保持一致的显示效果，有利于提升观看体验。
63.下面以第一显示区域内的第一像素电路采用6t2c电路结构实现，且第二显示区域
内的第二像素电路采用7t1c电路结构实现，来描述上述电子设备的调整过程。
64.一，第一像素电路采用6t2c电路结构的工作过程包括：
65.1.初始化阶段
66.参见图4(a)和图4(b)，当em处为低电平信号，scan(n)处为高电平信号，comp处为低电平信号时，晶体管t2、t3、t4、t6处于导通状态，并且驱动晶体管dtft处于导通状态，其余晶体管处于断开状态，此时节点a和节点b处的电位相等，即对存储电容cst进行初始化va＝vb＝vint，以为后续写入像素数据vdata做准备。
67.需要说明的是，为方便理解附图，本公开各示例中在处于导通状态的晶体管附近设置一个矩形标识块，同时设置表示电流的流向箭头。
68.2.补偿阶段
69.参见图5(a)和图5(b)，当em处为高电平信号，scan(n)处为高电平信号，comp处为低电平信号时，此时晶体管t3、t4、t6处于导通状态，并且驱动晶体管dtft处于导通状态，其余晶体管处于断开状态。此时，节点a处的电位va＝vint，节点b处的电位vb＝elvdd-|vth|。
70.3.数据写入阶段
71.参见图6(a)和图6(b)，当em处为高电平信号，comp处为高电平信号，scan(n)处为低电平信号时，此时晶体管t5处于导通状态，并且驱动晶体管dtft处于导通状态，其余晶体管处于断开状态。此时，节点a处的电位va＝vdata，节点b处的电位vb＝(vdata-vint)*c1/(c1+cst)+elvdd-|vth|。
72.4.发光阶段
73.参见图7(a)和图7(b)，当em处为低电平信号，comp处为高电平信号，scan(n)处为高电平信号时，此时晶体管t2处于导通状态，并且驱动晶体管dtft处于导通状态，其余晶体管处于断开状态。此时，最终dtftvgs+|vth|＝(vdata-vint)*c1/(c1+cst)+elvdd-|vth|-elvdd+|vth|＝(vdata-vint)*c1/(c1+cst)。
74.基于上述阶段1～阶段4可知，在理想情况下，即对存储电容cst充电时间足够长的情况下，vgs+|vth|＝(vdata-vint)*c1/(c1+cst)。但是，在实际情况下，对存储电容cst的充电时间不是无限大，在有限时间内无法达到理想值(vdata-vint)*c1/(c1+cst)，使得实际值与理想值会存在一个误差α*|vth|，即实际值为(vdata-vint)*c1/(c1+cst)+α*|vth|。基于电流和补偿信息|vth|的关系i＝0.5k(vgs+|vth|)2可知，电流与补偿信息|vth|存在正相关关系，随着充电时间越长补偿信息越大，假设误差α*|vth|保持不变的情况下充电时间越长α越小，表明像素电路对vth对电流影响度削弱能力越强，最终使得误差趋向于0。
75.二，第二像素电路采用7t1c电路结构的工作过程包括：
76.1.初始化阶段
77.参见图8(a)和图8(b)，当em处为高电平信号，scan(n)处为低电平信号和scan(n+1)处为高电平信号时，此时晶体管t6处于导通状态，其余晶体管处于断开状态，此时节点q处的电位vq＝vint，如果vint与elvdd相等，可以对存储电容cst进行初始化即复位，以为后续补偿做准备。
78.2.补偿阶段
79.参见图9(a)和图9(b)，当em处为高电平信号，scan(n)处为高电平信号和scan(n+1)处为低电平信号时，此时晶体管t4、t4和t7导通，并且驱动晶体管dtft处于导通状态，其
余晶体管处于断开状态，此时节点q处的理想电位为vq＝vdata-|vth|。发光二极管d的阳极复位到vint。
80.实际应用中，节点q处的电位与充电时间有关系，驱动晶体管dtft vgs＝vdata-|vth|+α*|vth|；补偿时间越长α越小。
81.3.发光阶段
82.参见图10(a)和图10(b)，当em处为低电平信号，scan(n)处为高电平信号和scan(n+1)处为高电平信号时，此时晶体管t2导通，并且驱动晶体管dtft处于导通状态，其余晶体管处于断开状态，此时vgs＝vdata-|vth|-elvdd。
83.基于上述阶段1～阶段3可知，实际应用中，i＝0.5k(vgs+|vth|)2＝0.5k(vdata-elvdd)2，理想状态下发光二极管管d电流与驱动晶体管dtft的偏移特性的补偿信号vth无关。
84.基于上述第一像素电路(6t2c)和第二像素电路(7t1c)的工作过程进行分析，两者在补偿过程存在以下区别：6t2c电路结构是通过预设控制信号elvdd来提供补偿信号vth，此时显示屏中相邻两行像素电路的comp信号可以存在重叠区域，效果如图11所示。也就是说，6t2c电路结构可以通过增加相邻两行comp信号的低电平信号的重叠时间，来延长存储电容cst的充电时间，从而保证补偿信号vth增加，提高驱动晶体管dtft处在饱和区-亚阈值的工作状态的电流补偿效果。7t1c电路结构是通过像素数据data来提供补偿信号vth，由于相邻两行像素的像素数据data不同即不可以有重叠区域，即scan处的低电平信号的周期与行周期正相关，效果如图12所示。此时，可以提高驱动晶体管dtft处在线性-饱和区的工作状态下的电流补偿效果。
85.进一步地，由于第一显示区域内的驱动晶体管dtft处于线性-饱和区的工作状态，第二显示区域内的驱动晶体管dtft处于饱和区-亚阈值区的工作状态，因此可以通过调整第二显示区域内第二像素电路(即6t2c电路结构)的充电时间(或者说补偿时间)来加强对特性偏移的补偿，从而使第一显示区域和第二显示区域的亮度差值小于设定阈值，即第一显示区域和第二显示区域的亮度趋于一致。
86.在图1～图12所示例的一种电子设备的基础上，本公开实施例还提供了一种显示控制方法，参见图13，所述方法包括：
87.在步骤131中，获取显示屏的当前显示时长；
88.在步骤132中，基于预设的显示时长和充电时间的对应关系，确定与所述当前显示时长相匹配的目标充电时间；
89.在步骤132中，控制第二像素电路中存储电容的充电时间为所述目标充电时间。
90.需要说明的是，显示屏的当前显示时长可以从显示屏从黑屏切换亮屏时开始计时，然后从计时器读取当前的数值即是显示屏的当前显示时长。
91.这样，本示例中通过动态调整第二显示区域内存储内容的充电时间，可以达到第一显示区域和第二显示区域的亮度保持一致的显示效果，有利于提升观看体验。
92.在图1～图12所示例的一种电子设备的基础上，本公开实施例还提供了一种显示控制方法，参见图14，所述方法包括：
93.在步骤141中，获取显示屏的当前图像；所述当前图像是所述显示屏在显示预设时长后显示目标图像时拍摄得到；
94.在步骤142中，当所述当前图像中第一显示区域和第二显示区域的亮度差值超过设定阈值时，调整第二像素电路中存储电容的充电时间，直至所述亮度差值小于所述设定阈值为止。
95.需要说明的是，显示屏的当前图像可以利用外部摄像头拍摄如图1的显示状态时获得，然后存储到指定位置。这样，在电子设备有调整显示屏的需求，如用户触发相应的操作按键时，电子设备可以从指定位置读取上述图像作为当前图像进行处理。考虑到调整效果，利用摄像头采集图像的时间与触发操作按键的时间间隔尽量小(如小于或者等于5分钟)。
96.这样，本示例中通过采用显示屏的当前图像可以动态调整第二显示区域内存储内容的充电时间，可以达到第一显示区域和第二显示区域的亮度保持一致的显示效果，有利于提升观看体验。
97.图15是根据一示例性实施例示出的一种电子设备的框图。例如，电子设备1500可以是智能手机，计算机，数字广播终端，平板设备，医疗设备，健身设备，个人数字助理等。
98.参照图15，电子设备1500可以包括以下一个或多个组件：处理组件1502，存储器1504，电源组件1506，多媒体组件1508，音频组件1510，输入/输出(i/o)的接口1512，传感器组件1514，通信组件1516，图像采集组件1518，以及上述壳体。
99.处理组件1502通常控制电子设备1500的整体操作，诸如与显示，电话呼叫，数据通信，相机操作和记录操作相关联的操作。处理组件1502可以包括一个或多个处理器1520来执行计算机程序。此外，处理组件1502可以包括一个或多个模块，便于处理组件1502和其他组件之间的交互。例如，处理组件1502可以包括多媒体模块，以方便多媒体组件1508和处理组件1502之间的交互。
100.存储器1504被配置为存储各种类型的数据以支持在电子设备1500的操作。这些数据的示例包括用于在电子设备1500上操作的任何应用程序或方法的计算机程序，联系人数据，电话簿数据，消息，图片，视频等。存储器1504可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(sram)，电可擦除可编程只读存储器(eeprom)，可擦除可编程只读存储器(eprom)，可编程只读存储器(prom)，只读存储器(rom)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
101.电源组件1506为电子设备1500的各种组件提供电力。电源组件1506可以包括电源管理系统，一个或多个电源，及其他与为电子设备1500生成、管理和分配电力相关联的组件。电源组件1506可以包括电源芯片，控制器可以电源芯片通信，从而控制电源芯片导通或者断开开关器件，使电池向主板电路供电或者不供电。
102.多媒体组件1508包括在电子设备1500和目标对象之间的提供一个输出接口的屏幕。在一些实施例中，屏幕可以包括液晶显示屏(lcd)和触摸面板(tp)。如果屏幕包括触摸面板，屏幕可以被实现为触摸屏，以接收来自目标对象的输入信息。触摸面板包括一个或多个触摸传感器以感测触摸、滑动和触摸面板上的手势。触摸传感器可以不仅感测触摸或滑动动作的边界，而且还检测与触摸或滑动操作相关的持续时间和压力。
103.音频组件1510被配置为输出和/或输入音频文件信息。例如，音频组件1510包括一个麦克风(mic)，当电子设备1500处于操作模式，如呼叫模式、记录模式和语音识别模式时，麦克风被配置为接收外部音频文件信息。所接收的音频文件信息可以被进一步存储在存储
器1504或经由通信组件1516发送。在一些实施例中，音频组件1510还包括一个扬声器，用于输出音频文件信息。
104.i/o接口1512为处理组件1502和外围接口模块之间提供接口，上述外围接口模块可以是键盘，点击轮，按钮等。
105.传感器组件1514包括一个或多个传感器，用于为电子设备1500提供各个方面的状态评估。例如，传感器组件1514可以检测到电子设备1500的打开/关闭状态，组件的相对定位，例如组件为电子设备1500的显示屏和小键盘，传感器组件1514还可以检测电子设备1500或一个组件的位置改变，目标对象与电子设备1500接触的存在或不存在，电子设备1500方位或加速/减速和电子设备1500的温度变化。本示例中，传感器组件1514可以包括磁力传感器、陀螺仪和磁场传感器，其中磁场传感器包括以下至少一种：霍尔传感器、薄膜磁致电阻传感器、磁性液体加速度传感器。
106.通信组件1516被配置为便于电子设备1500和其他设备之间有线或无线方式的通信。电子设备1500可以接入基于通信标准的无线网络，如wifi，2g、3g、4g、5g，或它们的组合。在一个示例性实施例中，通信组件1516经由广播信道接收来自外部广播管理系统的广播信息或广播相关信息。在一个示例性实施例中，通信组件1516还包括近场通信(nfc)模块，以促进短程通信。例如，在nfc模块可基于射频识别(rfid)技术，红外数据协会(irda)技术，超宽带(uwb)技术，蓝牙(bt)技术和其他技术来实现。
107.在示例性实施例中，电子设备1500可以被一个或多个应用专用集成电路(asic)、数字信息处理器(dsp)、数字信息处理设备(dspd)、可编程逻辑器件(pld)、现场可编程门阵列(fpga)、控制器、微控制器、微处理器或其他电子元件实现。
108.在示例性实施例中，还提供了一种电子设备，包括：
109.处理器；
110.用于存储所述处理器可执行的计算机程序的存储器；
111.其中，所述处理器被配置为执行所述存储器中的计算机程序，以实现如图1和图8所述方法的步骤。
112.在示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，例如包括指令的存储器，上述可执行的计算机程序可由处理器执行，以实现如图1和图8所述方法的步骤。其中，可读存储介质可以是rom、随机存取存储器(ram)、cd-rom、磁带、软盘和光数据存储设备等。
113.本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
114.应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。