像素驱动电路、方法、装置及显示面板与流程
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路、方法、装置及显示面板。
背景技术：
有机发光二极管(oled，organiclightemittingdisplay)显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、色彩鲜艳、对比度高、宽视角、响应速度快、功耗低等优点，已发展成为最具有发展潜力的显示面板。目前常采用低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)作为所述oled中像素驱动电路的驱动晶体管。
目前像素驱动电路在较高刷新率的工作状态下会存在像素亮度不均匀的问题，目前尚缺乏应对此问题的像素驱动电路。
技术实现要素：
本公开提供一种像素驱动电路、方法、装置及显示面板。本公开的技术方案如下：
根据本公开实施例的第一方面，提供一种像素驱动电路，包括驱动模块、复位模块、数据写入模块、第一发光控制模块、第二发光控制模块、存储电容模块和发光元件；
所述驱动模块的控制端连接第一节点，所述驱动模块的输入端通过第二节点接入恒压高电位，所述驱动模块的输出端连接第三节点；
所述复位模块的控制端连接第一扫描信号线，所述复位模块的输入端连接复位信号线，所述复位模块的输出端连接所述第一节点和第四节点；
所述数据写入模块的控制端连接第二扫描信号线，所述数据写入模块的输入端连接数据信号线，所述数据写入模块的输出端连接所述第二节点；
所述第一发光控制模块的控制端连接发光控制信号线，所述第一发光控制模块的输入端接入所述恒压高电位，所述第一发光控制模块的输出端连接所述第二节点；
所述第二发光控制模块的控制端连接所述发光控制信号线，所述第二发光控制模块的输入端接入所述第三节点，所述第一发光控制模块的输出端连接所述第四节点；
所述存储电容模块的控制端连接刷新率控制信号线，所述存储电容模块的输入端接入所述恒压高电位，所述存储电容模块的输出端连接所述第一节点；
所述发光元件的阳性电极连接所述第四节点，所述发光元件的阴性电极接入恒压低电位；
其中，所述存储电容模块用于在所述刷新率控制信号线的控制下，当所述像素驱动电路处于第一刷新率工作状态时输出第一电容值，并当所述像素驱动电路处于第二刷新率工作状态时输出第二电容值，所述第二电容值大于所述第一电容值，所述第一刷新率工作状态的刷新率小于所述第二刷新率工作状态的刷新率。
可选地，所述存储电容模块包括第一存储电容、第二存储电容和刷新率切换子模块；
所述第一存储电容的第一端接入所述恒压高电位，所述第一存储电容的第二端连接第五节点；
所述第二存储电容的第一端连接所述第五节点，所述第二存储电容的第二端连接所述第一节点；
所述刷新率切换子模块的控制端连接所述刷新率控制信号线，所述刷新率切换子模块的输入端连接所述第五节点，所述刷新率切换子模块的输出端接入所述恒压高电位；
其中，当所述像素驱动电路处于所述第一刷新率工作状态时，所述刷新率切换子模块闭合，以使得所述存储电容模块通过所述第二存储电容输出所述第二电容值；所述像素驱动电路处于所述第二刷新率工作状态时，所述刷新率切换子模块断开，以使得所述存储电容模块通过所述第一存储电容和所述第二存储电容串联输出所述第一电容值。
可选地，所述像素驱动电路还包括阈值补偿模块，所述阈值补偿模块的控制端连接所述第二扫描信号线，所述阈值补偿模块的输入端连接所述第三节点，所述阈值补偿模块的输出端连接所述第一节点。
可选地，所述驱动模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述第一节点，所述第三晶体管的源极连接所述第二节点，所述第三晶体管的漏极通过所述第三节点。
可选地，所述数据写入模块包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线，所述第二晶体管的源极连接所述数据信号线，所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点。
可选地，所述复位模块包括第五晶体管和第七晶体管；
所述第五晶体管的栅极连接所述第一扫描信号线，所述第五晶体管的源极连接所述复位信号线，所述第五晶体管的漏极连接所述第一节点；
所述第七晶体管的栅极连接所述第一扫描信号线，所述第七晶体管的源极连接所述复位信号线，所述第七晶体管的漏极通过所述第四节点连接所述发光元件的阳性电极。
可选地，所述存储电容模块包括第八晶体管、所述第一存储电容和所述第二存储电容，所述第八晶体管的栅极连接所述刷新率控制信号线，所述第八晶体管的源极连接所述恒压高电位，所述第八晶体管的漏极通过所述第五节点连接所述第二存储电容的第一端，所述第二存储电容的第一端连接所述第五节点，所述第二存储电容的第二端连接所述第一节点，所述第一存储电容的第一端连接所述恒压高电位，所述第二存储电容的第二端连接所述第五节点。
可选地，所述阈值补偿模块包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线，所述第四晶体管的源极连接所述第三节点，所述第四晶体管的漏极连接所述第一节点。
可选地，所述第一发光控制模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述发光控制信号线，所述第一晶体管的源极连接所述恒压高电位，所述第一晶体管的漏极连接所述第二节点。
可选地，所述第二发光控制模块包括第六晶体管，所述第六晶体管的栅极连接所述发光控制信号线，所述第六晶体管的源极连接所述第三节点，所述第六晶体管的漏极通过所述第四节点连接所述发光元件的阳性电极。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种像素驱动方法，用于驱动如所述第一方面中的所述像素驱动电路，其特征在于，所述方法包括：
据所述刷新率控制信号控制所述存储电容模块的输出电容；
控制所述像素驱动电路处于复位阶段，其中，所述第一发光控制模块、所述数据写入模块、所述驱动模块、阈值补偿模块、所述第二发光控制模块暂停运行，且所述复位模块运行，以使所述第一节点和所述第四节点的电位在所述复位模块的控制下复位至初始化电压，所述初始化电压经所述复位信号线输入所述复位模块；
控制所述像素驱动电路处于阈值电压补偿阶段，其中，所述第一发光控制模块、所述第二发光控制模块、所述复位模块暂停运行，所述数据写入模块、所述驱动模块、所述阈值补偿模块运行，以使所述第一节点的电位达到补偿电压，所述数据电压经所述数据信号线输入所述数据写入模块；
控制所述像素驱动电路处于发光阶段，所述数据写入模块、所述阈值补偿模块、所述复位模块暂停运行，所述第一发光控制模块、所述驱动模块、所述第二发光控制模块运行，以使驱动电流驱动所述发光元件发光，所述驱动电流经所述发光控制信号线输入所述第一发光控制模块和所述第二发光控制模块，所述驱动电流由所述存储电容模块产生。
可选地，所述根据刷新率控制信号控制所述存储电容模块的输出电容，包括：
如果所述刷新率控制信号为第一刷新率控制信号，则第八晶体管打开，以使所述存储电容模块通过第一存储电容和第二存储电容串联输出所述第一电容值；
如果所述刷新率控制信号为第二刷新率控制信号，则第八晶体管关闭，以使所述存储电容模块通过所述第二存储电容输出所述第二电容值，其中，所述第一刷新率控制信号的刷新率大于所述第二刷新率控制信号的刷新率。
可选地，所述控制所述像素驱动电路处于复位阶段，包括：
通过所述第一扫描信号线输入复位信号；
通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；
通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
可选地，所述控制所述像素驱动电路处于阈值电压补偿阶段，包括：
通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；
通过所述第二扫描信号线输入补偿信号；
通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
可选地，所述控制所述像素驱动电路处于发光阶段，包括：
通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；
通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；
通过所述发光控制信号线输入发光信号。
可选地，所述复位禁止信号的电位高于所述复位信号，所述补偿禁止信号的电位高于所述补偿信号，所述发光禁止信号的电位高于所述发光信号。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种显示面板，包括如所述第一方面中所述的像素驱动电路。
根据本公开实施例的第四方面，提供一种像素驱动装置，包括：
刷新率控制模块，用于根据刷新率控制信号控制存储电容模块的输出电容；
复位控制模块，用于控制像素驱动电路处于复位阶段，其中，第一发光控制模块、数据写入模块、驱动模块、阈值补偿模块、第二发光控制模块暂停运行，且复位模块运行，以使第一节点和第四节点的电位在所述复位模块的控制下复位至初始化电压，所述初始化电压经复位信号线输入所述复位模块；
补偿控制模块，用于控制所述像素驱动电路处于阈值电压补偿阶段，其中，所述第一发光控制模块、所述第二发光控制模块、所述复位模块暂停运行，所述数据写入模块、所述驱动模块、所述阈值补偿模块运行，以使所述第一节点的电位达到补偿电压，数据电压经数据信号线输入所述数据写入模块；
发光控制模块，用于控制所述像素驱动电路处于发光阶段，所述数据写入模块、所述阈值补偿模块、所述复位模块暂停运行，所述第一发光控制模块、所述驱动模块、所述第二发光控制模块运行，以使驱动电流驱动发光元件发光，所述驱动电流经发光控制信号线输入所述第一发光控制模块和所述第二发光控制模块，所述驱动电流由所述存储电容模块产生。
可选地，所述刷新率控制模块，包括：
第一刷新率控制子模块，如果所述刷新率控制信号为第一刷新率控制信号，则用于使第八晶体管打开，以使所述存储电容模块通过第一存储电容和第二存储电容串联输出所述第一电容值；
第二刷新率控制子模块，如果所述刷新率控制信号为第二刷新率控制信号，则用于使第八晶体管关闭，以使所述存储电容模块通过所述第二存储电容输出所述第二电容值，其中，所述第一刷新率控制信号的刷新率大于所述第二刷新率控制信号的刷新率。
可选地，所述复位控制模块，包括：
第一复位控制子模块，用于通过所述第一扫描信号线输入复位信号；
第二补偿控制子模块，用于通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；
第二发光控制子模块，用于通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
可选地，所述补偿控制模块，包括：
第二复位控制子模块，用于通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；
第一补偿控制子模块，用于通过所述第二扫描信号线输入补偿信号；
第二发光控制子模块，用于通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
可选地，所述发光控制模块，包括：
第二复位控制子模块，用于通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；
第二补偿控制子模块，用于通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；
第一发光控制子模块，用于通过所述发光控制信号线输入发光信号。
可选地，所述复位禁止信号的电位高于所述复位信号，所述补偿禁止信号的电位高于所述补偿信号，所述发光禁止信号的电位高于所述发光信号。
本公开的实施例提供的技术方案至少带来以下有益效果：
当像素驱动电路处于高刷新率工作时，使所述第一存储电容和第二存储电容串联输出电容值较小的第一电容值，减少所述阈值电压补偿阶段中所述存储电容充电的时长。以使所述像素驱动电路的经过所述发光元件的电流稳定，从而满足高刷新率显示时驱动模块的控制端的电压快速变化的要求，由此使得该像素驱动电路能够适用于高刷新率工作状态。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理，并不构成对本公开的不当限定。
图1是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路的电路结构示意图。
图2是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路的电路结构示意图。
图3是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路的电路结构示意图。
图4是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于低刷新率工作状态的等效电路结构示意图。
图5是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于低刷新率工作状态的时序示意图。
图6是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于高刷新率工作状态的等效电路结构示意图。
图7是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于高刷新率工作状态的时序示意图。
图8是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。
图9是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。
图10是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。
图11是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。
图12是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。
图13是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。
图14是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。
图15是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。
图16是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。
图17是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。
具体实施方式
为了使本领域普通人员更好地理解本公开的技术方案，下面将结合附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
需要说明的是，本公开的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
具备有源矩阵有机发光二极管（active-matrixorganiclight-emittingdiode，amoled）的面板具有高刷新率、高对比度、高色域、可柔性的优势，目前amoled驱动技术已经广泛应用于手机与tv等终端产品，所述amoled属于有机发光二极管(oled，organiclightemittingdisplay)。oled显示面板具有自发光、驱动电压低、发光效率高、色彩鲜艳、对比度高、宽视角、响应速度快、功耗低等优点，已发展成为最具有发展潜力的显示面板。目前常采用低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)作为所述oled中像素驱动电路的驱动晶体管。
而目前通常采用的像素驱动电路中存储电容模块的输出电容是不可变的，如果所述输出电容较小，在低刷新率工作状态时可能会由于发光元件的发光阶段时长过长而无法长时间维持驱动晶体管的栅极电压的稳定，从而导致发光元件闪烁。如果所述输出电容较大，则虽然能满足低刷新率工作状态，但是可能又无法满足高刷新率工作状态。目前尚缺乏可以同时满足低刷新率工作状态和高刷新率工作状态的像素驱动电路。
为优化amoled均一性问题，屏厂均采用7t1c的像素电路，在一行的时间里面，对驱动管进行阈值补偿，尽量缩小面内像素电路发光电流的差异，从而减小面内像素发光亮度的差异，实现均一性的提升。但是随着刷新频率提升，例如60hz到120hz，这样一行的时间缩短了一半，即充电时间减半，导致在120hz和60hz下的阈值抓取有差异，进而导致在120hz和60hz在相同低灰阶下的均一性有差异，所以在低灰阶下进行120hz和60hz之间切换刷新率时，可明显看到均一性变化，导致切频视效较差。
7t1c像素电路发光电流为：i=k*（pvdd-vdata-vth）^2。所述i为电流、所述pvdd为恒压高电位，所述vdata为数据电压，在灰阶固定时，所述vdd、vdata的值均为固定值。
所述vth为阈值电压，面内各像素驱动管阈值补偿充分时，上式中vth为0，则发光电流一致，均一性好；面内各像素驱动管阈值补偿不够时，上式中vth就会出现差异，所述差异受制程影响，发光电流就会不一致，均一性差。
图1是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路的电路结构示意图，如图1所示，所述像素驱动电路100，包括以下结构：驱动模块110、复位模块120、数据写入模块130、第一发光控制模块140、第二发光控制模块150、存储电容模块160和发光元件170、第一节点n1、第二节点n2、第三节点n3、第四节点n4。control为所述刷新率控制信号线，用于输入所述刷新率控制信号fcontrol、ref为所述复位信号线，用于输入复位信号vref、mit为所述发光控制信号线，用于输入发光控制信号emit、vdd为所述恒压高电位，其电位为pvdd、vee为接地线，其电位为0、s1为所述第一扫描信号线，用于输入所述第一扫描信号scan1、s2为所述第二扫描信号线，用于输入所述第二扫描信号scan2。
所述驱动模块的控制端连接第一节点，所述驱动模块的输入端通过第二节点接入恒压高电位，所述驱动模块的输出端连接第三节点。所述驱动模块可以调整所述发光元件的发光亮度。
所述像素驱动电路的工作流程包括发光阶段，所述发光阶段中，所述存储电容模块、所述第一发光控制模块、所述第二发光控制模块、所述驱动模块开始运行，其他模块暂停运行。以使所述发光元件发光。其中，所述发光元件的发光亮度可以根据所述存储电容模块生成的驱动电流控制。
所述复位模块的控制端连接第一扫描信号线，所述复位模块的输入端连接复位信号线，所述复位模块的输出端连接所述第一节点和第四节点。所述复位模块可以实现所述存储电容模块和所述发光元件的复位。
所述像素驱动电路的工作流程包括复位阶段，在所述复位阶段中，所述复位模块和所述存储电容模块开始运行，其他模块停止运行。所述初始化电压vref经所述复位信号线输入所述复位模块，以使所述第一节点和所述第四节点的电位达到所述vref。所述复位阶段用于将所述存储电容模块和所述发光元件复位，清除上一阶段可能存在信号残留。
所述数据写入模块的控制端连接第二扫描信号线，所述数据写入模块的输入端连接数据信号线，所述数据写入模块的输出端连接所述第二节点。所述数据写入模块可以将所述数据电压写入所述存储电容模块。
所述像素驱动电路的工作流程包括阈值电压补偿阶段，所述阈值电压补偿阶段中，所述数据写入模块、所述驱动模块和所述存储电容模块进入运行状态，其他模块暂停运行。使所述数据电压vdata通过所述数据信号线输入所述数据写入模块，以使所述第一节点的电位达到补偿电位。所述补偿电位的计算公式为：vc=vdata-|vth|。式中，所述vc为所述补偿电位，所述vth为所述阈值电压，所述vdata为所述数据电压。
所述第一发光控制模块的控制端连接发光控制信号线，所述第一发光控制模块的输入端接入所述恒压高电位，所述第一发光控制模块的输出端连接所述第二节点。所述第一发光控制模块可以使电流通过所述发光元件，以使所述发光元件发光。
所述第二发光控制模块的控制端连接所述发光控制信号线，所述第二发光控制模块的输入端接入所述第三节点，所述第一发光控制模块的输出端连接所述第四节点。所述第二发光控制模块可以使电流通过所述发光元件，以使所述发光元件发光。
所述存储电容模块的控制端连接刷新率控制信号线，所述存储电容模块的输入端接入所述恒压高电位，所述存储电容模块的输出端连接所述第一节点。所述存储电容模块可以存储所述数据电压。
所述发光元件的阳性电极连接所述第四节点，所述发光元件的阴性电极接入恒压低电位。所述发光元件用于发光，以展示数据写入模块写入的信息。
其中，所述存储电容模块用于在所述刷新率控制信号线的控制下，当所述像素驱动电路处于第一刷新率工作状态时输出第一电容值，并当所述像素驱动电路处于第二刷新率工作状态时输出第二电容值，所述第二电容值大于所述第一电容值，所述第一刷新率工作状态的刷新率小于所述第二刷新率工作状态的刷新率。
图2是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路的电路结构示意图，如图1所示，所述像素驱动电路200，包括以下结构：驱动模块210、复位模块220、数据写入模块230、第一发光控制模块240、第二发光控制模块250、存储电容模块260、发光元件270和阈值补偿模块280、第一节点n1、第二节点n2、第三节点n3、第四节点n4。control为所述刷新率控制信号线，用于输入所述刷新率控制信号fcontrol、ref为所述复位信号线，用于输入复位信号vref、mit为所述发光控制信号线，用于输入发光控制信号emit、vdd为所述恒压高电位，其电位为pvdd、vee为接地线，其电位为0、s1为所述第一扫描信号线，用于输入所述第一扫描信号scan1、s2为所述第二扫描信号线，用于输入所述第二扫描信号scan2。
所述阈值补偿模块的控制端连接所述第二扫描信号线，所述阈值补偿模块的输入端连接所述第三节点，所述阈值补偿模块的输出端连接所述第一节点。所述阈值补偿模块可以使所述第一节点和所述第三节点的电位达到补偿电位。
所述像素驱动电路的工作流程包括阈值电压补偿阶段，所述补偿阶段中，所述数据写入模块、所述驱动模块、所述阈值补偿模块和所述存储电容模块进入运行状态，其他模块暂停运行。使所述数据电压vdata通过所述数据信号线输入所述数据写入模块，再通过所述驱动模块和阈值补偿模块为所述存储电容模块充电，以使所述第一节点和所述第三节点的电位达到补偿电位vc。所述补偿电压的计算公式为：vc=vdata-|vth|。式中，所述vc为所述补偿电位，所述vth为所述阈值电压，所述vdata为所述数据电压。阈值电压补偿阶段完成后，所述第二节点的电位为vdata。
图3是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路的电路结构示意图，如图3所示，所述像素驱动电路300，包括以下结构：第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3、第四晶体管m4、第五晶体管m5、第六晶体管m6、第七晶体管m7、第八晶体管m8、发光元件l、第一存储电容c1、第二存储电容c2。control为所述刷新率控制信号线，用于输入所述刷新率控制信号fcontrol、ref为所述复位信号线，用于输入复位信号vref、mit为所述发光控制信号线，用于输入发光控制信号emit、vdd为所述恒压高电位，其电位为pvdd、vee为接地线，其电位为0、s1为所述第一扫描信号线，用于输入所述第一扫描信号scan1、s2为所述第二扫描信号线，用于输入所述第二扫描信号scan2。
由于低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)薄膜晶体管比铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)薄膜晶体管的迁移率更高、驱动能力更强，因此ltps薄膜晶体管比igzo薄膜晶体管更广泛地应用于显示面板中，但是，ltps薄膜晶体管比igzo薄膜晶体管的漏电流大，尤其是在低刷新率显示时由于漏电流大ltps薄膜晶体管的闪烁尤其明显，而igzo薄膜晶体管则正好可以弥补ltps薄膜晶体管的不足，将两者充分结合起来充分利用各自的优点，能使显示面板同时具有强驱动能力和低功率消耗的特别，同时适用于高刷新率显示和低刷新率显示，这就是目前显示面板领域炙手可热的低温多晶氧化物(ltpo)显示技术。
本公开实施例利用ltpo显示技术，结合低温多晶硅(ltps)和氧化铟镓锌(igzo)两种薄膜晶体管，将igzo薄膜晶体管作为像素驱动电路中易漏电处的薄膜晶体管，例如与驱动晶体管的栅极连接的薄膜晶体管，以防止低刷新率驱动时驱动晶体管栅极的电荷漏走，从而使像素驱动电路适于实现低刷新率驱动，减少闪烁现象的同时降低显示面板的功耗。
在一种可能的实施方式中，所述第一晶体管m1、第二晶体管m2、第三晶体管m3、第四晶体管m4、第五晶体管m5、第六晶体管m6、第七晶体管m7、第八晶体管m8均为p型晶体管。
可选地，所述驱动模块包括第三晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述第一节点，所述第三晶体管的源极连接所述第二节点，所述第三晶体管的漏极通过所述第三节点。所述第三晶体管可以调整所述发光元件的发光亮度。
在所述阈值电压补偿阶段和所述发光阶段中，所述第三晶体管根据其栅极电压的控制处于闭合状态，可以等效为一条导线。在所述复位阶段中，所述第三晶体管根据栅极电压的控制处于打开状态，电流无法从其中通过。
可选地，所述数据写入模块包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线，所述第二晶体管的源极连接所述数据信号线，所述第二晶体管的漏极连接所述第二节点。所述第二晶体管可以将所述数据电压写入所述存储电容模块。
在所述阈值电压补偿阶段中，所述第二晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿信号的控制处于闭合状态，可以等效为一条导线。在所述复位阶段和所述发光阶段中，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从其中通过。
可选地，所述复位模块包括第五晶体管和第七晶体管。
所述第五晶体管的栅极连接所述第一扫描信号线，所述第五晶体管的源极连接所述复位信号线，所述第五晶体管的漏极连接所述第一节点。所述第五晶体管可以实现所述存储电容模块。
所述第七晶体管的栅极连接所述第一扫描信号线，所述第七晶体管的源极连接所述复位信号线，所述第七晶体管的漏极通过所述第四节点连接所述发光元件的阳性电极。所述第七晶体管可以实现所述发光元件的复位。
在所述复位阶段中，所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位信号的控制处于闭合状态，可以等效为一条导线。在所述阈值电压补偿阶段和所述发光阶段中，所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从其中通过。
可选地，所述存储电容模块包括第八晶体管、所述第一存储电容和所述第二存储电容，所述第八晶体管的栅极连接所述刷新率控制信号线，所述第八晶体管的源极连接所述恒压高电位，所述第八晶体管的漏极通过所述第五节点连接所述第二存储电容的第一端，所述第二存储电容的第一端连接所述第五节点，所述第二存储电容的第二端连接所述第一节点，所述第一存储电容的第一端连接所述恒压高电位，所述第二存储电容的第二端连接所述第五节点。所述第一存储电容和第二存储电容可以存储所述数据电压，所述第八晶体管可以控制刷新率切换子模块的输出电容。
在所述高刷新率工作状态下，所述第八晶体管根据所述刷新率控制信号线输入的所述第一刷新率控制信号的控制处于关闭状态，以使所述存储电容模块通过所述第一存储电容和所述第二存储电容串联输出所述第一电容值；
在所述低刷新率工作状态下，所述第八晶体管根据所述刷新率控制信号线输入的所述第一刷新率控制信号的控制处于打开状态，以使所述存储电容模块通过所述第一存储电容和所述第二存储电容串联输出所述第一电容值；
可选地，所述阈值补偿模块包括第四晶体管，所述第四晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线，所述第四晶体管的源极连接所述第三节点，所述第四晶体管的漏极连接所述第一节点。
在所述阈值电压补偿阶段中，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿信号的控制处于闭合状态，可以等效为一条导线。在所述复位阶段和所述发光阶段中，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从其中通过。
可选地，所述第一发光控制模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接所述发光控制信号线，所述第一晶体管的源极连接所述恒压高电位，所述第一晶体管的漏极连接所述第二节点。所述第一晶体管可以使电流通过所述发光元件，以使所述发光元件发光。所述发光元件用于发光，以展示所述数据写入模块写入的信息。
在所述发光阶段中，所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光信号的控制处于闭合状态，可以等效为一条导线。在所述阈值电压补偿阶段和所述复位阶段中，所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从其中通过。
可选地，所述第二发光控制模块包括第六晶体管，所述第六晶体管的栅极连接所述发光控制信号线，所述第六晶体管的源极连接所述第三节点，所述第六晶体管的漏极通过所述第四节点连接所述发光元件的阳性电极。所述第二晶体管可以使电流通过所述发光元件，以使所述发光元件发光。
图4是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于低刷新率工作状态的等效电路结构示意图。如图4所示，所述第八晶体管处于闭合状态，可以等效为导线，所述第一存储电容c1被短路，所述存储电容模块输出电容值等于所述第二存储电容c2的电容值。
图5是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于低刷新率工作状态的时序示意图。所述第一扫描信号线输入信号为scan1，所述第二扫描信号线输入信号为scan2、所述发光控制信号线输入信号为emit。在复位阶段t1所述第一扫描信号线输入信号复位信号，所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号，发光控制信号线输入发光禁止信号。阈值电压补偿阶段t2，所述第一扫描信号线输入复位禁止信号，所述第二扫描信号线输入补偿信号，所述发光控制信号线输入发光禁止信号。发光阶段t3，所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；所述发光控制信号线输入发光信号。所述复位禁止信号的电位高于所述复位信号，所述补偿禁止信号的电位高于所述补偿信号，所述发光禁止信号的电位高于所述发光信号。
图6是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于高刷新率工作状态的等效电路结构示意图。如图6所示，所述第八晶体管处于打开状态，可以等效为断路，即所述第一存储电容c1和所述第二存储电容c2并联。所述存储电容模块输出电容值等于所述第一存储电容和所述第二存储电容并联电容值，即第二电容值。
在一种可能的实施例中，所述c1的电容值为6法拉，所述c2的电容值为4法拉，则所述第二电容值为
图7是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动电路处于高刷新率工作状态的时序示意图。所述第一扫描信号线输入信号为scan1，所述第二扫描信号线输入信号为scan2、所述发光控制信号线输入信号为emit。在复位阶段t1所述第一扫描信号线输入复位信号，所述第二扫描信号线入补偿禁止信号，发光控制信号线输入发光禁止信号。阈值电压补偿阶段t2，所述第一扫描信号线输入复位禁止信号，所述第二扫描信号线输入补偿信号，所述发光控制信号线输入发光禁止信号。发光阶段t3，所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；所述发光控制信号线输入发光信号。所述复位禁止信号的电位高于所述复位信号，所述补偿禁止信号的电位高于所述补偿信号，所述发光禁止信号的电位高于所述发光信号。
图8是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。如图8所示，该方法包括：
步骤801，根据所述刷新率控制信号控制所述存储电容模块的输出电容。
本公开通过改变所述存储电容模块的输出电容，以减小所述像素驱动电路在高刷新率工作状态和低刷新率工作状态下屏幕像素的亮度差别，提高屏幕亮度的均一性。本步骤可以根据所述刷新率控制所述存储电容模块的输出电容。
步骤802，控制所述像素驱动电路处于复位阶段，其中，所述第一发光控制模块、所述数据写入模块、所述驱动模块、所述阈值补偿模块、所述第二发光控制模块暂停运行，且所述复位模块运行，以使所述第一节点和所述第四节点的电位在所述复位模块的控制下复位至初始化电压，所述初始化电压经所述复位信号线输入所述复位模块。
所述驱动模块包括第三晶体管，所述数据写入模块包括第二晶体管，所述复位模块包括第五晶体管和第七晶体管，所述存储电容模块包括第八晶体管、所述第一存储电容和所述第二存储电容，所述阈值补偿模块包括第四晶体管。
在所述复位阶段，所述第三晶体管根据栅极电压的控制处于打开状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光禁止信号的控制处于打开状态。电流无法从处于打开状态的晶体管中通过。所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位信号的控制处于闭合状态，所述初始化电压vref经所述复位信号线输入所述第五晶体管和所述第七晶体管，以使所述第一节点和所述第四节点的电位达到所述vref。所述复位阶段用于将所述存储电容模块和所述发光元件复位，清除上一阶段可能存在信号残留。
步骤803，控制所述像素驱动电路处于阈值电压补偿阶段，其中，所述第一发光控制模块、所述第二发光控制模块、所述复位模块暂停运行，所述数据写入模块、所述驱动模块、所述阈值补偿模块运行，以使所述第一节点的电位达到补偿电压，所述数据电压经所述数据信号线输入所述数据写入模块。
所述驱动模块包括第三晶体管，所述数据写入模块包括第二晶体管，所述复位模块包括第五晶体管和第七晶体管，所述存储电容模块包括第八晶体管、所述第一存储电容和所述第二存储电容，所述阈值补偿模块包括第四晶体管。
在所述阈值电压补偿阶段，其中，所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位禁止信号的控制处于打开状态，所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从处于打开状态的晶体管中通过。所述第二晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿信号的控制处于闭合状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿信号的控制处于闭合状态，所述第三晶体管根据其栅极电压的控制处于闭合状态，使所述数据电压vdata通过所述数据信号线输入所述第二晶体管，以使所述第一节点的电位达到补偿电位。所述补偿电位的计算公式为：vc=vdata-|vth|。式中，所述vc为所述补偿电位，所述vth为所述阈值电压，所述vdata为所述数据电压。
步骤804，控制所述像素驱动电路处于发光阶段，所述数据写入模块、所述阈值补偿模块、所述复位模块暂停运行，所述第一发光控制模块、所述驱动模块、所述第二发光控制模块运行，以使驱动电流驱动所述发光元件发光，所述驱动电流经所述发光控制信号线输入所述第一发光控制模块和所述第二发光控制模块，所述驱动电流由所述存储电容模块产生。
所述驱动模块包括第三晶体管，所述数据写入模块包括第二晶体管，所述复位模块包括第五晶体管和第七晶体管，所述存储电容模块包括第八晶体管、所述第一存储电容和所述第二存储电容，所述阈值补偿模块包括第四晶体管。
在所述发光阶段中，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位禁止信号的控制处于打开状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从处于打开状态的晶体管中通过。所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光信号的控制处于闭合状态，所述第三晶体管根据其栅极电压的控制处于闭合状态，以使电流通过所述发光元件，使所述发光元件发光。并根据所述发光控制信号线输入的所述驱动电流控制亮度。
图9是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。如图9所示，该方法包括：
步骤901，如果所述刷新率控制信号为第一刷新率控制信号，则第八晶体管打开，以使所述存储电容模块通过第一存储电容和第二存储电容串联输出所述第一电容值。
在高刷新率工作状态下，所述第一刷新率控制信号通过所述刷新率控制信号线输入所述第八晶体的栅极，使第八晶体管打开。此时所述第八晶体可以等效为断路，所述第一存储电容和所述第二存储电容串联。
步骤902，如果所述刷新率控制信号为第二刷新率控制信号，则第八晶体管关闭，以使所述存储电容模块通过所述第二存储电容输出所述第二电容值，其中，所述第一刷新率控制信号的刷新率大于所述第二刷新率控制信号的刷新率。
在低刷新率工作状态下，所述第二刷新率控制信号通过所述刷新率控制信号线输入所述第八晶体的栅极，使第八晶体管闭合。此时所述第八晶体可以等效为短路，只有所述第一存储电容有电流经过。
单位时间内充电电压与电容大小公式为：
由于所述第一电容值大于所述第二电容值，所以在所述高刷新率工作状态下所述存储电容模块的充电速度较快，在所述低刷新率工作状态下所述存储电容模块的充电速度较慢。本公开可以通过控制所述第一存储电容和所述第二存储电容电容值的大小来适应不同的刷新率切换场景。
图10是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。如图10所示，该方法包括：
步骤1001，通过所述第一扫描信号线输入复位信号。
利用所述复位信号使所述第五晶体管和所述第七晶体管进入闭合状态，以使所述第一节点和所述第四节点的电位写到所述vref。
步骤1002，通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号。
利用所述补偿禁止信号使所述第二晶体管和所述第四晶体管进入打开状态。
步骤1003，通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
利用所述发光禁止信号使所述第一晶体管和所述第六晶体管进入打开状态。
图11是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。如图11所示，该方法包括：
步骤1101，通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号。
利用所述复位禁止信号使所述第五晶体管和所述第七晶体管进入打开状态。
步骤1102，通过所述第二扫描信号线输入补偿信号。
利用所述补偿信号使所述第二晶体管和所述第四晶体管进入闭合状态。
步骤1103，通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
利用所述发光禁止信号使所述第一晶体管和所述第六晶体管进入打开状态。
图12是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动方法的流程示意图。如图12所示，该方法包括：
步骤1201，通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号。
利用所述复位禁止信号使所述第五晶体管和所述第七晶体管进入打开状态。
步骤1202，通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号。
利用所述补偿禁止信号使所述第二晶体管和所述第四晶体管进入打开状态。
步骤1203，通过所述发光控制信号线输入发光信号。
利用所述发光信号使所述第一晶体管和所述第六晶体管进入闭合状态，以使所述发光元件发光，并通过所述存储电容模块控制所述发光元件的发光亮度。
可选地，所述复位禁止信号的电位高于所述复位信号，所述补偿禁止信号的电位高于所述补偿信号，所述发光禁止信号的电位高于所述发光信号。
本公开实施例还提供一种显示面板，包括上述的像素驱动电路。
本公开实施例提供一种像素驱动装置，图13是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。如图13所示，所述像素驱动装置1300包括：
刷新率控制模块1310，用于根据刷新率控制信号控制存储电容模块的输出电容。
本公开通过改变所述存储电容模块的输出电容，以减小所述像素驱动电路在高刷新率工作状态和低刷新率工作状态下屏幕像素的亮度差别，提高屏幕亮度的均一性。本模块可以根据所述刷新率控制所述存储电容模块的输出电容。
复位控制模块1320，用于控制像素驱动电路处于复位阶段，其中，第一发光控制模块、数据写入模块、驱动模块、阈值补偿模块、第二发光控制模块暂停运行，且复位模块运行，以使第一节点和第四节点的电位在所述复位模块的控制下复位至初始化电压，所述初始化电压经复位信号线输入所述复位模块。
在所述复位阶段，所述第三晶体管根据栅极电压的控制处于打开状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光禁止信号的控制处于打开状态。电流无法从处于打开状态的晶体管中通过。所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位信号的控制处于闭合状态，所述初始化电压vref经所述复位信号线输入所述第五晶体管和所述第七晶体管，以使所述第一节点和所述第四节点的电位达到所述vref。所述复位阶段用于将所述存储电容模块和所述发光元件复位，清除上一阶段可能存在信号残留。
补偿控制模块1330，用于控制所述像素驱动电路处于阈值电压补偿阶段，其中，所述第一发光控制模块、所述第二发光控制模块、所述复位模块暂停运行，所述数据写入模块、所述驱动模块、所述阈值补偿模块运行，以使所述第一节点的电位达到补偿电压，数据电压经数据信号线输入所述数据写入模块；
在所述阈值电压补偿阶段，其中，所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位禁止信号的控制处于打开状态，所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从处于打开状态的晶体管中通过。所述第二晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿信号的控制处于闭合状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿信号的控制处于闭合状态，所述第三晶体管根据其栅极电压的控制处于闭合状态，使所述数据电压vdata通过所述数据信号线输入所述第二晶体管，以使所述第一节点的电位达到补偿电位。所述补偿电位的计算公式为：vc=vdata-|vth|。式中，所述vc为所述补偿电位，所述vth为所述阈值电压，所述vdata为所述数据电压。
发光控制模块，用于控制所述像素驱动电路处于发光阶段，所述数据写入模块、所述阈值补偿模块、所述复位模块暂停运行，所述第一发光控制模块、所述驱动模块、所述第二发光控制模块运行，以使驱动电流驱动发光元件发光，所述驱动电流经发光控制信号线输入所述第一发光控制模块和所述第二发光控制模块，所述驱动电流由所述存储电容模块产生。
在所述发光阶段中，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，所述第五晶体管和所述第七晶体管根据所述第一扫描信号线输入的所述复位禁止信号的控制处于打开状态，所述第四晶体管根据所述第二扫描信号线输入的所述补偿禁止信号的控制处于打开状态，电流无法从处于打开状态的晶体管中通过。所述第一晶体管和所述第六晶体管根据所述发光控制信号线输入的所述发光信号的控制处于闭合状态，所述第三晶体管根据其栅极电压的控制处于闭合状态，以使电流通过所述发光元件，使所述发光元件发光。并根据所述发光控制信号线输入的所述驱动电流控制亮度。
图14是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。如图14所示，所述像素驱动装置1400包括：
第一刷新率控制子模块1410，如果所述刷新率控制信号为第一刷新率控制信号，则用于将第八晶体管打开，以使所述存储电容模块通过第一存储电容和第二存储电容串联输出所述第一电容值；
在高刷新率工作状态下，所述第一刷新率控制信号通过所述刷新率控制信号线输入所述第八晶体的栅极，使第八晶体管打开。此时所述第八晶体可以等效为断路，所述第一存储电容和所述第二存储电容串联。减少所述存储电容模块的充电时间，使所述像素驱动电路的经过所述发光元件的电流稳定。
第二刷新率控制子模块1420，如果所述刷新率控制信号为第二刷新率控制信号，则用于将第八晶体管关闭，以使所述存储电容模块通过所述第二存储电容输出所述第二电容值，其中，所述第一刷新率控制信号的刷新率大于所述第二刷新率控制信号的刷新率。
在低刷新率工作状态下，所述第二刷新率控制信号通过所述刷新率控制信号线输入所述第八晶体的栅极，使第八晶体管闭合。此时所述第八晶体可以等效为短路，只有所述第一存储电容有电流经过。
单位时间内充电电压与电容大小公式为：
图15是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。如图15所示，所述像素驱动装置1500包括：
第一复位控制子模块1510，用于通过所述第一扫描信号线输入复位信号；
利用所述复位信号使所述第五晶体管和所述第七晶体管进入闭合状态，以使所述第一节点和所述第四节点的电位写到所述vref。
第二补偿控制子模块1520，用于通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；
利用所述补偿禁止信号使所述第二晶体管和所述第四晶体管进入打开状态。
第二发光控制子模块1530，用于通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
利用所述发光禁止信号使所述第一晶体管和所述第六晶体管进入打开状态。
图16是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。如图16所示，所述像素驱动装置1600包括：
第二复位控制子模块1610，用于通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；
利用所述复位禁止信号使所述第五晶体管和所述第七晶体管进入打开状态。
第一补偿控制子模块1620，用于通过所述第二扫描信号线输入补偿信号；
利用所述补偿信号使所述第二晶体管和所述第四晶体管进入闭合状态。
第二发光控制子模块1630，用于通通过所述发光控制信号线输入发光禁止信号。
利用所述发光禁止信号使所述第一晶体管和所述第六晶体管进入打开状态。
图17是根据一示例性实施例示出的一种像素驱动装置的结构示意图。如图17所示，所述像素驱动装置1700包括：
第二复位控制子模块1710，用于通过所述第一扫描信号线输入复位禁止信号；
利用所述复位禁止信号使所述第五晶体管和所述第七晶体管进入打开状态。
第二补偿控制子模块1720，用于通过所述第二扫描信号线输入补偿禁止信号；
利用所述补偿禁止信号使所述第二晶体管和所述第四晶体管进入打开状态。
第一发光控制子模块1730，用于通过所述发光控制信号线输入发光信号。
利用所述发光信号使所述第一晶体管和所述第六晶体管进入闭合状态，以使所述发光元件发光，并通过所述存储电容模块控制所述发光元件的发光亮度。
可选地，所述复位禁止信号的电位高于所述复位信号，所述补偿禁止信号的电位高于所述补偿信号，所述发光禁止信号的电位高于所述发光信号。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。
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