一种像素电路及其驱动方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
【背景技术】
[0002] 随着显示技术的急速进步，作为显示装置核心的半导体元件技术也随之得到了 飞跃性的进步。对于现有的显示装置而言，有机发光二极管（OrganicLightEmitting Diode，OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作 在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。OLED按驱动方式可分为 PMOLED(PassiveMatrixDriving0LED，无源矩阵驱动有机发光二极管）和AM0LED(Active MatrixDriving0LED，有源矩阵驱动有机发光二极管）两种，由于AMOLED显示器具有低制 造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可 望成为取代IXD(liquidcrystaldisplay,液晶显示器）的下一代新型平面显示器。
[0003] 然而，现有技术对于大尺寸的AMOLED显示器而言，上述AMOLED显示器的阵列基板 上设置有多个TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管）。为了提高TFT的载流子迀移率， 并降低电阻率，使得通过相同电流时，功耗较小。一般采用多晶硅构成上述TFT。然而由于 生产工艺和多晶硅的特性，导致在大面积玻璃基板上制作TFT开关电路时，常常在诸如阈 值电压Vth、迀移率等电学参数上出现波动，从而使得流经OLED器件的电流不仅会随着TFT 长时间导通所产生的导通电压应力的变化而改变，而且其还会随着TFT的阈值电压Vth漂 移而有所不同。如此一来，将会影响到显示器的亮度均匀性与亮度恒定性。
[0004] 综上所述，AMOLED显示器在现实的过程中，会由于阈值电压的漂移的影响，而导致 亮度均匀性的降低，从而降低显示器的画面品质和质量。
【发明内容】
[0005] 本发明的实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置，能够避免阈值电压 的漂移对显示器的亮度均匀性和恒定性产生的影响。
[0006] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0007] 本发明实施例的一方面，提供一种像素电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三 晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、存储电容以及发 光器件；
[0008] 所述第一晶体管的栅极连接第一信号输入端，第一极连接第一电压端或第二电压 端，第二极与所述第二晶体管的第一极相连接；
[0009] 所述第二晶体管的栅极连接第二信号输入端，第二极与所述第八晶体管的第一极 相连接；
[0010] 所述第三晶体管的栅极连接所述存储电容的一端，第一极连接所述第八晶体管的 第一极，第二极与所述第四晶体管的第一极相连接；
[0011] 所述第四晶体管的栅极连接所述第二信号输入端，第二极与数据电压端相连接；
[0012] 所述第五晶体管的栅极连接所述第二信号输入端，第一极连接所述第二电压端， 第二极与所述存储电容的另一端相连接；
[0013] 所述第六晶体管的栅极连接使能信号端，第一极连接所述存储电容的另一端，第 二极与所述第七晶体管的第一极相连接；
[0014] 所述第七晶体管的栅极连接所述使能信号端，第一极连接第三电压端，第二极与 所述第三晶体管的第二极相连接；
[0015] 所述第八晶体管的栅极连接所述使能信号端，第二极连接所述发光器件的阳极；
[0016] 所述发光器件的阴极与第四电压端相连接。
[0017] 本发明实施例的另一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的任意一种像素电 路。
[0018] 本发明实施例的有一方面，提供一种像素电路驱动方法，包括驱动如权利要求1-5 任一项所述的像素电路的方法，所述方法还包括：
[0019] 导通第一晶体管和第三晶体管，关闭第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六 晶体管、第七晶体管以及第八晶体管；通过第一电压端或第二电压端的电压信号，对所述第 三晶体管的栅极电压进行重置；
[0020] 导通所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管，关 闭所述第一晶体管、第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管；将数据电压端输入的数据电 压写入所述第三晶体管的第二极，以对所述第三晶体管的栅极进行充电，将第二电压端输 入的电压写入存储电容的另一端；
[0021] 导通所述第三晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管以及所述第八晶体管，关 闭所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第四晶体管以及所述第五晶体管；通过所述第三 晶体管和所述第八晶体管的电流驱动发光器件发光。
[0022] 本发明实施例提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置，其中，所述像素电路包 括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体 管、第八晶体管、存储电容以及发光器件。具体的，第一晶体管的栅极连接第一信号输入端， 第一极连接第一电压端或第二电压端，第二极与所述第二晶体管的第一极相连接；第二晶 体管的栅极连接第二信号输入端，第二极与第八晶体管的第一极相连接；第三晶体管的栅 极连接存储电容的一端，第一极连接第八晶体管的第一极，第二极与第四晶体管的第一极 相连接；第四晶体管的栅极连接第二信号输入端，第二极与数据电压端相连接；第五晶体 管的栅极连接第二信号输入端，第一极连接第二电压端，第二极与存储电容的另一端相连 接；第六晶体管的栅极连接使能信号端，第一极连接存储电容的另一端，第二极与第七晶体 管的第一极相连接；第七晶体管的栅极连接使能信号端，第一极连接第三电压端，第二极与 第三晶体管的第二极相连接；第八晶体管的栅极连接使能信号端，第二极连接发光器件的 阳极；发光器件的阴极与第四电压端相连接。
[0023] 这样一来，所述像素电路通过多个晶体管以及一个存储电容对电路进行开关和充 放电控制，并在存储电容的自举作用，保持存储电容两端的电压不变，从而使得流过发光二 极管的电流与TFT的阈值电压无关，因此可以避免由于阈值电压漂移导致的驱动电流不稳 定，显示亮度不均匀的问题。
【附图说明】
[0024] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0025] 图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0026] 图2为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
[0027] 图3a为本发明实施例提供的一种用于控制图2所示的像素电路的控制信号时序 图；
[0028] 图3b为本发明实施例提供的另一种用于控制图2所示的像素电路的控制信号时 序图；
[0029] 图4为在图3a的Pl阶段，图2的像素电路的等效电路图；
[0030] 图5为在图3a的P2阶段，图2的像素电路的等效电路图；
[0031] 图6为在图3a的P3阶段，图2的像素电路的等效电路图；
[0032] 图7为图2中的像素电路图对阈值电压的补偿效果图；
[0033] 图8为图2中的像素电路图对第三电压端提供的供