具有修复结构的有机发光显示装置的制造方法
【专利说明】具有修复结构的有机发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年12月9日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0152657的优先权和权益，在此出于通用目的通过参考将其整体并入本文，就如在此全部列出一样。
技术领域
[0003]本发明涉及一种具有修复结构的有机发光显示装置。
【背景技术】
[0004]使用自身发光的有机发光二极管(OLED)的有机发光显示装置目前已经变成一种流行形式的显示装置，其具有极大优势，包括快速响应、高发光效率、高级别亮度和大视角。
[0005]在有机发光显示装置中，将包括有机发光二极管的像素设置成矩阵形式，根据数据等级控制由扫描信号选择的像素的亮度。
[0006]有机发光显示装置的每个像素都具有有机发光二极管和用于驱动有机发光二极管的驱动电路。
[0007]由具有这种结构的多个像素限定的显示面板需要具有各步骤的制造工艺。此时，由各步骤导致的杂质产生在像素上，这引起诸如亮点或暗点的缺陷。
[0008]这些像素缺陷会极大破坏图像质量，在严重的情况下，会废弃该显示面板。
[0009]因此，迫切需要一种有效修复像素缺陷的方法。
【发明内容】
[0010]因此，本发明涉及一种有机发光显示装置，其基本避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题。
[0011]本发明的一个目的是提供一种具有修复结构的有机发光显示装置，通过该修复结构能够修复像素缺陷，和提供一种机发光显示装置，该发光显示装置中已经修复了像素缺陷。
[0012]本发明的另一目的是提供一种具有修复结构的有机发光显示装置，通过该修复结构能修复引起像素缺陷的电路缺陷，和提供一种有机发光显示装置，该发光显示装置中已经修复了电路缺陷。
[0013]本发明的再一目的是提供一种具有修复结构的有机发光显示装置，通过该修复结构能修复引起像素缺陷的发光缺陷，和提供一种有机发光显示装置，该发光显示装置中已经修复了发光缺陷。
[0014]本发明的又一目的是提供一种能够补偿由于修复电路缺陷或发光缺陷导致的亮度降低的有机发光显示装置。
[0015]在下文的说明书中将列出本发明的其他特征和优势，且根据该说明书一部分特征和优势是显而易见的，或者可通过实践本发明获知。通过所撰写的说明书及其权利要求以及所附附图中特别指出的结构，可以认识并获得本发明的目的和其它优势。
[0016]为了实现这些和其它优势和根据本发明的目的，如所体现和广泛描述的，一种有机发光显示装置包括，显示面板，在该显示面板中设置了由其上形成的数据线和栅极线限定的多个像素；将数据电压提供至数据线的数据驱动单元；和将扫描信号提供至栅极线的栅极驱动单元；其中有机发光二极管和驱动电路被设置在多个像素中的每一个中，在多个像素当中的第一像素和第二像素中，形成与第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极中的至少一个绝缘的浮置图案，或者形成用于电连接第一像素的有机发光二极管的第一电极和第二像素的有机发光二极管的第一电极的连接图案。
[0017]在另一方面中，一种有机发光显不装置包括:显不面板，在该显不面板中设置了由形成于其上的数据线和栅极线限定的多个像素；将数据电压提供至数据线的数据驱动单元；和将扫描信号提供至栅极线的栅极驱动单元；其中有机发光二极管和驱动电路被设置在多个像素的发光区和非发光区中，在显示面板中存在至少一个像素，在所述至少一个像素中切割有机发光二极管的第一电极从而具有比发出相同颜色光的其他像素更小尺寸的发光区。
[0018]将理解，上文的一般描述和下文的具体描述都是示范性和说明性的，且意在提供如所要求保护的本发明的进一步解释。
【附图说明】
[0019]本文包括附图以提供本发明的进一步理解，附图结合到说明书中并构成说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例且与文字描述一起用于解释本发明的原理。附图中:
[0020]图1示范性示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的系统；
[0021]图2示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的基本像素结构；
[0022]图3和4示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的像素等效电路图的实例；
[0023]图5示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的像素缺陷的两种类型；
[0024]图6是根据实例性实施例解释用于有机发光显示装置的每种像素缺陷的修复方法的原理图；
[0025]图7示出了在根据第一实例性实施例的有机发光显示装置中的修复结构和使用该修复结构的电路缺陷修复工艺，其中使用修复线路通过该修复结构修复电路缺陷；
[0026]图8示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置的像素结构的三种类型；
[0027]图9是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0028]图10是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的示意性截面图；
[0029]图11示出了根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的浮置图案的形成实例；
[0030]图12是根据第二实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺之后的平面图；
[0031]图13是示出根据第二实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的截面图；
[0032]图14是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0033]图15是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺之后的平面图；
[0034]图16是根据第三实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺之后的另一平面图；
[0035]图17是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0036]图18是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的示意性截面图；
[0037]图19是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的局部具体平面图；
[0038]图20是根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的局部具体截面图；
[0039]图21是示出根据第四实例性实施例的有机发光显示装置的修复工艺的平面图；
[0040]图22是根据第四实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的示意性截面图；
[0041]图23是根据第四实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的截面图；
[0042]图24是根据第五实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0043]图25是根据第五实例性实施例执行了修复工艺之后的有机发光显示装置的平面图；
[0044]图26是根据第六实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0045]图27是根据第七实例性实施例的有机发光显示装置的平面图；
[0046]图28和29是根据第八实例性实施例执行了发光缺陷的修复工艺之后的有机发光显示装置的平面图；
[0047]图30示出根据第八实例性实施例的有机发光显示装置的发光缺陷修复工艺的切割线的实例；
[0048]图31示出了根据第八实例性实施例的有机发光显示装置中的发光缺陷修复工艺之后发光区减小；
[0049]图32是根据第九实例性实施例的有机发光显示装置的交叉缺陷(cross defect)修复的原理图；和
[0050]图33是根据第十实例性实施例的有机发光显示装置的亮度补偿的电路图。
【具体实施方式】
[0051]以下，将参考附图描述本发明的几个实施例。以下，对于附图元件的参考数字，相同元件采用之前附图的相同参考数字。而且，在本发明的下文描述中，当本文中结合的非常公知的功能和结构的具体描述使得本发明的主题不清楚时，将省略该具体描述。
[0052]此外，当描述本发明的部件时，本文中可使用术语，诸如第一，第二，A，B，(a), (b)等。这些术语中的每一个都不用于限制相应部件的本质、次序或序列，而是仅使用其区分该相应部件和其它部件。应当注意，如果本说明书中描述一个部件被“连接到”、“耦合到”或者“结合到”另一部件，尽管第一部件可直接连接、耦合或者结合到第二部件，但是第三部件可“连接”、“耦合”和“结合”在第一和第二部件之间。
[0053]图1示范性示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的系统。
[0054]参考图1，根据实例性实施例的有机发光显示装置100包括:显示面板110，该显示面板100具有设置在形成于一个方向上的多条数据线DL至DLm和形成于另一方向上以与多条数据线DLl至DLm交叉的多条栅极线GLl至GLn的每个交叉点处的多个像素P ;经由多条数据线DLl至DLm提供数据电压的数据驱动单元120 ;经由多条栅极线GLl至GLn提供扫描信号的栅极驱动单元130 ;和控制数据驱动单元120和栅极驱动单元130的驱动时序的时序控制器140。
[0055]设置在显示面板110中的多个像素P中的每一个都提供有有机发光二极管OLED和用于驱动有机发光二极管的驱动电路DRC。
[0056]设置在每个像素上的驱动电路可基本包括用于提供电流至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、用于将数据电压提供至驱动晶体管DT的栅极节点的晶体管，诸如开关晶体管、用于对于每一帧保持数据电压的存储电容，且可进一步包括用于将参考电压Vref提供至驱动晶体管DT的源极节点(或者漏极节点)的感应晶体管。该像素结构将参考图2和3具体描述。
[0057]数据驱动单元120可包括多个数据驱动集成电路(也可称作源极驱动集成电路)，多个数据驱动集成电路可按照卷带自动键合(TAB)或者是玻璃上芯片(COG)的形式耦合到显示面板110的键合焊垫，可直接形成在显示面板110上以成为面板内栅极(GIP)类型，或者可以集成到显示面板110中。
[0058]根据驱动类型，可如图1中所示将栅极驱动单元130定位在显示面板110 —侧上，或者可将两个栅极驱动单元定位在显示面板110两侧上。
[0059]此外，栅极驱动单元130可包括多个栅极驱动集成电路，这些栅极驱动集成电路可按照卷带自动键合(TAB)或者芯片上玻璃(COG)的形式耦合到显示面板110的键合焊垫，可直接形成在显示面板110上以成为面板内栅极(GIP)类型，或者可集成到显示面板中。
[0060]时序控制器140控制数据驱动单元120和栅极驱动单元130的驱动时序，且输出各控制信号以进行控制。
[0061 ] 下文，将更具体地描述像素中的像素结构。
[0062]图2示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的基本像素结构。
[0063]参考图2，被限定在根据实例性实施例的有机发光显示装置100的显示面板110中的多个像素P中的每一个的像素区PA都可由发光区EA和电路区CA构成，在发光区EA有机发光二极管OLED发光，在电路区CA设置了用于驱动有机发光二极管OLED的驱动电路DRC。
[0064]将包括有机发光二极管OLED的发光单元设置在发光区EA中。
[0065]电路区CA不是设置了包括用于驱动有机发光二极管OLED的驱动电路DRC的电路单元的发光区。
[0066]同时，尽管发光区EA和电路区CA在图2中分别示出，但是这仅是为了便于解释，且根据另一实例性实施例发光区EA和电路区CA可彼此重叠。例如，在上部发光类型的情况下，可将电路单元设置在发光单元下方，使得发光区EA和电路区CA彼此重叠。
[0067]如上所述，被设置在每个电路区CA中的驱动电路DRC基本上包括用于将电流提供至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、用于将数据电压提供至驱动晶体管DT的栅极节点的晶体管，诸如开关晶体管(下文称作第二晶体管T2)、用于对于每一帧都保持数据电压的存储电容Cstg，且可进一步包括用于将参考电压Vref提供至驱动晶体管DT的源极节点(或漏极节点)的感应晶体管(下文称作第一晶体管Tl)。
[0068]图3和4中示出了具有3T1C结构的像素的两种类型，3T1C结构具有三个晶体管DT、Tl和T2以及一个电容Cstgo
[0069]图3和4示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素的等效电路图的实例。
[0070]参考图3，在像素区PA中的电路区CA可包括用于将电流提供至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、连接在驱动晶体管DT的第一节点NI和用于提供参考电压Vref的参考电压线RVL之间的第一晶体管Tl、连接在驱动晶体管DT的第二节点Ν2和数据线DL之间的第二晶体管Τ2、和连接在驱动晶体管DT的第一节点NI和第二节点Ν2之间的存储电容Cstg以起到对于每一帧保持电压的作用。
[0071]通过经由第一栅极线(GL’ )提供的第一扫描信号(下文称作感应信号SENSE)控制第一晶体管Tl，从而将参考电压Vref提供至驱动晶体管DT的第一节点NI。当相应像素在感应模式下操作以进行像素补偿时，第一晶体管Tl可用于感应驱动晶体管DT的第一节点NI的电压。为此，第一晶体管Tl可称作感应晶体管。
[0072]通过经由第二栅极线(GL)提供的第二扫描信号(以下称作扫描信号SCAN)控制第二晶体管T2，从而将数据电压Vdata施加至驱动晶体管DT的第二节点N2。驱动晶体管DT可通过施加到驱动晶体管DT的第二节点N2的数据电压导通或关断，从而控制供应至有机发光二极管OLED的电流。由于这个原因，第二晶体管T2可称作开关晶体管。
[0073]也就是，在图3的像素结构中，提供两条栅极线GL和GL’，经由不同的栅极线GL和GL’通过不同信号(感应信号和扫描信号)分别控制第一晶体管Tl和第二晶体管T2。为此，图3的像素结构称作“基于两个扫描的像素结构(two-scan based pixel structure)”。
[0074]如上所述，当每个像素都具有基于两个扫描的像素结构时，可将图1中的驱动单元130实现成为分成用于输出扫描信号的栅极驱动单元和用于输出感应信号的栅极驱动单元，可将η条栅极线GLl至GLn形成为分成用于提供扫描信号的栅极线GLl至GLn和用于提供感应信号的栅极线GL1’至GLn’。
[0075]同时，参考图4，在像素区PA中的电路区CA与图3中的像素结构相似，其包括用于提供电流至有机发光二极管OLED的驱动晶体管DT、连接在驱动晶体管DT的第一节点NI和用于提供参考电压Vref的参考电压线RVL之间的第一晶体管Tl、连接在驱动晶体管DT的第二节点N2和数据线DL之间的第二晶体管T2、和连接在驱动晶体管DT的第一节点NI和第二节点N2之间的存储电容Cstg。
[0076]但是，图4的像素结构与图3的“基于两个扫描的像素结构”不同，第一晶体管Tl和第二晶体管T2受到经由一条栅极线GL提供的一个公共扫描信号SCAN的控制。
[0077]在图4的像素结构中，仅需要一条栅极线GL，并且经由一条公共栅极线GL通过相同栅极信号(扫描信号)控制第一晶体管Tl和第二晶体管T2。由于这个原因，图4的像素结构称作“基于一个扫描的像素结构”。
[0078]实例性实施例中描述的驱动晶体管DT可以是N型晶体管或P型晶体管。此外，尽管示出第一晶体管Tl和第二晶体管T2为N型晶体管，但是可将其实现为P型晶体管。
[0079]如上所述，由于在像素区PA中的电路区CA被提供有多个晶体管DT、T1和T2以及电容Cstg，因此制造工艺复杂，且该复杂性导致电路区CA中的缺陷。
[0080]同时，像素区PA中的发光区EA也会具有缺陷。
[0081]电路区CA和发光区EA中的这些缺陷可以是导致故障像素呈现亮点或暗点的主要原因。
[0082]本发明限定了像素缺陷的两种类型，且为每种像素缺陷提供修复工艺和通过该修复工艺修复缺陷的结构。
[0083]可在装运产品之前在制造面板期间进行本说明书中描述的修复，或者由于消费者购买产品之后的售后服务请求进行该修复。
[0084]首先，参考图5描述像素缺陷的两种类型。
[0085]图5示出了根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素缺陷的两种类型。
[0086]参考图5，根据实例性实施例的有机发光显示装置100的像素缺陷被分成在各晶体管DT、T1和T2、电容器以及线路中具有问题的电路缺陷，和在设置于发光区EA中的有机发光二极管OLED中具有问题的发光缺陷。而且，电路缺陷和发光缺陷可同时发生在一个像素中。
[0087]参考图5的图(a)，设置在电路区CA中的晶体