显示装置及其像素电路和驱动方法

文档序号:8396638阅读:225来源:国知局
显示装置及其像素电路和驱动方法
【技术领域】
[0001] 本申请设及显示器件领域,具体设及一种显示装置及其像素电路和驱动方法。
【背景技术】
[000引有机发光二极管的rganic Li曲t-Emitting Diode, OLED)显示因具有高亮度、高 发光效率、宽视角和低功耗等优点,近年来被人们广泛研究,并迅速应用到新一代的显示当 中。0LED显示的驱动方式可W为无源矩阵驱动(Passive MatrixOLED,PM0LED)和有源矩 阵驱动(Active Matrix 0LED,AM0LED)两种。无源矩阵驱动虽然成本低廉,但是存在交叉 串扰现象不能实现高分辨率的显示,且无源矩阵驱动电流大,降低了 0L邸的使用寿命。相 比之下,有源矩阵驱动方式在每个像素上设置数目不同的晶体管作为电流源,避免了交叉 串扰,所需的驱动电流较小,功耗较低,使0LED的寿命增加,可W实现高分辨的显示,同时, 有源矩阵驱动更容易满足大面积和高灰度级显示的需要。
[0003] 传统AM0LED的像素电路是简单的两薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor, TFT)结构,该种电路虽然结构简单,但是不能补偿驱动晶体管T1和OL邸阔值电压漂移或 因TFT器件采用多晶材料制成而导致面板各处TFT器件的阔值电压不均匀性。当驱动晶体 管T1阔值电压、0LED阔值电压发生漂移或在面板上各处的值不一致时,驱动电流Ids就会 改变,并且面板上不同的像素因偏置电压的不同漂移情况也不一样,该样就会造成面板显 示的不均匀性。

【发明内容】

[0004]本申请提供一种显示装置及其像素电路和驱动方法,W补偿驱动晶体管的阔值电 压的不均匀性或者阔值电压漂移。
[0005]根据第一方面,一种实施例中提供一种像素电路,包括:
[0006] 用于串联在第一电平端和第二电平端之间的驱动晶体管和发光元件,W及第二晶 体管、第=晶体管和存储电容;驱动晶体管的第一极连接至发光元件的第一端形成第=节 点,驱动晶体管的第二极和发光元件的第二端分别用于连接至第一电平端和第二电平端; 驱动晶体管的控制极连接至第二晶体管的第一极形成第一节点,第二晶体管的第二极连接 至第=晶体管的第一极形成第二节点,第二晶体管的控制极用于输入发光控制信号;第= 晶体管的第二极用于连接至用于提供数据信号或者参考电位的数据线,第=晶体管的控制 极用于输入扫描信号;存储电容连接至第二节点和第=节点之间。
[0007]根据第二方面,一种实施例中提供一种像素电路,包括:
[000引用于串联在第一电平端和第二电平端之间的驱动晶体管和发光元件,W及第二晶 体管、第=晶体管、第四晶体管、第五晶体管和存储电容;驱动晶体管的第一极连接至发光 元件的第一端形成第=节点,驱动晶体管的第二极和发光元件的第二端分别用于连接至第 一电平端和第二电平端;驱动晶体管的控制极连接至第二晶体管的第一极形成第一节点, 第二晶体管的第二极连接至第=晶体管的第一极形成第二节点,第二晶体管的控制极用于 输入发光控制信号;第=晶体管的第二极用于连接至用于提供数据信号的数据线,第=晶 体管的控制极用于输入扫描信号;第五晶体管的第一极连接至第一节点,第五晶体管的第 二极用于输入参考电位,第五晶体管的控制极连接至第=晶体管的控制极;第四晶体管的 第一极连接至第=节点,第四晶体管的第二极用于输入初始化电位,第四晶体管的控制极 用于输入初始化控制信号;存储电容连接至第二节点和第=节点之间。
[0009] 根据第=方面,一种实施例中提供一种显示装置,包括:
[0010] 像素电路矩阵,所述像素电路矩阵包括排列成n行m列矩阵的上述的像素电路,其 中,n和m为大于0的整数;栅极驱动电路,用于产生扫描脉冲信号,并通过沿第一方向形成 的各行扫描线向像素电路提供所需的控制信号;数据驱动电路,用于产生代表灰度信息的 数据电压信号,并通过沿第二方向形成的各数据线向像素电路提供数据信号;控制器,用于 向栅极驱动电路和数据驱动电路提供控制时序。
[0011] 根据第四方面,一种实施例中提供一种像素电路驱动方法,像素电路的每一驱动 周期包括初始化阶段、阔值补偿阶段、数据写入阶段和发光阶段,驱动方法包括:
[0012] 在初始化阶段,第二晶体管导通,分别初始化存储电容两端的电位和驱动晶体管 控制极的电位;在阔值补偿阶段,第=晶体管和/或第五晶体管导通,向驱动晶体管控制极 提供参考电位,读取驱动晶体管的阔值电压信息并通过存储电容存储;在数据写入阶段,第 =晶体管导通传输数据电压并存储于存储电容;在发光阶段,第一晶体管根据存储电容两 端的压差驱动产生驱动电流,并驱动发光元件发光。
[0013] 依据上述实施例的像素电路,通过在驱动晶体管的控制极和第一极之间连接第二 晶体管和存储电容,并配合时序的控制,利用向驱动晶体管控制极提供参考电位读取驱动 晶体管的阔值电压并存储于存储电容,从而实现了对驱动晶体管阔值电压的补偿,继而补 偿了像素电路显示的不均匀性。
【附图说明】
[0014] 图la为实施例一公开的一种像素电路结构图;
[0015] 图化为实施例一公开的另一种像素电路结构图;
[0016] 图2为实施例一公开的一种像素电路驱动时序图;
[0017] 图3a为实施例二公开的一种像素电路结构图;
[0018] 图3b为实施例二公开的另一种像素电路结构图;
[0019] 图4为实施例二公开的一种像素电路驱动时序图;
[0020] 图5a为实施例二公开的一种提供初始化电位变形方案;
[0021] 图化为实施例二公开的另一种提供初始化电位变形方案;
[0022] 图6a为实施例S公开的一种像素电路结构图;
[0023] 图化为实施例S公开的另一种像素电路结构图;
[0024] 图7为实施例S公开的一种像素电路驱动时序图;
[0025] 图8a为实施例四公开的一种像素电路结构图;
[0026] 图8b为实施例四公开的另一种像素电路结构图;
[0027] 图9为实施例四公开的一种像素电路驱动时序图;
[002引图10a为实施例五公开的一种像素电路结构图;
[0029] 图10b为实施例五公开的另一种像素电路结构图;
[0030] 图11为实施例五公开的一种像素电路驱动时序图;
[0031] 图12为实施例六公开的一种显示装置结构原理图。
【具体实施方式】
[0032] 下面通过【具体实施方式】结合附图对本发明作进一步详细说明。
[0033] 首先对一些术语进行说明;本申请中的晶体管可W是任何结构的晶体管,比如双 极型晶体管炬JT)或者场效应晶体管(FET)。当晶体管为双极型晶体管时,其控制极是指双 极型晶体管的基极,第一极可W为双极型晶体管的集电极或发射极,对应的第二极可W为 双极型晶体管的发射极或集电极,在实际应用过程中,"发射极"和"集电极"可W依据信号 流向而互换;当晶体管为场效应晶体管时,其控制极是指场效应晶体管的栅极,第一极可W 为场效应晶体管的漏极或源极,对应的第二极可W为场效应晶体管的源极或漏极,在实际 应用过程中,"源极"和"漏极"可W依据信号流向而互换。显示器中的晶体管通常为一种场 效应晶体管;薄膜晶体管(TFT)。下面W晶体管为场效应晶体管为例对本申请做详细的说 明,在其它实施例中晶体管也可W是双极型晶体管。
[0034] 发光元件为有机发光二极管OrganicLi曲t-EmittingDiode,OLED),在其它实 施例中,也可W是其它发光元件。发光元件的第一端可W是阴极或阳极,相应地,则发光元 件的第二端为阳极或阴极。本领域技术人员应当理解:电流应从发光元件的阳极流向阴极, 因此,基于电流的流向,可W确定发光元件的阳极和阴极。
[0035] 有效电平可W是高电平,也可W是低电平,可根据具体元器件的功能实现作适应 性地置换。
[0036] 第一电平端和第二电平端是为像素电路工作所提供的电源两端。在一种实施例 中,第一电平端可W为高电平端Vdd,第二电平端为低电平端Vss或地线,在其它实施例中,也 可W作适应性地置换。需要说明的是;对于像素电路而言,第一电平端(例如高电平端Vdd) 和第二电平端(例如低电平端Vss)并非本申请像素电路的一部分,为了使本领域技术人员 更好地理解本申请的技术方案,而特别引入第一电平端和第二电平端予W描述。
[0037] 需要说明的是,为了描述方便,也为了使本领域技术人员更清楚地理解本申请的 技术方案,本申请文件中引入第一节点A、第二节点B和第=节点C对电路结构相关部分进 行标识,不能认定为电路中额外引
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