醒（POM)、聚对苯二甲酸二了醋（PBT)、聚己内醋（P化)、聚对苯二甲酸己二醋（PET)、 聚碳酸醋（PC)、聚醋（polyester)、聚己締（PE：)、聚苯離谜酬（PEEK)、聚乳酸（PLA)、聚丙締 (PP)、聚苯己締（PS)或聚偏二氯己締（PVDC)，但不W此为限。图案化堤巧层62可为单层或 多层结构，且其材料也可为其它适合的无机材料、有机材料（例如可选自上述的有机材料） 或有机/无机混成材料。随后可选择性地于图案化堤巧层62上形成至少一反射层66,其中 反射层66可至少设置于图案化堤巧层62的开口 62A的侧壁68上，且反射层66可进一步 设置于下电极60上并与下电极60电连接。反射层66可为单层或多层结构，其材料包括反 射材料例如金属、合金、或其他合适的材料。
[0066]接着，如图13所示，随后利用多个导电粘着层72将多个发光元件74分别固定并 电连接于各反射层66上。发光元件74可包括无机发光二极管元件、有机发光二极管元件 或其它各种类型的电激发光元件。在本实施例中，发光元件74优选包括多个无机发光二极 管元件，其中各无机发光二极管元件包括一第一电极78、一第二电极80W及一P-N二极管 层82。第二电极80是设置于第一电极78上，且P-N二极管层82是设置于第一电极78与 第二电极80之间。举例而言，本实施例的方法可利用微机械装置夹取或吸取制作完成的无 机发光二极管元件并利用导电粘着层72将无机发光二极管元件分别固定并电连接于反射 层66上。也就是说，导电粘着层72是夹设于各反射层66与各无机发光二极管元件的第一 电极78之间。导电粘着层72具备导电特性，并具有可烙化（meltable)特性，由此可利用 热制作工艺将导电粘着层72烙化。固定无机发光二极管元件可利用下列方法。先于反射 层66上形成对应的导电粘着层72,并将导电粘着层72烙化，再将无机发光二极管元件放置 于所对应的导电粘着层72上且与导电粘着层72接触，而待导电粘着层72固化后即可使无 机发光二极管元件粘固并电连接于反射层66上；或者，将导电粘着层72先形成于无机发光 二极管元件上，并将导电粘着层72烙化，接着再将无机发光二极管元件上的导电粘着层72 放置于所对应的反射层66上且与反射层66接触，而待导电粘着层72固化后即可使无机发 光二极管元件粘固并电连接于反射层66上。导电粘着层72可为导电胶或其它合适的导电 材料，其导电材料可为例如铜（In)、饿炬i)、锡（Sn)、银（Ag)、金、铜、嫁佑a)与铺（Sb)的 其中至少一者，但不W此为限。接着，多个填充层84分别填入开口 62A内并分别环绕对应 的发光元件74。在本实施例中，填充层84是分别填充于无机发光二极管元件W及反射层 66之间所形成的空间。随后，至少一上电极86形成于填充层84上并与发光元件74的第二 电极80电连接，W制作出本实施例的显示面板1，其中上电极86的材料可为透明导电材料 例如氧化铜锡、氧化铜锋或氧化侣锋，由此发光元件74所发出的光可穿透上电极86W提供 显示效果。值得一提的是，本发明的发光元件74并不限定于利用导电粘着层72将发光元 件74分别固定并电连接于各反射层66上，也可先W图案化制作工艺（例如光刻蚀刻制作 工艺）于各反射层66形成开口，再利用导电粘着层72将发光元件74分别固定并电连接于 各下电极60上。另外，本发明的发光元件74也可不通过导电粘着层72,而是直接将各发光 元件74形成于各下电极60或各反射层66上，但不W此为限。此外，本实施例是W于各像 素区14中设置一发光元件74为范例做说明，但不限于此。在其他变化实施例中，也可于各 像素区14中设置多个发光元件74。
[0067]请继续参考图13,图13为显示面板的示意图。如图13所示，本发明的显示面板1 的结构包括基板12、像素阵列16W及热电模块58。基板12包括多个像素区14。像素阵 列16设置于基板12上，其中像素阵列16包括多个驱动元件18W及多个发光元件74,驱 动元件18W及发光元件74都是设置于像素区14内。热电模块58是设置于像素阵列16 内，热电模块58是一种能利用温度梯度或温度差来驱动载流子移动W形成电流的元件，也 就是热电模块58可W将热转换成电能。W本实施例为例，发光元件74与热电模块58是共 用热端绝缘基材54。当显示面板1运作时，热端绝缘基材54的温度是比位于热电模块58 另一侧的冷端绝缘基材40的温度高，由于本实施例的第一半导体层的材料是P型渗杂娃， 因此第一半导体层中的多数载流子是空穴，并通过热端绝缘基材54与冷端绝缘基材40之 间的温度梯度可W驱动第一半导体层中的空穴往冷端绝缘基材40移动。另一方面，本实施 例的第二半导体层的材料是N型渗杂娃，因此第二半导体层中的多数载流子是电子，并通 过热端绝缘基材54与冷端绝缘基材40之间的温度梯度驱动第二半导体层中的电子往冷端 绝缘基材40移动。如此一来，只要通过第一连接电极52与第二连接电极42将各热电单元 44中的第一半导体层与第二半导体层串联成一回路，即可于热电模块58内形成电流，并且 若进一步将热电模块58电连接至像素阵列16外部的一负载即可输出对应的电压。详细而 言，热电模块58中各热电单元44中的第一半导体层与第二半导体层可通过第一连接电极 52与第二连接电极42串联成一回路，且热电模块58可通过第一连接电极52或第二连接电 极42连接至电源模块88，但不W此为限。在其它变化实施例中，热电单元44也可W其它方 式彼此电连接，利用W并联方式电连接，或者一部分的热电单元44可利用串联方式电连接 且另一部分的热电单元44可利用并联方式电连接。详细而言，在本实施例中于彼此电连接 的热电单元44中，两终端的热电单元44的第一通道层46或第二通道层48对应的第一连 接电极52或第二连接电极42可分别通过导线电连接至电源模块88中的辅助电源92，将热 电单元44产生的电能输出至电源模块88,但不W此为限。在其他变化实施例中，也可于彼 此电连接的热电单元44中选择其中的两个第一通道层46或第二通道层48对应的第一连 接电极52或第二连接电极42,并通过导线电连接至电源模块88中的辅助电源92。或者， 当热电单元44区分为多组，且不同组内的热电单元44则彼此不电连接时，可W于各组内的 热电单元44中选择其中的两个第一通道层46或第二通道层48对应的第一连接电极52或 第二连接电极42,并通过导线电连接至电源模块88中的辅助电源92。由此，只要当显示面 板1在运作时，热电模块58可将发光元件74产生的热转换成电能输出至电源模块88,达到 同时能散热也可产生额外电能的效果。
[0068] 在本实施例中，热电模块58包括热端绝缘基材54、冷端绝缘基材40及多个热电单 元44,且热电单元44是设置于热端绝缘基材54与冷端绝缘基材40之间。热端绝缘基材54 是设置于发光元件74W及热电单元44之间，而冷端绝缘基材40是设置于热电单元44W及 驱动元件18之间。换句话说，热端绝缘基材54是距离发光元件74较近，而冷端绝缘基材 40是距离发光元件74较远。各热电单元44包括第一通道层46W及第二通道层48。第一 通道层46与第二通道层48材料的选择可从各材料的席贝克系数（seebeckcoefficient) 搭配席贝克效应（seebeckeffect)的公式，再依据热电模块58欲产生的电压来决定。表 1列举了热电单元44的第一通道层46与第二通道层48的材料及其席贝克系数，但不W此 为限。公式（1)为席贝克效应的公式其中Th是热端绝缘基材54的温度、T。为冷端绝缘基 材40的温度、a。为第一通道层46的席贝克系数、ab为第二通道层48的席贝克系数、n为热 电单元44串联的个数，W及AVgb为热电模块58产生的电压差。举例而言，若热电模块58 中包括=个热电单元44的串联，各热电单元44的第一通道层46与第二通道层48的材料 分别为P型渗杂娃与N型渗杂娃，且热电模块58两端的温度差为5°C至8(TC，则热电模块 58可产生的电压差可为0.0135伏特至0.22伏特。值得一提的是，公式（1)说明热电模块 58产生的电压差与热电单元44中第一通道层46与第二通道层48材料席贝克系数的差呈 正比关系。也就是说，第一通道层46与第二通道层48材料的席贝克系数的差距越大，热电 模块58的热电转换效率会越高。由上述可知，若分别WP型半导体与N型半导体作为热电 单元44中的第一通道层46与第二通道层48,热电单元44可提供优选的热电转换效率。热 电单元44的第一通道层46与第二通道层48的材料选择并不W上述为限，举例来说，第一 通道层46与第二通道层48的材料可依据热电模块58所搭配的装置的制作工艺相容性来 选择。此外，热电模块58中的热电单元44并不W串联为限，例如热电单元44可为并联或 是串联与并联的组合。
[0069]表1
[0070]