专利名称：涂敷、显影装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种例如对半导体晶片或液晶显示器用的玻璃基板等基板涂敷抗蚀剂并使曝光后的基板显影的涂敷、显影装置。
背景技术：
通常，使用将曝光装置连接在进行抗蚀剂液的涂敷和显影的涂敷、显影装置的系统来进行在半导体晶片(以下称为晶片)等的基板上得到抗蚀剂图形的一系列处理。
作为如上所述的那种涂敷、显影装置，例如在专利文献1中公开了具有如下结构的涂敷、显影装置上下配置有容纳曝光处理前对晶片实施涂敷处理的组件的涂敷膜形成用模块(block)和容纳曝光处理后对晶片实施显影处理的组件的显影用模块，各模块的一端与装载及卸载晶片的端口连接，各模块的另一端通过接口模块与曝光装置连接。该涂敷、显影装置中，由于具有这种结构，由此可以使涂敷工序和显影工序分离进行，所以就能够提高生产率。
近年来，提高了曝光装置的分辨率，现在，例如通过使用ArF(氟化氩)等作为光源，就能够以几十nm(纳米)左右的分辨线宽来进行曝光处理。但是，因气压和气候等会引起周围环境的细微变化，由此例如光学系统的保持部件等会膨胀、收缩并敏感地影响到光的聚焦位置，大大地左右了抗蚀剂图形的精加工。因此，为了始终进行稳定的曝光处理，就需要例如在一天中频繁地检查并调整曝光装置。
另一方面，由于存在为了抑制工厂的运行成本而降低超净间的洁净等级的倾向，所以就不打开曝光装置的维护用门，而通过处理模块的搬运系统将试验用的晶片从涂敷、显影装置的输送机模块(carrier block)搬运到曝光装置来进行曝光装置的状态检查。但是，上述专利文献1中所述的涂敷、显影装置中，由于为了将试验用晶片搬运到曝光装置就必须利用涂敷膜形成用模块或显影用模块，所以在对涂敷膜形成用模块及显影用模块进行维护的情况下或在这些模块产生不合格等情况下，就无法进行定期或不定期的曝光装置的状态检查及调整。因此，由于在等待涂敷膜形成用模块和显影用模块的维护作业结束之后，将试验用的晶片搬运到曝光装置再进行状态检查、调整，所以不能在模块维护后迅速地对产品晶片进行处理，结果就会成为生产率下降的原因之一。
此外还有，在新建半导体的生产线等情况下，缩短装置的起动是一个重要的课题。但是，专利文献1的装置结构中，涂敷膜形成用模块或显影用模块的搬运系统的调整没有结束时，就不能进行曝光装置的调整，另一方面，由于调整曝光装置的调整项目很多并且需要进行微调整，所以就会花费较长时间，基于此，就存在难于缩短装置的起动的状况。
专利文献1日本专利第3337677号公报发明内容本发明是在上述情况下作出的，其目的在于，提供一种能够按所希望的定时进行曝光装置维护的涂敷、显影装置。
本发明的涂敷、显影装置中，将利用输送机搬入输送机模块中的基板交付给处理模块，在此处理模块中形成含有感光材料膜的涂敷膜，然后，通过接口模块搬运到曝光装置，将经由上述接口模块返回来的曝光后的基板在上述处理模块中进行显影处理，并交付给上述输送机模块，其特征在于，a)上述处理模块包括分别从输送机模块一侧延伸到接口模块一侧的、用于形成含有由感光材料形成的涂敷膜的膜的涂敷膜形成用模块；以及相对于此涂敷膜形成用模块而层叠的显影用模块，b)上述涂敷膜形成用模块及显影用模块包括用于对基板涂敷药液的液体处理单元、加热基板的加热单元、冷却基板的冷却单元、以及在这些单元之间搬运基板的模块用搬运装置，c)设置有直达搬运装置，该直达搬运装置相对于上述涂敷膜形成用模块及显影用模块进行层叠，用于在输送机模块和接口模块之间进行基板的直达搬运，d)通过上述直达搬运装置，将形成有涂敷膜的基板从输送机模块一侧搬运到接口模块一侧。
上述涂敷膜形成用模块也可包含一种层叠体，该层叠体是用于形成抗蚀剂膜的模块、用于在抗蚀剂膜的下侧形成防反射膜的模块和用于在上述抗蚀剂膜的上侧形成防反射膜的模块的层叠体，此外，也可在涂敷膜形成用模块的下侧设置显影用模块。
上述直达搬运装置也可构成为在与上述涂敷膜形成用模块和显影用模块区分开的搬运模块内移动，在此情况下，例如在显影用模块和涂敷膜形成用模块之间设置上述搬运模块。此外，在此搬运模块中，设置有例如用于将气体导入该搬运模块内部并使搬运模块内部成为正压的气体导入口。
本发明的涂敷、显影装置也可包括多个交付台，分别配置并相互层叠成能够利用涂敷膜形成用模块中的模块用搬运装置、显影用模块中的模块用搬运装置及直达搬运装置来进行基板交付；以及升降搬运装置，进行自由升降以便能够在这些交付台之间进行基板交付；还包括控制基板的搬运的控制部，该控制部构成为能够选择将用于检查曝光装置的状态的试验基板从输送机模块通过直达搬运装置搬运到曝光装置的搬运模式。
此外，在上述处理模块和接口模块之间，本发明的涂敷、显影装置设置有辅助模块，该辅助模块包括进行涂敷膜形成后曝光处理前和/或曝光处理后显影处理前的处理的单元、以及用于在这些单元、上述处理模块及接口模块之间搬运基板的交付臂；上述直达搬运装置包括通过上述处理模块的第一直达搬运装置、以及通过上述辅助模块的第二直达搬运装置；此外，例如在上述输送机模块和处理模块之间设置检查模块，该检查模块包括用于进行基板检查的检查单元；以及在检查单元、输送机模块及处理模块之间搬运基板的交付臂；上述直达搬运装置还可包括通过上述检查模块的第三直达搬运装置和通过上述处理模块的第一直达搬运装置。
根据本发明，由于由从各输送机模块一侧延伸到接口模块一侧的涂敷膜形成用模块和显影用模块的层叠体构成处理模块，所以实现了设置空间的减少，并且，由于设置有用于在输送机模块和接口模块之间专门进行基板的直达搬运的直达搬运装置，所以就能够同时进行曝光装置、涂敷膜形成用模块及显影用模块的维护，实现维护时间的缩短。此外，由于涂敷膜形成用模块和显影用模块即使在维护中，或即使是例如因排气系统产生故障等引起这些模块故障时，也能够将用于检查曝光装置的状态的试验基板通过直达搬运装置从输送机模块一侧搬运到曝光装置，所以就能够以所希望的定时实施曝光装置的状态检查。因此，在涂敷膜形成用模块及显影用模块处于可运转的状态后，就能够快速地转到产品基板的处理，能够抑制生产率的下降。此外，在装置的安装起动时，如果进行直达搬运装置的调整，就能够通过利用此直达搬运装置进行试验基板的搬运，从而能使涂敷膜形成用模块及显影用模块的各搬运装置的调整作业分开地来进行曝光装置的调整，如果结束了曝光装置的调整，就能够继续设定显影条件，结果就能够缩短装置安装起动的时间。
图1是表示将本发明的涂敷、显影系统适用于涂敷、显影装置的实施方式的平面图。
图2是表示上述涂敷、显影装置的立体图。
图3是表示上述涂敷、显影装置的侧剖图。
图4是表示上述涂敷、显影装置中的DEV层的显影单元、棚单元(shelfunit)、主臂及排气单元的立体图。
图5是表示上述涂敷、显影装置中的显影单元的平面图及纵剖图。
图6是上述DEV层的纵断侧面图。
图7是表示上述DEV层中的穿梭臂(shuttle arm)的移动部结构的一个例子的立体图。
图8是表示上述涂敷、显影装置中的接口臂的一个例子的立体图。
图9是表示上述涂敷、显影装置中的晶片的搬运路线的示意图。
图10是表示本发明的另一涂敷、显影装置结构的平面图。
图11是表示上述涂敷、显影装置的侧剖图。
图12是表示在上述涂敷、显影装置中设置的检查模块结构的立体图。
图13是表示在上述涂敷、显影装置中设置的辅助模块的各个部分的配置的纵断平面图。
图14是表示在上述检查模块中设置疏水化单元的涂敷、显影装置结构的一个例子的平面图。
图15是上述涂敷、显影装置的纵断平面图。
具体实施例方式
下面，说明在本发明的涂敷、显影装置上连接有曝光装置的系统的实施方式。图1表示此系统的一个实施方式的平面图，图2是同一系统的简略立体图、图3是同一系统的简略侧面图。此涂敷、显影装置设置在大气气氛中的超净室内，包括用于搬入搬出密封容纳了13片基板例如作为晶片的晶片W的输送机20的输送机模块S1、纵向排列多个例如四个模块B1～B4及搬运模块M1所构成的处理模块S2、接口模块S3和曝光装置S4。
上述输送机模块S1中设置有能承载多个上述输送机20的承载台21、自此承载台21看去设置在前方壁面上的开闭部22和用于通过开闭部22从输送机20取出晶片W的转送臂C。此转送臂C被构成为自由进退、自由升降、绕垂直轴自由旋转、在输送机20的排列方向自由移动，以便在与后述模块B1及B2的交付台TRS1～2之间进行晶片W的交付。
在输送机模块S1的后侧连接有用壳体24包围其四周的处理模块S2。在此例中，处理模块S2从下侧方向起被分配为用于进行显影处理的第一模块(DEV层)B1；搬运模块M1；用于进行在抗蚀剂膜的下层一侧形成的防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的形成处理的第二模块(BCT层)B2；用于进行抗蚀剂液的涂敷处理的第三模块(COT层)B3；以及用于进行在抗蚀剂膜的上层一侧形成的防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的形成处理的第四模块(TCT层)B4。这些模块B1～B4及搬运模块M1从输送机模块S1向接口模块S3延伸。在此，上述DEV层B1相当于显影用模块，BCT层B2、COT层B3、TCT层B4相当于用于形成由感光材料例如由抗蚀剂构成的涂敷膜的涂敷膜形成用模块。再有，各模块间通过隔离板(基底体)加以区分。
接着，说明第一～第四模块B(B1～B4)的结构，在本实施方式中，这些模块B1～B4包含许多通用部分，各模块B由大致相同的布局构成。因此，参照图1以DEV层B1为例来进行说明。在此DEV层B1的中央部，在横向上、详细地是在DEV层B1的长度方向(图中Y方向)上，形成用于连接输送机模块S1和接口模块S3的晶片W的搬运用通路R1。
从此搬运用通路R1的输送机模块S1一侧观看，在从靠近这一侧(输送机模块S1一侧)向后侧的右侧，沿搬运用通路R1设置有作为液体处理单元的包括用于进行显影液涂敷处理的多个涂敷部的显影单元3。此外，从输送机模块S1一侧观看，在从靠近这一侧向后侧的左侧，沿搬运用通路R1顺序设置有使加热·冷却系统的热系统处理单元多级化后的四个棚单元U1、U2、U3、U4。即显影单元3和棚单元U1～U4隔着搬运用通路R1相对地进行排列。棚单元U1～U4按两级层叠用于在利用显影单元3中进行处理的前处理及后处理的热系统处理单元，此外，在此棚单元U1～U4的下部层叠设置有排气单元5(图4)。
在上述热系统处理单元中，包含例如或对曝光后的晶片W 进行加热处理或为了干燥显影处理后的晶片W而进行加热处理的加热单元4、以及用于在此加热单元4中处理后将晶片W调整到规定温度的冷却单元等。再有，在本实施方式中，按两级层叠加热单元4作为该DEV层B1中的棚单元U1、U2、U3，按两级层叠冷却单元作为棚单元U4。
使用图5简单地说明上述显影单元3的结构，在构成该显影单元的壳体30的内部排列有作为三个晶片保持部的旋转夹具31，各旋转夹具31构成靠驱动部32绕垂直轴自由旋转且自由升降的结构。此外，在旋转夹具31的周围设置杯状物(cup)33，在该杯状物33的底面设置包含排气管和排水管等的排液部(未图示)。图中34是药液供给喷嘴，此药液供给喷嘴34被设计成自由升降，并且被构成为通过驱动部35沿导杆36在Y方向自由移动。
在此显影单元3中，利用后述的主臂A1，将晶片W通过面向搬运用通路R1设置的搬运口37搬入壳体30内，并交付给旋转夹具31。再有，图中38是为了防止微粒流入到壳体30内而设置在搬运口37的自由开关的开闭器。并且，从供给喷嘴34对该晶片W的表面供给显影液，在晶片W的表面形成显影液的液膜，此后，利用来自未图示出的清洗液供给机构的清洗液来冲洗掉晶片W表面的显影液，此后使晶片W旋转进行干燥，由此结束显影处理。
接着，简单说明构成棚单元U1～U3的加热单元4，图6中40是壳体，在壳体40的内部设置有基台41。图中42是晶片W的搬运口，面向搬运用通路R1设置此搬运口42。图中43是粗热拾取用冷却板，图中44是热板。冷却板43被构成为在基台41处能够移动到热板44上。图中45是整流用板。47、48是由升降机构47a、48a驱动的升降杆。构成如下结构通过升降升降杆47，在主臂A1和冷却板43之间交付晶片W；利用升降杆48，在热板44和冷却板43之间交付晶片W。
再有，虽然省略了对构成棚单元U4的冷却单元的详细说明，但其与加热单元4相同，包括面向搬运用通路R1开有搬运口42的壳体40，并且使用在此壳体40内部例如具备水冷方式的冷却板结构的装置。
此外，排气单元5通过使包括在壳体50中面向搬运用通路R1开口的吸引口51和对壳体内部的排气室53内部进行吸引排气的排气管54的排气室53变成负压，由此吸引搬运用通路R1中的气体，实现微粒的去除。
接着，说明设置在上述搬运用通路R1中的作为模块用搬运装置的主臂A1。此主臂A1被构成为在棚单元U1～U4的各处理单元、显影单元3、后述的棚单元U5的交付台及棚单元U6的交付台之间进行晶片W的交付。例如，主臂A1包括用于支持晶片W背面一侧周边区域的两根臂体61、62，这些臂体61、62被构成为相互独立地在搬运基体63上自由进退。此外，搬运基体63被设计成在升降基体64上绕垂直轴自由旋转。
图中65是用于在横向上对主臂A1进行导向的导轨。再有，图中66是设置在导轨65上的用于进行上述搬运用通路R1排气的孔，与上述吸引口51重叠进行穿孔。图中67是升降导轨，升降基体64为沿该升降导轨67自由升降的结构。此升降导轨67的下端部潜入例如导轨65的下方，并卡止于用于使该升降导轨67在上述排气单元5的排气室53内沿上述导轨65移动的驱动带55。
在此，参照图2、图6及图7说明搬运模块M1。在DEV层B1和BCT层B2之间形成有从输送机模块S1向接口模块S3直行搬运晶片W的搬运模块M1。此搬运模块M1包含有通过隔离板70a与DEV层B1的搬运用通路R1隔离开的搬运区域M2和作为直达搬运装置的穿梭臂7。该穿梭臂7由移动部7A和驱动部7B构成，移动部7A被设计成能够沿搬运区域M2进行移动。移动部7A例如包括用于支持晶片W的背面一侧周边区域的臂体71，此臂体71被构成为在搬运基体72上自由进退。此外，搬运基体72被设计为在移动基体73上绕垂直轴自由旋转。再有，此例中，由臂体71、搬运基体72、及移动基体73构成移动部7A。再有，如果不限定大小，也可设置使搬运基体72升降的机构。
驱动部7B包括壳体70，在壳体70内部的排气室70a中含有用于使上述移动部7A移动的驱动部(未图示)。在壳体70的前面设置有在横向上延伸的、用于在横向上对上述移动部7A进行导向的导轨74，通过这种结构，穿梭臂7就被构成为在设置于后述棚单元U5的交付台TRS1B和设置于棚单元U6的交付台TRS5B之间直行搬运晶片W，并进行交付。
此外，该壳体70包括面向搬运区域M2开口的吸引口75，在上述导轨74中在横向隔出间隔设置孔74a并使其与该吸引口75重叠。当面向搬运区域M2一侧为靠近的一侧时，在上述排气室70a后侧，在横向上隔出间隔，并在多个位置开出排气口77。在排气口77连接有用于对排气室70a内进行吸引排气的排气管78。通过该排气管78，使排气室70a负压化，从而使搬运区域M2中的气体流入排气室70a。
此外，在搬运区域M2中，在横向上设置具备例如角型壳体的气体导入部79，以便例如覆盖该搬运区域M2整个区域。在该壳体中，例如，在横向上隔出一定间隔设置面向搬运区域M2的气体导入口(未图示)，被构成为将在气体导入部79中流通的清洁气体，通过该气体导入口例如以放射状供给到搬运区域M2。如此，从气体导入口向搬运区域M2供给清洁气体，另一方面，通过上述排气室70a进行搬运区域M2的排气，由此可实现搬运区域M2中的微粒的去除。此外，例如使这种清洁气体的供给和排气平衡，通过进行使搬运区域M2中的压力成为比超净间内的压力高出一些的压力(正压)的控制，就能够抑制微粒从该涂敷、显影装置的外部借助于气流流入该搬运区域M2。
与搬运用通路R1及搬运区域M2中的输送机模块S1邻接的区域成为第一晶片交付区域R2，此区域R2中，如图1及图3所示，在主臂A1、穿梭臂7及转送臂C可访问(access)的位置处设置棚单元U5，并且配备用于对此棚单元U5进行晶片W交付的升降搬运装置即交付臂D1。
在此棚单元U5中，从上级起顺序在模块B1中设置交付台TRS1B、交付台TRS1，转送臂C、上述穿梭臂7及交付臂D1可以访问交付台TRS1B。主臂A1、转送臂C及交付臂D1可以访问交付台TRS1。作为该交付台TRS1及交付台TRS1B的结构，例如包括在方形壳体内，在该壳体内设置有具备承载晶片W从而将晶片W的温度调节为预定温度的机构的台，此外，设置自由突没于在该台上的杆。例如具备下述这种结构通过在面向壳体的各臂的侧面上设置的搬运口，各臂进入上述壳体内，各臂能够保持通过上述杆从台上浮起的晶片W的背面，或者通过上述杆将由各臂搬运的晶片W放置在板上。
再有，在此例中，如图3所示，在模块B2～B4中设置各2座交付台TRS2～TRS4，各TRS总体具有如前所述的结构，交付台TRS2～TRS4被构成为能够与设置在各层的主臂A2～A4及交付臂D1进行晶片W的交付。此外，TRS2中，还被构成为除与这些臂外，还能够与转送臂C进行晶片交付。顺便提一下，并不限定各TRS的数量，可对应各模块设置为2座以上。
上述交付臂D1被构成为自由进退及自由升降，以便能够在B1到B4的各层间移动，相对于设置在各层中的交付台TRS1～TRS4及交付台TRS1B进行晶片W的交付。此外，上述交付台TRS1、TRS2及交付台TRS1B，在此例中，也能够被构成为与转送臂C之间进行晶片W交付。
并且，与DEV层B1的搬运用通路R1及搬运模块M1的搬运区域M2的接口模块S3邻接的区域作为第二晶片交付区域R3，此区域R3中，如图3所示，设置有棚单元U6。如图3所示，棚单元U6结构为从上起顺序设置交付台TRS5B、TRS5，交付台TRS5B能够在穿梭臂7和接口臂B之间执行晶片W的交付。此外被构成为交付台TRS5在主臂A1和接口臂B之间执行晶片W的交付。交付台TRS5B、TRS5的结构为例如具有与前述的交付台TRS1B相同的结构，具备晶片W的冷却功能，能够进行交付后的晶片W的温度调节管理。
此外，在处理模块S2中的棚单元U6的后侧，通过接口模块S3连接有曝光装置S4。接口模块S3中，包括用于相对于处理模块S2的棚单元U6和曝光装置S4进行晶片W的交付的接口臂B。此接口臂B例如如图8所示，设置成用于支持晶片W的背面侧中央区域的一根臂201沿基台202自由进退。上述基台202被设计成以下结构安装在升降台203上，靠旋转机构204绕垂直轴自由旋转，沿升降轨道205自由升降。如此这样，臂201的结构为自由进退、自由升降、绕垂直轴自由旋转。
再有，已叙述的交付臂D1的结构为除了不绕垂直轴旋转之外，其余与接口臂B相同。
此接口臂B作为插入处理模块S2和曝光装置S4之间的晶片W的搬运装置，在此实施方式中结构为从单元U6的交付台TRS5B接收晶片W，并将其搬入曝光装置S4，另一方面，从曝光装置S4接收晶片W，交付给台TRS5。
接着，简单地说明其它模块。BCT层B2、COT层B3、TCT层B4的结构与DEV层B1大致相同，作为差异，可列举出可使用防反射膜用药液或抗蚀剂膜形成用的药液(抗蚀剂液)作为液体处理单元的药液来代替显影液、药液的涂敷方法不同，此外还可列举出构成棚单元U1～U4的加热系统、冷却系统单元中的处理条件不同、进而在接口S3一侧没有配置棚单元U6。此外，例如，在模块B2～B4中的任意一个当中设置有使晶片W的周边部曝光的周边曝光单元，COT层B3的棚单元U1～U4中，含有对晶片W进行疏水化处理的单元。
此外，此涂敷、显影装置包括具有例如由计算机形成的程序存储部的控制部100。程序存储部中，存储有编入了命令的例如由软件构成的程序，以便实施后述的该涂敷、显影装置的作用、即实施晶片W的处理、晶片W的交付、排气及气流的控制、搬运路径的方案管理等。并且，通过将该程序读出到控制部100中，从而由控制部100进行该涂敷、显影装置的作用的控制。再有，此程序例如以容纳在硬盘、小型激光唱片、磁光盘等记录媒体中的状态被存储在程序存储部。
再有，上述搬运路径的方案是指定根据处理种类的晶片W的搬运路径(放置晶片W的交付台和单元等组件的顺序号)，构成为按其每一处理种类作成搬运路径方案，操作人员可选择此处理种类，将选择的方案从程序中读出到控制部100。此外，除了对产品晶片的处理种类之外，还能够选择将用于检查曝光装置的晶片W搬运到曝光装置的处理模式，选择此处理模式(曝光检查模式)时，能够通过穿梭臂7将晶片W从输送机模块S1搬运到接口模块S3，此外通过穿梭臂7从接口模块S3送回输送机模块S1。
在此，对于此涂敷、显影装置中的作用，首先对在抗蚀剂膜上下分别形成防反射膜的情况中的晶片W的流程实例进行说明。从外部将输送机20搬入输送机模块S1，通过转送臂C从该输送机20内取出晶片W。晶片W从转送臂C、通过棚单元U5的交付台TRS2被交付给BCT层B2的主臂A2。并且，在BCT层B2中，通过主臂A2以冷却单元→防反射膜形成单元(未图示，是对应于图5中的显影单元3的单元)→加热单元→棚单元U5的交付台TRS2的顺序进行搬运晶片W，并形成下部防反射膜。
接着，交付台TRS2的晶片W通过交付臂D1被搬运到COT层B3的交付台TRS3，接着交付给该COT层B3的主臂A3。并且，在COT层B3中，通过主臂A3以冷却单元→抗蚀剂涂敷单元(未图示，是对应于图5中的显影单元3的单元)→加热单元顺序搬运晶片W，在下部防反射膜的上层形成抗蚀剂膜，然后，将晶片W搬运到周边曝光单元进行周边部曝光，进而搬运到棚单元U5的交付台TRS3。
接着将交付台TRS3的晶片W通过交付臂D1搬运到TCT层B4的交付台TRS4，交付给该TCT层B4的主臂A4。并且，在TCT层B4中，通过主臂A4以冷却单元→第二防反射膜形成单元(未图示，是对应于图5中的显影单元3的单元)→加热单元的顺序搬运晶片W，在抗蚀剂膜的上层形成上部防反射膜，然后搬运到棚单元U5的交付台TRS4。
交付台TRS4的晶片W通过交付臂D1被搬运到交付台TRS1B。接着在穿梭臂7的移动部7A转向接收晶片W的接口模块S3一侧的同时，向接口模块S3一侧移动，将晶片W搬运到交付台TRS5B。此交付台TRS5B上承载的晶片W通过接口臂B被搬运到曝光装置S4，在此进行规定的曝光处理。
曝光处理后的晶片W通过接口臂B被搬运到棚单元U6的交付台TRS5，此台TRS5上的晶片W由DEV层B1的主臂A1所接收，在该DEV层B1中，以棚单元U1～U4中所包含的加热单元→冷却单元→显影单元3→加热单元→冷却单元的顺序进行搬运，执行规定的显影处理。如此这样，经过显影处理的晶片W被搬运到棚单元U5的交付台TRS1，通过转送臂C，返回载置在输送机模块S1上的原输送机20。
图9示意性地示出了上述说明的晶片W的搬运路径。晶片W在涂敷膜形成用模块B2～B4间移动，形成涂敷膜(步骤1)，此后，通过穿梭臂7从处理模块S2中的输送机模块S1一侧经过搬运模块M1向接口一侧S3搬运，进而被搬运到曝光装置S4(步骤2)。完成曝光处理的晶片W从曝光装置S4通过DEV层B1，接受显影处理，返回输送机模块S1(步骤3)。
接着，说明为了进行曝光装置S4的维护不通过模块B2～B4各层而将晶片W直接搬运至该曝光装置S4的情况下的搬运路径。首先，通过控制部100选择曝光检查模式。选择模式之后，从外部将输送机20搬入输送机模块S1，通过转送臂C从此输送机20内取出例如涂敷了抗蚀剂的测试晶片W。将该测试晶片W从转送臂C交付给交付台TRS1B，通过穿梭臂7的移动部7A直达搬运到交付台TRS5B。此交付台TRS5B上的测试晶片W由接口臂B搬运到曝光装置S4，使用该测试晶片W对曝光装置S4进行例如聚焦精度校正、位置精度校正、透镜变形确认、透镜透过率确认、光学系统灰尘附着确认等维护作业。
将为维护所使用的测试晶片W从曝光装置S4由接口臂B搬运到交付台TRS5B，由穿梭臂7的移动部7A直达搬运到交付台TRS1B。承载在此交付台TRS1B上的测试晶片W通过转送臂C被送回输送机20。
由于处理模块S2由从各输送机模块S1一侧延伸到接口模块S3一侧的涂敷膜形成用模块B2～B4和显影用模块B1的层叠体构成，所以，本实施方式的涂敷、显影装置能够减少设置空间，并且，由于在DEV层B1和BCT层B2之间设置搬运模块M1，在此搬运模块M1内设置有专门用于在输送机模块S1和接口模块S3之间进行晶片W直达搬运的穿梭臂7，所以能够同时进行曝光装置S4、涂敷膜形成用模块B2～B4及显影用模块B1的维护，实现了维护时间的缩短。此外，由于即使涂敷膜形成用模块B2～B4和显影用模块B1在维护中，或例如排气系统中发生故障等而在这些模块中引发故障时，也能够将用于检查曝光装置S4的状态的晶片W通过搬运模块M1的穿梭臂7，从输送机模块S1一侧搬运到曝光装置S4，所以就能够以所希望的定时实施曝光装置S4的状态检查。为此，在变成涂敷膜形成用模块B2～B4和显影用模块B1能够运转的状态后，就能快速地转向制品晶片W的处理，能够抑制生产率的下降。此外，在装置的安装起动时，如果先行完成直达穿梭臂7的调整，就能够通过利用此穿梭臂7进行试验晶片W的搬运，来与涂敷膜形成用模块B2～B4和显影用模块B1中包括的主臂A1～A4的调整作业分离地进行曝光装置S4的调整，如果完成曝光装置S4的调整，就能够继续设定显影条件，其结果是能够缩短装置起动的时间。
此外，在本实施方式中，在涂敷膜形成用模块B2～B4的下方一侧设置有显影用模块B1，由于在此模块B1和模块B2之间设置有具备穿梭臂7的搬运模块M1，因此能够减少接口模块S3的接口臂B的升降行程。因此，能够实现由此接口臂B构成的搬运装置的小型化。
本发明中，各模块的层叠数和层叠顺序不限于上述例子，例如也可以这样排列涂敷膜形成用模块，从下方一侧向上方一侧顺序为TCT层、COT层、BCT层。此外，也可以在下方一侧配置涂敷膜形成用模块，在其之上配置显影处理用模块。此外，例如在晶片W上不形成防反射膜而只形成抗蚀剂膜的情况下也可被构成为仅设置COT层作为涂敷膜形成用模块。再有，涂敷膜形成用模块也可以是在一层中进行下侧防反射膜的形成、抗蚀剂膜的形成、上侧防反射膜的形成，也可多级层叠这种层来构成涂敷、显影装置。此外，DEV层B1中，已述的显影单元3例如也可以两级层叠。
顺便说一下，在已述的实施方式中，为了防止向搬运通路R1散落微粒，利用隔板70a将DEV层B1的搬运通路R1和搬运模块M1的搬运区域M2区分开，但也可以不设置此隔板70a。此情况下，例如，可将该移动部7A的移动区域(搬运区域)设定在比上述主臂A1可移动区域(搬运区域)的上限位置中的该主臂A1的上端部分还要稍上面一点，构成主臂A1和移动部7A互不干涉的结构。
此外，直达搬运装置即穿梭臂7的结构不限于已述的实施例中所示的结构，例如穿梭臂7的结构也可以这样不设置使臂体71在搬运基体72上进退的机构，通过使搬运基体72旋转，在TRS1B或TRS5B中，使臂体71潜入由杆举起的晶片W的下面，通过降下杆而使臂体71接收晶片W，并在TRS1B和TRS5B之间搬运晶片W。
此外，作为直达搬运装置，如果能够从输送机模块S1一侧到接口模块S3一侧不通过用于进行涂敷或显影的单元就直接地搬运晶片W，就不限于以上所说明的这种臂搬运，可通过例如使用环状带的带式输送机构成直达搬运装置，并且对交付台TRS1B和TRS5B进行开槽，例如形成コ字形，使带式输送机的两端部位于此缺口空间内，将在这些一方交付台上承载的晶片W装载在上述环状带上，搬运到另一方的交付台上。或者也可成为这种结构，将在沿横向的两侧具备防止晶片W落下用的导轨的斜坡按TRS5B一侧变低这样设置在交付台TRS1B和TRS5B之间，在该斜坡的台面中在TRS5B一侧排列喷出空气的孔，靠该空气的压力和晶片W的自重将晶片W推向TRS5B一侧。
再有，虽然本发明的直达搬运装置可用于从输送机模块到接口模块不通过用于进行涂敷或显影的单元进行直达地搬运，但即使在此直达搬运装置的搬运路径中插入例如周边曝光装置和检查单元等的情况下，也意味着包含例如通过这些装置内，在直达搬运装置和输送机模块一侧的搬运装置或接口模块一侧的搬运装置之间进行基板的交付的情况。
此外，本发明的涂敷、显影装置也可按以下这样构成。使用图10～图13说明此实施方式，此涂敷、显影装置101在输送机模块S1和处理模块S2之间设置用于对晶片W进行规定的检查的检查模块S5，并且在处理模块S2和接口模块S3之间设置辅助模块S6。在此辅助模块S6内，设置有涂敷用于防止浸液曝光时的液体浸入抗蚀剂内的保护膜的拨水性保护膜涂敷单元(ITC)(以下称“保护膜涂敷单元(ITC)”)、以及用于去除此拨水性保护膜的拨水性保护膜去除单元(ITR)(以下称“保护膜去除单元(ITR)”)。此外，在接口模块S3中设置用于在浸液曝光前后清洗晶片W的清洗单元(RD)。
在此，简单地说明浸液曝光，由于此浸液曝光是在基板表面形成透光液层的状态下进行曝光，所以其目的在于提高曝光的分辨率；例如使光从纯水中透过，由于在水中光的波长变短，所以193nm的ArF的波长在水中实质上变为134nm，利用这种特征进行曝光。
顺便提一下，浸液曝光中，由于在抗蚀剂的表面形成液层，所以抗蚀剂就在液相侧析出，且此析出成分就会残留在晶片W上，就会担心在曝光处理结束后，将形成在晶片W表面的液层从晶片W上排出时，在晶片表面残留液滴即微小的水滴。如此，当抗蚀剂的析出成分和液滴残留在晶片W上时，上述析出成分附着在晶片W上，作为成为缺陷原因的微粒产生的主要因素，就会在曝光处理后的加热处理时，引起从上述析出成分中产生的微粒固着并粘附，影响图形的线宽，由于液滴的存在，就会存在在曝光处理后的加热处理时在晶片W的面内产生温度差，使热处理的面内均匀性变差，成为液滴与空气反应并在晶片W表面产生水印的原因这种问题。
为此，浸液曝光处理中，在对晶片W涂敷抗蚀剂液后进行浸液曝光前，为了在抑制抗蚀剂的析出的同时使浸液曝光时的液体难于残留在晶片W表面，就在晶片W表面涂敷拨水性的保护膜，利用保护膜涂敷单元(ITC)进行此处理。此外，在涂敷了此保护膜的状态下进行显影处理时，为了使抗蚀剂不被显影液溶解，就需要在显影处理前去除此保护膜，利用保护膜去除单元(ITR)进行此处理。并且为了更确实地去除附着在晶片W上的抗蚀剂液的析出成分和浸液曝光时的液体即水滴，在进行浸液曝光处理后清洗晶片W的表面，此清洗利用清洗单元(RD)进行。
此涂敷、显影装置101的处理模块S2中，两级层叠DEV层B1，将DEV层B1、B1的上级一侧作为搬运模块M1。再有，图11中，为便于图示，在棚单元U5、U6中，按每单位模块B1～B4仅分别绘出一个上级侧的交付台TRS1～TRS5。
接着，参照图12来说明检查模块S5的结构。例如，此检查模块S5包括壳体111，利用此壳体111与周围区域分开。当输送机模块S1一侧为靠近一侧，处理模块S2一侧为后侧时，在壳体111内部的靠近一侧中央部设置有用于从输送机模块S1的转送臂C接收晶片W的交付台即TRS11。此交付台TRS11与已述的TRS1～5结构相同。此外，在此台TRS11的下方例如5级层叠设置能够容纳规定片数的晶片W的缓冲单元BU，使这5个缓冲单元，例如能够容纳约计10～20片左右的晶片W。DEV层B1中，将接受显影处理的晶片W通过后述110的臂搬入各缓冲单元BU被暂时储存。此外，转送臂C访问此缓冲单元BU，就能够将容纳在此的晶片W向输送机20搬运。
在此检查模块S5的壳体111内，从靠近侧向里侧看，在左右分别设置检查单元112、113。在此作为检查单元112、113，此例中示意地记载有两个检查单元，更具体地，能根据检查的种类来决定配置数量。再有，如此例这样，设置两个检查单元112、113，其一方是例如用于检查基板表面的状态的、用于检查在基板上形成的涂敷膜的膜厚的膜厚检查单元，另一方面是通过CCD照相机等的拍摄装置对晶片W表面进行拍照并解析此图像的检查单元。在另一侧的检查单元中，可检查显影缺陷和抗蚀剂图形的线宽等。
再有，作为这些检查单元112、113，除已述的检查单元外，还能够使用对根据希望的检查种类从如下检查装置中选择出的检查装置进行单元化后的装置即，用于检测曝光装置中产生的图形位置偏差的散焦检查装置；用于检测抗蚀剂液的涂敷斑点的涂敷斑点检测装置；用于检测显影处理不良的显影不良检测装置；用于检测附着在基板上的微粒数量的微粒数检测装置；用于检测发生在抗蚀剂涂敷后的基板上的彗尾(comet)的彗尾检测装置；防溅板检测装置；用于检测基板表面的缺陷的缺陷检测装置；用于检测残留在显影处理后的基板的抗蚀剂残渣的渣滓检测装置；用于检测抗蚀剂涂敷处理及/或显影处理的不符合的不符合检测装置；用于测量在基板上形成的抗蚀剂膜的线宽的线宽测量装置；用于检查曝光后的基板和光掩膜对准精度的对准检查装置等。
在检查模块S5的壳体111内的内侧中央部，设置自由升降、自由进退且绕垂直轴自由旋转的晶片W的交付臂110，此交付臂110能够分别访问检查单元112、113、缓冲单元BU，在这些各单元之间交付晶片W。此外，交付臂110还能够访问处理模块S2的各交付台TRS1，利用此交付臂110在检查模块S5和处理模块S2之间进行接受过显影处理的晶片W的交付。
此外，在处理模块S2的搬运模块M1中设置的穿梭臂7为第一穿梭臂时，在交付臂110的上方设置自由升降、自由进退且绕垂直轴自由旋转的结构的作为晶片W的搬运机构的第二直达搬运装置即穿梭臂120，此第二穿梭臂120是在从方案中选择曝光检查模式时用于在上述交付台TRS11和处理模块S2的棚单元U5的TRS1B之间搬运晶片W的。再有，在检查单元112、113上方，设置有容纳了用于使涂敷、显影装置101的各单元工作的电装部件的电装单元117。
接着说明辅助模块S6。此辅助模块S6包括例如壳体400，通过此壳体400与周围区分开来。在壳体400的内部，从输送机模块S1看时，内侧和右侧和左侧中分别设置棚单元U7、U8、U9。例如，上述棚单元U7中，从下起按顺序层叠用于在与接口模块S3的接口臂B之间进行晶片W交付的交付台即2个TRS12、TRS13、2个TRS14。再有，这些交付台TRS12～14例如与交付台TRS1～5结构相同。
将棚单元U8分割成上下两部分，例如此棚单元U8的分割后的上部侧，层叠有例如两个保护膜涂敷单元(ITC)401。另一方面，在棚单元U8的分割后的下部侧层叠有例如两个保护膜去除单元(ITR)402。在棚单元U9中，例如多级层叠设置有例如用于在涂敷膜形成后曝光处理前进行检查的和曝光处理后显影处理前、显影处理后进行检查的检查单元、已述的冷却单元(COL)、加热单元(CHP)等的加热、冷却系统的单元等。再有，在图11中，为便于图示，棚单元U7的交付台TRS12、TRS14分别各记载了一个。
例如，此例子中，两个保护膜去除单元402分别被设置在与处理模块S2的两个DEV层B1、B1相对应的位置，两个保护膜涂敷单元401被设置在与BCT层B2和COT层B3分别对应的位置。
此外此例中，棚单元U7的两个交付台TRS12被设置在与保护膜去除单元402相对应的位置，此外两个交付台TRS14被设置在与保护膜涂敷单元401相对应的位置。例如，在将晶片W从辅助模块S6交付给接口模块S3时能够使用交付台TRS14，例如在将晶片W从接口模块S3交付给辅助模块S6时能够使用交付台TRS12。此外，交付台TRS13被设置在与搬运模块M1相对应的位置，利用后述的穿梭臂F进行晶片W的交付。
并且，在辅助模块S6中，上下两级地设置有交付臂F1、F2，上侧的交付臂F1构成为能够相对于辅助模块S6的棚单元U7～U9的各部进行晶片W的交付，例如，构成为相对于棚单元U8的两个保护膜涂敷单元401、棚单元U7的交付台TRS14和棚单元U9的对应的各部分进行晶片W的交付。
此外，下侧的交付臂F2构成为在与处理模块S2的各DEV层B1之间进行晶片W的交付，并且相对于该辅助模块S6的棚单元U7～U9的各部分进行晶片W的交付，例如，构成为相对于处理模块S2的棚单元U6的各交付台TRS5、棚单元U8的两个保护膜去除单元402、棚单元U7的交付台TRS12和棚单元U9的对应的各部分进行晶片W的交付。
此交付臂F1、F2例如结构与主臂A1～A5相同，被构成为沿Y轴轨道405，例如在图中Y方向自由移动、自由进退、自由升降、绕垂直轴自由旋转，该Y轴轨道405安装在面向支持棚单元U8的未图示台部的臂F1、F2的搬运区域的面上。
此外，在交付台F1、F2之间，设置有自由进退、自由升降、绕垂直轴自由旋转地构成的第三直达搬运装置即穿梭臂F，利用此穿梭臂F能够在处理模块S2的U6的交付台TRS5B和此辅助模块S6的棚单元U8的交付台TRS13之间进行晶片W的交付。
在接口模块S3中，在接口臂B能够访问的位置，层叠设置有用于浸液曝光后清洗晶片W的、例如两个清洗单元(RD)403。
并且，在接口模块S3的上侧，设置有ULPA过滤器406，利用此ULPA过滤器406就能够对接口模块S3内供给去除了污物、灰尘等的清洁空气。
接着，简单地说明上述保护膜涂敷单元401、保护膜去除单元402、清洗单元403的结构。这些各单元，例如与已述的处理模块S2的抗蚀剂涂敷单元结构大致相同，作为差异，分别在各个单元的壳体内设置有一个成为晶片W的保持部的旋转夹具。此外，作为其它差异，分别代替抗蚀剂液，在保护膜涂敷单元401中，向晶片W供给保护膜形成用的药液；在保护膜去除单元402中，向晶片W供给用于去除在上述保护膜涂敷单元401中形成的保护膜的剥离液；在清洗单元403中，向晶片W供给用于清洗完成了浸液曝光处理的晶片W的清洗液。
如上所述，在图1的实施方式中，在搬运模块M1中设置的穿梭臂7构成在输送机模块S 1和接口模块S3之间进行直达搬运的直达搬运装置，但在此实施方式中，由设置在检查单元S5的穿梭臂120、设置在搬运模块M1的穿梭臂7及设置在辅助模块S6的穿梭臂F构成直达搬运装置。
在具有这样结构的涂敷、显影装置101中，与已述的实施方式的涂敷、显影装置相同，被构成为按每一个此处理种类作成搬运路径的方案，操作者能够选择此处理的种类，能够将选择出的方案从程序中读出到控制部100。此外，除对产品晶片的处理种类外，能够选择用于将用于检查曝光装置的晶片W搬运到曝光装置的处理模式，选择此处理模式(曝光检查模式)时，通过三个穿梭臂120、7、F将晶片W从输送机模块S1直达搬运到接口模块S3，此外通过这3个穿梭臂120、7、F从接口模块S3直接将晶片W送回输送机模块S1。
在此，在这样结构的涂敷、显影装置101中，进行浸液曝光处理，接着，在该曝光处理后进行清洗处理的情况下，例如，晶片W按输送机20→输送机模块S1→转送臂C→交付台TRS11→穿梭臂120→交付台TRS1B的顺序，从输送机模块S1通过检查模块S5向处理模块S2搬运。接着晶片W按交付臂D1→交付台TRS2→BCT层B2→COT层B3→TCT层B4→TRS4的顺序被搬运，接着，按交付臂D1→交付台TRS1B→穿梭臂7→棚单元U6的交付台TRS5B→穿梭臂F→交付台TRS13的顺序被搬运到辅助模块S6，此后接着，按交付臂F1→棚单元U8的保护膜涂敷单元401→辅助模块S6的交付臂F1→棚单元U7的交付台TRS14→接口模块S3的接口臂B→曝光装置S4的路径被搬运，接受曝光处理。
曝光后的晶片W按接口模块S3的接口臂B→清洗单元403→接口臂B→辅助模块S6的棚单元U7的交付台TRS12→交付臂F2→棚单元U8的保护膜去除单元402→交付臂F2→处理模块S2的棚单元U6的交付台TRS5→DEV层B1→棚单元U5的TRS1的路径被搬运。
接着，晶片W如前所述，由检查模块S5的交付臂110通过缓冲单元BU或直接地搬运到各缺陷检查单元112、113，检查结束时，由交付臂110搬运到缓冲单元BU中。并且缓冲单元BU中所容纳的晶片W由转送臂C送回输送机20。再有，在检查单元112、113中含有膜厚检查单元的情况下，借助于COT层B3对涂敷抗蚀剂后的晶片W进行膜厚检查。此外，缓冲单元BU在此例中，除具有用于与输送机模块S1的转送臂C之间进行晶片W的交付的功能外，例如还具有在按规定片数进行晶片W的检查的情况下等待没有进行检查的晶片W从而确保批次中的晶片W的搬运顺序的功能等。
接着，说明对于为了进行曝光装置S4的维护就不通过模块B1～B4的各层而将晶片W直接搬运到该曝光装置S4的情况下的搬运路径。首先，利用控制部100选择曝光检查模式。选择模式后，从外部将例如容纳已涂敷抗蚀剂的测试晶片W的输送机20搬入输送机模块S1。并且，按转送臂C→交付台TRS11→穿梭臂120→棚单元U5的交付台TRS1B→穿梭臂7→棚单元U6的交付台TRS5B→穿梭臂F→棚单元U7的交付台TRS13→接口臂B→曝光装置S4的顺序交付输送机20内的测试晶片W，进行与已述的实施方式相同的维护作业。维护作业后的测试晶片W按与将其搬入此曝光装置S4时的顺序相反的顺序被送回输送机20。
在上述实施方式中，由于构成具备检查模块S5的涂敷、显影装置，在输送机模块S1和处理模块S2之间设置此检查模块S5，所以就能够由同一操作者监视抗蚀剂的涂敷、曝光、显影、检查，由此可实现操作者的减少，此外通过检查可确认任何缺陷时，就能够快速地开始特定原因、排除原因等的下一操作。
此外，此实施方式中，由于在处理模块S2和接口模块S3之间设置的辅助模块S6中设置有在进行浸液曝光时所必需的单元即保护膜涂敷单元401和保护膜去除单元402，所以通过插入此辅助模块S6，就能够不变更处理模块S2的布局，来对应于进行浸液曝光的情况和不进行浸液曝光的情况。此时在不进行浸液曝光的情况下，也可以在辅助模块S6内过而不停地来搬运晶片W。
顺便提一下，虽然在上述例子中，利用共同的交付台TRS1B执行检查模块S5的第二穿梭臂120和处理模块S2的第一穿梭臂7之间的交付，但通过第一穿梭臂7进行交付的台和通过第二穿梭臂120进行交付的台互不相同，即使在交付臂D1进行互不相同的台之间的晶片W的搬运的情况下，第一穿梭臂7和第二穿梭臂120也能进行直达搬运。
再有，在已述的涂敷、显影装置101中的各模块中设置的各交付台TRS的数量及各单元的数量不限定于已述的例子。此外，检查模块S5或辅助模块S6中的任何一个也可被构成为设置在已述的涂敷、显影装置中。
在已述的实施方式中，虽然在COT层B3的棚单元U1～U4中，含有对晶片W进行疏水化处理的单元(ADH)，但也可以代替将此疏水化单元设置在COT层B3中，如图14～图15所示将其设置在已述的检查模块S5中。具体地说，此图14～图15所示的涂敷、显影装置102的检查模块S5结构与上述涂敷、显影装置101的检查模块S5大致相同，在交付台TRS11的上方设置有例如层叠设置三个疏水化单元118。此外，从输送机模块S1一侧看时，在靠近此检查模块S5的左侧，例如与处理模块S2的交付臂D1相同，设置有自由升降、自由进退且绕垂直轴自由旋转地构成的交付臂119，此交付臂119被构成为能够访问交付台TRS11及各疏水化单元118。
在这样构成的涂敷、显影装置102中，接受曝光处理的晶片W按输送机20→输送机模块S1→转送臂C→交付台TRS11→交付臂119→疏水化单元118→交付臂119→交付台TRS11→穿梭臂120→交付台TRS1B的顺序，从输送机模块S1通过检查模块S5被搬运到处理模块B2。疏水化处理例如在涂敷抗蚀剂前进行，此情况下虽能够适用在不涂敷下侧的防反射膜的工艺中，但也可以在涂敷下侧的防反射膜之前进行疏水化处理。晶片W除为了疏水化处理而被搬运外，按与已述的涂敷、显影装置101相同路径被搬运并接受曝光处理。再有经过曝光处理的晶片W接受显影处理并送回输送机20时，晶片W按与已述的涂敷、显影装置101相同的路径搬运。
此外，选择曝光检查模式时，测试晶片W按与已述的涂敷、显影装置101相同的路径搬运。
如此，在检查模块S5设置疏水化单元118的情况与在各单位模块B2～B4的棚单元U1～U4设置疏水化单元的情况相比，能够减少各单位模块的主臂A2～A4的负荷。
在上述实例中，在具备检查模块S5及辅助模块S6中至少一个的涂敷、显影装置中，对于检查模块S5及辅助模块S6，在采用不设置穿梭臂的、即使曝光检查时也通过通常处理时使用的交付臂进行搬运的结构的情况下，设置在处理模块S2的穿梭臂7相当于用于在输送机模块S1和接口模块S3之间进行基板的直达搬运的直达搬运装置。
权利要求
1.一种涂敷、显影装置，其中将利用输送机搬入输送机模块中的基板交付给处理模块，在此处理模块中形成含有感光材料膜的涂敷膜，然后，通过接口模块搬运到曝光装置，将经由上述接口模块返回来的曝光后的基板在上述处理模块中进行显影处理，并交付给上述输送机模块，其特征在于，a)上述处理模块包括分别从输送机模块一侧延伸到接口模块一侧的、用于形成含有由感光材料形成的涂敷膜的膜的涂敷膜形成用模块；以及相对于此涂敷膜形成用模块而层叠的显影用模块，b)上述涂敷膜形成用模块及显影用模块包括用于对基板涂敷药液的液体处理单元、加热基板的加热单元、冷却基板的冷却单元、以及在这些单元之间搬运基板的模块用搬运装置，c)设置有直达搬运装置，该直达搬运装置相对于上述涂敷膜形成用模块及显影用模块进行层叠，用于在输送机模块和接口模块之间进行基板的直达搬运，d)通过上述直达搬运装置，将形成有涂敷膜的基板从输送机模块一侧搬运到接口模块一侧。
2.根据权利要求1中所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述涂敷膜形成用模块包含层叠体，该层叠体是用于形成抗蚀剂膜的模块、用于在抗蚀剂膜的下侧形成防反射膜的模块和用于在上述抗蚀剂膜的上侧形成防反射膜的模块的层叠体。
3.根据权利要求1或2中所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在涂敷膜形成用模块的下侧设置显影用模块。
4.根据权利要求1或2中所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述直达搬运装置构成为在与上述涂敷膜形成用模块和显影用模块区分开的搬运模块内移动。
5.根据权利要求4中所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在显影用模块和涂敷膜形成用模块之间设置上述搬运模块。
6.根据权利要求5中所述的涂敷、显影装置，其特征在于，还包括将气体导入上述搬运模块内部从而使搬运模块内部成为正压的气体导入部。
7.根据权利要求1、2、5或6中任意一个所述的涂敷、显影装置，其特征在于，包括多个交付台，分别配置并相互层叠成能够利用涂敷膜形成用模块中的模块用搬运装置、显影用模块中的模块用搬运装置及直达搬运装置来进行基板的交付；以及升降搬运装置，进行自由升降以便能够在这些交付台之间进行基板的交付。
8.根据权利要求1、2、5或6中任意一个所述的涂敷、显影装置，其特征在于，包括控制基板的搬运的控制部，该控制部构成为能够选择将用于检查曝光装置的状态的试验基板从输送机模块通过直达搬运装置搬运到曝光装置的搬运模式。
9.根据权利要求1、2、5或6中任意一个所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在上述处理模块和接口模块之间设置辅助模块，该辅助模块包括进行涂敷膜形成后曝光处理前和/或曝光处理后显影处理前的处理的单元、以及用于在这些单元、上述处理模块及接口模块之间搬运基板的交付臂，上述直达搬运装置包括通过上述处理模块的第一直达搬运装置、以及通过上述辅助模块的第二直达搬运装置。
10.根据权利要求1、2、5或6中任意一个所述的涂敷、显影装置，其特征在于，在上述输送机模块和处理模块之间设置检查模块，该检查模块包括用于进行基板检查的检查单元；以及在检查单元、输送机模块及处理模块之间搬运基板的交付臂，上述直达搬运装置包括通过上述检查模块的第三直达搬运装置；以及通过上述处理模块的第一直达搬运装置。
全文摘要
本发明提供一种能够按所希望的定时进行曝光装置维护的涂敷、显影装置。该涂敷、显影装置在将搬入输送机模块的基板搬运到处理模块并形成涂敷膜之后，通过接口模块搬运到曝光装置，通过上述接口模块返回来的曝光后的基板在上述处理模块中进行显影处理并搬运到输送机模块，其中设置搬运装置，该搬运装置相对于上述涂敷膜形成用模块及显影用模块层叠并且在输送机模块和接口模块之间将形成涂敷膜的基板从输送机模块一侧直达搬运到接口模块一侧。通过这种结构，即使涂敷膜形成用模块和显影用模块处于维护中，由于可以将检查用基板搬运到曝光装置中，所以也能够检查曝光装置的状态。
文档编号G03F7/30GK1854898SQ20061008986
公开日2006年11月1日 申请日期2006年3月10日 优先权日2005年3月11日
发明者松冈伸明, 林伸一, 林田安 申请人:东京毅力科创株式会社