图像感测装置及其制作方法

专利名称：图像感测装置及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种具有波导管的图像感测装置及其制作方法。
技术背景互补式金属氧化物半导体晶体管图像感测器(CMOS image sensor, CIS) 为现今一种常见的图像感测装置，且由于CIS可以整合于传统的半导体工 艺制作，因此具有制作成本较低、元件尺寸较小以及集成度(hitegration)较 高的优点。此外CIS还具有低搡作电压、低功率消耗、高量子效率(quantum efficiency)、低噪声(read-out noise)以及可根据需要进行随机存取(random access)等优势，因此已广泛应用在个人电脑相机(PC camera)以及数字相机 (digital camera)等电子产品上。典型的CIS结构可依其功能划分为一光感测区与一周边电路区，其中 光感测区通常设有多个成阵列排列的光电二极管(photodiode),并分别搭配 重置晶体管(reset transistor)、电流汲取元件(current source follower)及列选择 开关(row selector)等的MOS晶体管，用来接收外部的光线并感测光照的强 度，而周边电路区则用来串接内部的金属内连线及外部的连接线路。而CIS 的感光原理是将入射光线区分为各种不同波长光线的组合，再分别由半导 体基底上的多个感光元件予以接收，并转换为不同强弱的数字信号。例如， 将入射光区分为红、蓝、绿三色光线的组合，再由相对应的光电二极管予 以接收，进而转换为数字信号。此外，光电二极管主要是依照该光感测区 所产生的光电流来处理信号数据，例如光感测区于受光状态所产生的光电 流(light current)代表信号(signal)，而光感测区于不受光状态所产生的暗电流 (dark current)则代表噪声(noise),因此光电二极管可以利用信号噪声比的强 弱方式来处理信号数据，并将比对后的信号数据转交该周边电路区传输。请参考图1,图1为传统的CIS结构示意图，包括有一半导体基底10, 其表面设有多个光电二极管11、 12、 13以及多个浅沟隔离(shallow trench isolation, STI)14分隔光电二极管11 、 12、 13,以定义出一像素阵列，其中
光电二极管ll、 12、 13分别包括一n型掺杂剂区16与一p型掺杂剂区17, 作为感测外来光源强度的元件。此外，为建立完整的CIS结构，半导体基 底10表面设有多层介电层与多重金属内连线(multilevel interconnects),例如 一层间介电层(interlevel dielectric layer) 20与二层金属间介电层(intermetal dielectric layer, IMD)22、 24,而金属间介电层22、 24间另设置有多个金属 导线23、 25。然而如图l所示，当来自一外部光源30的一入射光线32,以近乎垂直 的角度入射至光电二极管12,并引发相关的电子信号传递；但同样来自外 部光源30的一散射光线34，则是先射向金属导线25并在表面反射后，再 转而入射至邻近光电二极管12的另一光电二极管13,因而发生了所谓的跨 越干扰现象(crosstalk effect),使得原本处于不受光状态的光电二极管13受 到散射光线34的干扰，导致光电二极管13比对信号与噪声的比值无法提 升，明显影响CIS在感光功能上的灵敏度(sensitivity)。为改善传统CIS各光电二极管间所发生的跨越干扰现象，美国专利案 号US 6，861，866提出一种改良后的CIS结构，如图2所示。图2为美国专 利案号US 6,861,866所提出的改良后的CIS结构示意图，其可大略区分为 左侧的一光感测区40以及右侧的一金属内连线电路区42，此CIS结构包括 一基底44、多层金属间介电层(IMD)46与多层防止金属原子扩散的扩散阻 障层(diffusion barrier layer)48交互相叠于基底44上方，其中金属内连线电 路区42包括多层铜金属导线50，负责电连接相对应的栅极52与源极/漏极 54以控制CIS信号的传递；而光感测区40则包括设于基底44表面的一光 电二极管56、 一光学通道(lightpassageway)58设于光电二极管56上方、多 层金属阻障层(metal barrier)60共同构成光学通道58的一内侧壁面62、 一用 以阻绝跨越干扰现象的保护层64设于光学通道58的内侧壁面62表面并覆 盖于金属间介电层46表面、 一透明填充层(transparent filler)66填入光学通 道58、 一彩色滤光片68覆盖于透明填充层66表面以及一微聚光镜(microlens) 70设于光学通道58上方。但由于工艺的关系，光学通道58的内侧壁面62 分别由各介电层46中定义光学通道58位置的金属阻障层60上下连接而成， 因此光学通道58的内侧壁面62为一不连续的表面，这将使得部分照射至 光学通道58的内侧壁面62的光线容易发生散射，而无法完全顺利到达光 学通道58下方的光电二极管56,相对地造成光电二极管56可接收到的有 此外，另一美国专利案号US 6,969,899亦揭露相似的CIS结构，如图3 所示，其包括有一基底72.多个光电二极管74设于基底72表面、多个浅 沟隔离76交错于光电二极管74之间、多层第一介电层78覆盖于基底72 上方，以及多个光学通道80直接至连接光电二极管74。其中，每一个光学 通道80内均充填有一第二介电层82,且各光学通道80的内侧壁面皆形成 有一第三介电层84，用以阻绝跨越干扰现象。但由于其所揭露的光学通道 80直接连接至光电二极管74，因此在实际的工艺上，这将导致在蚀刻出光 学通道80时，光电二极管74的光感测区表面非常容易受到等离子体损坏 (plasmadamage)及不纯物残留的污染，产生大量的表面缺陷，增加漏电流造 成噪声，使得光电二极管74的感光效果下降，严重时，甚至会造成光电二 极管74元件的损坏而丧失其功能。发明内容因此本发明的主要目的在于提供一种具有波导管的图像感测装置以及 其制作方法，可有效避免跨越干扰现象并大幅提高图像感测装置的灵敏度。依据本发明，揭露一种图像感测装置，包括一具有至少一光学元件的 基底、至少一介电层设于该基底上以及至少一波导管(wave-guide tube)设于 该介电层中。该波导管的侧壁具有一平直表面，且该波导管对应该光学元 件并与该光学元件相距一预定距离，而该波导管包括有一镶嵌于该介电层 内的填充层以及一设于该填充层的侧壁的光学屏障层，其中该填充层与该 光学屏障层分别具有一反射系数112与n3，且该填充层的该反射系数n2大于 该光学屏障层的该反射系数n3。依据本发明，另揭露一种图像感测装置的.制作方法。首先提供一具有 至少一光学元件的基底，随即在该基底上形成至少一介电层，并覆盖于该 光学元件，之后于该介电层中形成一具有一凹槽，该凹槽对应于该光学元 件，且该凹槽与该光学元件相隔一预定距离，然后于该凹槽的内侧壁表面 形成一光学屏障层，最后形成一填充层填满该凹槽，以形成一波导管，其 中该介电层具有一反射系数n,、该填充层具有一反射系数n2以及该光学屏 障层具有一反射系数n3,且该填充层的该反射系数n2大于该光学屏障层的 该反射系数113。
由于本发明的图像感测装置的波导管底部为具有聚焦效果的一凹型底 面，并与光学元件间相距一预定距离，以避免光学元件发生表面缺陷而增 加漏电流，而波导管内侧壁更具有一光学屏障层，可有效避免不同光路间 的跨越效应，同时藉由光学屏障层与填充层的折射率差异，使非垂直入射的光线在波导管内进行全反射，造成波导效应(wave-guide effect),因此下方 的光学元件可以收集到更多的光线，进而能增加该图像感测装置的感光效 果和灵敏度。此外，波导管内的填充层更可直接利用分色膜(dichroic film) 或彩色滤光片的材质制作而成，以缩短光径，大幅提高图像感测装置的解析度。


图1为传统的CIS结构示意图；图2为美国专利案号US 6,861 ，866所提出的改良后的CIS结构示意图； 图3为美国专利案号US 6.969,899所提出的另一改良后的CIS结构示意图；图4至图IO为本发明的图像感测装置的工艺示意图； 图11为本发明所揭示的一优选实施例。 主要元件符号说明10半导体基底11、12、 13光电二极管14浅沟隔离16n型摻杂剂区17p型掺杂剂区20层间介电层22、24金属内连线层23、25金属导线30外部光源32入射光线34散射光线40光感测区42周边电路区44基底46介电层48扩散阻障层50铜金属导线52栅极54源极56光电二极管58光学通道60金属阻障层62内侧壁面64保护层66透明填充层68彩色滤光片
70聚光镜72基底74光电二极管76浅沟隔离78第一介电层80光学通道82第二介电层84第三介电层100基底105绝缘物106光学元件術、108、 109金属导线112层间介电层114、116、 118金属间介电层120凹槽122凹型底面124光学屏障层125波导管126填充层128平坦层130微聚光镜200图像感测装置202基底204光学元件206绝缘物208层间介电层210、212、 214金属间介电层215波导管216介电层217、218、 219金属导线220平坦层222微聚光镜224光学屏障层226填充层228、229 光线具体实施方式
为了使突显本发明的优点及特征，下文列举本发明的一优选实施例，并配合图示作详细说明如下图4至图10为本发明的图像感测装置的工艺示意图。首先请参考图4， 提供一基底100，其上已形成有至少一光学元件106、至少一绝缘物105分 隔光学元件106 、至少 一层间介电层(interlevel dielectric layer, ILD) 112、多层 金属间介电层(intermetal dielectric layer, IMD) 114、 116、 118以及多个金属导 线107、 108、 109。于本优选实施例中，基底100为一半导体基底，但不限 制为一硅晶片(wafer)或一硅覆绝缘(SOI)等的基底；光学元件106可为一光 电二极管(photodiode)，用来接收外部的光线并感测光照的强度，而且光学 元件106另电连接至重置晶体管、电流汲取元件或列选择开关等的CMOS 晶体管(未显示)；绝缘物105可为浅沟隔离(shallow trench isolation, STI)或局
部石圭氧化绝缘层(local oxidation of silicon isolation layer, LOCOS),用以避免 光学元件106与其他元件相接触而发生短路；层间介电层112可以是一氧 化硅层(silicon oxide)或一硼磷硅玻璃(borophosposilicate glass, BPSG)层等； 金属间介电层114、 116、 118则可由一氮氧化硅层(SiON)或一氟硅玻璃层 (fluoride silicate glass, FSG)等；至于构成多重金属内连线(multilevel interconnects)的金属导线107、 108、 109及金属间介电层114、 116、 118则 可利用双镶嵌工艺或现有的金属内连线工艺加以制作，在此不多赘述。如图5所示，首先于金属间介电层118表面形成一图案化的光致抗蚀 剂层(图未示)，接着再利用此图案化的光致抗蚀剂层当作掩模来蚀刻光学元 件106上方的金属间介电层114、 116、 118,以于金属间介电层114、 116、 118中形成一凹槽120,并使凹槽120底部产生一凹型(concave)底面122。 其中，凹槽120顶端开口的直径由于蚀刻的结果会自然形成略大于凹槽120 的底面直径，例如凹槽122的底面直径约为开口直径的75% 95%之间，最 好是在95%以上尽量使该侧壁保持接近垂直，此一漏斗型结构将有利于后 续沉积工艺的进行，并能有效地导引入射光线至光学元件106。此外，本发 明亦可先利用一干蚀刻工艺来蚀刻金属间介电层114、 116、 118,然后再进 行一湿蚀刻工艺来蚀刻层间介电层112以产生凹型底面122，或者是如前所 述藉由控制该千蚀刻工艺的参数而直接于金属间介电层114、 116、 118中形 成此具有凹型底面122的凹槽120。由于凹槽120是直接蚀刻多层介电层所 得，因此凹槽120具有一平直的内侧壁，不会造成光线无方向性的散射。 此外，凹槽120的外观并不限于如图5所示的漏斗型结构，其亦可以是一 具有垂直壁面的管状结构或是其他开口直径与底面直径一致的柱状结构， 且凹槽120的底面122亦可取代为一平面或其他可聚光的底面结构。值得注意的是，本发明的凹槽120的凹型底面122与光学元件106间 相距一预定距离。于本优选实施例中，此预定距离约为层间介电层112的 厚度，亦即本优选实施例是蚀刻金属间介电层114、 116、 118而停止于层间 介电层112表面。而且本发明的该预定距离，亦相对应于凹槽120蚀刻的 深浅，可端视于各产品的规格需求或凹型底面122的曲率半径及感光区域 的形状大小而做适度的调整，因此不但能用以确保凹型底面122相作用于 光学元件106的焦距，提高感光的灵敏度(sensitivity)，而且该预定距离更可 用以确保光学元件106表面在蚀刻工艺或其他后续的工艺当中不受外力的
影响与伤害，进而增加本发明所示的图像感测装置的可靠性。接着如图6所示，利用一沉积工艺，如化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)工艺、高温沉积工艺、等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD )工艺或物理气相沉积(physical vapor deposition, PVD)工艺等，形成一平直的光学屏障层124覆盖于凹槽120 的内侧壁、凹型底面122与金属间介电层118表面。值得注意的是，在本 优选实施例中，层间介电层112与金属间介电层114、 116、 118的反射系数 大于光学屏障层124的反射系数。例如，若层间介电层112与金属间介电 层114 、 116、 118均具有 一相同的反射系数(reflective index, RI) n,，而光学 屏障层124具有一反射系数n3,则层间介电层112与金属间介电层114、116、 118的反射系数n,大于光学屏障层124的反射系数n3。光学屏障层124的 材质可以是氧化钛(titanium oxide)、氧化硅或其他反射系数值符合前述要件 的材料所构成。此外，考量金属本身具有良好的光学反射特性，故光学屏 障层124亦可由一金属屏障层所取代，以强化光学屏障层124的阻隔效果。如图7所示，进行一回蚀刻工艺，用以移除沉积于金属间介电层118 表面的光学屏障层124与沉积在凹型底面122上的光学屏障层124，仅保留 沉积在凹槽120内侧壁面的部分光学屏障层124。随后如图8所示，进行一 沉积工艺，如旋转涂布(SOG)、化学气相沉积(CVD)工艺、高温沉积工艺、 等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)工艺或物理气相沉积(PVD)工艺等，于金属间介电层118及光学屏 障层124表面形成一填充层126并填满凹槽120。于本优选实施例中，填充 层126可利用如氧化钛(titanium oxide)或氧化钽(tantalum oxide)等分色膜 (dichroic film)材料制作而成，然填充层126并不仅限定以分色膜材料制作， 其亦可利用彩色滤光片的原料，例如加入彩色染料的树脂、彩色光致抗蚀 剂或其他无机化合物等材料制作成一彩色滤光层，又或者利用其他可供光 线通过的透明物质作为填充层126的材料。如图9所示，进行一化学机械抛光的平坦化工艺，用以移除部分形成 于金属间介电层118表面的部分填充层126,使填充层126表面与金属间介 电层118表面齐平。至此，凹槽120、光学屏障层124以及填充层126即共 同构成本发明的波导管125。值得注意的是，在本优选实施例中，填充层126具有一反射系数n2， 且填充层126的反射系数112大于光学屏障层124的反射系数ri3。因此当一 入射光线射向光学屏障层124时，由于填充层126的反射系数ri2大于光学 屏障层124的反射系数113.,所以非垂直入射的入射光线会在光学屏障层124 表面进行全反射，再到达光学元件106,形成波导效应(wave guide effect), 而不会有穿越金属间介电层114、 116、 118与层间介电层112，造成跨越现 象的问题。如图IO所示，可于金属间介电层118与波导管125上方形成一平坦层 128与一微聚光镜(microJens) 130。平坦层128可保护下方的金属间介电 层114、 116、 118、层间介电层112与波导管125并形成平坦表面，利于后 续形成孩i聚光镜130的工S进行。而平坦层128可以是透明的薄膜层，例 如氧化硅层、透明树脂、玻璃或其他具有透光特性的材质制成，而微聚光 镜130可藉由形成一图案化的聚合物于平坦层128上，再经由一退火工艺 将该聚合物形成相对于凹槽120的微聚光镜130,以提供有效的聚光效果。 此外，考量填充层126所选用的物质特性，若填充层126选用一透明物质 作为其材料，于平坦层128与微聚光镜130间另可设置一彩色滤光片(图未 示)，以选择入射光的种类。本发明所述的图像感测装置的制作方法，不仅能制作单 一 波导管的图 像感测装置，亦可制作包括多个波导管的图像感测装置。请参考图11，图 11为本发明所揭示的一优选实施例的图像感测装置200，包括有一基底202、 至少一光学元件204、至少一介电层216覆盖在基底202表面以及至少一波 导管215设于介电层216中。于本实施例中，介电层216包括至少一层间 介电层208以及多层金属间介电层210、 212、 214,且金属间介电层210、 212、 214间设有由多个金属导线217、 218、 219所连结的金属内连线(图未 示)与光学元件204或与外部电路电连接，同时光学元件204间设有一绝缘 物206,用来避免光学元件204与其他元件相接触而发生短路。图像感测装 置200所包括的波导管21f;对应于各光学元件204,且各波导管215分别包 括一光学屏障层224以及一填充层226，其中波导管215具有一凹型底面， 且波导管215的开口直径由于蚀刻的结果会自然形成略大于其底面直径， 而底面直径约为开口直径的75% 95%之间，最好是在95%以上尽量使波导 管215的侧壁保持接近垂直，同时波导管215的该凹型底面与光学元件204 间相距一预定距离，于本实施例中，此预定距离约为层间介电层208的厚13
度，以确保光学元件204的可靠性。而图像感测装置200还包括一平坦层220以及至少一微聚光镜222设 于介电层216与波导管215上方，保护下方的介电层216与波导管215，并 提供聚光的效用。值得注意的是，波导管215的侧壁具有一平直表面，故 当有外来光线入射时，较不易造成无方向性的散射，于本优选实施例中， 层间介电层208与金属间介电层210、 212、 214均具有相同的一反射系数 nP而光学屏障层224具有一反射系数113，其中层间介电层208与金属间介 电层210、 212、 214的反射系数n,大于光学屏障层224的反射系数n3，由 于反射系数的差异，自外界通过金属间介电层214射向光学屏障层224的 光线229，将会在光学屏障层224与金属间介电层214的介面反射，又填充 层226可具有一反射系数n2,且填充层226的反射系数n2大于光学屏障层 224的反射系数ii3;故当一光线228射向光学^^障层224时，由于填充层 226的反射系数n2大于光学屏障层224的反射系数n3,因此光线228在光 学屏障层224表面会进行全反射，而不会有穿越介电层216并造成跨越现 象的问题。此外，考量金属本身可造成良好的光反射效果且光线不易穿过， 因此光学屏障层224亦可由一金属屏障层所取代，以强化光学屏障层224 的阻隔效果。值得注意的是，图像感测装置200包括至少一个光学元件204 以及其对应的波导管215.可适用于制作具有光学阵列排列的图像感测元 件，例如具有红、蓝、绿或其他颜色的分光或滤光效果的光学阵列，以应 用在相关的电^L电子产品当中。综上所述，本发明提供一种图像感测装置及其制作方法，其特点在于 波导管底部的凹型底面与光学元件间相距一预定距离，以提高聚焦效果并 避免光学元件发生表面缺陷而增加漏电流；波导管内侧壁具有一光学屏障 层，可有效避免不同光路间的跨越效应，相对地使图像感测装置的灵敏度 大幅提升；再者，藉由折射率的不同，该光学屏障层可使非垂直入射的光 线在凹槽内进行全反射，造成完整的波导效应，使下方的光学元件可以收 集到更多的光线，增加该图像感测装置的感光效果。此外，波导管内的填 充层更可直接利用分色膜或彩色滤光片的材质制作而成，缩短光径，进而 提高图像感测装置的解析度。以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等 变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1.一种图像感测装置，其包括有基底，包括至少一光学元件；至少一介电层设于该基底上且该介电层具有反射系数n1；至少一波导管设于该介电层中，该波导管的侧壁具有平直表面且该波导管对应该光学元件并与该光学元件相距预定距离，而该波导管包括填充层，镶嵌于该介电层内，该填充层具有反射系数n2；以及光学屏障层，设于该填充层的侧壁，该光学屏障层具有反射系数n3，且该填充层的该反射系数n2大于该光学屏障层的该反射系数n3。
2. 如权利要求1所述的图像感测装置，其中该波导管具有凹型底面。
3. 如权利要求1所述的图像感测装置，其中该介电层包括至少一层间 介电层，以及至少一金属间介电层设置于该层间介电层之上。
4. 如权利要求3所述的图像感测装置，其中该预定距离为该层间介电 层的厚度。
5. 如权利要求1所述的图像感测装置，其中该介电层的该反射系数n, 大于该光学屏障层的该反射系数n3。
6. 如权利要求1所述的图像感测装置，其中该填充层为分色膜。
7. 如权利要求1所述的图像感测装置，其中该填充层为彩色滤光层。
8. 如权利要求1所述的图像感测装置，还包括微聚光镜，设于该波导 管上方。
9. 如权利要求1所述的图像感测装置，其中该光学元件为光电二极管。
10. 如权利要求1所述的图像感测装置，其中该图像感测装置为互补 式金属氧化物半导体晶体管图像感测器。
11. 一种图像感测装置的制作方法，该制作方法包括 提供具有至少一光学元件的基底； 于该基底上形成至少一介电层，并覆盖于该光学元件； 于该介电层中形成凹槽，该凹槽对应于该光学元件，且该凹槽与该光学元件相隔预定距离；于该凹槽的内侧壁表面形成平直的光学屏障层；以及 形成填充层填满该凹槽，以形成波导管； 其中该介电层具有反射系数n,、该填充层具有反射系数n2以及该光学 屏障层具有反射系数n3,且该填充层的该反射系数n2大于该光学屏障层的 该反射系数ri3。
12. 如权利要求11所述的制作方法，其中该介电层包括至少一层间 介电层以及至少一金属间介电层设置于该层间介电层之上。
13. 如权利要求12所述的制作方法，其中该预定距离为该层间介电 层的厚度。
14. 如权利要求11所述的制作方法，其中该凹槽具有凹型底面。
15. 如权利要求14所述的制作方法，其中于该凹槽的内侧壁表面形 成该光学屏障层的方法包括进行沉积工艺，于该介电层表面与该凹槽的内侧壁及该凹型底面表面 形成光学屏障层；以及进行蚀刻工艺，蚀刻沉积于该凹型底面上的部分该光学屏障层以及该 介电层表面的部分该光学屏障层。
16. 如权利要求11所述的制作方法，其中形成该填充层填满该凹槽 的方法包括进行沉积工艺，形成该填充层于该介电层表面并填满该凹槽；以及 进行平坦化工艺，移除沉积于该介电层表面的部分该填充层，使该填 充层表面与该介电层表面齐平。
17. 如权利要求16所述的制作方法，其中于该平坦化工艺后还包括 形成微聚光镜于该波导管上方的工艺。
18. 如权利要求11所述的制作方法，其中该介电层的该反射系数n,大于该光学屏障层的该反射系数tl3。
19. 一种图像感测装置，其包括有 基底，包括至少一光学元件； 至少一介电层设于该基底上；至少一波导管设于该介电层中，该波导管的侧壁具有平直表面且该波 导管对应该光学元件并与该光学元件相距预定距离，而该波导管包括 滤光层，镶嵌于该介电层内；以及 金属屏障层，设于该滤光层的侧壁。
20. 如权利要求19所述的图像感测装置，其中该介电层包括至少一 层间介电层，以及至少一金属间介电层设置于该层间介电层之上。
21. 如权利要求20所述的图像感测装置，其中该预定距离为该层间介电层的厚度。
22. 如权利要求19所述的图像感测装置，其中该波导管具有凹型底面。
23. 如权利要求19所述的图像感测装置，其中该滤光层为分色膜。
24. 如权利要求19所述的图像感测装置，还包括微聚光镜，设于该 波导管上方。
25. 如权利要求19所述的图像感测装置，其中该光学元件为光电二极管。
26. 如权利要求19所述的图像感测装置，其中该图像感测装置为互 补式金属氧化物半导体晶体管图像感测器。
27. —种图像感测装置的制作方法，该制作方法包括 提供具有至少一光学元件的基底； 于该基底上形成至少一介电层，并覆盖该光学元件； 于该介电层中形成凹槽，该凹槽对应于该光学元件，且该凹槽与该光学元件相隔预定距离；于该凹槽的内侧壁表面形成平直的金属屏障层； 形成滤光层填满该凹槽，以形成波导管。
28. 如权利要求27所述的制作方法，其中该介电层包括至少一层间 介电层，以及至少一金属间介电层设置于该层间介电层之上。
29. 如权利要求28所述的制作方法，其中该预定距离为该层间介电 层的厚度。
30. 如权利要求27所述的制作方法，其中该凹槽具有凹型底面。
31. 如权利要求30所述的制作方法，其中于该凹槽的内侧壁表面形 成该金属屏障层的方法包括进行沉积工艺，于该介电层表面与该凹槽的内侧壁及该凹型底面表面形成金属屏障层；以及进行蚀刻工艺，蚀刻沉积于该凹型底面上的部分该金属屏障层以及该 介电层表面的部分该金属屏障层。
32. 如权利要求27所述的制作方法，其中形成该滤光层填满该凹槽 的方法包4舌进行沉积工艺，形成该滤光层于该介电层表面并填满该凹槽；以及 进行平坦化工艺，移除沉积于该介电层表面的部分该滤光层，使该滤光层表面与该介电层表面齐平。
33. 如权利要求32所述的制作方法，其中于该平坦化工艺后还包括形成微聚光镜于该波导管工方的工艺。
全文摘要
一种图像感测装置，包括一基底、至少一光学元件、至少一介电层以及至少一波导管设于该光学元件上方，该波导管的侧壁设有一光学屏障层并有一填充层镶嵌于该波导管，因此可有效缩短光径、聚集光线、避免不同光路间的跨越现象以提升该图像感测装置的灵敏度。
文档编号G02B6/13GK101132014SQ20061012186
公开日2008年2月27日 申请日期2006年8月25日 优先权日2006年8月25日
发明者彭念祖, 柯登渊, 陈坤助 申请人:联华电子股份有限公司