显示面板的制作方法

专利名称：显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种显示面板。更具体地说，本发明涉及一种能够 冲是高图4象显示质量的显示面并反。
背景技术：
一般而言，液晶显示(LCD)装置包括LCD面板和背光组件。 LCD面板利用液晶的透光率来显示图^f象，而背光组件i殳置于LCD 面才反下方，以1更向LCD面拓j是供光线。
LCD面板包括第一基板、面对第一基板的第二基板以及设置于 第一基板与第二基板之间的液晶层。第一基板包括信号线、电连接 于信号线的薄膜晶体管以及电连接于薄膜晶体管的像素电极。第二 基板包括阻光层、覆盖阻光层的滤色器以及形成于滤色器上的共用 电极。
当在制造LCD面板之后运输或使用LCD面板时，LCD面板可 能会被外部施加的冲击损坏，从而第 一和第二基板可能由于该冲击 而不对齐。第二基才反由于该冲击而相对于第一基^反移动到左侧或右 侧。
当第二基板相对第 一基板移动时，第二基板的阻光层相对于第 一基玲反不对齐。当第二基板的阻光层相对于第一基^反不对齐时，光 线在第二基板的设计成不传输光线的区域内传输。因此，LCD面板显示器由于光线泄漏而不能显示纯黑色图^f象，并且图^f象显示质量劣 化。

发明内容
示例性实施例提供了一种显示面板，其防止由于第一和第二基 板的不对齐造成的光线泄漏，并且提高图像显示质量。
在示例性实施例中，显示面^反包4舌第一基才反、第二基^反和液 晶层。
第一基板包括栅极线，沿第一方向形成；数据线，沿基本上 垂直于第一方向的第二方向形成；薄膜晶体管，电连接于棚— 及线和 数据线；以及像素电极，电连接于薄膜晶体管，并设置于单位像素 内。
第二基板包括阻光层，阻挡光线；共用电极，设置于阻光层 上，对应于像素电极，并且具有将单位像素分隔成多个域的域限定 件。
液晶层设置于第 一基板与第二基板之间。
阻光层包括主阻光部，设置于单位像素的边缘处，并覆盖栅 才及线和lt悟线；以及子阻光部，乂人主阻光部延伸。子阻光部朝向其 中未设置平行于凄丈据线的域限定件的区域而突出。
在示例性实施例中，域限定件包括本体，相对第一方向倾杀+; 以及分支，连4妄本体的端部，并且沿第二方向延伸。阻光层的子阻 光部突出到其中未设置共用电极的分支的区域内。 在示例性实施例中，显示面板包括第一基板、第二基板和液 晶层。
第一基板包括栅极线，沿第一方向形成；数据线，沿基本上 垂直于第一方向的第二方向形成；薄膜晶体管，电连接于栅才及线和 数据线；像素电极，电连接于薄膜晶体管，并设置于单位像素内； 以及存储线，部分地与像素电极以及与数据线的 一部分交迭。
第二基^反包括阻光层，阻挡光线；共用电才及，设置于阻光层 上，对应于像素电极，并包括将单位像素分隔成多个域的域限定件， 且邻近于存储线。
液晶层设置于第 一基板与第二基板之间。
存储线与数据线的 一部分相交迭，所述部分对应于其中未设置 共用电才及的i或限定4牛的区i或。
在示例性实施例中，存储线包括主存储部，沿第一方向延伸； 第一子存储部，从主存储部沿第二方向延伸，并且与像素电一及的第 一端部相交迭；第二子存储部，从主存储部沿第二方向延伸，并且 与^象素电4及的与第一端部相^j"的第二端部相交迭；以及阻光存储 部，从第一和第二子存储部中的一个朝向凄t据线延伸，并且与凄史据 线的一部分相交迭。
在示例性实施例中，子阻光部从主阻光部突出到除了其中设置 共用电才及的域限定件的区域之外的区域内，或者与lt据线的一部分 相交迭，所述部分对应于除了其中i殳置共用电才及的域限定件的区域 之外的区域，从而减少或有效防止由第 一和第二基板的不对齐而造 成的光线泄漏，并且提高图4象显示质量。


通过参照以下结合附图的详细描述，本发明的上述和其它优点 将变得更加显而易见。
图1是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的示例性实施
例的平面图2是示出了图1单位像素的存储线、栅极线和栅电极的示例 性实施例的平面图3是示出了图1单位像素的数据线、源电极、漏电极、连接 电才及和有源层的示例性实施例的平面图4是示出了图1单位像素的像素电极的示例性实施例的平面
图5是示出了图l单位像素的共用电极的示例性实施例的平面
图6是示出了图1单位4象素的阻光层的示例性实施例的平面
图7是沿图1的线I-I'截取的截面图8是沿图i的线n-ir截取的截面图； 图9是沿图i的线ni-m'截取的截面图IO是示出了图9中第一和第二基板的不对齐的示例性实施 例的截面图，其中省略了子阻光层； 图11是示出了图9中第一和第二基板的不对齐的示例性实施 例的截面图12是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的 另 一示例性实施例的平面图13是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的 另 一示例性实施例的平面图14是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的另一示例 性实施例的平面图15是示出了图14单位像素中的阻光层的示例性实施例的平 面图16是示出了图14单位像素的存储线的示例性实施例的平面
图17是沿图14的线IV-IV'截取的截面图18是沿图14的线V-V'截取的截面图；以及
图19是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的一部分的 示例性实施例的截面图。
具体实施例方式
以下参照示出本发明实施例的附图对本发明进4亍更全面的描
述。但是，本发明可以以许多不同形式来实现，而不应该祐:理解为 仅限于这里所列出的实施例。当然，提供这些实施例，是为了使得 本公开更全面和完整，并向本领域技术人员充分传达本发明的范
围。附图中，为了清楚起见，可能对层和区域的尺寸和相对尺寸进 行了放大。
可以理解，当指出一个元件或层位于另一个元件或层"上"或 者"连接到，，另一个元件或层时，则该元件或层可以直接位于另一 个元件或层上或者直接连接到另一个元件或层，或者也可存在插入 元件或层。相反地，当指出一个元件"直接"位于另一个元件或层 上或者"直接连接到"另一个元件或层时，则不存在插入元件或层。 全文中相同的标号表示相同的元件。当用在文中时，术语"和/或" 包4舌一个或多个相关所列项目的4壬一个以及所有《且合。
可以理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三、等等来 描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、 区域、层和/或部分不应该限于这些术语。这些术语4叉用于将一个元 件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分 区分开来。因此，在不背离本发明宗旨的前提下，下面所讨论的第 一元件、部件、区域、层或部分也可以称作第二元件、部件、区域、 层或部分。
这里可以4吏用诸如"下部"、"上部"等空间相对术语来描述附
图所示的 一 个元4牛或特;f正相对于其它元4牛或特性的关系。可以理 解，相对关系术语除了包括附图中示出的方位外，还旨在表示包括 装置的不同方位。例如，如果将其中一个附图中的装置翻转，那么 净皮描述为在其它元件或特4正"下部"的元件将纟皮定位在其它元件"上 部"。因此，示例性术语"下部"可以包括上方和下方两个方位。装置 可以以其它方式定^f立(S走转90度或在其它方4立)，并且只寸》匕处<吏用 的空间相对描述语进行相应解释。
这里所使用的术语^又用于描述特定实施例的目的，而并非旨在 限制本发明。除非文中以其它方式清楚地指明，否则这里所使用的
单数形式"一个"("a" "an"和"the")也旨在于包括复数形式。 还可以理解，当术i吾"包括(comprises和/或comprising )"用于本 说明书中时，表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和 /或部件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它的特征、整体、 步骤、操作、元件、部件、和/或它们构成的组。
此处，将参照作为本发明理想实施例(和中间结构)示意图的 截面图描述本发明的实施例。因此，可以预料到由于例如制造技术 和/或7>差所导致的与图中形状的偏离。由此，本发明的实施例不应 该被理解为限制于这里所示的区域的特定形状，而应包括例如由于 制造所导致的形状上的偏差。
例如，净皮示为矩形的注入区在其边纟彖通常具有圓形或曲线形特 4i和/或注入浓度梯度，而不是/人注入区到未注入区的二元变4匕。同 样，通过注入形成的掩埋区可能在掩埋区与发生注入的表面之间的 区域中产生一定量的注入。因此，附图中所示的区域实质上是示意 性的，并且它们的形状并非为了示出装置区域的实际形状，也不是 为了限定本发明的范围。
除非另有限定，否则这里所使用的所有术语(包括技术和科学 术语)具有与本发明所属领域l支术人员的通常理解相同的含义。还 可以理解，术i吾(例如常用词典中定义的那些术i吾)应该净皮解释为 具有与它们在相关4支术4页i或范围内的含义一f丈的含义，而不应该解 释为理想^^的或过于正式的含义，除非这里特别;也加以定义。
以下，将参照附图更详细地描述本发明。
图l是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的示例性实施 例的平面图。图2是示出了图1单位像素的存储线、栅极线和栅电 极的示例性实施例的平面图。图3是示出了图1单位像素的数据线、
源电极、漏电极、连接电极和有源层的示例性实施例的平面图。图
4是示出了图1单位像素的像素电极的示例性实施例的平面图。图 5是示出了图1单位像素的共用电极的示例性实施例的平面图。图 6是示出了图1单位^象素的阻光层的示例性实施例的平面图。图7
是沿图i的线i-r截取的截面图。图8是沿图i的线n-n'截取的截 面图。图9是沿图i的线ni-m'截取的截面图。
参照图l至9，显示面板包括第一基板100、第二基板200和 '液晶层300。
第一基板100包括基本以矩阵排列的方式设置的多个像素电
极、多个薄膜晶体管和多个信号线。每个薄膜晶体管向每个像素电 极施加驱动电压。每条信号线驱动每个薄膜晶体管。
第二基板200面对第一基板100。第二基板200设置于显示面
板的前表面处。第二基板包括具有透明导电材料的共用电极以及面 向像素电极的滤色器。在示例性实施例中，滤色器可以包括红色滤 色器、绿色滤色器、蓝色滤色器等。
液晶层300设置于第一基板100与第二基板200之间。液晶层 300的方位通过形成于像素电极与共用电极之间的电场被重新布 置。重新布置后的液晶层300调节入射光线的透光率，并且由透光 率调节后的光线穿过滤色器，爿t人而显示图^f象。
参照图1至图4、图7至图9，第一基板100包括第一透明基 板110、栅极线120、存储线130、栅极绝缘层140、数据线150、 薄膜晶体管160、第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、保护层 170和像素电极180。
第一透明基板110形成为基本上板状，并包括透明材料。在一 个示例性实施例中，第一透明基板110可以包括(但不限于)玻璃、
石英、蓝宝石或透明合成树脂。
参照图1和图2，多条4册才及线120沿第一方向形成于第一透明 基板110上，并且多条存储线130沿第 一方向形成于第 一透明基板 110上。稍后将对关于存储线130的更详细说明进行讨论。
栅极绝缘层140形成于第一透明基板110上，以覆盖栅极线120 和存^f诸线130。在一个示例性实施例中，棚-才及绝^彖层140可以包才舌 (但不限于)氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
参照图1和图3,多条数据线150沿基本垂直于第一方向的第 二方向形成于栅极绝缘层140上。栅极线120沿不同于数据线150 的第二方向的第一方向延伸。在一个示例性实施例中，具有基本上 矩形形习犬的多个单^f立4象素可以通过4册才及线120和教:l居线150的交叉 来限定。在示例性实施例中，每个单位像素可以形成为矩形形状， 并且矩形形状的纟从向方向基本上平4于于第二方向。
参照图1至图3,薄膜晶体管160包括"断电才及G、有源层A、 源电极S和漏电极D。第一实施例的薄膜晶体管相对于数据线150 形成于第一侧处。
栅电极G是栅极线120的相对于数据线150形成于第一侧处的 一部分。有源层A对应于栅电极G形成于栅极绝缘层140上。源 电极S相对于数据线150沿第一侧(例如，图3中的左侧)的方向 /人凄tl居线150延伸，并且与有源层A的一部分交迭。在一个示例性 实施例中，源电极S可以形成为基本上L形。漏电才及D沿第二方向 延伸，其与源电才及S隔开预定距离，并且其与有源层A的一部分交 迭。
参照图3，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2形成于栅 才及绝纟彖层140上，并且形成于每个单位4象素中。第一连4妄电才及CE1 和第二连接电极CE2分别电连接于薄膜晶体管160的漏电极D。
保护层170形成于栅才及绝缘层140上，以覆盖数据线150、薄 膜晶体管160、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。在示例性 实施例中，保护层170可以包括氮化硅(SiNx )或氧化硅(SiOx )。 接触孑L 172形成于保护层170的对应于第一连接电极CE1的区域 处。
参照图1和图4，像素电极180形成于保护层170上，并且形 成于每个单位像素内。像素电极180包括透明导电材料。在一个示 例性实施例中，像素电极180可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌 (IZO)、非晶氧化铟锡(a-ITO)等。像素电极180包括彼此电隔 离的第一4象素部182和第二4象素部184。
第一像素部182围绕第二像素部184的轮廓线，并具有与第一 像素部182的外形相对应的外形。第二像素部184形成于每个单位 ^像素的中央部处(例如，沿如图4所示的第二方向)。第一^(象素部 182形成于每个单4立<象素中的上部和下部处(例如，沿第二方向)， 以便围绕第二像素部184的轮廓线。第一像素部182和第二像素部 184可以形成为相对于沿第 一方向穿过每个单位像素中心的假想中 心线而基本上对称的结构。
第一像素部182包括第一上部像素UP1，其相对于Wi想中心 线形成于单位像素的上部处；以及第一下部像素LP1，其相对于，支 想中心线形成于单位 <象素的下部处，并电连4妾于第 一 上部 <象素 UP1。
第二^f象素部184包^舌第二上部^f象素UP2，其相对于4叚想中心 线形成于单位像素的上部处；以及第二下部像素LP2，其相对于假 想中心线形成于单位^像素的下部处，并电连4妄于第二上部^f象素 UP2。
第一上部i象素UP1和第二上部〗象素UP2 ;f皮此隔开子贞定3巨离， 并且沿第三方向(诸如相对于第一方向倾杀牛大约45度)^v向地形 成。第一下部^f象素LP1和第二下部像素LP2彼此隔开预定距离， 并且沿第四方向(诸如基本上垂直于第三方向的方向)纵向地形成。
第一^f象素部182通过形成于4呆护层170中的4妄触孔172而电连 接于第一连接电极CE1。第一像素部182的第一下部像素LP1电 连才妄于第一连4妄电才及CE1。
第二^f象素部184通过^f呆护层170而与第二连4妻电才及CE2隔开 预定3巨离(例如，沿垂直于图3和4的平面图的方向)，以形成电 压减少电容器。第二连接电极CE2形成在与第二像素部184的中心 相对应的区域内，以与第二4象素部184交迭。
第一^f象素部182电连接于第一连接电极CE1，并且接收来自薄 膜晶体管160的漏电极D的第一驱动电压。第二连接电极CE2直 接接收来自漏电极D的第一驱动电压，并且第二像素部184间接接 收来自第二连接电极CE2的第二驱动电压。由于电压减少电容器的 存在，所以第二驱动电压处于比第 一驱动电压j氐的电平处。
参照图1和图2，存储线130包括主存储部132、第一子存储 部134和第二子存储部136。
主存储部132沿第一方向形成，并基本上平行于栅极线120。 主存储部132与数据线150交叉。主存储部132可以形成于每个单 4立j象素的上部处，其^皮i人为是4册才及线120的下部。
第一子存^f诸部134沿第二方向乂人主存^f诸部132延伸，并且与傳_ 素电极180的一部分相交迭。第一子存〗诸部134与相邻凄t才居线150 的右侧隔开预定距离，并且基本上平行于数据线150形成。
第二子存储部136沿第二方向从主存储部132延伸，并且与像 素电极180的端部(例如，在如图4所示的像素电极180的最右侧 上)相交迭。第二子存々者部136与相邻凄^U居线150的左侧相隔开， 并且基本上平行于数据线150形成。
相对于数据线150，第一子存储部134形成于右侧处，并且第 二子存〗诸部136形成于左侧处。
参照图1、图5和图6至图9,第二基板包括第二透明基板210、 阻光层220、滤色器230、平面化层240、共用电才及250和单元间隙 保持件260。
第二透明基^反210形成为基本上板状，并包括透明材料。第二 透明基板210面对第一透明基板110。
阻光层220形成于第二透明基板210上，并且阻挡光线。稍后 将对关于阻光层220的更详细说明进行讨论。
滤色器230形成于第二透明基板210上，以覆盖阻光层220。 滤色器230形成于对应于每个单位像素中的像素电极180的区域 内。在一个示例性实施例中，滤色器230可以包括(但不限于)红
色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。当用在文中时，"对应于" 表示在形状、尺寸和/或位置布置上基本对应。
平面化层240覆盖滤色器230和阻光层220，并且使第二基板 200的表面平面4匕。在一个示例性实施例中，平面^f匕层240可以包
括有一几绝缘层。
共用电极250形成于平面化层240上。共用电极250包括透明 导电材料。在一个示例性实施例中，共用电极250可以包括氧化铟 锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、非晶氧化铟锡(a-ITO)等。域限定 件252形成在对应于〗象素电才及180的区域内，并且将每个单位^象素 分隔成多个域。
参照图5，域限定件252包括第一开口部OPl，形成在对应 于第一像素部182的区域内；以及第二开口部OP2，形成在对应于 第二^f象素部184的区域内。第一开口部OP1和第二开口部OP2可 以相对于沿第一方向耳又得的每个单位〗象素的中心线而形成为基本 上对称的结构。
第一开口部OP1包括第一上部域限定部UMP1,沿第三方 向形成，并只于应于第一上部〗象素UP1 (图4);以及第一下部^或限定 部LMP1，沿第四方向形成，并对应于第一下部^f象素LP1 (图4)。
另外，第一开口部OP1可以进一步包4舌第一上部分支USP1 和第一下部分支LSP1。第一上部分支USP1电连4妄于第一上部i或 限定部UMP1的端部，并且覆盖邻近凄t据线150的第一上部^f象素 UP1端部的一部分。第一下部分支LSP1电连4妄于第一下部域限定 部LMP1的端部，并且覆盖邻近凄t据线150的第一下部l象素LP1 端部的一部分。
第一上部分支USP1 乂人第一上部域限定部UMP1的端部向下延 伸(例如，沿第二方向)，其基本上平行于数据线150，并且覆盖第 一上部Y象素UP1的端部。第一下部分支LSP1 乂人第一下部^戈限定部 LMP1的端部向上延伸(例如，沿第二方向)，其基本上平4于于凄t 据线150，并且覆盖第一下部^f象素LP1的端部。
第二开口部OP2包括第二上部域限定部UMP2,沿第三方 向形成，并对应于第二上部^f象素UP2;以及第二下部i或限定部 LMP2，沿第四方向形成，并对应于第二下部〗象素LP2。在一个示 例性实施例中，第二上部i或限定部UMP2和第二下部i或限定部 LMP2^皮此电连^妄。
另外，第二开口部OP2可以进一步包4舌第二上部分支USP2 和第二下部分支LSP2。第二上部分支USP2电连4妄于第二上部:t或 限定部UMP2的端部，并且覆盖邻近凄^居线150的第二上部^f象素 UP2端部的一部分。第二下部分支LSP2电连接于第二下部域限定 部LMP2的端部，并且覆盖邻近lt据线150的第二下部l象素LP2 端部的一部分。
第二上部分支USP2从第二上部i或限定部UMP2的端部向上延 伸(例如，沿第二方向)，其基本上平行于数据线150，并且覆盖第 二上部^f象素UP2的端部。第二下部分支LSP2 /人第二下部i或限定部 LMP2的端部向下延伸，其基本上平行于数据线150,并且覆盖第 二下部《象素LP2的端告，。
参照图1和图7，单元间隙保持件260形成于共用电极250上， 并与第 一基4反100相4妄触，以〗呆持第一 100与第二基^反200之间的 单元间隙。单元间隙保持件260可以包括有机材料。在一个示例性 实施例中，单元间隙保持件260可以通过图案化(诸如，通过光学 工艺)形成。
单元间隙〗呆持件260相对于凄t据线150形成在第一侧处。薄膜 晶体管160相对于数据线150形成在与第一侧相对的第二侧处。如 所示实施例中所示的，分别地，相对于数据线150,单元间隙保持 4牛260可以形成在右侧处而薄膜晶体管160形成在左侧处。
参照图1、图6、图8和图9，阻光层220包4舌主阻光部222 和子阻光部224。在一个示例性实施例中，阻光层220可以包括阻 挡光线的有机材料或无机材料。
主阻光部222沿单位像素的边缘形成，并且覆盖栅极线120、 数据线150和薄膜晶体管160。主阻光部222覆盖lt据线150的部 分沿第一方向的宽度Ll可以在大约2微米(fxm)至大约25微米 (|im )之间。
子阻光部224 /人主阻光部222突出到其中未形成域限定件252 的区域。例如，子阻光部224可以朝向单位《象素的中心线突出，并 且可以邻近于域限定件252。当单元间隙保持件260相对于数据线 150形成在第一侧处时，子阻光部224可以相对于数据线150形成 在与第一侧相对的第二侧处。如图1所示的实施例中所示的，第一 实施例的单元间隙保持件260可以相对于数据线150形成在右侧 处，并且子阻光部224从主阻光部222突出到左侧，例如，相对于 数据线150位于左侧上。子阻光部224沿第一方向的突出长度L2 可以在大约1 |am至大约2 pm之间。
参照图6,子阻光部224包括上部子阻光层UBM和下部子阻 光层LBM。上部子阻光层UBM在第二上部^象素UP2的未形成第 二上部分支USP2的一个端部处突出。另外，下部子阻光层LBM 在未形成第二下部分支LSP2的部分处突出。如所示实施例中所示的，子阻光部224包括从主阻光部222延 伸的两个延伸部，并且所述子阻光部从主阻光部222以基本相同的 距离突出，^f旦是本发明并不限于此。子阻光部224可以包括多于或 少于两个的延伸部，并且/或者子阻光部的突出距离沿第二方向在沿 主阻光部222的位置处可以相等或不同。沿主阻光部222的边纟彖在 第二方向上，子阻光部224可以基本上以相同的布置和/或^f立置布 置，但本发明不限于此。可替换地，单位像素(诸如相邻单位像素) 的子阻光部224的4立置可以沿第二方向交4晉或交^^。
图IO是示出了图9中第一和第二基板的不对齐的示例性实施 例的截面图，其中省略了子阻光层224。图11是示出了图9中第一 和第二基4反的不对齐的截面图。
参照图10和图11,将对所示实施例的效果进^f亍讨i仑。图10所 示的阻光层包括主阻光部222，并且图11所示的阻光层220包括主 阻光部222和子阻光部224。
第一和第二基板100和200可能由于外部冲击而不对齐。如所 示实施例中所示，单元间隙保持件260相对于凄t据线150形成在右 侧处。当外部沖击作用于第一和第二基板100和200时，第二基板 200相对第一基板100与右侧不对齐。第一基板100的表面包括由 数据线150形成的突出区域或表面，从而当外部冲击作用其上时， 具有单元间隙保持件260的第二基板200可以不移到左侧。单元间 隙保持件260被突出的表面阻挡或限制向左侧移动，结果向右侧移 动。因此，如图10和11所示，第二基板200由于外部沖击而相对 第一基4反100与右侧不对齐。
当阻光层220包4舌如图10所示的主阻光部222并且第二基寿反 200相对于第一基板100与右侧不对齐时，从第一基板100下方产 生并进入凄t据线150与第二子存储部136之间的空间(例如，当在
平面图中观看时)的光线可能不会被主阻光部222阻挡。该未被阻 挡的光线(如图10中的箭头所示)最终可以发射到外部，并且发 生光线泄漏现象。在示例性实施例中，当进入数据线150与第二子 存储部136之间的空间内的光线穿过像素电极180的未被共用电极 250的域限定件252覆盖的端部的区域时，光线泄漏现象更频繁地 发生，并达到较大程度。
但是，如图11所示的，当阻光层220不仅包括主阻光部222 而且还包括子阻光部224时，即使第二基板200相对于第一基板100 与右侧不对齐，进入数据线150与第二子存储部136之间的空间内 的光线也可以被子阻光部224阻挡，如箭头所示。在示例性实施例 中，且为了减少或有效防止亮度的降低，子阻光部224可以从主阻 光部222突出到其中未形成共用电极250的域限定件252的区域， 并且子阻光部224可以阻挡进入lt据线150与第二子存^f诸部136之 间的空间内的光线。在示例性实施例中，子阻光部224沿与翁:据线 的侧部相对的方向从主阻光部222延伸，在所述数据线的侧部处， 单元间隙保持件260可以形成为基本上补偿第一和第二基板100和 200相对4皮此的移动距离，并且阻挡在凄t据线150与第二子存^f诸部 136之间传输的光线。
如所示实施例中所示的，子阻光部224突出到其中未形成共用 电才及250的域限定件252的区域，以减少或有效防止光线泄漏现象， /人而^是高图^f象显示质量。
图12是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的 另一示例性实施例的平面图。除了阻光层之外，图12中的显示面 才反基本上与图1-11中的显示面4反相同。因此，将4吏用相同的参考标 号来表示那些与图1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且将省 略关于上述元件的进一步的重复i兌明。
参照图12,阻光层220包括主阻光部222和子阻光部224。
主阻光部222沿每个单位^像素的边^彖形成，并且覆盖棚—及线 120、数据线150和薄膜晶体管160。主阻光部222覆盖数据线150 的部分的宽度可以在大约21 nm至大约25 pm之间。
子阻光部224从主阻光部222突出到其中未形成域限定件252 的区域。在一个示例性实施例中，子阻光部224可以朝向单位l象素 的中心线突出，并且可以邻近于域限定件252。当单元间隙保持件 260相对于数据线150形成在第一侧处时，子阻光部224可以相对 于数据线150从主阻光部222突出到与第一侧相对的第二侧。
在一个示例性实施例中，图12的单元间隙保持件260相对于 凄t梧线150形成在右侧处，并且子阻光部224 /人主阻光部222突出 到左侧。子阻光部224可以以大约1 |im至大约2 |am的长度乂人主阻 光部222突出到左侧。
图12的子阻光部224 /人主阻光部222突出到其中未形成共用 电极250的第二开口部OP2的区域。子阻光部224覆盖以下区域 像素电极180的第二上部像素UP2的端部的区域，该区域内未形成 共用电极250的第二上部分支USP2;像素电极180的第二下部傳_ 素LP2的端部的区域，该区域内未形成共用电极250的第二下部分 支LSP2;以及第二上部4象素UP2与第二下部4象素LP2之间的区&戈 的端部。子阻光部224沿基本平行于数据线150的第二方向形成于 共用电极250的上部分支USP2与第二下部分支LSP2之间。
如所示实施例中所示的，子阻光部224是延伸自主阻光部222 的单个延伸部。子阻光部224 乂人主阻光部222突出的距离沿第二方 向基本上是相同的，但本发明不限于此。 图13是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的 另一示例性实施例的平面图。除了阻光层之外，图13中的显示面 4反基本上与图1-11中的显示面板相同。因此，将4吏用相同的参考标 号来表示那些与图1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且将省 略关于上述元件的进一 步的重复i兌明。
参照图13，阻光层220包括主阻光部222和子阻光部224。
主阻光部222沿每个单位^象素的边纟彖形成，以《更覆盖棚4及线 120、 lt据线150和薄膜晶体管160。主阻光部222覆盖lt据线150 的部分沿第一方向的宽度可以在大约21 |im至大约25 (am之间。
子阻光部224从主阻光部222突出到其中未形成域限定件252 的区i或。子阻光部224可以以大约1 |am至大约2 |am的长度从主阻 光部222突出到左侧。
子阻光部224包^"第一上部子阻光层UBM1、第一下部子阻光 层LBM1、第二上部子阻光层UBM2和第二下部子阻光层LBM2。
第 一上部子阻光层UBM1突出到像素电极180的第 一上部像素 UP1的端部，该端部中未形成共用电才及250的第一上部分支USP1。 第一上部子阻光层UBM1相对于凝:才居线150在右侧处突出，以覆盖 像素电极180的第一上部像素UP1的端部的一部分。
第一下部子阻光层LBM1突出到像素电极180的第一下部像素 LP1的端部，该端部中未形成共用电才及250的第一下部分支LSP1。 第一下部子阻光层LBM1相对于数据线150在右侧处突出，以覆盖 像素电极180的第一下部像素LP1的端部的一部分。
第二上部子阻光层UBM2突出到像素电极180的第二上部像素 UP2的端部，该端部中未形成共用电才及250的第二上部分支USP2。 第二上部子阻光层UBM2相对于数据线150在左侧处突出，以覆盖 像素电极180的第二上部像素UP2的端部的一部分。
第二下部子阻光层LBM2突出到像素电极180的第二下部像素 LP2的端部，该端部中未形成共用电才及250的第二下部分支LSP2。 第二下部子阻光层LBM2相只于于彩j居线150在右侧处突出，以覆盖 像素电极180的第二下部像素LP2的端部的一部分。
在一个示例性实施例中，第二上部子阻光层UBM2和第二下部 子阻光层LBM2可以;f皮此电连4妄并一体i也形成。当用在文中时， "一体地，，用来表示形成为单个单元或部件，而不是结合或包括多 个分离元4牛。
当显示面板接收到外部冲击时，第二基板200相对于第 一基板 100可以向右移动，或者可以向左移动。当单元间隙保持件260不 是相对于数据线150形成于左侧或右侧处而是形成于彼此相邻的数 据线150之间的中心处时，第二基板200相对于第一基板100可能 与左侧或右侧不7于齐。
在所示的实施例中，第一上部子阻光层UBM1和第一下部子阻 光层LBM1相对于主阻光部222形成于右侧处，从而减少了或有效 地防止了由于第二基板200相对于第一基板IOO在左侧处的移动而 造成的光线泄漏。另外，第二上部子阻光层UBM2和第二下部子阻 光层LBM2相对于主阻光部222形成于左侧处，乂人而减少了或有效 地防止了由于第二基板200相对于第 一基板100在右侧处的移动而 造成的光线泄漏。有利地，当子阻光层沿与第二基板200相对于第 一基板100的移动相反的方向延伸时，减少或有效地防止了由于移 动而可能造成的光线泄漏。
在所示的实施例中，第一和第二上部子阻光层UBM1和UBM2 沿主阻光部222的第二方向相对-波此交4晉布置。第一和第二上部子 阻光层UBM1和UBM2的部分沿第一方向;f皮此交迭。第一和第二 下部子阻光层LBM1和LBM2沿主阻光部222的第二方向相对独: 此交4晉布置。第一和第二下部子阻光层LBM1和LBM2的部分沿 第一方向4皮此交迭。可替换地，第一和/或第二子阻光层可以构造 成单个(例如， 一体的)元件。
图14是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的另一示例 性实施例的平面图。除了阻光层和存4诸线之外，图14中的显示面 玲反基本上与图1-11中的显示面;^反相同。因此，将〗吏用相同的参考标 号来表示那些与图1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且将省 略关于上述元件的进一步的重复i兌明。图15是示出了图14单位i象 素中的阻光层的示例性实施例的平面图。
参照图14和图15，阻光层220沿每个单位^像素的边^^形成， 以便覆盖栅极线120、数据线150和薄膜晶体管160。在一个示例 性实施例中，阻光层220可以进一步延伸到其中未形成域限定件252 的区i或。
图16是示出了图14单位像素的存储线的示例性实施例的平面 图。图17是沿图14的线IV-IV'截取的截面图。图18是沿图14的 线V-V'截取的截面图。
参照图14和图16至图18,存储线130包括主存储部132、第 一子存〗诸部134、第二子存^f诸部136和阻光存〗诸部138。
主存々者部132形成于每个单位-像素的上部处，即，例如当在平 面图中》见看时形成于4册才及线120下方。
第一子存储部134沿第二方向从主存储部132延伸，并且与傳_ 素电极180的端部相交迭。第一子存储部134与相邻数据线150的 右侧隔开预定距离，并且基本上平行于数据线150形成。
第二子存^f诸部136沿第二方向从主存储部132延伸，并且与傳_ 素电极180的一部分相交迭(例如，在像素电极180的最右侧上)。 第二子存^f诸部136与相邻凄W居线150的左侧相隔开，并且基本上平 行于数据线150形成。
分别地，相对于凄t据线150，第一子存4诸部134形成于右侧处， 并且第二子存^f渚部136形成于左侧处。
阻光存储部138将第一子存储部134电连4妄于第二子存储部 136。阻光存储部138部分地与数据线150的一部分交迭(例如， 当在平面图中观看时)。第一子存储部134和第二子存储部136分 别相对于lt据线15(H殳置于相对侧处。阻光存4诸部138面对凄t据线 150(例如，垂直于图14-16的平面图乂见看)并且^f应于其中未形成 共用电极250的域限定件252的区域。
参照图16，阻光存卡者部138包4舌第一阻光电才及ST1和第二阻 光电极ST2。第一阻光电极ST1形成于像素电极180的第二上部《象 素UP2的端部内，该端部对应于其中未形成共用电极250的第二上 部域限定部UMP2的区域。第二阻光电极ST2形成于像素电极180 的第二下部^f象素LP2的端部内，该端部只于应于其中未形成共用电招^ 250的第二下部域限定部LMP2的区域。
如所示实施例中所示，阻光存储部138与数据线150的一部分 相交迭以阻挡光线(例如，由图18中箭头所示)，乂人而减少或有刻: 防止由于第一和第二基板100和200的不对齐而造成的光线泄漏。
阻光存4诸部138基本上分别覆盖或填充H据线150与第一或第二存 4诸部134或136之间的空间(例如，当在平面图中》见看时)。
当阻光存卞者部138未i殳置于第一和第二子存々者部134和136之 间时，在第一基板100下方产生的光线可能进入数据线150与第一 子存4诸部134之间的或者凄t据线150与第二子存^f诸部136之间的空 间内。结果，光线可能由于第一基板100与第二基板200之间的不 对齐(诸如，由外部冲击造成的不齐)而泄漏。
但是，如所示实施例中所示的，进入数据线150与第一子存储 部134之间的或者数据线150与第二子存储部136之间的空间内的 光线基本上完全^皮阻光存^f诸部138阻挡，乂人而减少或有效防止由于 第一基板100与第二基板200的不对齐而造成的光线泄漏。
图19是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的一部分的 示例性实施例的截面图。除了阻光层和存4诸线之外，图19中的显 示面板基本上与图14-18中的显示面板相同。因此，将使用相同的 参考标号来表示那些与图14-18中描述的部件相同或相似的部件， 并且将省略关于上述元件的进一步的重复说明。
参照图19，阻光存4诸部138 乂人第一和第二子存l诸部134和136 中的一个延伸至数据线150，并且与数据线150的一部分相交迭， 诸如，不面对整个数据线150。可替换地，阻光存储部138可以从 第一或第二子存4渚部134、 136中的一个延伸、面对整个凄t据线150 和/或延伸到凄t据线150与第一或第二子存4渚部134、 136中另一个 之间的间隙内。
在示例性实施例中，当单元间隙保持件260相对于数据线150 形成于第一侧处时，阻光存々者部138可以相对于ft据线150延伸到 第一侧，并且可以与凄t才居线150的一部分相交迭。
在一个示例性实施例中，当单元间隙保持件260相对于数据线 150形成于右侧处时，阻光存4诸部138可以从第二子存4诸部136延 伸到右侧，并且可以与ft悟线150的一部分相交迭。
可替换地，当单元间隙保持件260相对于数据线150形成于左 侧处时，阻光存储部138可以从第二子存储部136延伸到左侧，并 且可以与数据线150的一部分相交迭。
阻光存储部138面对数据线150，并且对应于其中未形成共用 电极250的域限定件252的区域。在示例性实施例中，阻光存储部 138可以包括第一阻光电4及和/或第二阻光电纟及。第一阻光电一及可以 形成于〗象素电才及180的第二上部^f象素UP2的端部内，该端部只于应于 其中未形成共用电才及250的第二上部域限定部UMP2的区域。第二 阻光电4及可以形成于^f象素电才及180的第二下部〗象素LP2的端部内， 该端部^f应于其中未形成共用电才及的第二下部i或限定部LMP2的 区域。
如所示实施例中所示的，阻光存储部138与数据线150的一部 分相交迭，并且阻挡进入数据线150与第一子存储部134之间的和 /或凄t据线150与第二子存储部136之间的空间内的光线，从而减少 或有效防止由于第一和第二基板100和200的不对齐而造成的光线泄漏。
在一个示例性实施例中，阻光存4诸部138的与凝:才居线150相交 迭的区域可以被最小化，从而通过阻光存储部138而提高数据线150 的数据信号的传输特性。
如所示实施例中所示的，子阻光部乂人主阻光部突出到其中未形 成共用电极的域限定件的区域内，并且阻光存储部从第一和第二子 存储部延伸以便对应于其中未形成共用电极的域限定件的区域，并
且该阻光存储部与数据线的 一部分相交迭，从而减少或有效防止诸 如由于第一和第二基板的不对齐而造成的光线泄漏，并且^是高图傳— 显示质量。
到现在为止，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范 围的前提下对本发明显示面板的材料、装置、构造和方法进行多种 修改、替换和变化。根据这点，本发明的范围不应限于此处示出并 描述的特定实施例(因为它们仅为了示例的目的)的范围，而是应 该充分地与之后所附的权利要求及其功能等同物的范围相匹配。
权利要求
1.一种显示面板，其包括第一基板，包括栅极线，沿第一方向形成；数据线，沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向形成；薄膜晶体管，电连接于所述栅极线和所述数据线；以及像素电极，电连接于所述薄膜晶体管，并形成于单位像素内；第二基板，包括共用电极，设置于所述第二基板上，对应于所述像素电极；域限定件，将所述单位像素分隔成多个域，所述域限定件具有平行于所述数据线的部分；以及阻光层，其包括主阻光部，设置于所述单位像素的边缘处，并覆盖所述栅极线和所述数据线；以及子阻光部，从所述主阻光部延伸，其中，所述子阻光部朝向其中未设置平行于所述数据线的所述域限定件的区域而突出；以及液晶层，介于所述第一基板与所述第二基板之间。
2. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二基板进一步 包括单元间隙保持件，所述单元间隙保持件保持所述第一和第 二基板之间的单元间隙，并且相对于所述凄t据线i殳置于第一侧 处。
3. 根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述薄膜晶体管相对 于所述数据线设置在与所述第 一侧相对的第二侧处。
4. 才艮据4又利要求2所述的显示面^反，其中，所述子阻光部从所述 主阻光部沿所述第一方向以1微米(jam )至2微米(pm )之 间的长度而突出。
5. 根据权利要求4所述的显示面板，其中，覆盖所述数据线的所 述主阻光部的沿所述第一方向的宽度在21 pm至25 iam之间。
6. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述域限定件包括本体，相对所述第一方向倾斜；以及分支，连4妻于所述本体的端部，并且沿所述第二方向延伸。
7. 根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素电极包括彼 此电隔离第一Y象素部和第二^象素部，并且所域限定件包括第一域限定部，i殳置在对应于所述第 一像素部的区域内；以及第二域限定部，设置在对应于所述第 二4象素部的区i或内。
8. 根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一像素部被构 造成围绕所述第二像素部，并且所述第一和第二l象素部i殳置成相对于沿所述第一方向穿 过所述单位-像素的中心的々i想中心线基本上对称。
9. 根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一像素部包括 第一上部像素，其相对于所述假想中心线设置于所述第一像素 部的上侧处；以及第一下部4象素，其相^j"于所述单^U象素的所 述4叚想中心线i殳置于所述第 一<象素部的下侧处，并电连4妄于所 述第一上部^f象素，并且所述第二像素部包括第二上部像素，其相对于所述单 位像素的所述假想中心线设置于所述第二像素部的上侧处；以 及第二下部像素，其相对于所述单位像素的所述假想中心线设置于所述第二^象素部的下侧处。
10. 根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一和第二上部 像素沿第三方向延伸，所述第三方向相对于所述第 一方向倾斜 45度，并且所述第一和第二下部像素沿基本上垂直于所述第三方向 的第四方向延伸。
11. 根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述共用电极的所 述第一i或限定部包4舌第一上部i或限定部，沿所述第三方向延 伸，并对应于所述第一上部Y象素；以及第一下部域限定部，沿 所述第四方向延伸，并只于应于所述第一下部^象素，并且所述共用电极的所述第二域限定部包括第二上部域限 定部，沿所述第三方向延伸，并》t应于所述第二上部^f象素；以 及第二下部i或限定部，沿所述第四方向延伸，并对应于所述第二下部像素。
12. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述共用电极的所 述第一i或限定部进一步包4舌第一上部分支，连4妄于所述第一上部域限定部的端部， 并且覆盖所述像素电极的所述第 一上部像素端部的面对所述凄t据线的一部分；以及第一下部分支，连4妄于所述第一下部i或限定部的端部， 并且覆盖所述像素电极的所述第一下部^f象素端部的面对所述 ^:据线的一部分。
13. 根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述阻光层的所述 子阻光部包4舌第一上部子阻光层，朝向所述^f象素电才及的所述第一上部 4象素的端部突出，所述端部中未"i殳置所述共用电才及的所述第一 上部分支；以及第一下部子阻光层，朝向所述l象素电才及的所述第一下部 ^像素的端部突出，所述端部中未i殳置所述共用电^L的所述第一 下部分支。
14. 根据权利要求11所述的显示面板，其中，所迷共用电极的所 述第二域限定部进一步包括第二上部分支，连接于所述第二上部域限定部的端部， 并且覆盖所述{象素电极的所述第二上部<象素端部的面对所述 凄t据线的一部分；以及第二下部分支，连^妄于所述第二下部i或限定部的端部， 并且覆盖所述<象素电才及的所述第二下部<象素端部的面对所述 数据线的一部分。
15. 根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述阻光层的所述 子阻光部包4舌第二上部子阻光层，朝向所述^f象素电才及的所述第二上部爿像素的端部突出，所述端部中未i殳置所述共用电才及的所述第二 上部分支；以及第二下部子阻光层，朝向所述^f象素电;fe的所述第二下部 4象素的端部突出，所述端部中未i殳置所述共用电才及的所述第二 下部分支。
16. 才艮据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一基板进一步 包括与所述像素电极部分地交迭的存储线，并且所述存储线包括主存卡者部，平^f于所述4册4及线；第一子存^f诸部，与所述^f象素电4及的第一端部相交迭；以及第二子存储部，与所述像素电极的与所述第一端部 相对的第二端部相交迭。
17. 根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述存储线进一步 包括连接存储部，所述连接存储部将所述第 一子存储部连接于 所述第二子存储部，所述第 一子存储部和所述第二子存储部设 置在所述数据线的相对侧。
18. 根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述连接存储部对 应于其中未设置平行于所述数据线的所述域限定件的区域。
19. 一种显示面4反，其包括第一基板，包括才册才及线，沿第一方向形成； 数据线，沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向形成；薄膜晶体管，电连^妄于所述4册极线和所述lt据线；像素电极，电连接于所述薄膜晶体管；以及存储线，与所述像素电极以及与所述数据线的一部 分交迭；第二基才反，包^舌 阻光层；以及共用电才及，对应于所述〗象素电才及，以及域限定件，分隔出多个域，所述域限定件邻近于所 述存〗渚线；以及液晶层，介于所述第一基板与所述第二基板之间。
20. 才艮据权利要求19所述的显示面板，其中，所述存储线包括主存〗诸部，沿所述第一方向延伸；第一子存储部，从所述主存储部沿所述第二方向延伸， 并且与所述像素电极的第 一端部相交迭；第二子存储部，乂人所述主存々者部沿所述第二方向延伸， 并且与所述像素电才及的与所述第 一端部相对的第二端部相交 迭；以及连接存储部，将所述第一子存储部连接于所述第二子存 储部，所述第一子存储部和所述第二子存储部设置在所述数据线的相^H则处并与所述lt:梧线的一部分相交迭。
21. 根据权利要求20所述的显示面板，其中，所述第二基板进一 步包括单元间隙保持件，所述单元间隙保持件保持所述第一和 第二基板之间的单元间隙，并且相对于所述数据线设置于第一 侧处，并且所述阻光存储部相对于所述数据线朝向所述第 一 侧延伸。
22.才艮据4又利要求20所述的显示面4反，其中，所述域限定件包括 本体，相对所述第一方向倾斜；以及分支，连4妄于所述本体， 并且沿所述第二方向延伸，并且所述阻光层的所述子阻光部朝向其中未设置所述分支的 区域突出。
全文摘要
一种显示面板包括第一基板、第二基板和液晶层。第一基板包括信号线；薄膜晶体管，电连接于信号线；以及像素电极，电连接于薄膜晶体管，并设置于单位像素内。第二基板包括阻光层，阻挡光线；共用电极，包括域限定件，形成于阻光层上并对应于像素电极。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。阻光层包括主阻光部，设置于单位像素的边缘处，并覆盖信号线；以及子阻光部，从主阻光部延伸到其中未设置域限定件的区域内。
文档编号G02F1/133GK101097378SQ20071012325
公开日2008年1月2日 申请日期2007年7月2日 优先权日2006年6月30日
发明者金东奎 申请人:三星电子株式会社