电光装置的制作方法

专利名称：电光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及适合于进行采用像素偏移的分割曝光的数字曝光装置的电光装置。
背景技术：
以往，作为在照片印相中使用的膝光装置，开发了将与图像数据相应 的光照射在印相纸上进行啄光的数字曝光装置。作为这种数字曝光装置， 具有利用激光的装置以及利用液晶面板等的电光装置的装置。数字曝光装置根据数字化了的图像数据进行膝光。利用计算机可以容 易进行图像数据的各种图像处理，例如影像的亮度调整等，通过使用数字 啄光装置，使从对摄影的图像的图像处理到膝光的操作性变得良好。在利用了激光的装置中，通过根据图像数据进行激光光的扫描来进行 爆光。因而，如果要提高分辨率则在膝光中要求的总时间变长，相反如果 要缩短时间则需要降低分辨率，或者降低每单位面积的曝光时间，将牺牲 灰度显示。这样在激光方式中，生产率(每单位时间的处理张数)和分辨 率 灰度性的双赢困难。另一方面，在使用了液晶面板的数字曝光装置中，通过根据图像信号 驱动液晶面板，将通过液晶面板的来自光源的光变换为影像光，通过将该 影像光曝光在印相纸上进行照片瀑光。因而，在使用了液晶面板的数字曝 光装置中，可以以面顺序进行曝光，能够增加每单位面积的曝光时间。因 此，使用了液晶面板的数字曝光装置灰度性优异，能够得到高分辨率的图 像。进而，近年在专利文献l中公开了这样的方法，通过一边使相对印相纸的液晶面板的相对位置在面方向上偏移一边进行曝光，由此提高分辨率。 专利文献1的技术将来自液晶面板的各像素的影像光经由微型透镜照射在 印相纸上，通过控制微型透镜的焦点来缩小每个像素在印相纸上的聚光部。 而后，通过一边根据聚光部的尺寸使液晶面板在水平方向、垂直方向上偏 移一边进行曝光，对整个面进行曝光。例如，如果假设聚光部的大小是印相纸上的像素的1/4 (水平以及垂直方向上分别是1/2)，则通过每次一边 使液晶面板偏移一半像素量一边进行4次曝光，对印相纸整个面进行曝光。 在利用了这种^^素偏移的分割曝光中，通过使用与各聚光部的位置对应的 图像数据进行曝光，可以以液晶面板的像素数的4倍的像素数的分辨率进 行印相。[专利文献1WO 2004/107733 Al如上所述，在专利文献l中，通过用光学系统控制印刷纸上的聚光部 的尺寸，进行与像素偏移相应的分割曝光，对光学系统要求极其高的精度。 现实中，将聚光部的尺寸正确地控制为印相纸上的^ 素的整数分之一是困 难的，以使聚光部之间重叠的方式设定光学系统。因此，在专利文献l的装置中，存在重叠部分进行基于不同的2个图 像的曝光、画质降低的问题。发明内容本发明的目的在于提供一种电光装置，其与采用像素偏移的1次啄光 区域的尺寸相应设定与像素间距相对的开口率，由此能够防止画质降低。本发明的电光装置的特征在于具备多个像素，其与设置在基板上的 多个扫描线和多个数据线的交叉对应被配置为矩阵状，并与通过上述扫描 线和数据线驱动的图像信号相应地使光的透过率改变；以及遮光部件23，整数分之一的区域上。如果采用这种构成，则用遮光部件将像素的开口率以100%为基准限 制在整数分之一上。因而，通过使用透过光在感光材料上进行曝光，在1次曝光中对与各像素对应的曝光区域的整数分之一的区域进行膝光。例如， 通过用像素偏移重复分割曝光，可以对感光材料的整个区域进行膝光。采 用像素偏移的1次曝光的尺寸用遮光部件规定，能够正确地规定曝光区域 的尺寸。本发明的电光装置是用于将来自光源的光变换为基于图像信号的影像光，经由光学系统曝光在感光材料上的电光装置，其特征在于具备多个 像素，其与设置在基板上的多个扫描线和多个数据线的交叉对应被配置为 矩阵状，并与通过上述扫描线和数据线提供的信号相应地使光的透过率改 变；以及遮光部件，其以通过了各像素的光的透过区域以及上述光学系统 的光照射的上述感光材料上的各曝光区域的尺寸，成为与基于光学系统计 算的上述感光材料上的上述像素间距相当的尺寸的整数分之一 的方式，分 别相对于水平以及垂直方向限制各像素的光的透过区域。如果采用这种构成，则将影像光经由规定的光学系统照射在感光材料 上进行曝光。遮光部件通过限制各像素的开口率，在l次曝光中对与各像 素对应的曝光区域的整数分之一的区域进行曝光。例如，通过重复采用寸象 素偏移的分割曝光，可以对感光材料的整个区域进行曝光。采用^^素偏移 的1次曝光的尺寸用遮光部件规定，能够正确地规定啄光区域的尺寸。此外，本发明的电光装置是用于将来自光源的光变换为基于图像信号 的影像光，经由光学系统曝光在感光材料上的电光装置，其特征在于具备 多个像素，其与i殳置在J4l上的多个扫描线和多个数据线的交叉对应被配 置为矩阵状，并与通过上述扫描线和数据线提供的信号相应地使光的透过 率改变；以及遮光部件，其以与各^象素分别对应的上述感光材料上的各曝 光区域的水平以及垂直尺寸，分别成为与上述感光材料上的上述像素间距 对应的膝光区域的水平以及垂直尺寸的整数分之一的尺寸的方式，分别相 对于水平以及垂直方向将上述各像素的光的透过区域限制在像素间距的整 数分之一的区域上。如果采用这种构成，则将影像光经由规定的光学系统照射在感光材料 上进行曝光。遮光部件将各像素的开口率以100%为基准限制在整数分之一上。因而，在1次曝光中对与各像素对应的曝光区域的整数分之一的区 域进行曝光。例如，通过重复采用像素偏移的分割曝光，可以对感光材料 的整个区域进行曝光。采用像素偏移的1次曝光的尺寸用遮光部件规定， 能够正确地规定曝光区域的尺寸。此外，其特征在于上述遮光部件，以由上述^L定的光学系统引起的 上述影像光的扩展量，将上述各像素的光的透过区域限制在比水平以及垂 直方向的像素间距的各自的整数分之一小的区域上。如果采用这种构成，则遮光部件以由规定的光学系统引起的影像光的 扩展量，设定比整数分之一小的开口率。通过限制透过区域，例如，控制 采用像素偏移的分割曝光的尺寸，不需要调整控制困难的光学系统，可以 可靠地进行曝光尺寸的控制。此外，其特征在于上述像素通过在上述M和与该基板相对配置的 另一基板之间夹持电光物质而构成，上述遮光部件由在上述基板和另一基 板的至少一个上形成的遮光膜构成。如果采用这种构成，则可以使用液晶装置进行正确的曝光控制。


图1是表示本发明的第1实施方式的电光装置的一部分的主要要素的 平面图。图2是表示组装了图1的电光装置的数字曝光装置的概略构成图。 图3是将构成作为图1的电光装置的液晶装置的元件基板与形成在其上的各构成要素一 同从相对M—侧看的平面图。图4是粘合元件基板和相对基板、封入液晶的组装工序后的液晶装置在图3的H-H，线的位置处切断表示的剖面图。图5是构成液晶装置的像素区域的多个像素中的各种元件、配线等的等价电路图。图6是详细表示液晶装置的像素构造的剖面图。图7是表示图2中的印相纸14上的曝光状态的说明图。图8是表示本发明的笫2实施方式的电光装置的一部分的主要要素的 平面图。符号说明3a:扫描线；6a:数据线；23:遮光膜；35:开口部。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。图l是表示本发明的第 1实施方式的电光装置的一部分的主要要素的平面图。图2是表示组装了 电光装置的数字膝光装置的概略构成图。图3是将构成作为图1的电光装 置的液晶装置的元件基板与形成在其上的各构成要素 一 同从相对基板一侧 看的平面图，图4是粘合元件M和相对基板、封入液晶的组装工序后的 液晶装置在图3的H-H，线的位置处切断表示的剖面图。图5是构成液晶装 置的像素区域的多个像素中的各种元件、配线等的等价电路图。此外，图 6是详细表示液晶装置的像素构造的剖面图。而且，在上述各图中，为了 以在图面上可识别的大小显示各层和各构件，对各层和各构件的每个使用 不同的比例尺。首先，参照图2以及图5说明液晶装置的构造。液晶装置如图3以及图4所示，在使用例如石英M、玻璃基板、硅 基板的TFTMlO，和与其相对配置的使用例如玻璃M、石英M等 的相对基板20之间封入液晶50构成。相对配置的TFT基板10和相对基 板20用密封材料52粘合。将在TFT基板10上构成像素的像素电极(ITO ) 9a等配置成矩阵状。 此外，在相对基板20上在整个区域上设置相对电极(ITO) 21。在TFT 基板10的像素电极9a上设置实施了取向处理的取向膜16。另一方面，在 经过相对J4！ 20上的整个面形成的相对电极21上也设置实施了取向处理 的取向膜22。图5表示构成像素的TFT基板10上的元件的等价电路。如图5所示， 在像素区域上，以多条扫描线3a和多条数据线6a交叉的方式配线，在用扫描线3a和数据线6a划分的区域上将4象素电极9a配置成矩阵状。而后， 与扫描线3a和数据线6a的各交叉部分对应地设置TFT30,该TFT30与 像素电极9a连接。TFT30利用扫描线3a的ON信号变成导通，由此，将提供给数据线 6a的图像信号提供给像素电极9a。将设置在该像素电极9a和相对基板20 上的相对电极21之间的电压施加在液晶50上。此外，与像素电极9a并列 地设置存储电容器70，用存储电容器70将像素电极9a的电压保持比施加 源极电压的时间例如还长3位的时间。利用存储电容器70改善电压保持特 性，可以进行对比度高的图像显示。像素电极9a在TFT基板10上以矩阵状设置多个，分别沿着像素电极 9a的纵横的边界设置数据线6a以及扫描线3a。数据线6a如以后所述那样， 由铝膜等构成，扫描线3a例如包括导电性的多晶硅膜等。此外，扫描线 3a与以后说明的沟道区域la，相对形成。即，分别在扫描线3a和数据线 6a的交叉位置上使与扫描线3a连接的栅极电极与沟道区域la，相对配置构 成j象素开关用的TFT30。沿着相对M 20的边缘封入液晶的密封材料52在元件基板10和相对 基板20之间形成。密封材料52配置成与相对基板20的轮廓形状基本一致， 相互粘着元件基板10和相对J4！ 20。密封材料52在元件14^ 10的一边 的一部分上缺少，形成用于注入液晶50的液晶注入口 108。在粘合的元件 基板IO以及相对基板20相互的间隙中通过液晶注入口 108注入液晶。在 液晶注入后用密封材料109密封液晶注入口 108。在元件M 10的密封材料52的外侧的区域上，沿着元件基板10的一 边设置数据线区域电路101以及安装端子102,沿着与这一边相邻的2边 设置扫描线驱动电路104。在元件J4！ 10的剩下的一边上设置用于连接在 画面显示区域的两侧上设置的扫描线驱动电路104之间的多个配线105。 在密封材料52的外侧的4角上配置上下导通部件106。上下导通部件106 下端与上下导通端子107接触，上端与共用电极21接触，电气连接两者。 由此，电气连接在像素区域外形成的配线105和共用电极21。在本实施方式中，在相对基板20上设置遮光膜23。在电光装置中， 如不映出TFT、配线等的要素那样，将图像显示区域分为开口区域和遮光 区域，在遮光区域上设置TFT。在直视型的显示器、投影机用的光阀等中， 因为要求明亮的图像，所以努力扩展开口区域的面积。与此相反，在本实施方式中的遮光膜23,以将开口率限制为像素间距 的方式，构成为平面上不仅覆盖数据线6a以及扫描线3a的形成区域，而 且覆盖像素电极9a上的多个部分。例如，如以后说明的那样，遮光膜23 形成为开口部35变成像素间距的整数分之一的尺寸。而且，也可以将像素 电极9a只形成在与开口部35相对的区域以及周边上。图6是着眼于一个像素的液晶显示装置的模式化剖面图。而且，图6 表示在图1的A-A，线中的剖面构造。在玻璃和石英等的元件基板10上形成TFT30。 TFT30在形成沟道区 域la，、源极区域ld、漏极区域le的半导体层上隔着绝缘膜2设置用作栅 极电极的扫描线3a。在TFT30上叠层第1层间绝缘膜4，在第1层间绝缘膜4上叠层数据 线6a。数据线6a经由贯通第1层间绝缘膜4的接触孔5与源极区域ld电 气连接。在第1层间绝缘膜4以及数椐线6a上形成第2层间绝缘膜7。在第2 层间绝缘膜7上形成像素电极9a。像素电极9a利用贯通第2层间绝缘膜7 以及第1层间绝缘膜4的接触孔8与漏极区域le电气连接。在像素电极 9a上以及第2层间绝缘膜7上叠层包括聚酰亚胺类的高分子树脂的取向膜 16，在规定方向上进行取向处理。通过向扫描线3a (栅极电极)提供ON信号，沟道区域la，变成导通 状态，连接源极区域ld和漏极区域le，将提供给数据线6a的图像信号给 予^f象素电极9a。另一方面，在相对^20上，在与TFT阵列M的数据线6a、扫描 线3a以及TFT30的形成区域相对的区域以及与像素电极9a的一部分区域 相对的区域上设置遮光膜23。遮光膜23在相对基板20的除了开口部35的整个面上形成。利用该遮光膜23在防止来自相对M 20 —侧的入射光 入射到TFT30的沟道区域la，、源极区域Id以及漏极区域le的同时，规 定各像素的开口区域。在遮光膜23上经过基板20的整个面形成相对电极(共用电极)21。 在相对电极21上叠层包括聚酰亚胺类的高分子树脂的取向膜22，在规定 方向上进行摩擦处理。而后，在元件基板10和相对基板20之间封入液晶50。由此，TFT30 将在规定的时刻从数据线6a提供的图像信号写入到像素电极9a。根据写 入的像素电极9a和相对电极21的电位差，液晶50的分子集合的取向状态 变化，可以进行光调制，并进行灰度显示。而且，在元件基板10上还形成构成图5的存储电容器70的未图示的 导体层以及电介质层。在本实施方式中，用遮光膜23将开口率设定为充分 小，也可以在充分大的面积上形成需要形成在遮光区域上的存储电容器 70。在图1中，在向着Y方向延伸设置的数据线6a和向着X方向延伸设 置的扫描线3a的交点上，形成构成TFT30的沟道区域la，。而且，图1 只表示水平以及垂直的2><2=4像素的部分。在以往的液晶装置中，数据线 6a以及扫描线3a的形成区域以外的区域，即由数据线6a和扫描线3a包 围的区域变成开口区域。与此相反，在本实施方式中，开口部35只设定在 可以作为开口区域设定的区域的一部分的区域上。在图l的例子中，将水 平方向的像素间距设置为Lh,将垂直方向的像素间距设置为Lv，开口部 35的尺寸i殳定为水平Lh/2、垂直Lv/2。而且，在图l的例子中，虽然示出了在除了数据线6a以及扫描线3a 的区域、可以作为开口区域设定的区域的大致中央^L置了开口部35的例 子，但在可以作为开口区域设定的区域的任何位置上也可以设置开口部 35。此外，在图l的例子中，虽然示出了将开口部35的尺寸设定为像素间 距的1/2的例子，但可以设定为整数分之一的尺寸。开口部35以外的区域用遮光膜23阻止从相对基板20 —侧入射的光通过元件基板10 —侧。而且，在图6中虽然示出了用设置在相对基板20上的遮光膜23控制 开口率的例子，但不仅在相对基板20—侧上，也可以在元件14110—侧 上设置控制开口率的遮光膜。进而，也可以在相对基板20—侧上只设置阻 止向TFT30的光的入射的遮光膜，在元件基板10 —侧上设置控制开口率 的遮光膜。图2表示使用了这种液晶装置的数字曝光装置。在图2中，数字曝光 装置在光源装置11和印相纸14之间，配置作为电光装置的液晶装置12 以及印相透镜13。而且，在液晶装置12的两侧上配置偏振片41、 42。偏 振片41、 42只分别使规定的偏振轴的光透过。用偏振片41规定液晶装置 12的入射光的偏振轴，用偏振片42规定液晶装置12的射出光的偏振轴。 在液晶装置12中，通过根据图像数据改变透过光的偏振轴，能够使影像光 从偏振片42射出。光源装置11例如能够用LED (发光二极管)阵列构成。作为光源装 置11的LED阵列，具备分别发出发光带不同的多个波长区域的色光的多 个种类的LED。例如，作为光源装置11的LED阵列能够射出红(R)光、 绿(G)光、蓝(B)光。配置在从光源装置11到作为感光材料的印相纸 14的光路上的印相透镜13是用于将入射光像成像在印相纸14上的透镜。而且，代替光源装置11也可以使用灯和以面顺序切换的滤光器。图像处理装置43在如杲需要对曝光的图像实施了规定的图像处理后， 为了啄光将图像数据提供给驱动装置44。在本实施方式中，图像处理装置 43针对液晶装置12的像素数输出与像素间距和开口部35尺寸的比(以下， 称为分辨率倍率)相应的像素数的图像数据。例如，在图l的例子中因为 像素间距和开口部35尺寸的比在水平以及垂直方向都是2:1，所以水平以 及垂直方向的分辨率倍率是2，当液晶装置12的像素数是水平640 x垂直 480像素的情况下，输出水平640 x2、垂直480x2像素的分辨率的图像数 据。驱动装置44向液晶装置12提供图像数据进行驱动。这种情况下，驱动装置44用1次咏光与液晶装置12的各像素对应地输出来自图像处理装 置43的1个像素量的图像数据。如果忽视光学系统的图像的扩展，则如果 将来自液晶装置12的影像光曝光在印相紙14上，则在一次膝光中，在印 相纸14上相对与液晶装置12的各^^素尺寸相应的曝光面积，分别在水平 以及垂直方向上在分辨率倍率分之一的尺寸的面积上进行膝光。移动控制装置45在每次啄光时根据分辨率倍率移动液晶装置12。液 晶装置12构成为利用未图示的压电元件、XY载物台等在与入射面平行的 平面上在水平以及垂直方向上移动自如，驱动装置44在下次膝光中，与液 晶装置12的各像素对应地输出来自图像处理装置43的下一个像素量的图 像数据。以后，通过只以水平分辨率倍率x垂直分辨率倍率重复液晶装置 12的移动和曝光，对印相纸14的曝光范围的整个面进行曝光。以下，参照图7说明这样构成的实施方式的作用。图7是表示图2中 的印相纸14上的曝光的状态的说明图。图7 (a)至图7 (d)分别表示笫 1至第4次的曝光状态。图7表示与图1对应，水平以及垂直方向的分辨 率倍率是2的例子。而且，在彩色曝光中，使用来自光源装置11的R、 G、 B光进行瀑光，为了简化，对这些R、 G、 B光的切换省略"^兌明。本实施方式适合于，通过使来自光源的光变换为影像光的液晶装置和 感光材料的至少一个相对光轴在垂直的面内移动，使感光材料和液晶装置 的位置关系相对偏移，进行^Jfl所谓^^素偏移来进行膝光。以下，说明采 用像素偏移的曝光。图像处理装置43对于进行曝光的图像，在根据需要实施图像处理后， 将图像数据输出到驱动装置44。来自图像处理装置43的图像至少具有(液 晶装置12的像素数x水平方向的分辨率倍率x垂直方向的分辨率倍率)的 分辨率。以下，说明水平方向的分辨率倍率以及垂直方向的分辨率倍率都 是2的情况。将输入到驱动装置44的图像数据给予液晶装置12驱动液晶装置12。 这种情况下，驱动装置44在每次曝光中，在液晶装置12的每个像素中输 出来自图像处理装置43的图像的l个像素量的数据。即，驱动装置44将与采用像素偏移的分割曝光进行曝光的区域相应的图像数据给予液晶装置12进行驱动。例如，驱动装置44在第l次曝光时，例如将液晶装置12的 各像素的上左的位置的1/4像素的数据提供给液晶装置12。液晶装置12根据来自驱动装置44的图像数据进行驱动，根据图像数 据改变来自光源11的射出光的透过率。由此，从液晶装置12的射出面一 侧的偏振片42射出基于图像数据的影像光。该影像光经由印相透镜13照 射在印相纸14上进行曝光。图7(a)在该情况下表示在印相纸14上的一部分区域中的曝光。图7 (a)的左下斜线表示进行了啄光的区域。在图7中用水平线和垂直线包围 的区域是与液晶装置12的各像素对应的曝光区域。如上所述，因为液晶装 置12的开口部35的水平以及垂直尺寸是水平以及垂直方向的像素间距的 各自1/2，所以用l次曝光，只能在印相纸14上曝光用图7的框包围的各 爆光区域的1/4 (水平1/2，垂直1/2 )的区域。接着，移动控制装置45使液晶装置12在与射入射出面平行的面内， 例如在水平的一方向上移动1/2像素间距量。即，如果在该状态下进行咏 光，则在印相纸14上，如图7 (b)的左下斜线所示，在用右下斜线表示 的第l次的爆光区域的水平相邻的位置上进行曝光。在该第2次曝光时， 驱动装置14将与第2次的啄光区域对应的图像数据提供给液晶装置12的 各像素。同样，在第3次膝光中，移动控制装置45使液晶装置12在与射入射 出面平行的面内，例如在垂直方向上移动1/2像素间距量。如果在该状态 下进行曝光，则在印相纸14上，如图7 (c)的左下斜线所示，在用右下 斜线表示的第1、 2次的曝光区域中的第2次曝光区域的垂直下方的位置上 进行曝光。进而，在第4次曝光中，移动控制装置45使液晶装置12在与 射入射出面平行的面内，例如在水平的另一方向上移动1/2像素间距量。 如果在该状态下进行曝光，则在印相纸14上，如图7 (d)的左下斜线表 示，在用右下斜线表示的第1~3次的曝光区域中的第1次曝光区域的垂直 下方的位置上进行膝光。这样，通过采用4次的像素偏移的分割曝光，可以用液晶装置12的像 素数的4倍的像素数进行曝光。这种情况下，各膝光时的膝光区域用液晶 装置12的开口部35的尺寸严格规定，在各膝光中膝光区域之间不会重合， 不会发生画质的劣化。这样在本实施方式中，因为将液晶装置12的开口部设定为像素间距的 整数分之一，所以即使在采用像素偏移进行分割膝光的情况下，各膝光时 的曝光区域之间不会重合，能够防止画质劣化。而且，在上述的实施方式中，虽然示出了作为像素间距和开口部的尺 寸的比的水平方向的分辨率倍率和垂直方向的分辨率倍率是2的例子，但 可知可以是3及以上。此外，水平方向的分辨率倍率和垂直方向的分辨率 可以是不同的值。图8是表示本发明的第2实施方式的电光装置的一部分的主要要素的 平面图。在图8中，在与图l相同的构成要素上标注相同符号并省略说明。本实施方式只是开口部的尺寸和图1不同。在第l实施方式中，说明 了忽略光学系统的影响的例子。但是，实际上，由于光学系统的影响，采 用像素偏移的各曝光的印相纸上的曝光区域比基于通过4象素间距和开口部 尺寸的比给予的分辨率倍率的区域还大一些，各爆光的曝光区域之间 一部 分重合。因而，考虑光学系统的影响，通过减小开口部尺寸，防止由像素偏移 的各曝光引起的曝光区域之间重合。在本实施方式中，开口部35，的水平尺寸Kh以及垂直尺寸Kv分别比 水平像素间距Lh以及垂直像素间距Lv的整数分之一 (图8的例子中是 1/2 )还d、一些。例如，当水平以及垂直像素间距是20.5pm的情况下，作 为开口部35，的水平以及垂直尺寸Kh=Kv采用8jim。而且，该数值是考 虑光学系统的影响的数值，如果光学系统不同则需要采用不同的数值。为了形成开口部35，，在第2实施方式的液晶装置中，设置遮光膜23'。 即，本实施方式的液晶装置只是遮光膜23，的平面形状与遮光膜23不同。对于与本实施方式中的液晶装置的像素间距对应的感光材料上的曝光区域，为了将采用像素偏移的各曝光的曝光区域设置为整数分之一，只要 将液晶装置的像素间距和各像素的开口部的比只以考虑了光学系统的影响 的量设置比整数分之一小一些即可。由此，与图7—样，采用像素偏移的各啄光的曝光区域之间不会重合， 不会使画质劣化，能够提高分辨率。这样，在本实施方式中，即使有光学系统的影响，也能够可靠地防止 由像素偏移的各曝光产生的曝光区域之间重合，能够提高画质。而且，并 不调整控制困难的光学系统，通过调整可以可靠控制的开口部尺寸，可以 确实去掉光学系统的影响，能够谋求高画质。此外，本发明的电光装置不仅是具备作为开关元件的TFT (薄膜晶体 管)的液晶显示面板，对于其他的有源矩阵型的液晶面板(例如，具## 为开关元件的TFD (薄膜二极管)的液晶面板)、无源矩阵型的液晶面板 等也同样适用。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于具备多个像素，其与设置在基板上的多个扫描线和多个数据线的交叉对应被配置为矩阵状，并与通过上述扫描线和数据线提供的信号相应地使光的透过率改变；以及遮光部件，其分别相对于水平方向以及垂直方向将各像素的光的透过区域限制在像素间距的整数分之一的区域上。
2. —种电光装置，用于将来自光源的光变换为基于图像信号的影像 光，经由光学系统膝光在感光材料上，其特征在于具备多个像素，其与设置在基板上的多个扫描线和多个数据线的交叉对应 被配置为矩阵状，并与通过上述扫描线和数据线提供的信号相应地使光的 透过率改变；以及遮光部件，其以通过了各像素的光的透过区域以及上述光学系统的光 照射的上述感光材料上的各咏光区域的尺寸，成为与基于光学系统计算的 上述感光材料上的上述像素间距相当的尺寸的整数分之一的方式，分别相 对于水平以及垂直方向限制各像素的光的透过区域。
3. —种电光装置，用于将来自光源的光变换为基于图像信号的影像 光，经由光学系统曝光在感光材料上，其特征在于具备多个像素，其与设置在皿上的多个扫描线和多个数据线的交叉对应被配置为矩阵状，并与通过上述扫描线和数据线提供的信号相应地使光的 透过率改变；以及遮光部件，其以与各像素分别对应的上述感光材料上的各曝光区域的 水平以及垂直尺寸，分别成为与上迷感光材料上的上述4象素间距对应的曝 光区域的水平以及垂直尺寸的整数分之一的尺寸的方式，分别相对于水平 以及垂直方向将上述各像素的光的透过区域限制在像素间距的整数分之一 的区域上。
4. 根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于上述遮光部件，以由上述规定的光学系统引起的上述影像光的扩展量，将上述各像素的光 的透过区域限制在比水平以及垂直方向的像素间距的各自的整数分之一 d、 的区域上。
5. 根据权利要求1或2的电光装置，其特征在于 上述像素通过在上述J4l和与该a相对配置的另一基板之间夹持电 光物质而构成，上述遮光部件由在上述基板和另 一基板的至少 一个上形成的遮光膜构成。
全文摘要
本发明提供了一种电光装置，其通过将像素间距和开口部的比设置为基于整数分之一的值，防止在采用像素偏移的分割曝光时各曝光区域之间重合，从而提高画质。其特征在于具备多个像素，其与设置在基板上的多个扫描线和多个数据线的交叉对应被配置为矩阵状，并与通过上述扫描线和数据线驱动的图像信号相应地使光的透过率改变；以及遮光部件23，其将各像素的光的透过区域限制在水平以及垂直方向的像素间距的各自的整数分之一的区域上。
文档编号G02F1/13GK101271236SQ20081008585
公开日2008年9月24日 申请日期2008年3月21日 优先权日2007年3月22日
发明者堀口宏贞 申请人:精工爱普生株式会社