光学半导体模块和受光组件的制作方法

专利名称：光学半导体模块和受光组件的制作方法
技术领域：
本发明总体上涉及光学半导体模块和受光组件。更具体地说，本发明 涉及包括发光组件和受光组件的光学半导体模块，并且涉及所述受光组件。
背景技术：
其上安装有诸如半导体激光器的发光组件的光学半导体模块通常被 用于光学通信等。例如，在要用于光学通信的光学半导体模块中，希望从 发光组件发射出的光具有恒定强度。因此，这种光学半导体模块包括发光 组件和受光组件，并且该受光组件接收从该发光组件发射的光的一部分。 将受光组件的输出反馈至该发光组件，以维持该发光组件的恒定光发射。图l是上述常规光学半导体模块的示意图。作为激光二极管(LD) 芯片的发光组件62经由专用安装载体53安装在模块外壳50上。作为平 坦型光电二极管(PD)芯片的受光组件80经由安装载体5;i安装在外壳 50上。光纤56和聚光透镜54经由固定单元(未示出)固定到外壳50上。 发光组件62具有发光的激活层66。受光组件80具有光吸收层84和光传 送层85，而在光传送层85中形成有作为受光区的杂质扩散区86。从发光组件62的正侧表面67发射出的正向发射光70通过聚光透镜 54进入光纤56。同时，从背侧表面68发射出反向发射光72，并且反向 发射光72进入受光组件80的杂质扩散区86。反向发射光72是用于监测 正向发射光70的发光强度的光。因此，反向发射光72的强度可以比正 向发射光70的强度低很多。受光组件80 (LD监测器)根据反向发射光 72的光强度输出电信号。基于该电信号，控制单元(未示出)控制发光 组件62的发光强度。按这种方式，可以将正向发射光70的发光强度维 持在恒定水平。日本特开平No. 5-175614和10-321900公开了光学半导体模块。在每一种光学半导体模块中，发光组件的安装面与受光组件的安装面平行， 并且从发光组件发射的光被反射接着进入受光组件。日本特开昭No.59-96789公开了一种光学半导体模块，其中，发光组件的安装面与受光 组件的安装面平行，并且受光组件直接安装在安装面上，这与图1所示 的常规结构不同。诸如LD的发光组件从相对于安装面(要安装在安装单元等上的面) 是侧表面的面发射光。同时，诸如PD的受光组件通过相对于安装面是上 表面的面接收光。因此，在图l所示常规结构中，在受光组件80的上表 面上的杂质扩散区中接收从发光组件62的背侧表面68发射出的光。为 了实现这种结构，受光组件80的安装面应当被加工成与发光组件62的 安装面垂直。因此，如图1所示，发光组件62的安装载体53需要与受 光组件80的安装载体51分开制备。结果，装配过程数、需求组件数以 及产品成本由此增加。在日本特开平No. 5-175614禾口 10-321900中公开的每一种结构中， 发光组件和受光组件可以安装在同一安装载体上。然而，需要制备反射 从发光组件发射的光的组件。结果，产品成本变高。根据日本特开昭No. 59-96789中公开的技术，不需要制备这种组件，并且产品成本的增加不 如图1所示常规结构的情况下的增加那么大。然而，因为平坦型受光组 件与发光组件平行安装，所以感光灵敏度变得低于图1所示常规结构的 情况下的感光灵敏度。而且，因为来自发光组件的额外光通过受光面外 侧的光吸收层进入，所以存在大部分入射光不能转换成电信号的问题。发明内容因此，本发明的一个目的是，提供一种消除了上述缺点的光学半导 体模块和受光组件。本发明的更具体的目的是，提供一种可以降低生产成本并且可以获 得和常规结构的感光灵敏度一样高的感光灵敏度的光学半导体模块和受 光组件。根据本发明的一个方面，提供了一种光学半导体模块，该光学半导体模块包括发光组件；受光组件，该受光组件在其上表面和恻表面上 具有受光面，在所述受光面上形成有防反射膜；以及安装单元，所述发光组件和所述受光组件按如下位置关系安装在所述安装单元上，即，从 所述发光组件发射的光至少光耦合在所述受光组件的所述侧表面的所述 受光面上。所述发光组件和所述受光组件可以安装在同一安装单元上。 因此，可以縮减加工过程数、需求组件数以及生产成本，同时实现更高 感光灵敏度。根据本发明的另一方面，提供了一种受光组件，该受光组件监测从发光组件发射的光，所述受光组件包括受光面，该受光面形成在所述 受光组件的上表面和侧表面上，并且其上形成有防反射膜。所述发光组 件和所述受光组件可以安装在同一安装单元上。因此，可以縮减加工过 程数和需求组件数，并且可以降低生产成本。而且，可以维持和常规结 构的感光灵敏度一样高的感光灵敏度。


结合附图阅读下面的详细说明，本发明的其它目的、特征以及优点 将变得更清楚，其中图1是常规光学半导体模块的示意图；图2是受光组件的截面图；图3是根据本发明第一实施方式的光学半导体模块的示意图； 图4是根据第一实施方式的受光组件的截面图； 图5A到5C是示出根据第一实施方式的用于加工受光组件的过程的 截面图；图6A到6C是示出根据第一实施方式的用于加工受光组件的过程的 截面图(续图)；图7A和7B是根据本发明第二实施方式的光学半导体模块的示意图；图8是根据本发明第三实施方式的光学半导体模块的示意图； 图9是根据第三实施方式的受光组件的截面图；图IO是根据本发明第四实施方式的光学半导体模块的示意图；图11是根据第四实施方式的受光组件的截面图；图12是根据本发明第五实施方式的受光组件的截面图；图13是根据第五实施方式的修改例的受光组件的截面图；图14是根据本发明第六实施方式的受光组件的截面图；图15是作为比较示例的受光组件的示意立体图；图16是根据本发明第七实施方式的受光组件的示意立体图；以及 图17是根据本发明第八实施方式的受光组件的示意立体图。
具体实施方式
在诸如图1所示结构的常规结构中，受光组件80通常为平坦型受光 组件。在平坦型受光组件中，例如，通过离子注入技术和扩散技术在光传送层85中形成了 p型杂质扩散区86。因此，更容易加工平坦型受光组 件，并且这种受光组件通常用于光学通信和LD监测。同时，本发明人发 现，如果将本发明的台型受光组件用作受光组件80，则可以提供具有更 少装配过程数、更低生产成本以及优异感光灵敏度的光学半导体模块。 下面，对这种受光组件的原理进行说明。图2是台型受光组件的截面图。由n型InGaAs (砷化镓铟)制成并 且具有第一导电型的半导体层12、由i-InGaAs制成的光吸收层14以及 由p型InGaAs制成并且具有第二导电型(和第一导电型相对的导电型) 的半导体层16，层叠在InP (磷化铟)半绝缘基板10上。层叠层的外周 部分被去除得和第一导电型的半导体层12—样深，以形成台状。由AuGe(金锗合金)制成的第一电极22连接至第一导电型的半导体层12。由 AuZn (金锌合金)制成的第二电极24连接至第二导电型的半导体层16。 由SiN (氮化硅)制成的保护膜17形成在上表面34上的受光区21外侧， 以与例如侧表面32接触。由SiN制成的防反射膜18形成在受光区21和 保护膜17上。第一电极22和第二电极24经由由Ti (钛)/Pt (铂)/Au(金)制成的互连部26连接至由Au制成的焊盘28 (未示出连接至第二 电极24的互连部和焊盘)。由Ti/Pt/Au制成的金属膜30形成在基板10的下面之下。图2所示台型受光组件将电压施加在第一导电型的半导体层12与第 二导电型的半导体层16之间。入射在受光区21上的光被光吸收层14吸 收，并且电流在第一导电型的半导体层12与第二导电型的半导体层16 之间流动。这种电流输出为电信号。在该台型受光组件中，第一导电型的半导体层12和第二导电型的半 导体层16还存在于光吸收层14位于侧表面32邻域中的部分的上表面和 下方，如图2所示。利用这种结构，可以将通过侧表面32入射在光吸收 层14上的光转换成电信号。在平坦型受光组件的情况下，如图1所示， 等同于第二导电型的半导体层16的杂质扩散区86仅存在于发光层85的 一部分上。利用这种结构，即使光通过侧表面进入受光组件，因为杂质扩 散区86不存于光吸收层84位于该侧表面的邻域中的部分上，所以通过该 侧表面入射在光吸收层14上的光中的大部分也不能被转换成电信号。在该台型受光组件中，需要降低暗电流，使得可在受光模块中使用 该受光组件。因此，在台部的侧表面32上形成了用于降低泄漏电流的保 护膜17 (钝化膜)。利用这种结构，受光区21形成在台部的上表面34上， 并且即使将受光组件和LD芯片安装在同一平面中，也不能获得用于监测 LD的充分感光灵敏度。因为上述事实，所以通常不使用台型受光组件作 为LD监测器。为了解决这种问题，本发明人基于下面的发现开发出了本 发明的受光组件。在将受光组件作为光学监测器的情况下，并不像在受 光组件用于接收的情况下一样希望降低暗电流。因此，不采用保护膜17， 而防反射膜18可以单独完成作为监测组件的受光组件。本发明的原理在于，从发光组件的侧表面发射的光被能够接收入射 在台部的侧表面上的光的受光组件接收。利用这种结构，发光组件的安 装面和受光组件的安装面可以彼此平行设置。因此，可以使加工过程数 和需求组件数比常规情况下少，并且可以降低生产成本，同时维持充分 的感光灵敏度。下面，对本发明的实施方式进行说明。 [第一实施方式]图3是根据本发明第一实施方式的光学半导体模块的示意图。发光组件62例如是Fabry-Perot LD或分布式反馈LD。受光组件60是下面将 要详细说明的台型受光组件，并且具有形成在基板10上的台部。与图l 所示结构不同，这种光学半导体模块具有安装在安装载体52上的发光组 件62和受光组件60。受光组件60的侧表面32接收从发光组件62的背 侧表面68发射的后向光。这种结构的其它方面和图1所示结构中的相同， 因此，这里省略了对它们的说明。图4是第一实施方式中采用的受光组件60的截面图。与图2所示受 光组件不同，受光组件60没有保护膜，而是具有直接形成在台部20的 侧表面32和上表面34上的防反射膜18。这种结构的其它方面和图2所 示结构中的相同，因此，这里省略了对它们的说明。图5A到6C是示出用于加工受光组件60的过程的截面图。如图5A 所示，通过MOCVD (金属有机化学汽相淀积法)在InP基板lO上生长 第一导电型的半导体层12、光吸收层14以及第二导电型的半导体层16。 如图5B所示，在第二导电型的半导体层16、光吸收层14以及第一导电 型的半导体层12的预定部分上执行刻蚀，以形成台部20。如图5C所示， 通过CVD形成具有100 nm到300 nm的膜厚度并且由SiN制成的防反射 膜18。 '如图6A所示，通过汽相淀积技术形成要连接至第一导电型的半导体 层12的第一电极22和要连接至第二导电型的半导体层16的第二电极24。 如图6B所示，通过汽相淀积技术形成要连接至第一电极22和第二电极 24的互连部26。还通过镀敷技术形成要连接至互连部26的焊盘28。如 图6C所示，从下面抛光基板IO，从而将基板10减薄。接着，通过汽相 淀积技术在底面下方形成金属膜30。按这种方式，完成受光组件60。这里，对图2所示的受光组件与图4所示的受光组件之间的差别进 行说明。在图2所示的受光组件中，保护膜17不存在于形成上表面34 的第二导电型的半导体层16上，而是防反射膜18形成在形成上表面34 的第二导电型的半导体层16上。这种防反射膜18防止反射预定波长的 光。然而，保护膜17和防反射膜18都存在于侧表面32上。结果，反射 了入射在侧表面32上的预定波长的光。另一方面，在图4所示的受光组件60中，没有形成保护膜17 (钝化膜)，由此，可以防止入射在侧表面 32上的预定波长的光的反射。在图2中，设置保护膜17，以降低因侧表 面32的邻域中的泄漏电流而要生成的暗电流。用于监测LD的受光组件 60对于暗电流不严格。因此，可以将如图4所示的不具有保护膜17的受 光组件60用作用于监测LD的受光组件。在第一实施方式中，光学半导体模块具有经由安装载体52 (安装单 元)安装在外壳50上并从侧表面68发射光的发光组件62，和经由安装 载体52安装在外壳50上并通过侧表面32接收从发光组件62发射的光 的受光组件60。更具体地说，受光组件60具有形成在上表面34和侧表 面32上的防反射膜18。因此，受光组件60具有在上表面34和侧表面 32上形成有防反射膜18的受光面。在作为安装单元的安装载体52上按 如下位置关系安装有发光组件62和受光组件60,即，该位置关系被保持 为从发光组件62发射的光至少光学集成或连接在受光组件60的侧表面 32上的受光面上。利用这种结构，可以将发光组件62和受光组件60安 装在同一安装载体52上。因此，可以将发光组件62和受光组件60安装 在安装载体52的同一平面上。由此，可以縮减加工过程数和需求组件数， 可以降低生产成本，并且可以获得更高感光灵敏度。而且，如图4所示，优选的是，受光组件60的第一导电型的半导体 层12和第二导电型的半导体层16接触侧表面32。换句话说，优选的是， 至少第二导电型的半导体层16延伸到侧表面32上。利用这种结构，可 以将通过侧表面32入射在光吸收层14上的光转换成电信号。因此，台 型受光组件是优选的。[第二实施方式]图7A是根据本发明第二实施方式的光学半导体模块的示意图。与图 3所示第一实施方式的光学半导体模块不同，例如，这个光学半导体模块 具有处于比发光组件62的激活层66低的水平位置处的受光组件60的上 表面34。这种结构的其它方面和图3所示结构中的相同，因此，这里省 略了对它们的说明。因为受光组件60的上表面34位于比发光组件62的激活层66低的水平位置处，所以受光组件60的侧表面32可以接收从发光组件62的背 侧表面68发射的后向光72a，并且受光组件60的上表面34可以接收后 向发射光72b，如图7B所示。利用这种结构，可以增加受光组件60针 对后向发射光72的感光灵敏度。和第二实施方式中一样，优选的是，受光组件60的上表面34位于 比发光组件62的激活层66低的水平位置处。然而，激活层66仅比发光 组件62的上表面69低大约1 (mi。另一方面，发光组件62和受光组件 60中的每一个的厚度都大约为100 pm。因此，发光组件62的激活层66 与受光组件60的上表面34之间的高度差hl大致等于发光组件62的上 表面69与受光组件60的上表面34之间的高度差h2。因此，实践中，受 光组件60的上表面34至少低于发光组件62的上表面69。发光组件62的厚度通常为100 pm到150 (im。因此，受光组件60 的厚度应当优选为100(am或以下。[第三实施方式]图8是根据本发明第三实施方式的光学半导体模块的示意图。与图 3所示第一实施方式的光学半导体模块不同，例如，这个光学半导体模块 具有形成在与侧表面32相对的一侧的侧表面33上的高反射膜36 (HR), 从面对受光组件60的发光组件62发射的光72通过侧表面32进入受光 组件60。图9是图8所示受光组件60的截面图。与图4所示受光组件不 同，这个受光组件60具有形成在受光组件60的与侧表面32相对的一侧 上的侧表面33上的高反射膜36。高反射膜36可以是从侧表面起按顺序 用具有200 nm到300 nm的膜厚度的Si02 (二氧化硅)膜/具有100 nm 到200nm的膜厚度的Ti02 (氧化钛)膜形成的膜，或者用具有50mn到 200 nm的膜厚度的TiON (钛氮氧化物)、具有50nm到200 nm的膜厚度 的si膜、具有100 nm到200 nm的膜厚度的Au膜、具有100 nm到200 nm 的膜厚度的Ag膜、具有100 nm到200 nm的膜厚度的AuGe膜等形成的 膜。这种高反射膜36可以例如通过溅射技术或真空汽相淀积技术来形成。 这种结构的其它方面和图3和4所示第一实施方式的结构中的相同，因 此，这里省略了对它们的说明。根据第三实施方式，如图8所示，行进通过台部20的光72c被高反 射膜36反射。光72c是入射在受光组件60的台部20上的光的一部分。 当再次行进通过光吸收层14时，反射光72d被光吸收层14吸收。由此， 可以增加受光组件60针对发射光72的感光灵敏度。[第四实施方式]图10是根据本发明第四实施方式的光学半导体模块的示意图。图11 是根据第四实施方式的受光组件的截面图。与图7A和图8分别所示的第 二和第三实施方式的结构不同，这个光学半导体模块具有以倒台状形成 的受光组件60的侧表面32a。这种结构的其它方面和图7A和8所示结 构中的相同，因此，这里省略了对它们的说明。该倒台部可以结合晶面 取向的优点而通过湿法刻蚀形成。根据第四实施方式，受光组件60的上表面34位于比发光组件62的 上表面69低的水平位置处。因此，沿斜向下方向行进的光72a通过侧表 面32a进入受光组件60。因为侧表面32a为倒台状，所以入射在光吸收 层14上的折射光72e大致沿水平方向行进。因此，光72e花费较长时间 经过光吸收层14，并且光吸收层14容易吸收光72e。由此，可以进一步 增加受光组件60针对任务(mission)光72a的感光灵敏度。这里，优选 的是，基于受光组件60与发光组件62之间的距离、高度hl、光吸收层 14的折射率等来确定倒台部的角度。[第五实施方式]图12是根据本发明第五实施方式的光学半导体模块的受光组件60 的截面图。与图4所示第一实施方式的防反射膜不同，防反射膜18形成 有两层保护膜18a，其是具有50nm到200nm的膜厚度的SiO2膜；和 调节膜18b，其是具有50 nm到200 nm的膜厚度的SiN膜。保护膜18a 是保护侧表面32和33并且防止第一导电型的半导体层12和第二导电型 的半导体层16之间的泄漏电流的膜。调节膜18b是调节入射光的波长以 使防反射膜18具有防止反射的功能的膜。利用这种结构，保护膜18a可 以防止上述泄漏电流，如同图2所示的受光组件的保护膜17 —样。而且， 保护膜18a和调节膜18b彼此协作，以防止预定波长的光的反射。图13例示了第五实施方式的修改例。与图12所示第五实施方式的保护膜18a 不同，保护膜18c由i-InP制成。如上所述，防反射膜18应当优选地与 光吸收层14的位于侧表面32和33上的部分接触。防反射膜18可以如 第一实施方式中一样是单层膜，也可以如第五实施方式中一样是用两层 或更多层形成的多层膜。而且，防反射膜18中的保护膜18a (18c)可以 如第五实施方式中一样是绝缘膜，也可以如第五实施方式的修改例中一 样是半导体膜。[第六实施方式]图14是根据本发明第六实施方式的光学半导体模块的受光组件60 的截面图。这个实施方式与图4所示第一实施方式的不同之处在于，第 一导电型的半导体层12a由n型InP制成，而第二导电型的半导体层16a 由p型InP制成。和在第六实施方式中一样，可以任意选择受光组件60 和发光组件62的材料。[第七实施方式]图15是作为比较示例的受光组件的示意立体图。在基板IO上设置 有台部20。在台部20的上表面34上设置有第二电极24。环绕台部20 在第一导电型的半导体层(未示出)上设置有第一电极22。第一焊盘28 和第二焊盘29设置在基板10上，并且分别经由互连部26和27连接至 第一电极22和第二电极24。其它互连部(未示出)连接至第一焊盘28 和第二焊盘29，并且例如可以将电信号从受光组件通过互连部读取到控 制单元(未示出)中。在这个比较示例中，从发光组件62发射的光72 沿第一焊盘28的方向行进。结果，发射光72的一部分被连接至第一焊 盘28的互连部所分散。图16是根据本发明第七实施方式的受光组件的示意立体图。在受光 组件的台部20的上表面上设置有第二电极24。环绕台部20设置有第一 电极22。互连部26和27连接至第一电极22和第二电极24，并且延伸 至受光面的外侧。第一焊盘28和第二焊盘29 (电极焊盘)连接至互连部 26和27。这个实施方式与图15所示的比较示例的不同之处在于，第一 焊盘28和第二焊盘29设置在受光组件的台部20的与发光组件62相对的一侧上。与比较示例不同，这个实施方式没有使发射光72被互连部所分散，从而可以进一步增加受光组件60针对发射光72的感光灵敏度。 而且，第一焊盘28设置在第二焊盘29的两侧。由于互连部26应当连接至第一焊盘28中的任一个，所以不管光学半导体模块的外壳侧的焊盘的位置如何，都可以防止彼此连接至第一焊盘28的每一个互连部和连接至第二焊盘29的互连部相交叉。 [第八实施方式]图17是根据本发明第八实施方式的受光组件的示意立体图。图17 所示的这个受光组件与图16所示的受光组件的不同之处在于，台部20b 具有四棱柱形状。因此，侧表面32b为平坦表面。利用这种结构，发射 光72通过侧表面32b进入。由此，可以使受光组件60针对发射光72的 感光灵敏度更高。在台部20b的多个侧表面中，使发射光72进入的侧表 面应当为平坦表面，而其它侧表面中的每一个都可以具有弯曲表面。在第一到第八实施方式中，发光组件62和受光组件60可以直接安 装在外壳50上。换句话说，外壳50还可以用作要直接安装发光组件62 和受光组件60的安装单元。而且，在上述实施方式中，第一导电型的半 导体层12为n型，而第二导电型的半导体层16为p型。然而，第一导 电型的半导体层12和第二导电型的半导体层16应当仅为相反导电型。 因此，第一导电型的半导体层12可以为p型，而第二导电型的半导体层 16可以为n型。在第一到第八实施方式中，作为受光组件描述了台型光电二极管。 然而，本发明还可以应用于其它类型的受光组件，如p-i-n光电二极管和 雪崩型光电二极管(APD)。尽管已经示出并描述了本发明的几个优选实施方式，但本领域技术 人员应当清楚，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对这些实 施方式进行改变，本发明的范围在权利要求及其等同物中进行了限定。本申请基于2007年3月29日提交的日本专利申请No. 2007-086131， 其全部公开内容并入于此。
权利要求
1、一种光学半导体模块，该光学半导体模块包括发光组件；受光组件，该受光组件在其上表面和侧表面上具有受光面，在所述受光面上形成有防反射膜；以及安装单元，在该安装单元上按如下位置关系安装所述发光组件和所述受光组件，即，使从所述发光组件发射的光至少光耦合在所述受光组件的所述侧表面的所述受光面上。
2、 根据权利要求1所述的光学半导体模块，其中，所述发光组件和 所述受光组件安装在所述安装单元的同一平面上。
3、 根据权利要求1所述的光学半导体模块，其中，所述受光组件的 所述上表面处于比所述发光组件的上表面低的水平位置处。
4、 根据权利要求1所述的光学半导体模块，该光学半导体模块还包括反射膜，该反射膜被设置在所述受光组件的与面对所述发光组件的 侧表面相对的一侧上的另一侧表面上。
5、 根据权利要求3所述的光学半导体模块，其中，所述受光组件具有倒台状的侧表面。
6、 根据权利要求1所述的光学半导体模块，其中，所述受光组件的 所述侧表面具有平坦表面。
7、 根据权利要求1所述的光学半导体模块，其中 所述受光组件具有光吸收层、第一导电型的半导体层，以及第二导电型的半导体层，所述光吸收层插在所述第一导电型的所述半导体层与 所述第二导电型的所述半导体层之间；并且所述光学半导体模块还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和 所述第二焊盘设置在所述受光组件的相对于所述受光组件的所述受光面 的相对侧，并且分别连接至所述第一导电型的所述半导体层和所述第二 导电型的所述半导体层。
8、 根据权利要求7所述的光学半导体模块，其中，所述第一焊盘和 所述第二焊盘中的至少一个设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘中的另 一个的任一侧。
9、 根据权利要求1所述的光学半导体模块，其中，所述防反射膜是 多层膜。
10、 根据权利要求1所述的光学半导体模块，其中 所述受光组件具有光吸收层、第一导电型的半导体层，以及第二导电型的半导体层，所述光吸收层插在所述第一导电型的所述半导体层与所述第二导电型的所述半导体层之间；并且至少所述第二导电型的所述半导体层从所述第一导电型的所述半导 体层的边沿起向外延伸。
11、 根据权利要求4所述的光学半导体模块，其中，所述反射膜由 Si02/Ti02、 TiON、 Si、 Au、 Ag以及AuGe中的一种制成。
12、 一种受光组件，该受光组件监测从发光组件发射的光， 所述受光组件包括受光面，该受光面形成在所述受光组件的上表面和侧表面上，并且 在该受光面上形成有防反射膜。
13、 根据权利要求12所述的受光组件，其中，所述受光组件的侧表面形成为倒台状。
14、 根据权利要求12所述的受光组件，该受光组件还包括 反射膜，该反射膜形成在所述受光组件的除设置在所述受光面中的所述侧表面外的其它侧表面上。
15、 根据权利要求14所述的受光组件，其中，所述反射膜由 SiO/Ti02、 TiON、 Si、 Au、 Ag以及AuGe中的一种制成。
16、 根据权利要求12所述的受光组件，该受光组件还包括 电极，该电极形成在所述受光组件的所述上表面上；互连部，该互连部连接至所述电极，并且延伸至所述受光面的外侧;以及电极焊盘，该电极焊盘连接至所述互连部。
全文摘要
本发明涉及光学半导体模块和受光组件。该光学半导体模块包括发光组件；受光组件，该受光组件在其上表面和侧表面上具有受光面，在所述受光面上形成有防反射膜；以及安装单元，在该安装单元上按如下位置关系安装所述发光组件和所述受光组件，即，使从所述发光组件发射的光至少光耦合在所述受光组件的所述侧表面的所述受光面上。
文档编号G02B6/42GK101276028SQ20081008836
公开日2008年10月1日 申请日期2008年3月28日 优先权日2007年3月29日
发明者山日竜二, 米田昌博 申请人:优迪那半导体有限公司