专利名称：一种晶体倍频器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及激光领域，尤其涉及晶体倍频器领域。
背景技术：
在非线性晶体中，尤其是晶体倍频器，由于晶体性质的差异性，有些晶体
表面所镀的光学膜层容易损伤，如LB0晶体，其表面所镀光学膜层容易出现变 形、开裂等问题。为了减少膜层应力效应，人们往往只在晶体表面镀一层筒单 的保护膜，同时采用布儒斯特端面来实现晶体的非线性应用。但由于入射晶体 光方向与出射晶体光方向有较大角度，使用起来很不方便。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型将采用布儒斯特端面加工的倍频或和频晶体放 置在有布儒斯特角支架中，并与 一对含有布儒斯特楔角的窗口片胶合在一起， 构成倍频器。本实用新型的具体方案是
本实用新型的晶体倍频器包括
非线性晶体，所述的非线性晶体是两通光面为布儒斯特斜面的布儒斯特片， 并放置于支架中；
支架，所述的支架是低温度膨胀系数的刚性支架，并包裹所述的非线性晶
体；
第一窗口片，所述的第一窗口片是一通光面为布儒斯特斜面、另一通光面 为平面的晶体片，其布儒斯特斜面与所述的非线性晶体的布儒斯特斜面平行或
接近平行放置；第二窗口片，所述的第二窗口片是一通光面为布儒斯特斜面、另一通光面 为平面的晶体片，其布儒斯特斜面与所述的非线性晶体的布儒斯特斜面平行或
接近平行放置；
所述的支架、第一窗口片和第二窗口片形成保护盒结构。
进一步的，所述的支架和第一窗口片以及所述的支架和第二窗口片之间通 过粘结胶胶合成密封的保护盒结构。
进一步的，所述的非线性晶体通光面上镀有膜层或者不镀有膜层。
进一步的，所述的非线性晶体为i类相位匹配晶体、n类相位匹配晶体或 和频晶体。所述的晶体可为易潮解晶体或各轴向热膨胀系数相差较大晶体，也
可为普通晶体。
进一步的，所述的第一窗口片镀有基波增透膜及倍频光高的反射膜，所述 的第二窗口片镀有基波高反射膜及倍频光部分增透膜。
进一步的，所述的第一窗口片和第二窗口片是折射率与所述的非线性晶体 相当的晶体片。
本实用新型的晶体倍频器可用于腔外倍频，也可用于腔内倍频，尤其可用 于高功率情况。
本实用新型采用如上技术方案，利用密封结构可保护晶体端面不易受潮， 污染，同时利用晶体的布儒斯特角减少激光损耗，同时使入射光与出射光基本 共线，方便调节。
图i是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
.现结合附图和具体实施方式
对本实用新型进一步说明。参阅图l所示，本实用新型的晶体倍频器包括
非线性晶体101，所述的非线性晶体101是两通光面为布儒斯特斜面的布儒 斯特片，并放置于支架102中；
支架102，所述的支架102是低温度膨胀系数的刚性支架，并包裹所述的非 线性晶体101;所述的支架102的材料可为金属，陶瓷或玻璃等。
第一窗口片103A,所述的第一窗口片103A是一通光面为布儒斯特斜面、另 一通光面为平面的晶体片，其布儒斯特斜面与所述的非线性晶体101的布儒斯 特斜面平行或接近平行放置；
第二窗口片103B,所述的第二窗口片103B是一通光面为布儒斯特斜面、另 一通光面为平面的晶体片，其布儒斯特斜面与所述的非线性晶体101的布儒斯 特斜面平行或接近平行放置；
所述的支架102、第一窗口片103A和第二窗口片103B形成保护盒结构。
进一步的，所述的第一窗口片103A的通关面Sl镀有基波增透膜及倍频光 高的反射膜，所述的第二窗口片103B的通关面S2镀有基波高反射膜及倍频光 部分增透膜。基波光进入第一窗口片103A后，最终可获得平行的倍频光从第二 窗口片103B输出。
进一步的，所述的支架102和第一窗口片103A以及所述的支架102和第二 窗口片103B之间通过粘结胶104胶合成密封的保护盒结构。可以防止非线性晶 体101表面被污染或潮解，从而延长倍频晶体的使用寿命。
进一步的，所述的非线性晶体101通光面上镀有膜层或者不镀有膜层。 进一步的，所述的非线性晶体101为I类相位匹配晶体、II类相位匹配晶 体或和频晶体。所述的晶体101可为易潮解晶体或各轴向热膨胀系数相差较大晶体，也可为普通晶体。
进一步的，所述的第一窗口片103A和第二窗口片103B是折射率与所述的 非线性晶体101相当的晶体片。
本实用新型的倍频器外型可以是长方型，正方形或圆型等各种实际应用所 需的结构，第一窗口片103A、第二窗口片10犯和支架102根据需要制作成相应 结构。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术 人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内， 在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范 围。
权利要求1.一种晶体倍频器，其特征在于包括非线性晶体(101)，所述的非线性晶体(101)是两通光面为布儒斯特斜面的布儒斯特片，并放置于支架(102)中；支架(102)，所述的支架(102)是低温度膨胀系数的刚性支架，并包裹所述的非线性晶体(101)；第一窗口片(103A)，所述的第一窗口片(103A)是一通光面为布儒斯特斜面、另一通光面为平面的晶体片，其布儒斯特斜面与所述的非线性晶体(101)的布儒斯特斜面平行或接近平行放置；第二窗口片(103B)，所述的第二窗口片(103B)是一通光面为布儒斯特斜面、另一通光面为平面的晶体片，其布儒斯特斜面与所述的非线性晶体(101)的布儒斯特斜面平行或接近平行放置；所述的支架(102)、第一窗口片(103A)和第二窗口片(103B)形成保护盒结构。
2. 根据权利要求1所述的晶体倍频器，其特征在于所述的支架(102)和第 一窗口片(103A)以及所述的支架(102)和第二窗口片(103B)之间通过粘结 胶(104)胶合成密封的保护盒结构。
3. 根椐权利要求l所述的晶体倍频器，其特征在于所述的非线性晶体(101) 通光面上镀有膜层或者不镀有膜层。
4. 根据权利要求1或3所述的晶体倍频器，其特征在于所述的非线性晶体(101) 为I类相位匹配晶体、II类相位匹配晶体或和频晶体。
5. 根据权利要求1所述的晶体倍频器，其特征在于所述的第一窗口片(103A) 镀有基波增透膜及倍频光高的反射膜，所述的第二窗口片(103B)镀有基波高反射膜及倍频光部分增透膜。
6.根据权利要求1所述的晶体倍频器，其特征在于所述的第一窗口片(103A) 和第二窗口片(103B)是折射率与所述的非线性晶体(101)相当的晶体片。
专利摘要本实用新型涉及激光领域，尤其涉及晶体倍频器领域。本实用新型的晶体倍频器包括非线性晶体，所述的非线性晶体是两通光面为布儒斯特斜面的布儒斯特片，并放置于支架中；支架，所述的支架是低温度膨胀系数的刚性支架，并包裹所述的非线性晶体；第一窗口片，所述的第一窗口片是一通光面为布儒斯特斜面、另一通光面为平面的晶体片，其布儒斯特斜面与所述的非线性晶体的布儒斯特斜面平行或接近平行放置；第二窗口片对称放置；所述的支架、第一窗口片和第二窗口片形成保护盒结构。本实用新型采用如上技术方案，利用密封结构可保护晶体端面不易受潮，污染，同时利用晶体的布儒斯特角减少激光损耗，同时使入射光与出射光基本共线，方便调节。
文档编号G02F1/35GK201397437SQ20092013849
公开日2010年2月3日 申请日期2009年5月19日 优先权日2009年5月19日
发明者凌吉武, 卢秀爱, 砺 吴, 陈卫民, 陈燕平 申请人:福州高意通讯有限公司